JPH0437824A - マトリクス型表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、バス配線の断線を修正する機能を有するマト
リクス型表示装置に関する。

（従来の技術） ＣＲＴに代わる画像表示装置として、液晶、ＥＬ発光体
、プラズマ発光体等を用いたマトリクス型表示装置が注
目されている。中でも液晶表示装置はｔｊＮ”ｌＦｔ用
テレビ、ワードプロセッサ、パーソナルフンビコータ等
に広く用いられている。これらに用いられる表示装置に
は、より精細で大型のものが望まれている。

マトリクス型表示装置を用いて精細な画像を表示するた
めには、マトリクスを構成する絵素の大きさを非常に小
さくし、しかも非常に多くの絵素数を用いる必要がある
。絵素数が増大すると、それに伴って走査線及び信号線
として機能するバス配線の数も多くなる。バス配線の数
が多くなるに従い、断線による不良が生じ易（なる。そ
のうえ、表示装置の大型化に伴ってバス配線の長さは長
くなり、断線の無いバス配線を作製することは益々困難
となっている。

（発明が解決しようとする課題） バス配線の断線を修正する機能を備えたマトリクス型表
示装置が開発されている。断線修正機能を備えた表示装
置に用いられる表示電極基板の一例を第１図に示す。こ
の表示電極基板は、透明基板上に形成された、一方向に
並行する多数のゲートバス配Ｉｓ２と、ゲートバス配線
２に直交して設けられた多数のソースバス配線ｌとを有
する。ソースバス配線１は２組のソースバス配線１ａ及
び１ｂからなり、ソースバス配線１ａ及びｌｂはそれぞ
れ異なったドライバＩＣに接続されている。

ゲートバス配線２及びソースバス配線１は、絶縁膜を介
して非導通状態で交差している。

ゲートバス配線２及びソースバス配線１に囲まれた矩形
の各領域には、絵素電極、スイッチング素子としてのＴ
　Ｐ　Ｔ　（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏ
ｒ）がそれぞれ設けられているが、第１図では簡単のた
め記載を省略しである。絵素電極と対向電極との間に液
晶が封入され、マ）　ＩＪクス型液晶表示装置が構成さ
れる。

ソースバス配線１の両端部には、それぞれ予備配線３ａ
及び３ｂが絶縁膜を介して交差している。

予備配線３ａ及び３ｂはゲートバス配線２とは交差する
ことなく、それぞれ基板外部の配線に接続されている。

即ち、予備配線３ａの端部４ａ及び４ｃは回路基板上に
導かれた接続用配線に接続されている。同様に、予備配
線３ｂの端部４ｂ及び４ｄも回路基板上に導かれた接続
用配線に接続されている。回路基板上では端部４ａに接
続された接続用配線と、端部４ｄに接続された接続用配
線とが互いに接続可能に配されている。同様に、端部４
ｂに接続された接続用配線と、端部４Ｃに接続された接
続用配線とが互いに接続可能に配されている。

この基板のソースバス配線１に断線が生じた場合の修正
方法を以下に示す。第１図に示すようにソースバス配線
１ｂに断線部５が生じている場合には、不良ソースバス
配線１ｂと予備配線３ａとが、交差部５ａに於て電気的
に接続される。同様に、不良ソースバス配線１ｂと予備
配線３ｂとが、交差部５ｂに於て電気的に接続される。

更に前述の回路基板上に於て、予備配線３ａ及び３ｂに
接続された２つの接続用配線が互いに電気的に接続され
る。このように３箇所で電気的接続を行うことにより、
不良ソースバス配線１ｂの断線部５の両端の部分が、回
路基板上の接続用配線を介して電気的に接続される。

このようにして修正を行えば、修正後の不良ソースバス
配線の負荷容量及び電気抵抗を殆ど増大させることなく
断線部分を修正することができる。

従って、修正によってドライバＩＣ８の負担が増大する
こともなく、不良ソースバス配線ｌｂ上の信号遅延も生
じない。

ところが、マトリクス型表示装置の大型化が進と、予備
配線の抵抗も無視できない問題となってくる。予備配線
の低抵抗化を図るため、２層構造の予備配線を用いるこ
とが考えられる。第５図に２層構造の予備配線を形成し
た表示電極基板を、透明基板側から見た平面図を示す。

第６図に第５図のｖｒ−ｖＸ線に沿った断面図を示す。

透明基板１６上の全面にベースコート膜１７が形成され
、ベースコート膜１７上に予備配線３ａが形成されてい
る。予備配線３ａは低抵抗金属層１３ａ及び上層金属層
２３ａを有している。上層金属層２３ａには、この表示
電極基板の作製プロセスに於いて使用されるエッチャン
ト等に対する耐性の大きい金属が用いられる。低抵抗金
属層１３ａを上層金属層２３ａで覆うことにより、表示
電極基板の作製プロセスに於て低抵抗金属層１３ａがエ
ッチャント等によって損傷を受けるのを防止することが
できる。上層金属層２３ａ上には絶縁膜１８が形成され
、更にこの表示電極基板上の全面に、絶縁膜１９が形成
されている。第５図に示すように、予備配線３ａとソー
スバス配ｗａ１との交差部には、絶縁膜２２が挟み込ま
れている。第６図に示すように、絶縁膜２２は絶縁膜１
９上に形成されている。従って、予備配線３ａとソース
バス配線１とは、絶縁膜１８．１９及び２２を挟んで交
差している。ソースバス配線ｌが形成された表示電極基
板上の全面には、保護膜２０及び配向膜２１が形成され
ている。

このような２層構造の予備配線３ａを有する表示電極基
板に於て、上述のように予備配線３ａとソースバス配線
１と交差部にレーザ光照射を行うと、第７図に示すよう
に予備配線３ａとソースバス配線１が溶融されると共に
、絶縁膜１８．１９及び２２の絶縁破壊が起こり、予備
配線３ａとソースバス配線１とが電気的に接続される。

ところが、低抵抗金属層１３ａの光吸収率が小さく反射
率が大きいため、低抵抗金属層１３ａを溶融させるため
には出力の大きなレーザ光を用いなければなければなら
ない。出力の大きなレーザ光を用いると、エネルギー損
失が大きくなるばかりでなく、溶融させる必要のない予
備配線３ａｘ　　ソースバス配線１等の部分をも破損し
、修正による表示装置の歩留り向上が図れないという問
題が生じる。

本発明はこのような問題点を解決するものであり、本発
明の目的は、バス配線の断線を修正し得て、低抵抗で、
しかも低出力のエネルギー照射によって溶融し得る予備
配線を有するマトリクス型表示装置を提供することであ
る。

（課題を解決するための手段） 本発明のマトリクス型表示装置は、マトリクス状に配列
された絵素電極と、該絵素電極の間にそれぞれ一方向に
列をなして縦横に配線された走査線及び信号線と、該走
査線及び該信号線の列の少なくとも一方の列の少なくと
も一部の線の両端部のそれぞれに於て該一部の線と絶縁
膜を介して交差する予備配線と、を有する表示電極基板
を備え、該予備配線が少なくとも低抵抗金属層と低反射
率層との２層を有し、該一部の線の一方の端部と交差す
る該予備配線の少なくとも一方の端部に接続された接続
用配線と、該一部の線の他方の端部と交差する該予備配
線の少なくとも一方の端部に接続された接続用配線とが
、該表示電極基板の外部で互いに接続可能に配されてお
り、そのことによって上記目的が達成される。

（作用） 本発明のマトリクス型表示装置では、表示電極基板上に
形成された走査線及び信号線から成るバス配線のうち、
少なくとも一方のバス配線の、少なくとも一部のバス配
線の両端部のそれぞれに於て、低抵抗金属層と、低反射
率層との２層を有する予備配線が絶縁膜を介して交差し
ている。該−部のバス配線の１本が断線した場合には、
断線した不良バス配線と、該不良バス配線の両端部で交
差する予備配線とが、レーザ光等のエネルギー照射によ
り、それぞれの交差部で接続される。該−部のバス配線
の一方の端部と交差する予備配線の少なくも一方の端部
に接続された接続用配線と、該一部のバス配線の他方の
端部と交差する予備配線の少なくとも一方の端部に接続
された接続用配線とが、表示電極基板の外部で互いに後
に接続される。

予備配線は低抵抗金属層と低反射率層との２層を有して
いる。低反射率層の存在により、低い出力のエネルギー
照射によっても、予備配線と該予備配線に交差する不良
バス配線とを接続することができる。また、低抵抗金属
層の存在により、予備配線の低抵抗化が図られている。

（実施例） 本発明の実施例について以下に説明する。本実施例のマ
トリクス型表示装置に用いられる表示電極基板の平面模
式図を第１図に示す。本実施例に用いられる表示電極基
板の概略平面図は、上記で説明したものと同様である。

本実施例は透過型の液晶表示装置である。透明基板上に
一方向に列をなすゲートバス配線２が設けられ、ゲート
バス配線２に直交してソースバス配線１が列をなして設
けられている。ソースバス配線ｌは２組のソースバス配
線１ａ及び１ｂからなり、ソースバス配線ｌａ及びｌｂ
はそれぞれ異なったドライバＩＣ（図示せず）に接続さ
れている。ゲートバス配線２及びソースバス配線ｌは、
それぞれ走査線及び信号線として機能している。ゲート
バス配置ｉ１２及びソースバス配線ｌは、絶縁膜を介し
て非導通状態で交差している。

ゲートバス配線２及びソースバス配［１に囲まれた矩形
の各領域には、絵素電極、スイッチング素子としてＴＰ
Ｔがそれぞれ設けられているが、第１図では簡単のため
記載を省略しである。絵素電極と対向電極との間に液晶
が封入され、マトリクス型液晶表示装置が構成される。

ソースバス配線ｌの両端部には、それぞれ予備配線３ａ
及び３ｂが、後述する３層の絶縁膜を介して交差してい
る。予備配線３ａ及び３ｂはゲートバス配線２とは交差
することなく、それぞれ基板外部の接続用配線に接続さ
れている。即ち、ソースバス配線１の一方の端部と交差
する予備配線３ａの端部４ａ及び４ｃは、それぞれこの
表示電極基板の外部の例えば回路基板上に導かれた接続
用配線に接続されている。ソースバス配線ｌの他方の端
部と交差する予備配線３ｂの端部４ｂ及び４ｄも、それ
ぞれ回路基板上に導かれた接続用配線に接続されている
。回路基板上では端部４ａに接続された接続用配線と、
端部４ｄに接続された接続用配線とが互いに接続可能に
配されている。

同様に、端部４ｂに接続された接続用配線と、端部４Ｃ
に接続された接続用配線とが回路基板上で互いに接続可
能に配されている。尚、本実施例に於て、端部４ｂ及び
４Ｃには接続用配線を接続しない構成としてもよい。ま
た、端部４ａ及び４ｂに接続された接続用配線のみを回
路基板上で接続可能に配した構成、又は端部４Ｃ及び４
ｄに接続された接続用配線のみを回路基板上で接続可能
に配した構成とすることもできる。

第２図に、本実施例の表示電極基板の予備配線３ａとソ
ースバス配線１との交差部を、透明基板側から見た平面
図を示す。第３図に第２図の■−■線に沿った断面図を
示す。透明基板１６上の全面に、Ｔ　ａ　２０ｇ、Ａ　
Ｊ　２０６、Ｓｉ３Ｎ４等からなるベーｘ：ｙ−ト１１
７が形成され、ベースコート膜１７上に予備配線３ａが
形成されている。予備配線３ａは低反射率層３３Ｂ、低
抵抗金属層１３Ｂ及び上層金属層２３ａを有している。

低反射率層３３ａにはＴａ、　　Ｍｏ、ＴＩ等の光の反
射率の低い金属が用いられる。低抵抗金属層１３ａには
Ａ１、Ａｕ、Ａｇ等の抵抗値の低い金属が用いられる。

上層金属層２３ａには、この表示電極基板の作製プロセ
スに於いて使用されるエッチャント等に対する耐性の大
きい金属、例えば、ＴａＳＭｏ、ＴＩ、Ｎｉ等が用いら
れる。低抵抗金属層１３ａを上層金属層２３ａで覆うこ
とにより、表示電極基板の作製プロセスに於て低抵抗金
属層１３ａがエッチャント等によって損傷を受けるのを
防止することができる。

上層金１１１Ｍ１２３ａ上にはＳ　ＩＮＸ％　Ｔａ２’
ｓ等からなる絶縁膜１８が形成され、更にこの表示電極
基板の全面に、Ｓ　ＩＮｘ、Ｔａ２ｋｓ等からなる絶縁
膜１９が形成されている。第２図に示すように、予備配
置！３ａとソースバス配線ｌとの交差部には、Ｓ　ｉ　
８１％　Ｔ　ａ２０ｓ等からなる絶縁膜２２が挟まれて
いる。第３図に示すように、絶縁膜２２は絶縁膜１９上
に形成されている。従って、予備配線３ａとソースバス
配線ｌとは、３層の絶縁１１１１８．１９及び２２を挟
んで交差している。ソースバス配線ｌが形成された表示
電極基板上の全面には、保、ＪＩ［２０及び配向膜２１
が形成されている。

この基板のソースバス配線１に断線が生じた場合の修正
方法は、前述と同様である。第１図に示すようにソース
バス配線１ｂに断線部５が生じている場合には、不良ソ
ースバス配線１ｂと予備配線３ａとが、交差部５ａにレ
ーザ光を照射することによって電気的に接続される。同
様に、不１ソースバス配線１ｂと予備配線３ｂとが、交
差部５ｂにレーザ光を照射することによって電気的に接
続される。第４図にレーザ光照射後の交差部５ａの不良
ソースバス配線１ｂに沿った断面図を示す。

予備配線３ａ及びソースバス配線１ｂはレーザ光照射に
よって溶融され、それとと共に絶縁膜１８．１９及び２
２の破壊が起こる。溶融した予備配線３ａとソースバス
配線１ｂとは互いに電気的に接続される。本実施例では
予備配置ｆ１３ａは低反射率層３３ａを有しているので
、照射されたレーザ光は該低反射率層３３ａに効率よく
吸収される。従って、低出力のレーザ光によっても容易
に予備配線３ａを溶融させることができる。

更に、前述の回路基板上に於て、予備配線３ａ及び３ｂ
に接続された２つの接続用配線が互いに電気的に接続さ
れる。このように３１ｆ所で電気的接続を行うことによ
り、不良ソースバス配線１ｂの断線部５の両端の部分が
、回路基板上の接続用配線を介して電気的に接続される
。

本実施例では予備配線３ａは低抵抗金属層１３ａを有し
ているので、このようにして修正を行っても、修正後の
不良ソースバス配線の電気抵抗を殆ど増大させることな
く断線部分を修正することができる。

本実施例では予備配線３ａ及び３ｂは全てのソースハス
配線ｌと交差しているが、ソースバス配線１の一部にの
み交差する構成としてもよい。また、本実施例では予備
配線３ａ及び３ｂはソースハス配線１に交差して設けら
れているが、ゲートバス配線２に交差するように設けて
もよい。更に、ゲートバス配線２及びソースバス配線１
のそれぞれに交差する予備配線を設けた構成とすること
もできる。

また、本実施例では透過型の液晶表示装置を示したが、
本発明は反射型の表示装置にも用いることができる。ま
た、本実施例ではＴＰＴを用いたアクティブマトリクス
型液晶表示装置について説明したが、本発明はこれに限
定されるものではない。本発明はＭ　Ｉ　Ｍ　（Ｍｅｔ
ａｌ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｍｅｔａｌ）素子、ダイオ
ード、バリスタ等のスイッチング素子を用いた広範囲の
表示装置にも適用することができる。更に、表示媒体と
して、薄膜発光層、分散型ＥＬ発光層、プラズマ発光体
等を用いた各種の表示装置に適用することができる。

（発明の効果） 本発明のマトリクス型表示装置は、低抵抗で、しかも、
低出力のエネルギー照射によって溶融させることができ
る予備配線を有しているので、表示装置の大型化が進ん
でも抵抗値を増大させることなくバス配線の断線を容易
に修正することができる。従って、本発明によれば表示
装置の歩留りが向上し、コストダウンが可能となる。

４、　　　　　の　　　　な！　８ 第１図は本発明のマトリクス型表示装置に用いられる表
示電極基板の概略平面図、第２図は予備配線とソースバ
ス配線との交差部を透明基板側から見た平面図、第３図
は第２図のｍ−ｍ線に沿った断面図、第４図はレーザ光
照射後の交差部の断面図、第５図はマトリクス型表示装
置の改良例に用いられる表示電極基板を透明基板側から
見た平面図、第６図は第５図のＶｌ−Ｖｌ線に沿った交
差部の断面図、第７図は第６図の交差部にレーザ光照射
した後の断面図である。

１、ｌａ・・・ソースバス配線、２・・・ゲートバス配
線、３ａ、３ｂ・・・予備配線、５・・・断線部、５ａ
。

５ｂ・・・交差部、１３ａ・・・低抵抗金属層、１６・
・・透明基板、１７・・・ベースフート膜、１８　１９
　２２・・・絶縁膜、２０・・・保護膜、２１・・・配
向膜、２３ａ・・・上層金属層、３３ａ・・・低反射率
層。

第１区 ４２区

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、マトリクス状に配列された絵素電極と、該絵素電極
   の間にそれぞれ一方向に列をなして縦横に配線された走
   査線及び信号線と、該走査線及び該信号線の列の少なく
   とも一方の列の少なくとも一部の線の両端部のそれぞれ
   に於て該一部の線と絶縁膜を介して交差する予備配線と
   、を有する表示電極基板を備え、 該予備配線が少なくとも低抵抗金属層と低反射率層との
   ２層を有し、該一部の線の一方の端部と交差する該予備
   配線の少なくとも一方の端部に接続された接続用配線と
   、該一部の線の他方の端部と交差する該予備配線の少な
   くとも一方の端部に接続された接続用配線とが、該表示
   電極基板の外部で互いに接続可能に配されているマトリ
   クス型表示装置。