JPH0152816B2 - - Google Patents
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Classifications
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
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- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
Description
本発明は垂直磁気記録媒体に関するものであ
り、詳しくは高密度記録時の再生出力の大きな媒
体を提供するものである。 従来の長手（面内）磁化を用いる磁気記録方式
にかわり、近年原理的に高密度記録の可能な方式
として垂直磁化を用いる磁気記録方式が提案され
ている。（「日経エレクトロニクス」1978年８月７
日号、No.192参照）そして、この垂直磁化方式の
磁性膜としては、スパツタで作製されるhcp構造
でＣ軸が支持体表面の法線に配向した厚さ0.2〜
20μのCo−Cr合金膜が優れていることが知られて
いる。（電子通信学会研究会MR78−４参照）ま
た、記録感度と再生出力を増大さす方法として、
支持体有機高分子フイルムとCo−Cr垂直磁化膜
との間に軟磁性体層を設けることも既知である。
（「サイエンス」1980年１月号参照）そして、この
ような磁性合金膜の記録層を有する薄膜型の垂直
磁気記録媒体と垂直方向の磁界を発生する垂直ヘ
ツドとの組合せによる記録密度特性を見ると、主
磁極の厚み損失後に第２、第３の出力ピークを有
し、このようなピークを利用することにより高密
度記録再生が可能となる。（電子通信学会研究会
MR−80−４参照） しかしながら、本方式を実用化するには高密度
記録時の再生出力が高い安価な記録媒体が必要で
あり、その出現が望まれている。 本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、廉
価で高性能な垂直磁気記録媒体を提供することを
目的としたものである。すなわち本発明は支持基
板を非磁性支持体とした薄膜型の垂直磁気記録媒
体において、前記非磁性支持体がポリエチレンテ
レフタレート又はポリエチレンナフタレートから
なると共に、その垂直磁気記録層を設ける側の表
面の表面粗さ（CLA）が0.01μｍ以下で且つ該表
面の最大突起高さ（PV）が0.1μｍ以下であるこ
とを特徴とし、更に好ましくは垂直記録媒体の反
り（単位：％）が｜Kp｜30％である垂直磁気
記録媒体である。 以下本発明の詳細を説明する。まず本発明に到
る経過を説明する。前述の通り高密度記録時の再
生出力を十分に高める必要があるが、検討の結果
安価なポリエステルフイルムを支持体として用い
たのでは、フイルムの表面粗さの為に媒体とヘツ
ドとのスペーシングクロスの為に再生出力が大巾
に低下することが判明した。 そして鋭意検討の結果安価なポリエチレンテレ
フタレート又はポリエチレンナフタレートのフイ
ルムを支持体としても表面粗さ及び表面の最大突
起高さを一定のレベル以下とし、更に好ましくは
媒体の反りを一定のレベル以下とすることにより
前記の目的を達成できることを見出し、本発明に
到つたのである。 一方、フイルムの巻取り・巻出しといつたハン
ドリングの観点からはフイルムの表面が平滑であ
るとフイルム−フイルム相互の滑り性がわるくブ
ロツキング現象が発生し製品にはなり得ず、フイ
ルムの表面が適度に粗であることが要求される。
これらの観点より、両者の二律相反する要求を同
時に満足する支持体フイルムについても鋭意研究
した結果裏面に滑剤を塗布することにより解決で
きることを見出した。 ところで、本発明では、非磁性支持体をポリエ
チレンテレフタレート又はポリエチレンナフタレ
ートのフイルムとなしているが、より好ましくは
ポリエチレンテレフタレートフイルムを用いる方
がコストを低減できるのでよい。又ここにいうポ
リエチレンテレフタレート又はポリエチレンナフ
タレートは、ホモポリマーのみならず、繰り返し
単位の数の85％以上がそれぞれエチレンテレフタ
レート又はエチレンナフタレート単位よりなり、
残りが他の成分であるような共重合ポリマーを含
む。 該フイルムの表面Ａの表面粗さを調整するに
は、例えばフイルム原料に用いる高分子中に不活
性無機化合物を添加したり、不溶性触媒残渣を生
成せしめたりする等の方法がある。 不活性無機化合物とは、熱可塑性樹脂に対し不
溶性であり、かつ反応しない物質が含まれる。配
合される物質として、例えばMgO，ZnO，
MgCO3，CaCO3，CaSO4，BaSO4，Al2O3，
SiO2，TiO2，例えば代表例としてシリカ、カオ
リン、陶土、珪藻土、炭酸カルシウム、アルミノ
珪酸塩およびその水和物、テレフタール酸カルシ
ウム、その他カーボンブラツク、燐酸カルシウム
等が挙げられる。 所望とする表面特性は、添加する不活性化合物
の粒度、添加量、製膜条件を適宜組合せることで
得ることができる。粒度は、添加剤の粉砕および
混合操作を含むこの分野に精通した人々により行
うことのできる種々の方法で得ることができる。
例えば炭酸カルシウムの場合は、エチレングリコ
ールのスラリーとして、分級装置（例えば巴工業
社製Ｐ−660スーパーデカンター）等を用いて分
級すると得られる。テレフタール酸カルシウムの
場合は、せん断、圧縮、衝撃等の荷重を加えるこ
とにより適当な大きさの塊状粒子を得、分級する
ことによつて得られる。燐酸カルシウムの場合
は、市販の燐酸塩の分散液を調製し、サンド・ミ
ル中で分散燐酸塩を粉砕する。分散液は粉砕操作
を一回、又はそれ以上の回数反復してスラリー中
の添加剤の粒度を所望の粒度まで下げることによ
り得ることができる。 不活性無機化合物の添加量は、粒径分布に依存
し、一義的に決められないが、通常0.01〜1wt％
が良い。 不溶性触媒残渣は、例えばポリエステルにおい
てエステル交換触媒と安定剤との適当量の組合せ
によつて不溶性触媒残渣を形成し、ポリエステル
フイルム表面に凹凸を形成し、表面特性を制御す
るものである。 以上述べた方法により、きわめて表面の平滑な
ものから適当に粗れた表面を有するものまで設計
することができるが、表面が非常に平滑なフイル
ムはフイルム−フイルム相互の滑り性が悪く、ブ
ロツキング現象が発生し、製品にはなり得ず、滑
り性を付与する必要がある。表面Ｂに滑り性を付
与するには、水又は溶剤に滑剤を分散せしめた溶
液を塗布して行なわれる。溶液を塗布して、滑り
性を付与する方法は、従来公知のすべての方法が
用いられる。例えば（滑剤＋高分子系バインダー
＋界面活性剤）の水系或いは溶剤系溶液をフイル
ム製膜時に塗布する等の方法が用いられる。 滑剤としてソルビタン等の有機滑剤、テフロ
ン、ポリエチレン等の有機高分子滑剤；アルミ
ナ、カオリン、シリカ、硫化モリブデン等の無機
滑剤が挙げられる。 高分子系バインダーとして共重合ポリエチレン
テレフタレート、ポリウレタン、ナイロン、メラ
ミン等が挙げられる。 （滑剤＋高分子系バインダー＋界面活性剤）を
水又は溶剤に分散したフイルム製膜時或いはフイ
ルム製膜後塗布、乾燥して滑り性を付与すること
ができる。この時勿論紫外線吸収剤、帯電防止剤
等を添加することは差しつかえない。 以下、不活性無機化合物の粒径構成比、その測
定法及びフイルム表面物性の測定法を示す。 １ 不活性物質の粒径構成比 島津遠心沈降式粒度分布測定装置CP−50を
用いてストークス（Stokes）の式 〔Ｔ＝18ηh／Ｇ（ρP−ρo）×d2 但し、式中Ｔ：沈降時間（sec） η：媒質の粘度（ｇ/cm・sec＝
poise） ｈ：沈降距離（cm） Ｇ：重力の加速度（980cm/sec2） ρP：不活性物質の密度（ｇ/cm2） ρO：媒体の密度（ｇ/cm2） ｄ：不活性物質の粒径（直径・
cm）〕 を用いて夫々の粒径に相当する沈降時間を算出
し、夫々の粒径の範囲に相当する沈降時間範囲
を求め、その沈降時間範囲内での不活性物質の
重量を求めて全不活性物質重量に対する割合を
％で表わし構成比とする。 ２ CLA〔センター・ライン・アベレツジ
（Center Line Average・中心線平均粗さ）〕
JIS B0601に準じ、東京精密社(株)製の触針式表
面粗さ計（SURFCOM 3B）を使用して、針
の半径2μｍ、荷重0.07ｇの条件下にチヤートを
かかせ、フイルム表面粗さ曲線からその中心線
の方向に測定長さＬの部分を抜き取り、この抜
き取り部分の中心線をＸ軸、縦倍率の方向をＹ
軸として、粗さ曲線をＹ＝（ｘ）で表わした
時、次の式で与えられた値をμｍ単位で表わ
す。 CLA＝１／L0∫L｜（ｘ）｜dx この測定は基準長を20mmとして８個測定し、
値の大きい方から３個除いた５個の平均値で表
わす。 ３ PV値 上記、CLAの測定と同じく、SURFCOM
3Bを使用し、針の半径2μ、荷重0.07ｇの条件
下に、フイルム基準長2.6mmについて、基準長
方向を50倍、表面粗さ方向を５万倍に拡大し、
チヤートにかかせ、一番高い山と一番低い山と
の間隔を縦倍率で割つた値をミクロン単位で表
わし、10回の測定の平均値で表わす。 以上の支持体フイルム上に、通常は約0.2〜
1.5μｍのNi−Fe合金膜（軟磁性体層）、さらに0.2
〜1.5μｍのCo−Cr合金膜（垂直磁化層）を設け
垂直磁気記録媒体とする。また必要があれば、
Co−Cr合金膜上に耐摩耗性、耐食性を付与する
目的で適当な保護層を設けてもよい。以上の金属
膜を設ける手段は通常PVD法と呼ばれる方法、
とりわけ蒸着法とスパツタ法が用いられる。スパ
ツタ法にはRFスパツタ法、RF又はDCマグネト
ロンスパツタ法、対向ターゲツトスパツタ法
（1981年インターマグコンフアレンス、
SESSION32−３参照）等がある。 作製した磁気記録媒体のカツピングすなわち反
りKPを以下の様にして測定した。第１図に示す
ように、作製した媒体から長さl0mmの正方形のサ
ンプル２を切り抜き、カールした凸面を下にして
水平なスライドガラス１上にのせ４隅のスライド
ガラス面よりの高さh1，h2，h3，h4（単位：mm）
を測定した。そして、以下の式により反りKP（単
位・％）を算出した。 KP＝（h1＋h2＋h3＋h4）÷４／l0×100 なお、l0は通常10mmとした。また、上記測定に
おいて、金属膜を下にして測定した場合の反り
KPをプラスとし、逆をマイナスとした。 以下に、実施例を述べる。 実施例に用いた支持体フイルムは以下の様に作
製した。すなわち、ジメチルテレフタレート100
部（部は重量部を示す。以下同じ）及びエチレン
グリコール70部に触媒として酢酸亜鉛0.023部
（0.020モル％対ジメチルテレフタレート）を加
え、150℃〜240℃で４時間メタノールを留去しつ
つエステル交換反応を行い、次いで安定剤（燐化
合物のグリコール溶液）を一旦常温まで冷却後、
トリメチルホスフエート換算で0.014部添加する。
次に重縮合触媒として0.04部の三酸化アンチモン
を添加し、さらに次頁の第１表に記載した粒径及
び構成比を有する所定の不活性物質を所定量添加
して、１mmHg以下の高真空で４時間重縮合反応
を行い〔η〕＝0.65（ｏ−クロロフエノール溶媒、
25℃測定）のポリエチレンテレフタレートを得
た。該ポリマーを290℃で溶融押出し、40℃に保
持したキヤステイングドラム上に急冷固化せしめ
て厚さ210μｍの未延伸フイルムを作成し、縦方
向に90℃で3.5倍、横方向に100℃で4.0倍逐次延
伸を行い、更に205℃で30秒間熱固定を行い厚さ
15μｍのフイルムを作製した。 なお、第１表の試料No.１，２，７，８は、２軸
延伸後、熱固定前に次の組成の塗液をフイルム表
面Ｂに塗布した。 塗液の組成：変性ポリシロキサン 45部 MoS2 ５部 アミノシラン 40部 界面活性剤 10部
り、詳しくは高密度記録時の再生出力の大きな媒
体を提供するものである。 従来の長手（面内）磁化を用いる磁気記録方式
にかわり、近年原理的に高密度記録の可能な方式
として垂直磁化を用いる磁気記録方式が提案され
ている。（「日経エレクトロニクス」1978年８月７
日号、No.192参照）そして、この垂直磁化方式の
磁性膜としては、スパツタで作製されるhcp構造
でＣ軸が支持体表面の法線に配向した厚さ0.2〜
20μのCo−Cr合金膜が優れていることが知られて
いる。（電子通信学会研究会MR78−４参照）ま
た、記録感度と再生出力を増大さす方法として、
支持体有機高分子フイルムとCo−Cr垂直磁化膜
との間に軟磁性体層を設けることも既知である。
（「サイエンス」1980年１月号参照）そして、この
ような磁性合金膜の記録層を有する薄膜型の垂直
磁気記録媒体と垂直方向の磁界を発生する垂直ヘ
ツドとの組合せによる記録密度特性を見ると、主
磁極の厚み損失後に第２、第３の出力ピークを有
し、このようなピークを利用することにより高密
度記録再生が可能となる。（電子通信学会研究会
MR−80−４参照） しかしながら、本方式を実用化するには高密度
記録時の再生出力が高い安価な記録媒体が必要で
あり、その出現が望まれている。 本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、廉
価で高性能な垂直磁気記録媒体を提供することを
目的としたものである。すなわち本発明は支持基
板を非磁性支持体とした薄膜型の垂直磁気記録媒
体において、前記非磁性支持体がポリエチレンテ
レフタレート又はポリエチレンナフタレートから
なると共に、その垂直磁気記録層を設ける側の表
面の表面粗さ（CLA）が0.01μｍ以下で且つ該表
面の最大突起高さ（PV）が0.1μｍ以下であるこ
とを特徴とし、更に好ましくは垂直記録媒体の反
り（単位：％）が｜Kp｜30％である垂直磁気
記録媒体である。 以下本発明の詳細を説明する。まず本発明に到
る経過を説明する。前述の通り高密度記録時の再
生出力を十分に高める必要があるが、検討の結果
安価なポリエステルフイルムを支持体として用い
たのでは、フイルムの表面粗さの為に媒体とヘツ
ドとのスペーシングクロスの為に再生出力が大巾
に低下することが判明した。 そして鋭意検討の結果安価なポリエチレンテレ
フタレート又はポリエチレンナフタレートのフイ
ルムを支持体としても表面粗さ及び表面の最大突
起高さを一定のレベル以下とし、更に好ましくは
媒体の反りを一定のレベル以下とすることにより
前記の目的を達成できることを見出し、本発明に
到つたのである。 一方、フイルムの巻取り・巻出しといつたハン
ドリングの観点からはフイルムの表面が平滑であ
るとフイルム−フイルム相互の滑り性がわるくブ
ロツキング現象が発生し製品にはなり得ず、フイ
ルムの表面が適度に粗であることが要求される。
これらの観点より、両者の二律相反する要求を同
時に満足する支持体フイルムについても鋭意研究
した結果裏面に滑剤を塗布することにより解決で
きることを見出した。 ところで、本発明では、非磁性支持体をポリエ
チレンテレフタレート又はポリエチレンナフタレ
ートのフイルムとなしているが、より好ましくは
ポリエチレンテレフタレートフイルムを用いる方
がコストを低減できるのでよい。又ここにいうポ
リエチレンテレフタレート又はポリエチレンナフ
タレートは、ホモポリマーのみならず、繰り返し
単位の数の85％以上がそれぞれエチレンテレフタ
レート又はエチレンナフタレート単位よりなり、
残りが他の成分であるような共重合ポリマーを含
む。 該フイルムの表面Ａの表面粗さを調整するに
は、例えばフイルム原料に用いる高分子中に不活
性無機化合物を添加したり、不溶性触媒残渣を生
成せしめたりする等の方法がある。 不活性無機化合物とは、熱可塑性樹脂に対し不
溶性であり、かつ反応しない物質が含まれる。配
合される物質として、例えばMgO，ZnO，
MgCO3，CaCO3，CaSO4，BaSO4，Al2O3，
SiO2，TiO2，例えば代表例としてシリカ、カオ
リン、陶土、珪藻土、炭酸カルシウム、アルミノ
珪酸塩およびその水和物、テレフタール酸カルシ
ウム、その他カーボンブラツク、燐酸カルシウム
等が挙げられる。 所望とする表面特性は、添加する不活性化合物
の粒度、添加量、製膜条件を適宜組合せることで
得ることができる。粒度は、添加剤の粉砕および
混合操作を含むこの分野に精通した人々により行
うことのできる種々の方法で得ることができる。
例えば炭酸カルシウムの場合は、エチレングリコ
ールのスラリーとして、分級装置（例えば巴工業
社製Ｐ−660スーパーデカンター）等を用いて分
級すると得られる。テレフタール酸カルシウムの
場合は、せん断、圧縮、衝撃等の荷重を加えるこ
とにより適当な大きさの塊状粒子を得、分級する
ことによつて得られる。燐酸カルシウムの場合
は、市販の燐酸塩の分散液を調製し、サンド・ミ
ル中で分散燐酸塩を粉砕する。分散液は粉砕操作
を一回、又はそれ以上の回数反復してスラリー中
の添加剤の粒度を所望の粒度まで下げることによ
り得ることができる。 不活性無機化合物の添加量は、粒径分布に依存
し、一義的に決められないが、通常0.01〜1wt％
が良い。 不溶性触媒残渣は、例えばポリエステルにおい
てエステル交換触媒と安定剤との適当量の組合せ
によつて不溶性触媒残渣を形成し、ポリエステル
フイルム表面に凹凸を形成し、表面特性を制御す
るものである。 以上述べた方法により、きわめて表面の平滑な
ものから適当に粗れた表面を有するものまで設計
することができるが、表面が非常に平滑なフイル
ムはフイルム−フイルム相互の滑り性が悪く、ブ
ロツキング現象が発生し、製品にはなり得ず、滑
り性を付与する必要がある。表面Ｂに滑り性を付
与するには、水又は溶剤に滑剤を分散せしめた溶
液を塗布して行なわれる。溶液を塗布して、滑り
性を付与する方法は、従来公知のすべての方法が
用いられる。例えば（滑剤＋高分子系バインダー
＋界面活性剤）の水系或いは溶剤系溶液をフイル
ム製膜時に塗布する等の方法が用いられる。 滑剤としてソルビタン等の有機滑剤、テフロ
ン、ポリエチレン等の有機高分子滑剤；アルミ
ナ、カオリン、シリカ、硫化モリブデン等の無機
滑剤が挙げられる。 高分子系バインダーとして共重合ポリエチレン
テレフタレート、ポリウレタン、ナイロン、メラ
ミン等が挙げられる。 （滑剤＋高分子系バインダー＋界面活性剤）を
水又は溶剤に分散したフイルム製膜時或いはフイ
ルム製膜後塗布、乾燥して滑り性を付与すること
ができる。この時勿論紫外線吸収剤、帯電防止剤
等を添加することは差しつかえない。 以下、不活性無機化合物の粒径構成比、その測
定法及びフイルム表面物性の測定法を示す。 １ 不活性物質の粒径構成比 島津遠心沈降式粒度分布測定装置CP−50を
用いてストークス（Stokes）の式 〔Ｔ＝18ηh／Ｇ（ρP−ρo）×d2 但し、式中Ｔ：沈降時間（sec） η：媒質の粘度（ｇ/cm・sec＝
poise） ｈ：沈降距離（cm） Ｇ：重力の加速度（980cm/sec2） ρP：不活性物質の密度（ｇ/cm2） ρO：媒体の密度（ｇ/cm2） ｄ：不活性物質の粒径（直径・
cm）〕 を用いて夫々の粒径に相当する沈降時間を算出
し、夫々の粒径の範囲に相当する沈降時間範囲
を求め、その沈降時間範囲内での不活性物質の
重量を求めて全不活性物質重量に対する割合を
％で表わし構成比とする。 ２ CLA〔センター・ライン・アベレツジ
（Center Line Average・中心線平均粗さ）〕
JIS B0601に準じ、東京精密社(株)製の触針式表
面粗さ計（SURFCOM 3B）を使用して、針
の半径2μｍ、荷重0.07ｇの条件下にチヤートを
かかせ、フイルム表面粗さ曲線からその中心線
の方向に測定長さＬの部分を抜き取り、この抜
き取り部分の中心線をＸ軸、縦倍率の方向をＹ
軸として、粗さ曲線をＹ＝（ｘ）で表わした
時、次の式で与えられた値をμｍ単位で表わ
す。 CLA＝１／L0∫L｜（ｘ）｜dx この測定は基準長を20mmとして８個測定し、
値の大きい方から３個除いた５個の平均値で表
わす。 ３ PV値 上記、CLAの測定と同じく、SURFCOM
3Bを使用し、針の半径2μ、荷重0.07ｇの条件
下に、フイルム基準長2.6mmについて、基準長
方向を50倍、表面粗さ方向を５万倍に拡大し、
チヤートにかかせ、一番高い山と一番低い山と
の間隔を縦倍率で割つた値をミクロン単位で表
わし、10回の測定の平均値で表わす。 以上の支持体フイルム上に、通常は約0.2〜
1.5μｍのNi−Fe合金膜（軟磁性体層）、さらに0.2
〜1.5μｍのCo−Cr合金膜（垂直磁化層）を設け
垂直磁気記録媒体とする。また必要があれば、
Co−Cr合金膜上に耐摩耗性、耐食性を付与する
目的で適当な保護層を設けてもよい。以上の金属
膜を設ける手段は通常PVD法と呼ばれる方法、
とりわけ蒸着法とスパツタ法が用いられる。スパ
ツタ法にはRFスパツタ法、RF又はDCマグネト
ロンスパツタ法、対向ターゲツトスパツタ法
（1981年インターマグコンフアレンス、
SESSION32−３参照）等がある。 作製した磁気記録媒体のカツピングすなわち反
りKPを以下の様にして測定した。第１図に示す
ように、作製した媒体から長さl0mmの正方形のサ
ンプル２を切り抜き、カールした凸面を下にして
水平なスライドガラス１上にのせ４隅のスライド
ガラス面よりの高さh1，h2，h3，h4（単位：mm）
を測定した。そして、以下の式により反りKP（単
位・％）を算出した。 KP＝（h1＋h2＋h3＋h4）÷４／l0×100 なお、l0は通常10mmとした。また、上記測定に
おいて、金属膜を下にして測定した場合の反り
KPをプラスとし、逆をマイナスとした。 以下に、実施例を述べる。 実施例に用いた支持体フイルムは以下の様に作
製した。すなわち、ジメチルテレフタレート100
部（部は重量部を示す。以下同じ）及びエチレン
グリコール70部に触媒として酢酸亜鉛0.023部
（0.020モル％対ジメチルテレフタレート）を加
え、150℃〜240℃で４時間メタノールを留去しつ
つエステル交換反応を行い、次いで安定剤（燐化
合物のグリコール溶液）を一旦常温まで冷却後、
トリメチルホスフエート換算で0.014部添加する。
次に重縮合触媒として0.04部の三酸化アンチモン
を添加し、さらに次頁の第１表に記載した粒径及
び構成比を有する所定の不活性物質を所定量添加
して、１mmHg以下の高真空で４時間重縮合反応
を行い〔η〕＝0.65（ｏ−クロロフエノール溶媒、
25℃測定）のポリエチレンテレフタレートを得
た。該ポリマーを290℃で溶融押出し、40℃に保
持したキヤステイングドラム上に急冷固化せしめ
て厚さ210μｍの未延伸フイルムを作成し、縦方
向に90℃で3.5倍、横方向に100℃で4.0倍逐次延
伸を行い、更に205℃で30秒間熱固定を行い厚さ
15μｍのフイルムを作製した。 なお、第１表の試料No.１，２，７，８は、２軸
延伸後、熱固定前に次の組成の塗液をフイルム表
面Ｂに塗布した。 塗液の組成：変性ポリシロキサン 45部 MoS2 ５部 アミノシラン 40部 界面活性剤 10部
【表】
【表】
このようにして得られた試料フイルムのＡ面
（塗液を塗布していない面）上に、以下の様にし
て対向ターゲツト式スパツタ法によりNi−Fe軟
磁性体層とCo−Cr垂直磁化膜層を逐次積層した。 すなわちNi−Fe軟磁性体層はNi−Fe合金ター
ゲツト（Ni：79wt％、80mmφ、５mm厚）２枚を
75mm間隔で対向させた対向ターゲツト式スパツタ
装置を用い、ターゲツト端部より60mmの所に配置
した60mm角の正方形の金わくに固定した試料フイ
ルム上に、アルゴンガス圧1.0Paでスパツタを行
い、堆積速度400Å／分で0.46μｍ厚のNi−Fe合
金膜として形成した。面内磁気Ｍ−Ｈ曲線より測
定した保磁力はいずれも10±２エルステツド
（Oe）であつた。 そして、Co−Cr垂直磁化膜層はCo−Cr合金タ
ーゲツト（Cr17wt％、100mmφ、５mm厚）２枚を
100mm間隔で対向させた対向ターゲツト式スパツ
タ装置を用い、ターゲツト端部よりの距離Ｌが25
mmの所に配置した40mm×50mmの矩形の金わくに固
定した前記のNi−Fe合金膜付の試料上に、アル
ゴンガス圧0.5Paでスパツタを行い、500Å／分の
堆積速度で0.50μｍ厚のCo−Cr合金膜として形成
した。なお、試料No.７，８においては距離Ｌ＝35
mmとし、基板ホルダーにマイナス100ボルトの電
圧を印加しながらバイアススパツタで膜形成し
た。 得られた媒体の反りKpを第１表に、Co−Cr合
金膜のみの結晶特性及び磁気特性を次頁の第２表
に示した。第２表においてDXはＸ線回折の
（002）面のピークの比強度、△θ50はロツキング
曲線の半値巾、Hkは実効的異方性磁界、Hcv、
Hchはそれぞれ膜面に垂直方向と水平方向の保磁
力、Msは飽和磁化を示す。いずれも似たような
特性であり、良好な垂直磁化膜である。 以上のように作製した媒体を0.25インチ巾に切
断し、テープ駆動装置を用い、デイジタル信号の
記録密度対再生電圧特性を調べた。ヘツドは補助
磁極励磁形の垂直ヘツドを用い、主磁
（塗液を塗布していない面）上に、以下の様にし
て対向ターゲツト式スパツタ法によりNi−Fe軟
磁性体層とCo−Cr垂直磁化膜層を逐次積層した。 すなわちNi−Fe軟磁性体層はNi−Fe合金ター
ゲツト（Ni：79wt％、80mmφ、５mm厚）２枚を
75mm間隔で対向させた対向ターゲツト式スパツタ
装置を用い、ターゲツト端部より60mmの所に配置
した60mm角の正方形の金わくに固定した試料フイ
ルム上に、アルゴンガス圧1.0Paでスパツタを行
い、堆積速度400Å／分で0.46μｍ厚のNi−Fe合
金膜として形成した。面内磁気Ｍ−Ｈ曲線より測
定した保磁力はいずれも10±２エルステツド
（Oe）であつた。 そして、Co−Cr垂直磁化膜層はCo−Cr合金タ
ーゲツト（Cr17wt％、100mmφ、５mm厚）２枚を
100mm間隔で対向させた対向ターゲツト式スパツ
タ装置を用い、ターゲツト端部よりの距離Ｌが25
mmの所に配置した40mm×50mmの矩形の金わくに固
定した前記のNi−Fe合金膜付の試料上に、アル
ゴンガス圧0.5Paでスパツタを行い、500Å／分の
堆積速度で0.50μｍ厚のCo−Cr合金膜として形成
した。なお、試料No.７，８においては距離Ｌ＝35
mmとし、基板ホルダーにマイナス100ボルトの電
圧を印加しながらバイアススパツタで膜形成し
た。 得られた媒体の反りKpを第１表に、Co−Cr合
金膜のみの結晶特性及び磁気特性を次頁の第２表
に示した。第２表においてDXはＸ線回折の
（002）面のピークの比強度、△θ50はロツキング
曲線の半値巾、Hkは実効的異方性磁界、Hcv、
Hchはそれぞれ膜面に垂直方向と水平方向の保磁
力、Msは飽和磁化を示す。いずれも似たような
特性であり、良好な垂直磁化膜である。 以上のように作製した媒体を0.25インチ巾に切
断し、テープ駆動装置を用い、デイジタル信号の
記録密度対再生電圧特性を調べた。ヘツドは補助
磁極励磁形の垂直ヘツドを用い、主磁
【表】
【表】
極の実効厚さは1.5μｍ、補助磁極巻線は記録用
100ターン、再生用500ターンのものを用い、テー
プ速度は記録時4.75cm/sec、再生時9.5cm/secで飽
和記録を行つた。 第２図に、試料No.１のものの記録密度特性を示
す。横軸は記録密度（KBPI）、縦軸は再生出力
（各logスケール）である。主磁極の厚みに対応
し、32KBPI付近で第１の出力A1がゼロに低下し
ているが、その後第２、第３、第４、第５のピー
クA2，…A5が出現し、各ピークA2，…A5はリン
グヘツドを用いた時のギヤツプ損失後のピークに
は見られない大きな出力を有し、超高密度記録が
可能なことが実証された。 各試料の第２ピークA2と第４ピークA4のピー
ク出力として夫々50KBPI及び140KBPIの出力を
第１表に示す。第１表において−印は出力ピーク
が観察されなかつたものである。又、この時のノ
イズレベルは４〜6μVであつた。第１表における
試料No.１，２，３，４，５のCLAと50KBPIの出
力との関係を第３図に示す。CLAの低下と共に
再生出力が増加する効果が顕著である。現状の市
販VTR用のベースフイルムの表面性は試料No.５
に代表されるような値であり、このような表面性
のものでは、垂直磁気記録媒体用の支持体フイル
ムとしてはまつたく不十分なものである。また試
料No.６に示されるように、CLAが十分な値を示
していてもPVが0.1μｍより大きなものは十分な
出力が得られない。また、形成された媒体の反り
Kpの程度も重要であり、反りKpが30％より大き
いものは、ヘツドとなじみ、スペーシングがわる
く、記録密度特性が劣化する。 以上のように、支持体フイルムのCLAとPV
を、それぞれ0.01μｍと0.1μｍ以下とし、かつ媒
体の反りKpを30％以下とした本発明の垂直磁気
記録媒体においてのみ良好な記録密度特性が得ら
れ、本発明により高性能で廉価な媒体を市場に提
供することが可能となつた。 なお、好ましくは、CLAとPVは、それぞれ
0.008μｍと0.07μｍ以下である方が、より良い結
果を与える。 また、フイルムの走行性を以下の様に動摩擦係
数（μk）で評価した。25℃、相対湿度60％で支
持体フイルムＢ面を外径20mmφのSUS27固定棒
（表面粗さ0.3S）に接触角度θ＝152゜で接触させ
25cm/secの速さで移動摩擦させる。そして、入口
のテンシヨン（T1）が30ｇとなるように調整し
た時の出口のテンシヨン（T2）より次式で動摩
擦係数（μk）を算出した。 μk＝0.868logT2／T1 評価結果を下記の第３表に示す。
100ターン、再生用500ターンのものを用い、テー
プ速度は記録時4.75cm/sec、再生時9.5cm/secで飽
和記録を行つた。 第２図に、試料No.１のものの記録密度特性を示
す。横軸は記録密度（KBPI）、縦軸は再生出力
（各logスケール）である。主磁極の厚みに対応
し、32KBPI付近で第１の出力A1がゼロに低下し
ているが、その後第２、第３、第４、第５のピー
クA2，…A5が出現し、各ピークA2，…A5はリン
グヘツドを用いた時のギヤツプ損失後のピークに
は見られない大きな出力を有し、超高密度記録が
可能なことが実証された。 各試料の第２ピークA2と第４ピークA4のピー
ク出力として夫々50KBPI及び140KBPIの出力を
第１表に示す。第１表において−印は出力ピーク
が観察されなかつたものである。又、この時のノ
イズレベルは４〜6μVであつた。第１表における
試料No.１，２，３，４，５のCLAと50KBPIの出
力との関係を第３図に示す。CLAの低下と共に
再生出力が増加する効果が顕著である。現状の市
販VTR用のベースフイルムの表面性は試料No.５
に代表されるような値であり、このような表面性
のものでは、垂直磁気記録媒体用の支持体フイル
ムとしてはまつたく不十分なものである。また試
料No.６に示されるように、CLAが十分な値を示
していてもPVが0.1μｍより大きなものは十分な
出力が得られない。また、形成された媒体の反り
Kpの程度も重要であり、反りKpが30％より大き
いものは、ヘツドとなじみ、スペーシングがわる
く、記録密度特性が劣化する。 以上のように、支持体フイルムのCLAとPV
を、それぞれ0.01μｍと0.1μｍ以下とし、かつ媒
体の反りKpを30％以下とした本発明の垂直磁気
記録媒体においてのみ良好な記録密度特性が得ら
れ、本発明により高性能で廉価な媒体を市場に提
供することが可能となつた。 なお、好ましくは、CLAとPVは、それぞれ
0.008μｍと0.07μｍ以下である方が、より良い結
果を与える。 また、フイルムの走行性を以下の様に動摩擦係
数（μk）で評価した。25℃、相対湿度60％で支
持体フイルムＢ面を外径20mmφのSUS27固定棒
（表面粗さ0.3S）に接触角度θ＝152゜で接触させ
25cm/secの速さで移動摩擦させる。そして、入口
のテンシヨン（T1）が30ｇとなるように調整し
た時の出口のテンシヨン（T2）より次式で動摩
擦係数（μk）を算出した。 μk＝0.868logT2／T1 評価結果を下記の第３表に示す。
【表】
なお、試料No.は第１表の同じNo.のフイルムを用
いたことを示す。但し試料No.９は、試料No.２と同
一のフイルムであるが滑剤を含有した塗液を塗布
しなかつたものである。試料No.９以外はすべて良
好な走行性を有し、フイルムのハンドリングも容
易であつた。
いたことを示す。但し試料No.９は、試料No.２と同
一のフイルムであるが滑剤を含有した塗液を塗布
しなかつたものである。試料No.９以外はすべて良
好な走行性を有し、フイルムのハンドリングも容
易であつた。
第１図は媒体の反りKpの測定法を示したもの、
第２図は試料No.１の記録密度特性を示したもの、
そして第３図は支持体フイルムのCLAと50KBPI
の再生出力との関係を示したものである。
第２図は試料No.１の記録密度特性を示したもの、
そして第３図は支持体フイルムのCLAと50KBPI
の再生出力との関係を示したものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持基板を非磁性支持体となした薄膜型の垂
直磁気記録媒体において、前記非磁性支持体がポ
リエチレンテレフタレート又はポリエチレンナフ
タレートからなると共に、その垂直磁気記録層を
設ける側の表面の表面粗さ（CLA）が0.01μｍ以
下で且つ該表面の最大突起高さ（PV）が0.1μｍ
以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 ２ 前記垂直磁気記録媒体の反りKp（単位：％）
が ｜Kp｜30 である特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録
媒体。 ３ 前記非磁性支持体をフイルムとなすと共に、
垂直磁気記録層を設けない面に滑剤を塗布した特
許請求の範囲第１項若しくは第２項記載の垂直磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56112258A JPS5814319A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56112258A JPS5814319A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814319A JPS5814319A (ja) | 1983-01-27 |
| JPH0152816B2 true JPH0152816B2 (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=14582196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56112258A Granted JPS5814319A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814319A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271601A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-01 | Teijin Ltd | 磁気記録再生方式 |
| JPH0795369B2 (ja) * | 1985-12-25 | 1995-10-11 | 株式会社東芝 | 垂直磁気記録媒体 |
| JPH0690784B2 (ja) * | 1986-04-14 | 1994-11-14 | 帝人株式会社 | 磁気記録用テ−プ |
Citations (12)
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-
1981
- 1981-07-20 JP JP56112258A patent/JPS5814319A/ja active Granted
Patent Citations (12)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5814319A (ja) | 1983-01-27 |
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