JPH043896B2 - - Google Patents

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JPH043896B2
JPH043896B2 JP60191887A JP19188785A JPH043896B2 JP H043896 B2 JPH043896 B2 JP H043896B2 JP 60191887 A JP60191887 A JP 60191887A JP 19188785 A JP19188785 A JP 19188785A JP H043896 B2 JPH043896 B2 JP H043896B2
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Description

【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 本発明は金属薄膜磁気記録媒体用ポリエステル
フイルムに関し、更に詳しくはフイルム表面が平
坦であり、かつ走行性、電磁変換特性特にノイズ
レベルに優れた金属薄膜面を形成できる金属薄膜
磁気記録媒体用二軸配向ポリエステルフイルムに
関する。 従来技術 近年、高密度磁気記録用媒体として、バインダ
ーを用いず、磁気記録層として金属薄膜を真空蒸
着やスパツタリングの如き真空沈着法又はメツキ
法によつて非磁性支持体上に形成して、この強磁
性金属を薄膜磁気記録材としたものが提案されて
いる。例えばCoの蒸着テープ(特開昭54−
147010号公報)、Co−Cr合金からなる垂直磁化膜
(特開昭52−134706号公報)等が開示されている。
このような蒸着、スパツタ又はイオンプレーテイ
ング等の薄膜形成手段によつて形成される金属薄
膜は、厚みが1.5μm以下で、磁性層の厚みが3μm
以上である塗布型記録媒体と同等の性能が得られ
る。ところで、静的特性である保磁力Hc、また
はヒステリシスループの角形比のような磁気特性
は、用いられる非磁性支持体の表面状態にあまり
依存しないと考えられる。このような考えによつ
たものの例としては米国特許第3787327号明細書
に開示されたような真空蒸着によるCo−Crの多
層構造の例が挙げられる。しかしながら、形成さ
れる金属薄膜厚さが薄く、非磁性支持体の表面状
態(表面凹凸)がそのまま磁性膜の凹凸として発
現し、それが雑音の原因となることが欠点とされ
ていた。 雑音の観点からは、非磁性支持体の表面状態が
出来るだけ平滑であることが好ましい。一方フイ
ルム巻取り、巻出しといつたハンドリングの観点
から、フイルム表面が平滑であると、フイルム−
フイルム相互の滑り性が悪く、ブロツキング現象
が発生し、製品にはなり得ず、ベースフイルム表
面が粗であることが要求される。このように、電
磁変換特性という観点からは非磁性支持体の表面
が平滑であることが要求され、ハンドリング性の
観点からは粗であることが要求される。そこで、
これら両者の二律相反する性質を同時に満足する
ことが必要とされる。 更に、金属薄膜磁気記録媒体としては、実際に
使用される時の重大な問題に金属薄膜面の走行性
がある。従来の磁性体粉末を有機バインダーに混
入させてベースに塗布してなる塗布型磁気記録媒
体の場合には、バインダー中に滑剤を分散させて
磁性面の走行性を向上させることができるが、金
属薄膜磁気記録媒体の場合には、このような対策
をとることが出来ず、走行性を安定して保つのは
非常に困難であり、特に高温高湿時の走行性が劣
るなどの欠点を有していた。 発明の目的 本発明は、フイルム表面が平滑であり、かつ走
行成、電磁変換特性特にノイズレベルに優れた金
属薄膜を形成することができる、金属薄膜磁気記
録媒体用二軸配向ポリエステルフイルムを提供す
ることにある。 発明の構成 本発明の目的は、本発明によれば、二軸配向ポ
リエステルフイルムの金属薄膜が形成される表面
(A)に直径0.01〜0.1μ、高さ10〜100Åの小さな突
起が1mm2当り106個以上109個未満の割合で、さら
に直径0.2〜2μ、高さ10〜200Åの大きな突起が1
mm2当り103個以上106個以上の割合で形成されてい
ることを特徴とする金属薄膜磁気記録媒体用ポリ
エステルフイルムによつて達成される。 本発明においてポリエステルとしてはポリエチ
レンテレフタレートを主たる対象とする。ここで
云うポリエチレンテレフタレートは、ポリエチレ
ンテレフタレートホモポリマーのみならず、繰り
返し単位の数の85%以上がエチレンテレフタレー
ト単位よりなり、残りが他の成分であるような共
重合ポリエチレンテレフタレートを含む。この他
の成分は、特に限定されないが、ポリテトラメチ
レンテレフタレート、ポリ−1,4−シクロヘキ
シレンジメチレンテレフタレート、ポリエチレン
−2,6−ナフタリンジカルボキシレート、ポリ
エチレン−p−オキシベンゾエート等がその代表
的なものとして挙げられる。 二軸配向ポリエステルフイルムは、上述のポリ
エステルを常法により溶融押出し、二軸延伸熱固
定することによつて得られる。二軸延伸は例えば
逐次二軸延伸法、同時二軸延伸法等の二軸延伸法
で行うと良い。延伸後のフイルム原さは3〜
100μm、更には5〜50μmであることが好まし
い。 本発明において、二軸配向ポリエステルフイル
ムの表面(A)、すなわち金属薄膜が形成される表面
には直径が0.01〜0.1μで、高さが10〜100Åの突
起(小さな突起)が数多く存在し、これらの数は
1mm2当り106個以上109個以下の割合にある。更に
表面(A)には直径が0.2〜2μで、高さ20〜200Åの突
起(大きな突起)が1mm2当り103以上106個未満の
割合で存在する。これらの条件を満足するなら
ば、金属薄膜磁気記録媒体とした時の雑音が飛躍
的に減少し、ノイズレベルは格段に優れ、金属薄
膜面の走行性にも優れたものとなる。後者の突起
(大きな突起)の直径は0.5〜2μ、特に0.5〜1.5μ、
突起の高さは50〜200Å、突起の数は1mm2当り104
個以上105個以下であり、また前者の突起(小さ
な突起)の直径は0.05〜0.1μ、高起の高さは10〜
100Å、突起の数は1mm2当り107個以上106個以下
であることが好ましい。 ポリエステルフイルムの表面(A)における後者の
突起は、ポリエステル中に不活性微粒子を含有さ
せることで形成できる。例えば、フイルム原料に
用いるポリエステル中に不活性化合物を添加した
り、不溶性触媒残渣をポリエステル製造時に生成
せしめたりする方法を用いて、不活性微粒子をポ
リエステル中に含有させることができる。 不活性化合物とは、ポリエステルに対し不溶性
であり、かつ反応しない物質が含まれる。配合さ
れる物質として、例えばMgO、ZnO、MgCO3
CaCO3、CaSO4、BaSO4、Al2O3、SiO2、TiO2
等が挙げられ、これらの代表例としてシリカ、カ
オリン、陶土、珪藻土、炭酸カルシウム、アルミ
ノ珪酸塩およびその水和物、テレフタール酸カル
シウム、その他カーボンブラツク、燐酸カルシウ
ム等が挙げられる。これらを用いる場合、所望と
するフイルム表面特性は、不活性化合物の粒度、
添加量、製膜条件等を適宜組合せることで得るこ
とができる。粒度は、添加剤の粉砕および混合操
作を含むこの分野に精通した人々により行うこと
のできる種々の方法で得ることができる。例えば
炭酸カルシウムの場合は、エチレングリコールの
スラリーとして、分級装置(例えば巴工業社製P
−660スーパーデカンター)等を用いて分級する
と得られる。テレフタール酸カルシウムの場合
は、せん断、圧縮、衝撃等の荷重を加えることに
より適当な大きさの塊状粒子を得、分級すること
によつて得られる。燐酸カルシウムの場合は、市
販の燐酸塩の分散液を調製し、サンド・ミル中で
分散燐酸塩を粉砕する。分散液は粉砕操作を一
回、又はそれ以上の回数反復してスラリー中の添
加剤の粒度を所望の粒度まで下げることにより得
ることができる。 不活性化合物の添加量は、粒径分布に依存する
が、通常0.01〜2wt%が良い。好ましくは0.1〜
1wt%が良い。 不活性化合物の粒径分布の好ましい範囲は、粒
径〔d(単位・μm)〕比率が以下の式 d>1.5…0% 1.5≧d>0.5…0〜5% 0.5≧d>0.2…20〜50% 0.2≧d…45〜80% で示される範囲にあることが好ましい。 不活性触媒残渣は、例えばポリエステル製造時
エステル交換触媒とリン化合物との適当量の組合
せによつて形成される。このエステル交換触媒と
しては、例えばカルシウム、マグネシウム、マン
ガン等の金属の化合物が挙げられる。 ポリエステルフイルムの表面(A)における前者の
突起は、未配向又は一軸方向に延伸されたフイル
ムに低温プラズマ処理又はコロナ放電処理を施す
ことによつて形成できる。 本発明で言う低温プラズマ処理とは、低圧下の
Ar、N2、O2、CO2、空気、CF4などの気体中で
グロー放電を起すことにより生起される。気体粒
子が電離状態で励起活性化状態にある糸をいい、
非平衡プラズマと言われるものをさす。一般的に
低温プラズマを発生させる方法としては、例えば
試料を入れた真空容器を真空ポンプにより排気、
減圧し、目的とする処理効果に必要な気体例え
ば、Ar、O2等を単独あるいは混合して真空容器
内に導入して一定の真空度(例えば0.1〜
2.0Torr)に調整して電気エネルギーを印加し、
グロー放電を起させる方法が挙げられる。電気エ
ネルギーとしては、真空容器内に設置された電極
に直流高電圧印加、交流電圧印加などの方法があ
るが、10KHz〜2450MHzの高周波を0.5〜10Kwの
出力で印加するのが一般的である。 本発明の低温プラズマ処理は、酸素、窒素、水
素、一酸化炭素、二酸化炭素、アンモニア、炭素
数1〜10の炭化水素、ヘリウム、又はアルゴン、
フツ素化合物、又はこれらの混合物の雰囲気中で
行なうことが好ましいが、これに限定されるもの
ではない。処理温度は、常温以上、特にポリエス
テルのガラス転移温度以上が好ましい。更に好ま
しくは100℃以上である。この様な低温プラズマ
処理を未配向又は一軸配向のフイルムに施し、二
軸配向させることによつて、フイルム表面(A)に小
さな突起を形成することができる。 本発明で言うコロナ放電処理とは、約100mmHg
が約3気圧の圧力を有する気体中に一対の電極を
配し、両電極間に高電圧を印加することにより生
ずるコロナに処理物を接触せしめる様な処理方法
を意味する。フイルムに対しては、一対の電極の
うち、一方を金属製のロール状とするのが良い。
一方、薄いフイルム処理する場合には、該金属ロ
ール電極の表面を誘電体で被覆することが望まし
い。他方の電極については、針状、棒状、ナイフ
状など任意のものが選ばれる。両電極間に印加す
る電圧は、直流又は交流を用いることができる。
両電極間に印加するエネルギーの大きさは、処理
対象物の表面積1m2当り500〜30000ジユールの範
囲が好ましい。印加エネルギーが低すぎると処理
の効果が発現せず、一方高すぎると小さな粒子の
形状が不規則となり、好ましくない。 本発明におけるコロナ放電処理は、酸素、窒
素、水素、一酸化炭素、二酸化炭素、アンモニ
ア、炭素数1〜10の炭化水素、ヘリウム又はアル
ゴン、フツ素化合物、又は、これらの混合物の雰
囲気中で行なうことが好ましいが、これに限定さ
れるものではない。コロナ放電処理温度は常温以
上、特にポリエステルのガラス転移温度以上が好
ましい。更に好ましくは100℃以上である。この
様なコロナ放電処理を未配向又は一軸配向のフイ
ルムに施し、二軸配向させることによつて、フイ
ルム表面(A)に小さな突起を形成することができ
る。換言すれば、フイルム表面(A)上に後者の突起
(大きな突起)を保持しながら前者の突起(小さ
な突起)を設けることができる。1mm2当りの小さ
な突起の割合が106個以上109個以下であると、金
属薄膜磁気記録媒体としたときの雑音が飛躍的に
減少し、ノイズレベルは格段に優れ、金属薄膜面
の走行性にも優れている。一方、突起の割合が1
mm2当り106個未満、突起の直径が0.01μ未満あるい
は突起の高さが10Å未満では、金属薄膜面の走行
性が劣り、金属薄膜面に走行性不良によるきずが
顕著に入り、長期間の使用に耐えない。また、突
起の割合が1mm2当り109個より多い、突起の直径
が0.1μ以上あるいは突起の高さが100Å以上では、
電磁変換特性のうちS/N比が悪くなり、ドロツ
プアウトも増大してしまい好ましくない。 二軸配向ポリエステルフイルムの表面は、表面
粗度として見た時、表面(B)は表面(A)より粗である
ことが好ましい。フイルム表面に滑り性を付与す
るには水或いは溶剤に滑剤を分散せしめた溶液を
塗布することができる。このような処理により表
面(B)の表面粗度が粗れている方が、粗れていない
場合よりもフイルムの走行性、耐摩耗性に優れて
いる。フイルム表面(B)は、水或いは溶剤に滑剤を
分散せしめた溶液を塗布して形成する。塗液の塗
布は、従来公知のすべての方法で行うことがで
き、例えば(滑剤+高分子系バインダー+界面活
性剤)の水系或いは溶剤系溶液を未延伸、一軸延
伸又は二軸延伸したフイルムの表面Bに製膜時或
いはフイルム製膜後に塗布乾燥することで行うこ
とが出来る。 滑剤としてはソルビタン等の有機滑剤;テトラ
フルオロエチレン、ポリエチレン等の有機高分子
滑剤;アルミナ、カオリン、シリカ、硫化モリブ
デン等の無機滑剤が挙げられる。 高分子系バインダーとして、共重合ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリウレタン、ナイロン、メ
ラミン、アクリル酸金属塩とフイルム形成性高分
子化合物、その単量体またはこれらの混合物等が
挙げられる。特にアクリル酸金属塩とフイルム形
成性高分子等とからなるバインダーが好ましい。
ここで、フイルム形成性高分子化合物とは実質的
に線状の水溶性、水膨潤性ないし水分散性の高分
子化合物である。水溶性高分子化合物としては、
例えばポリビニルアルコール、水溶性メラミン樹
脂、水溶性尿素樹脂、ポリアクリルアミド、ポリ
メタクリルアミド、フエノール樹脂(例えばレゾ
ール樹脂)、ポリ(C2−C4)アルキレングリコー
ル(例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロ
ピレングリコール、ポリトリメチレングリコー
ル、ポリテトラメチレングリコール、ポリエチレ
ングリコール/ポリプロピレングリコールブロツ
クコポリマー等)、ポリアクリル酸ソーダ、ポリ
メタクリル酸ソーダ、澱粉、ヒドロキシアルキル
セルローズ(例えば、ヒドロキシエチルセルロー
ズ、ヒドロキシプロピルセルローズ等)、カルボ
キシアルキルセルロース(例えばカルボキシメチ
ルセルロース、カルボキシエチルセルロース等)、
ポリビニルピロリドン、水溶性アルキツド樹脂、
スルホン酸ソーダ基含有共重合ポリエステル、ヒ
ドロキシル基含有ポリアクリル酸エステル(例え
ば、アクリル酸メチルとヒドロキシエチルアクリ
レートとの共重合体)、脂肪族モノ又はポリグリ
シジルエーテル(例えば、エチレングリコールジ
グリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグ
リシジルエーテル等)、ポリスチレンスルホン酸
ソーダ、あるいは水溶性シリコーン樹脂等をあげ
ることができる。これらのうち、脂肪族性水酸基
を有する高分子が好ましく用いられる。また、水
膨潤性ないし分散性の高分子化合物としては、例
えば塩化ビニリデン共重合体(例えば、塩化ビニ
リデンと塩化ビニルとの共重合体)、塩化ビニル
共重合体(例えば塩化ビニルと塩化ビニリデンと
の共重合体)、アクリル酸エステル共重合体(例
えばアクリル酸メチルとメタクリル酸メチルとの
共重合体)、酢酸ビニル共重合体(例えば酢酸ビ
ニルとエチレンとの共重合体)、カルボキシル基
含有共重合ポリエステル、スルホン酸(塩)基含
有共重合ポリエステル、無水マレイン酸共重合体
(例えば無水マレイン酸と塩化ビニル、酢酸ビニ
ルとの共重合体)あるいはエポキシ樹脂等をあげ
ることができる。 これらの水溶性又は水膨潤性ないし水分散性高
分子化合物は、それ自体知られている。これらの
高分子化合物を与える単量体も知られており、本
発明ではこれらの単量体を使用することもでき
る。かかる単量体としては、例えば式CH2=C
(R1)COOR2(ここでR1は水素原子又はメチル基
であり、R2は−(CH2o−OHであり、nは2又
は3である)で示されるヒドロキシル基含有アク
リルモノマー;式CH2=C(R1)COON(R4
(R5)(ここでR1は水素原子又はメチル基であり、
R4、R5は同一もしくは異なり水素原子又はヒド
ロキシメチル基である)で示されるアクリルアミ
ド系モノマー例えばN−ヒドロキシメチルアクリ
ルアミド及びN,N−ジヒドロキシメチルアクリ
ルアミド等;式
〔但し、式中 T:沈降時間(sec) η:媒質の粘度(g/cm・sec=poise) h:沈降距離(cm) G:重力の加速度(980cm/sec2) ρp:不活性物質の密度(g/cm3) ρp:媒質の密度(g/cm3) d:不活性物質の粒径(直径・cm)〕
を用いて夫々の粒径に相当する沈降時間を算出
し、夫々の粒径の範囲に相当する沈降時間範囲
を求め、その沈降時間範囲内での不活性物質の
重量を求めて全不活性物質重量に対する割合を
%で表わし構成比とする。 2 フイルム表面の突起高さ 高精度触針式表面粗さ測定装置
(TALYSTEP TAYLOR−HOBSON製)を
用いて、測定長0.5m/mにおいて突起の凹凸
の山頂から谷底までの距離にて表わし、最大の
高さのものから数えて7番目のものを平均的な
突起高さとして採用した。 3 突起数の数(頻度) 二軸配向ポリエステルフイルム上の、突起の
直径0.2〜2.0μの大きな突起の数は微分干渉顕
微鏡(ニコン製)を用い、400倍の倍率で写真
を撮影して測定し、この突起の数を1mm2当りに
換算して算出した。また、突起の直径が0.01〜
0.1μの小さな突起の数は走査型電子顕微鏡で倍
率45000倍で写真を撮影して測定し、この突起
の数を1mm2当りに換算して算出した。 4 突起の直径 突起の直径0.2〜2.0μの大きな突起の直径は
前項と同様に微分干渉顕微鏡によつて400倍の
倍率で写真を撮影し、その突起の直径を算出し
た。また、突起の直径が0.01〜0.1μの小さな突
起の直径は前項と同様に走査型電子顕微鏡で倍
率45000倍で写真を撮影し、直径を求めた。 5 電磁変換特性(記録密度特性) 10KBPI記録再生時のS/N(dB)比及び
10KBPI記録再生時の出力に対する50KBPI記
録再生時の出力の低下率により、高密度記録特
性、特にノイズレベルの大きさを評価した。 6 動摩擦係数μk 第1図に示す如く、25℃、相対湿度60%で金
属薄膜テープの金属面側を外径20mmφのsus27
固定棒(表面粗さ0.3S)に角度θ=152/180πラジ アン(152°)で接触させ毎秒25cm/secの速さ
で移動、摩擦させる。入口テンシヨンT1が30
gとなるようテンシヨンコントローラー2を調
整した時の出口テンシヨンT2(出口テンシヨン
検出機10で検出)gより次式で動摩擦係数
μkを算出する(本発明では30m走行時の動摩
擦係数をもつてμkとする)。 μk=2.303/θlogT2/T1=0.868logT2/T1 この時θ=152°(=152/180πラジアン)を用い た。 実施例1〜6及び比較例1〜6 実施例1〜6、比較例1〜6のポリエステルは
ジメチルテレフタレート100部及びエチレングリ
コール70部に触媒として酢酸亜鉛0.023部(0.020
モル%対ジメチルテレフタレート)を加え、150
〜240℃で4時間メタノールを留去しつつエステ
ル交換反応を行い、次いで安定剤(燐化合物のグ
リコール溶液)をトリメチルホスフエート換算で
0.014部添加した。次に、重縮合触媒として0.04
部の三酸化アンチモンを添加し、さらに表−1に
記載した粒径および構成比を有する所定の不活性
物質を所定量添加して、1mmHg以下の高真空で
4時間重縮合反応を行い固有粘度(〔η〕:o−ク
ロロフエノール溶媒、25℃測定)0.65のポリエチ
レンテレフタレートを得た。このポリエチレンテ
レフタレートを常法に従つて溶融押出しし、厚さ
210μmの未延伸フイルムを作成して、縦方向に
90℃で3.5倍、横方向に100℃で4.0倍、逐次二軸
延伸を行ない、更に205℃で30秒間熱固定を行な
い、15μmのフイルムを作成した。 尚、未延伸フイルムは低温プラズマ処理は又は
コロナ放電処理を120℃でフイルム表面(A)に処理
を施した、詳細処理条件は表−1、2に記載し
た。 ここで、コロナ放電処理は加熱ロール上にナイ
フ状電極を設置し、加熱ロールを120℃に保持し
ながら空気中で所定の処理電力量になる様にして
実施した。なお、用いたコロナ放電処理装置は春
日電機(株)製HF301型であり、周波数110KHz、運
転条件はフイルム速度20m/minである。 低温プラズマ処理としては、試料を入れた真空
容器を真空ポンプにより排気、減圧し、O2を真
空容器内に導入して一定の真空度1Torrに調整し
て電気エネルギーを印加し、グロー放電を起させ
ることで実施した。電気エネルギーとしては、真
空容器内に設置された電極に、13.56MHzの高周
波を1Kwの出力で1分間印加することで実施し
た。尚、処理時の温度は120℃になる様にコント
ロールした。 更に、縦延伸の終了後、次の組成の塗液をフイ
ルム表面(B)に塗布した。 フイルム表面(B)に塗布した塗液の組成: Γアクリル酸アルミ(浅田化学K.K.P−3 2wt
%溶液…12Kg Γポリエチレングリコール(日本油脂製 分子量
19000)2wt%溶液…5Kg Γポリエチレングリコールジグリシジルエーテル
(長瀬産業製 NEROIO )2wt%溶液…2Kg Γポリオキシエチレンノニルフエニルエーテル
2wt%溶液…1Kg 塗布量はウエツトで約2.2g/m2であり、固形
分として約0.0126g/m2である。 フイルム表面(A)及び(B)の表面の特性については
表−1にまとめて示す。 このポリエステルフイルム表面に真空蒸着によ
りコバルト−ニツケル合金薄膜を1000Åの膜厚で
形成した。続いて1/4″巾にフイルムの機械方向
に切断し、金属薄膜磁気記録テープとし、0.3μm
のギヤツプ長のリングヘツドを用いて9.5cm/sec
のスピードで記録再生し、電磁変換特性(デジタ
ルの記録密度特性)を評価した。この結果を表−
1、2に示す。
【表】
【表】
【表】 この結果から本発明の磁気記録媒体のS/Nは
大きく、かつノイズレベルは格段に小さいことが
理解される。 次に走行性を動摩擦係数μkで、摩耗性を以下
の評価法で評価した。 表−3にμk、摩耗性評価結果を示すが、本発
明の実施例1〜6はいずれも走行性、金属薄膜面
の摩耗性共に良好であつた。
【表】 【図面の簡単な説明】
第1図は、動摩擦係数を測定する装置の概略図
である。ロール4及びロール10において張力
T1及びT2を測定し走行時のフイルムの摩擦係数
を算出する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 二軸配向ポリエステルフイルムの金属薄膜が
    形成される表面(A)に直径0.01〜0.1μ、高さ10〜
    100Åの小さな突起が1mm2当り106個以上109個以
    下の割合で、さらに直径0.2〜2μ、高さ20〜200Å
    の大きな突起が1mm2当り103個以上106個未満の割
    合で形成されていることを特徴とする金属薄膜磁
    気記録媒体用ポリエステルフイルム。 2 フイルム表面(A)上の小さな突起は、未配向又
    は一軸配向のフイルム表面(A)に低温プラズマ処理
    またはコロナ放電処理を施したのち二軸配向せし
    めることで設けられる特許請求の範囲第1項記載
    の金属薄膜磁気記録媒体用ポリエステルフイル
    ム。 3 ポリエステルフイルムの金属薄膜が形成され
    る表面(A)の他の表面(B)に滑剤を分散せしめた有機
    高分子の塗膜が易滑層として形成されている特許
    請求の範囲第1項記載の金属薄膜磁気記録媒体用
    ポリエステルフイルム。 4 フイルム表面(B)の塗膜に、高さ200〜1000Å
    の微細な凹凸がある特許請求の範囲第3項記載の
    金属薄膜磁気記録媒体用ポリエステルフイルム。
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