JPH0385524A - マトリクス型表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、バス配線の断線修正機能を有するマトリクス
型表示装置に関する。

（従来の技術） ＣＲＴに代わる画像表示装置として、液晶、ＥＬ発光体
、プラズマ発光体等を用いたマトリクス型表示装置が注
目されている。中でも液晶表示装置は携帯用テレビ、ワ
ードプロセッサ、パーソナルコンピュータ等に広く用い
られている。これらに用いられる表示装置には、より精
細で大型のものが望まれている。

マトリクス型表示装置を用いて精細な画像を表示するた
めには、マトリクスを構成する絵素の大きさを非常に小
さくし、しかも非常に多くの絵素数を用いる必要がある
。絵素数が増大すると、それに伴って走査線及び信号線
として機能するバス配線の数も多くなる。バス配線の数
が多くなるに伴い、断線不良が生じ易くなる。そのうえ
、表示装置の大型化に伴い、バス配線の長さは長くなり
、断線不良の無いバス配線を作製することは益々困難と
なっている。

（発明が解決しようとする課題） バス配線の断線不良を修正する機能を備えたマトリクス
型表示装置が開発されている。第５Ａ図に断線修正機能
を有する表示装置に用いられる表示電極基板の１例の概
略平面図を示す。一方向に平行し走査線として機能する
多数のゲートバス配線１に直交して、信号線として機能
する多数のソースバス配線３が平行して設けられている
。ゲートバス配線１及びソースバス配線３は、後述する
ゲート絶縁膜１３を介して非導通状態で交差している。

ゲートバス配線ｌ及びソースバス配線３に囲まれた矩形
の各領域には、絵素電極及びＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌ
ｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）がそれぞれ設けられている
が、第５Ａ図ではそれらの記載を省略しである。

ゲートバス配線１及びソースバス配線３が交差している
領域の外周には、予備配線２が設けられている。予備配
線２はゲートバス配線１に平行する２本の予備配線２ａ
及び２ｃ、並びにソースバス配線３に平行する２本の予
備配線２ｂ及び２ｄから成る。これらの４本の予備配線
２ａ、２Ｃ１２ｂ、２ｄは互いに電気的に接続されてい
る。

第５Ｂ図に、第５Ａ図のＢ点に於けるゲートバス配線１
に沿った断面図を示す。ガラス基板１５上にベースコー
ト膜５が全面に堆積され、ベースコート膜５上にはゲー
トバス配線１がパターン形成されている。ゲートバス配
線ｌ上の全面にゲート絶縁膜１３が堆積され、予備配線
２ｂがゲート絶縁膜１３を介してゲートバス配線１上に
交差して設けられている。更に、予備配線２ｂ上の全面
に保護膜１６が形成されている。

第５Ｃ図に、第５Ａ図の０点に於けるソースバス配線３
に沿った断面図を示す。前述のベースコート膜５上に予
備配線２ａがパターン形成され、予備配線２ａ上の全面
に前述のゲート絶縁膜１３が堆積されている。予備配線
２ａ上にはゲート絶縁膜１３を介してソースバス配線３
が交差している。更に、ソースバス配線３上には前述の
保護膜１６が全面に形成されている。

ゲートバス配線１又はソースバス配線３に生じた断線不
良は、表示画面上に線欠陥として認識され、表示装置の
歩留りを低下させる大きな原因となっている。この表示
電極基板では、ゲートバス配線ｌ又はソースバス配線３
に生じた断線不良は、予備配線２を用いて修正される。

例えば、第５Ａ図に示すように１本のソースバス配線３
ａに断線部１１が生じている場合には、不良ソースバス
配線３ａの両端部の、予備配線２ａと２０との交差部１
１ａ及びｌｌｂに於て、不良ソースバス配線３ａと予備
配線２ａ及び２Ｃとが電気的に接続される。この接続は
交差部１１ａ及びｌｌｂにレーザ光等のエネルギーを照
射し、ゲート絶縁膜１３を破壊することにより行われる
。このように２箇所で接続することにより、不良ソース
バス配線３ａの断線部１１の両側の部分は、予備配線２
ａ、２ｃ及び２ｄを介して電気的に接続される。

しかし、このように予備配線２を有する表示装置では、
予備配線２とゲートバス配線１又はソースバス配線３と
の間に絶縁不良が生じる場合がある。このような絶縁不
良を生じている予備配線２を用いて断線部１１の修正を
行うと、更に他の部分にも欠陥を生じることになる。例
えば、第５Ａ図に示す交差部１２に於て、ソースバス配
線３ｂと予備配線２ａとの間に絶縁不良が生じている場
合について考える。このような不良が生じている場合に
、前述のように交差部１１ａ及びｌｌｂに於いて不良ソ
ースバス配線３ａと予備配線２ａ及び２ｃとが接続され
ると、ソースバス配線３ａと３ｂとが電気的に接続され
、ソースバス配線３ｂ上に接続された絵素電極にも線欠
陥を生じることになる。このように予備配線２を設けた
表示装置では、予備配線とバス配線との間の絶縁不良は
大きな問題となる。

本発明はこのような問題点を解決するものであり、本発
明の目的は、バス配線と予備配線との間の絶縁不良の発
生の少ないマトリクス型表示装置を提供することである
。

（課題を解決するための手段） 本発明のマトリクス型表示装置は、マトリクス状に配列
された絵素電極と、該絵素電極の間にそれぞれ一方向に
列をなして縦横に配線された走査線及び信号線と、を備
えたマトリクス型表示装置であって、該走査線及び該信
号線の列の少なくとも一方の列の両端部のそれぞれに於
て、該一方の列中の少なくとも一部の線と少なくとも２
層の絶縁膜を介して交差する予備配線を備えており、そ
のことによって上記目的が達成される。

（作用） 本発明のマトリクス型表示装置では、走査線として機能
するバス配線と、信号線として機能するバス配線とを有
している。これらのバス配線の少なくとも一方の両端部
のそれぞれに於いて、これらのバス線の少なくとも一部
と交差する予備配線が設けられている。そして、バス線
と予備配線との間には、少なくとも２層の絶縁膜が設け
られている。２層の絶縁膜が設けられていることにより
、バス線と予備配線との間の絶縁不良の発生が低減され
ている。

また、本発明では上述の２層の絶縁膜の一方に陽極酸化
膜を用いることができる。陽極酸化膜は交差するバス配
線及び予備配線の内、下方に位置する配線の上面に、陽
極酸化により形成され得る。

（実施例） 本発明を実施例について以下に説明する。第１Ａ図に本
発明のマトリクス型表示装置に用いられる表示電極基板
の概略図平面図を示す。一方向に平行し走査線として機
能する多数のゲートバス配線１に直交して、信号線とし
て機能する多数のソースバス配線３が平行して設けられ
ている。ゲートバス配線１及びソースバス配線３は、後
述するゲート絶縁膜１３を介して非導通状態で交差して
イル。ゲートバス配線１及びソースバス配線３に囲まれ
た矩形の各領域には、絵素電極及びＴＦＴがそれぞれ設
けられているが、第１Ａ図ではそれらの記載を省略しで
ある。

ゲートバス配線１及びソースバス配線３が交差している
領域の外周には、予備配線２が設けられている。予備配
線２はゲートバス配線１に平行する２本の予備配線２ａ
及び２ｃ、並びにソースバス配線３に平行する２本の予
備配線２ｂ及び２ｄから成る。これらの４本の予備配線
２ａ、２ｃ、２ｂ、２ｄは互いに電気的に接続されてい
る。

第１Ｂ図に、第１Ａ図のＰ点に於けるゲートバス配線ｌ
に沿った断面図を示す。ガラス基板１５上にＴａ２０５
、Ａｌ２Ｏ，，５Ｉ３Ｎ、等から成るベースコート膜５
が全面に堆積され、ベースコート膜５上に予備配線２ｂ
がパターン形成されている。

予備配線２ｂ及び２ｄには陽極酸化が可能な金属が用い
られている。本実施例ではＴａ金属を用いた。予備配線
２ｂ及び２ｄ上には陽極酸化膜４が形成されている。陽
極酸化膜４はＴａ金属の予備配線２をパターニングした
後、過硫酸アンモニウム等の電解溶液中で陽極酸化する
ことにより形成される。従って、陽極酸化膜４はＴａ２
０５から成る。

陽極酸化膜４上の全面にＳｉＮｘ等からなる絶縁膜１７
が堆積され、ゲートバス配線１が陽極酸化膜４及び絶縁
膜１７を介して予備配線２ｂに交差して設けられている
。ゲートバス配線ｌはＴａ。

ＡＩ、ＭｏＳ　７１等の単層又はこれらの多層金属層か
ら成る。更に、ゲートバス配線１上の全面に保護膜１６
が形成されている。

第１Ｃ図に、第１Ａ図のＱ点に於けるソースバス配線３
に沿った断面図を示す。前述のベースフート膜５上に前
述の絶縁膜１７が全面に堆積されている。絶縁膜１７上
には予備配線２ａがパターン形成され、予備配線２ａ上
の全面にゲート絶縁膜１３が堆積されている。本実施例
では予備配線２ａ及び２ｃはゲートバス配線ｌと同時に
形成されている。予備配線２ａ上にはゲート絶縁膜１３
を介してソースバス配線３が交差している。更に、ソー
スバス配線３上には前述の保護膜１６が全面に形成され
ている。予備配線２ａと前述の第１Ｂ図に示す予備配線
２ｂとは、絶縁膜１７及び陽極酸化膜４に設けられたス
ルーホール（図示していない）によって電気的に接続さ
れている。同様に、予備配線２ａと２６．予備配線２ｂ
と２ｃ、及び予備配線２Ｃと２ｄとの間も電気的に接続
されている。

本実施例では予備配線２ｂ及び２ｄと、ゲートバス配線
ｌとは、陽極酸化膜４及び絶縁膜１７を介して交差して
いる。予備配線２ｂ及び２ｄと、ゲートバス配線１との
間に２層の絶縁層を介在させることにより、予備配線２
ｂ及び２ｄとゲートバス配線１との間の絶縁不良の発生
が低減される。

第２Ａ図に本発明の他の実施例に用いられる表示電極基
板の概略平面図を示す。第２Ｂ図に第２Ａ図の基板の作
製途中の段階を示す。第２Ｂ図に示すように、本実施例
では予備配線２ａ及び２Ｃはゲートバス配線１と同時に
形成され、これらの配線２ａ、２ｃ及び配線ｌは、一方
の端部で接続線１８によって電気的に接続されている。

本実施例でもゲートバス配線１、予備配線２ａ、及び２
ＣはＴａ金属によって形成され、これらの配線１及び配
線２上には陽極酸化膜４が形成されている。

陽極酸化膜４は、前述のようにこの基板を過硫酸アンモ
ニウム等の電解溶液中に浸漬して陽極酸化を行うことに
より形成される。陽極酸化膜４が形成された後、この表
示電極基板の完成前に、接続線１８と予備配線２ａ、２
ｃ及びゲートバス配線ｌとの間は切断される。

陽極酸化膜４上にはゲート絶縁膜１３が全面に堆積され
、ゲート絶縁膜１３上にはゲートバス配線１、予備配置
ｉ［２ａ及び２Ｃに交差して、ソースバス配置ｉ１３、
予備配線２ｂ１及び２ｄが同時にパターン形成される（
第２Ａ図）。

第２Ａ図のＲ点に於けるゲートバス配線１に沿った断面
図を第２Ｃ図に示す。ガラス基板１５上にＴａ２０５、
Ａ　１２０５．３１３Ｎ４等から戊るベースコート膜５
が全面に堆積され、ベースコート膜５上にはゲートバス
配線１がパターン形成されている。ゲートバス配線１上
には前述の陽極酸化膜４が形成されている。陽極酸化膜
４を覆って全面に、５ＩＮｘ等からなるゲート絶縁膜１
３が堆積されている。予備配線２ｂはゲート絶縁膜１３
を介してゲートバス配線１と交差している。更に、予備
配線２ｂ上の全面に保護膜１６が形成されている。

第２Ａ図の８点に於けるソースバス配線３に沿った断面
図を第２Ｄ図に示す。第２Ｃ図と同様に、ガラス基板１
５の全面にベースコート膜５が堆積され、ベースコート
膜５上には予備配線２ａがパターン形成されている。予
備配線２ａ上には前述の陽極酸化膜４が形成されている
。陽極酸化膜４を覆って全面に、ゲート絶縁膜１３が堆
積され、ゲート絶縁膜１３上にはソースバス配線３がパ
ターン形成されている。更に、ソースバス配線３上の全
面に保護膜１６が形成されている。

本実施例では予備配線２ａ、２ｃ、２ｂ、及び２ｄが交
差する４つの接続部１９ａ１１９ｂ、１９ｃ、及び１９
ｄが設けられている。これらの接続部１９ａ〜ｄに於て
、予備配線２ａ〜ｄは電気的に接続されていない。従っ
て、これらの予備配線２ａ〜ｄの間には、ゲート絶縁膜
１３が介在している。

本実施例ではゲートバス配線１又はソースバス配線３の
何れかに断線部が生じて場合には、断線部を生じたバス
配線と予備配線２とが接続され、更に４つの接続部１９
ａ〜ｄの内の２つが接続される。

一例として、第２Ａ図のソースバス配線３ａに生じてい
る断線部１１を修正する場合を挙げる。

まず、前述の従来例と同様に、断線部１１を生じている
ソースバス配線３ａと予備配線２ａとの交差部１１ａに
レーザ光が照射され、該配線３ａと２ａとが接続される
。同様に、交差部１１ｂにレーザ光が照射され、ソース
バス配線３ａと予備配線２ｃとが接続される。次に、接
続部１９ｂ及び１９ｃにレーザ光が照射され、予備配線
２ａ、２ｄ１　及び２ｃが電気的に接続される。これに
より、不良ソースバス配線３ａの断線部１１の両側の部
分が、予備配置２ａ、２ｄ、及び２Ｃを介して接続され
る。

本実施例では第２Ｃ図に示すように、予備配線２ｂ及び
２ｄとゲートバス配線１とは陽極酸化膜４とゲート絶縁
膜１３との２層の絶縁層を介して交差している。同様に
、第２Ｄ図に示すように、予備配線２ａ及び２Ｃとソー
スバス配線３とは陽極酸化膜４とゲート絶縁膜１３との
２層の絶縁層を介して交差している。これらの２層の絶
縁層により、予備配線２とこれらのバス配線ｌ及び３と
の間の絶縁不良の発生が低減されている。

第３Ａ図に本発明の他の実施例に用いられる表示電極基
板の概略平面図を示す。第３Ｂ図に第３Ａ図の基板の作
製途中の段階を示す。また、第３Ｃ図に第３Ａ図のＴ点
に於けるゲートバス配線１に沿った断面図を示す。本実
施例では予備配線２ａ、２ｂ、及び２ｃはゲートバス配
線１と同時ニベースコート膜５上に形成されている。こ
れらの予備配線２　ａｓ　２　ｃｓ及びゲートバス配線
１は、一方の端部で接続線１８によって電気的に接続さ
れている。本実施例でもゲートバス配線１、予備配線２
　ａｓ　　２　ｂｓ　及び２ＣはＴａ金属によって形成
され、これらの配線１．２ａ、２ｂ、及び２ｃ上には陽
極酸化膜４が形成されている。陽極酸化膜４は、前述の
ようにこの基板を過硫酸アンモニウム等の電解溶液中に
浸漬し、陽極酸化を行うことにより形成される。陽極酸
化膜４が形成された後、この表示電極基板の完成前に、
接続線１８と予備配線２ａ、２ｃ及びゲートバス配線１
とは切断される。

本実施例ではゲートバス配線１の接続線１８に接続され
ていない端部には、陽極酸化に先だってプラスチックコ
ート剤が塗布されており、陽極酸化膜４が形成されない
ようにされている。陽極酸化後にこのプラスチックコー
ト剤は除去される。

陽極酸化膜４上にはゲート絶縁膜１３が全面に堆積され
、上述の陽極酸化膜４が形成されていないゲートバス配
線１の端部上のゲート絶縁膜１３がエツチング除去され
、第３Ｃ図に示すようにスルーホール２０が設けられて
いる。予備配線２ａ。

２ｃ、及びゲートバス配線１に直交して、ゲート絶縁膜
１３上に予備配線２ｄ、及びソースバス配線３、ゲート
バス配線１ａが同時にパターン形成される。第３Ａ図で
は、ゲートバス配線１ａは破線で示されている。第３Ｃ
図に示すように、ゲートバス配線１ａの一方の端部は、
前述のスルーホール２０上に形成されている。従って、
本実施例ではゲートバス配線１の一方の端部は、スルー
ホール２０を介してゲートバス配線１ａに接続され、ゲ
ート絶縁膜１３上に引き出されている。また、予備配線
２ｂはゲートバス配線１ａの下方に位置し、予備配線２
ｂ上に形成された陽極酸化膜４とゲート絶縁膜１３とを
介してゲートバス配線１ａと交差している。

前述の第２Ａ図の実施例と同様に、第３Ａ図に示す接続
部１９ｂ及び１９ｃでは、予備配線２ｄと予備配線２ａ
及び２ｂとの間にはゲート絶縁膜１３が介在し、これら
の間は電気的に絶縁されている。本実施例では予備配線
２を用いてソースバス配線３上に発生した１ｆｉＩ所の
断線部を修正する場合には、接続部１９ｂ及び１９ｃで
の接続は不要である。２箇所の断線部が異なるソースバ
ス配線３に生じている場合には、接続部１９ｂ及び１９
ｃに於て予備配線２ｄと予備配線２ａ及び２Ｃとが電気
的に接続される。更に予備配線２ａ及び２ｃがそれぞれ
適当な位置で２分割され、断線不良が修正される。

本実施例では予備配線２ａ及び２Ｃと、ソースバス配線
３との間、並びに予備配線２ｂとゲートバス配＄１１ａ
との間には、これらの予備配線２ａ。

２ｃ、及び２ｂ上に形成された陽極酸化膜４と、ゲート
絶縁膜１３とが介在している。また、ゲートバス配線ｌ
と予備配線２ｄとの間には、ゲートバス配線１上に形成
された陽極酸化膜４と、ゲート絶縁膜１３とが介在して
いる。このように本実施例では２層の絶縁層により、予
備配線２とバス配線との間の絶縁不良の発生が防止され
ている。

第４Ａ図に本発明の他の実施例に用いられる表示電極基
板の概略平面図を示す。本実施例ではゲートバス配線１
の両端部から走査信号が印加される。従って、ゲートバ
ス配線と交差する予備配線は不要である。第１Ａ図に示
す実施例と同様に、ガラス基板上にベースコート膜が堆
積され、ベースコート膜上にゲートバス配線ｌ、予備配
線２ａ、２ｂ、及び接続線（図示していない）が形成さ
れる。ゲートバス配線１、予備配線２ａ、２ｂ、及び接
続線の上に陽極酸化膜４が形成された後、この基板の完
成前に接続線は該配線ｌ、２ａ、及び２ｂから切り離さ
れる。また、本実施例では予備配線２ａ及び２ｂは、そ
れぞれ予備配線端子６ａ。

６ｂ、及び予備配線端子６Ｃ１６ｄを有している。

陽極酸化膜４上の全面に５ｆＮｘ等の絶縁膜が堆積され
、その上からソースバス配線３がパターン形成されてい
る。

本実施例では予備配線２ａと２ｂとは表示電極基板上で
は接続されず、非導通状態で交差することもない。予備
配線２ａ及び２ｂはそれぞれ予備配線端子６ａ、６ｔ＋
、及び予備配線端子６ｃ１６ｄを介してソースドライバ
フィルム上に導かれる。

第４Ｂ図に本実施例に用いられるソースドライバフィル
ム７を示す。ソースドライバフィルム７上には、ソース
ドライバＩＣ８が設けられ、該■Ｃ８には第４Ａ図のソ
ースバス配線３に接続されたフィルム上ソースバス配線
９が形成されている。

該配線９及びＩＣ８の周外側には、フィルム上予備配線
１０ａ及びｌＯｂが設けられている。フィルム上予備配
線１０ａの一方の端部２１ａは、前述の予備配線端子６
ａに接続されている。同様に、フィルム上予備配線１０
ｂの一方の端部２１ｂは、予備配線端子６ｂに接続され
ている。フィルム上予備配線１０ａ及び１０ｂの他方の
端部２２ａ及び２２ｂは、回路基板上に導かれた配線に
接続されている。

同様に、予備配線端子６ｃ及び６ｄは、第４Ｂ図に示す
ものと同様のソースドライバフィルム上の予備配線に導
かれ、更に回路基板上の配線にそれぞれ接続されている
。そして、予備配線端子６Ｃに接続された回路基板上の
配線は、前述の予備配線端子６ａに接続された配線と電
気的に接続されている。同様に、予備配線端子６ｄに接
続された回路基板上の配線は、予備配線端子６ｂに接続
された配線と電気的に接続されている。このようにして
、予備配線２ａと２ｂとは表示電極基板外部の回路基板
上で電気的に接続される。

本実施例では予備配線２ａ及び２ｂと、ソースバス配線
３とは、予備配線２ａ及び２ｂ上に形成された陽極酸化
膜と、更にその上に形成された絶縁膜とを介して交差し
ている。このように２層の絶縁層が設けられていること
により、予備配線２ａ及び２ｂと、ソースバス配線３と
の間の絶縁不良の発生が低減されている。

以上で説明した実施例では、何れの予備配線２ａ　％　
ｄも一方向に平行するバス配線の全てと交差している例
を示したが、平行するバス配線の一部とのみ交差してい
る構成とすることもできる。

（発明の効果） 本発明のマトリクス型表示装置では、バス配線と予備配
線との間の絶縁不良の発生が低減されている。従って、
本発明によれば、表示装置の歩留りが向上し、表示装置
のコストが低減されることになる。

４、　　　　　の　　　な言　口 第１Ａ図は本発明のマトリクス型表示装置のｌ実施例に
用いられる表示電極基板の概略平面図、第１Ｂ図は第１
Ａ図のＰ点に於けるゲートバス配線１に沿った断面図、
第１ｃ図は第１Ａ図のＱ点に於けるソースバス配線３に
沿った断面図、第２Ａ図は本発明表示装置の他の実施例
に用いられる表示電極基板の概略平面図、第２Ｂ図は第
２Ａ図の基板の作製途中の段階を示す平面図、第２ｃ図
は第２Ａ図のＲ点に於けるゲートバス配線１に沿った断
面図、第２Ｄ図は第２Ａ図のＳ点に於けるソースバス配
線３に沿った断面図、第３Ａ図は本発明表示装置の更に
他の実施例に用いられる表示電極基板の概略平面図、第
３Ｂ図は第３Ａ図の基板の作製途中の段階を示す平面図
、第３ｃ図は第３Ａ図のＴ点に於けるゲートバス配Ｌ９
１１ニ沿った断面図、第４Ａ図は本発明表示装置の他の
実施例に用いられる表示電極基板の概略平面図、第４Ｂ
図は第４Ａ図に接続されるソースドライバフィルムの平
面図、第５Ａ図は従来の予備配線を有する表示電極基板
の概略平面図、第５Ｂ図は第５Ａ図のＢ点に於けるゲー
トバス配線１に沿った断面図、第５Ｃ図は第５Ａ図の０
点に於けるソースバス配線３に沿った断面図である。

１−・・ゲートバス配線、２．　２ａ、　　２ｂ、　　
２ｃ。

２ｄ・・・予備配線、３・・・ソースバス配線、４・・
・陽極酸化膜、５・・・ベースコート膜、６　ａ　、　
　６　ｂ　＋　　６　Ｃ＋６ｄ・・・予備配線端子、７
・・・ソースドライバフィルム、８・・・ドライバＩＣ
，１０ａ、　　１０ｂ・・・フィルム上予備配線、１３
・・・ゲート絶縁膜、１５・・・ガラス基板、１６・・
・保護膜、１７・・・絶縁膜、１９ａ。

１９ｂ、１９ｃ、１９ｄ−・・接続部、２０−・・スル
ーホール。

第１Ａ図 ３ ｙＰＪ１Ｂ図 第１Ｃ図 第２Ａ図 第２８　ｒＩｌｌ Ｃ 、＠２Ｃ図 第２Ｄ図 第３Ａ図 第３Ｂ図 ２ａ Ｃ 第３Ｃ図 第４Ａ図 第４Ｂ図 第５ＡｒＩ！１ 第５Ｂ図 ＭＳＣ図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、マトリクス状に配列された絵素電極と、該絵素電極
   の間にそれぞれ一方向に列をなして縦横に配線された走
   査線及び信号線と、を備えたマトリクス型表示装置であ
   って、 該走査線及び該信号線の列の少なくとも一方の列の両端
   部のそれぞれに於て、該一方の列中の少なくとも一部の
   線と少なくとも２層の絶縁膜を介して交差する予備配線
   を備えたマトリクス型表示装置。