JPH043937A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH043937A JPH043937A JP2106188A JP10618890A JPH043937A JP H043937 A JPH043937 A JP H043937A JP 2106188 A JP2106188 A JP 2106188A JP 10618890 A JP10618890 A JP 10618890A JP H043937 A JPH043937 A JP H043937A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法に関するものであも
従来の技術
第３図は従来のＣＭＯ３における代表的なウェル形成プ
ロセスフローであも 第３図において、シリコン基板１
上に注入マスクとしての酸化膜２を形成後（同図（ａ）
）、ウェル領域の酸化膜２をエツチングによって除去し
く同図（ｂ））、イオン注入を行なってウェル３を形成
する（同図（Ｃ））。その樵酸化膜２を残した状態にて
、適当な時肌 温度の熱処理を行なってウェル領域の拡
散（ドライブイン）を行なって所望の不純物濃度深さ分
布を有するウェル領域３を形成する。
ロセスフローであも 第３図において、シリコン基板１
上に注入マスクとしての酸化膜２を形成後（同図（ａ）
）、ウェル領域の酸化膜２をエツチングによって除去し
く同図（ｂ））、イオン注入を行なってウェル３を形成
する（同図（Ｃ））。その樵酸化膜２を残した状態にて
、適当な時肌 温度の熱処理を行なってウェル領域の拡
散（ドライブイン）を行なって所望の不純物濃度深さ分
布を有するウェル領域３を形成する。
発明が解決しようとする課題
以上のように構成された従来の半導体装置の製造方法に
おいて１よ 基板中に含まれていた酸素が外方拡散によ
って基板表面に達し さらに外方へと拡散を行おうとす
るものへ 酸素原子の拡散係数かシリコン中に比べて小
さなシリコン酸化膜マスク２の存在によって第４図に示
したような深さプロファイルを有するようになも すな
わ坂 表面近傍はど酸素濃度が高く、特に表面から数１
１００ｎ程度には微細な酸素析出物形成およびそれに伴
うシリコン結晶欠陥の導入が起こり、デバイス特性負
ゲート酸化膜耐圧 信頼性等に悪影響を及ぼしてしまう
恐れがあるという問題点を有していμ この現象は熱処
理時のシリコン熱酸化Ｍ２の膜厚によって表面近傍にお
ける酸素濃度は異なるものへ 共通して見られる現象で
ある。また表面のシリコン熱酸化膜２を除去し シリコ
ン表面を露出させた状態にて熱処理を行った場合 窒素
雰囲気においてはシリコンの窒化か起こってしまう。窒
化を抑制することは酸化雰囲気中で熱処理を行うことに
よって可能である力丈 この場合には基板表面は酸化さ
れ 前述した基板表面近傍における高酸素濃度領域形成
や酸素析出物形成 シリコン結晶欠陥導入を招いてしま
う。
おいて１よ 基板中に含まれていた酸素が外方拡散によ
って基板表面に達し さらに外方へと拡散を行おうとす
るものへ 酸素原子の拡散係数かシリコン中に比べて小
さなシリコン酸化膜マスク２の存在によって第４図に示
したような深さプロファイルを有するようになも すな
わ坂 表面近傍はど酸素濃度が高く、特に表面から数１
１００ｎ程度には微細な酸素析出物形成およびそれに伴
うシリコン結晶欠陥の導入が起こり、デバイス特性負
ゲート酸化膜耐圧 信頼性等に悪影響を及ぼしてしまう
恐れがあるという問題点を有していμ この現象は熱処
理時のシリコン熱酸化Ｍ２の膜厚によって表面近傍にお
ける酸素濃度は異なるものへ 共通して見られる現象で
ある。また表面のシリコン熱酸化膜２を除去し シリコ
ン表面を露出させた状態にて熱処理を行った場合 窒素
雰囲気においてはシリコンの窒化か起こってしまう。窒
化を抑制することは酸化雰囲気中で熱処理を行うことに
よって可能である力丈 この場合には基板表面は酸化さ
れ 前述した基板表面近傍における高酸素濃度領域形成
や酸素析出物形成 シリコン結晶欠陥導入を招いてしま
う。
本発明はかかる点に鑑へ シリコン基板表面近傍に高酸
素濃度領域を形成せず、また酸素析出物の形成を防止す
ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを
目的とする。
素濃度領域を形成せず、また酸素析出物の形成を防止す
ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを
目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は シリコン表面にシリコンやシリコン熱酸化膜
に比べ 酸素の拡散係数のより大きな膜を形成した後、
熱処理を行うようにするものである。
に比べ 酸素の拡散係数のより大きな膜を形成した後、
熱処理を行うようにするものである。
作用
本発明は前記した方法により、高温 長時間の熱処理を
行った際においてＬ シリコン表面近傍に高酸素濃度領
域形成や酸素析出物形成が抑えられる。こうすることに
よってシリコン基板内部より酸素濃度勾配によって外方
拡散してきた酸素原子力＼ シリコン表面近傍に留めら
れることなく拡散していくことか可能となる。よってシ
リコン表面近傍の酸素濃度が上がることなく、その結果
として酸素析出物形成およびシリコン結晶欠陥導入を抑
制することが可能である。
行った際においてＬ シリコン表面近傍に高酸素濃度領
域形成や酸素析出物形成が抑えられる。こうすることに
よってシリコン基板内部より酸素濃度勾配によって外方
拡散してきた酸素原子力＼ シリコン表面近傍に留めら
れることなく拡散していくことか可能となる。よってシ
リコン表面近傍の酸素濃度が上がることなく、その結果
として酸素析出物形成およびシリコン結晶欠陥導入を抑
制することが可能である。
実施例
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法の概略工程図を示すものである。
法の概略工程図を示すものである。
第１図（ａ）では シリコン基板１上に注入マスクとし
ての熱酸化膜２を形成後、ウェル領域上部の酸化膜２を
エツチングによって除去する。第１図（ｂ）で（よ イ
オン注入を行なってウェル３を形成する。その後、第１
図（ｃ）では酸化膜２を除去し 基板表面を露出した後
、ポリシリコン膜４を堆積する。この時、基板表面に自
然酸化膜がない状態でポリシリコン膜４を堆積すること
か大切である。
ての熱酸化膜２を形成後、ウェル領域上部の酸化膜２を
エツチングによって除去する。第１図（ｂ）で（よ イ
オン注入を行なってウェル３を形成する。その後、第１
図（ｃ）では酸化膜２を除去し 基板表面を露出した後
、ポリシリコン膜４を堆積する。この時、基板表面に自
然酸化膜がない状態でポリシリコン膜４を堆積すること
か大切である。
その後、第１図（ｄ）では適当な鋳肌 温度の熱処理を
行なってウェル領域の拡散（ドライブイン）を行なうこ
とによって所望の不純物濃度深さ分布を有するウェル領
域３を形成する。
行なってウェル領域の拡散（ドライブイン）を行なうこ
とによって所望の不純物濃度深さ分布を有するウェル領
域３を形成する。
第２図は本実施例における基板表面よりの酸素濃度深さ
分布図である。熱処理によって酸素の外方拡散か発生し
た場合、従来の方法においてはシリコン／酸化膜界面付
近で酸素原子の拡散か抑制され 第４図に示したような
酸素濃度深さ分布を有するようになっていた力丈 本実
施例においては第２図に示すようにポリシリコン膜４中
の酸素の拡散係数かシリコン中に比べて大きいた敦 シ
リコン／ポリシリコン界面に酸素原子か留められること
なく、外方拡散を続けることが可能である。
分布図である。熱処理によって酸素の外方拡散か発生し
た場合、従来の方法においてはシリコン／酸化膜界面付
近で酸素原子の拡散か抑制され 第４図に示したような
酸素濃度深さ分布を有するようになっていた力丈 本実
施例においては第２図に示すようにポリシリコン膜４中
の酸素の拡散係数かシリコン中に比べて大きいた敦 シ
リコン／ポリシリコン界面に酸素原子か留められること
なく、外方拡散を続けることが可能である。
その結果として、シリコン１表面付近の高酸素濃度領域
形成は抑制され また酸素析出物も形成されず、良好な
デバイス特性が得られ また耐圧信頼性に優れたゲート
酸化膜が得られる。以上のように 本実施例によれば従
来の方法に比べて高酸素濃度領域形成や酸素析出物形成
シリコン結晶欠陥導入の起こりにくい熱処理を行うこ
とが可能である。
形成は抑制され また酸素析出物も形成されず、良好な
デバイス特性が得られ また耐圧信頼性に優れたゲート
酸化膜が得られる。以上のように 本実施例によれば従
来の方法に比べて高酸素濃度領域形成や酸素析出物形成
シリコン結晶欠陥導入の起こりにくい熱処理を行うこ
とが可能である。
な払 本方法はウェル形成熱処理のみでなく、全ての熱
処理について利用が可能である。な払酸化膜２全面を除
去せ槓 必要な領域の酸化膜のみを除去し ポリシリコ
ン膜４を堆積することも可能である。さらに本実施例で
はシリコン１表面にポリシリコン膜４を堆積後、熱処理
を行なった力＼ ポリシリコン膜に限定されることはな
く、シリコン表面にシリコンやシリコン熱酸化膜に比べ
酸素の拡散係数のより大きな膜であれはどのような膜で
あってもよい。
処理について利用が可能である。な払酸化膜２全面を除
去せ槓 必要な領域の酸化膜のみを除去し ポリシリコ
ン膜４を堆積することも可能である。さらに本実施例で
はシリコン１表面にポリシリコン膜４を堆積後、熱処理
を行なった力＼ ポリシリコン膜に限定されることはな
く、シリコン表面にシリコンやシリコン熱酸化膜に比べ
酸素の拡散係数のより大きな膜であれはどのような膜で
あってもよい。
発明の詳細
な説明したように 本発明によれは 高酸素濃度領域形
成や酸素析出物形成の起こりにくい熱処理か可能であり
、その実用的効果は大きい。
成や酸素析出物形成の起こりにくい熱処理か可能であり
、その実用的効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例におけるウェル形成プロセス
フロー皿 第２図は本発明の実施例における基板表面よ
りの酸素濃度深さ分布図 第３図は従来の代表的なウェ
ル形成プロセスフロ図、 第 図 第４図は従来の方法による基板表面よりの酸素濃度深さ
分布図である。 （Ｑ）ウェルｆｌ ３Ｈ１ｔ：酸１フチン２シリコン基
板、 ２・・・酸化風 ３・・・ウエノしく ・・・ポリシリコン膜。
フロー皿 第２図は本発明の実施例における基板表面よ
りの酸素濃度深さ分布図 第３図は従来の代表的なウェ
ル形成プロセスフロ図、 第 図 第４図は従来の方法による基板表面よりの酸素濃度深さ
分布図である。 （Ｑ）ウェルｆｌ ３Ｈ１ｔ：酸１フチン２シリコン基
板、 ２・・・酸化風 ３・・・ウエノしく ・・・ポリシリコン膜。
Claims (2)
- （１）シリコン基板表面にシリコンよりも酸素の拡散係
数の大きな膜を形成後、熱処理を行なうことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - （２）膜としてポリシリコン膜を利用することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2106188A JPH043937A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2106188A JPH043937A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043937A true JPH043937A (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=14427225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2106188A Pending JPH043937A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043937A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0636979A (ja) * | 1992-03-27 | 1994-02-10 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP2106188A patent/JPH043937A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0636979A (ja) * | 1992-03-27 | 1994-02-10 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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