JPH0438817A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JPH0438817A JPH0438817A JP14513890A JP14513890A JPH0438817A JP H0438817 A JPH0438817 A JP H0438817A JP 14513890 A JP14513890 A JP 14513890A JP 14513890 A JP14513890 A JP 14513890A JP H0438817 A JPH0438817 A JP H0438817A
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- JP
- Japan
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- heat treatment
- solvent
- discharged
- treatment section
- exhaust
- Prior art date
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- Granted
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 14
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
「発明の目的」
本発明は、熱処理装置に関するものである。
［従来の技術とその課題］
一般に半導体集積回路の微細パターンの形成は、半導体
ウェハにレジストを塗布し、露光、現像等の複数の処理
工程を経て行なわれる。このような複数の処理を行なう
ために、適宜の搬送工程により搬送されるが、特に、レ
ジスト塗布後のウェハを熱処理部において１００℃以上
の高温で加熱してレジスト溶剤等を蒸発させこれを外部
に排出する必要がある。 通常、この場合、第６図及び第７図に示すように熱処理
部１の断熱材４を有するカバー２内に設けた熱板ステー
ジ３にウオーキングビームを設け、このビームにより搬
送される半導体ウェハが熱処理部１に搬入される入口５
と搬出される８口６にレジスト溶媒を排出する排出ロア
、８を配設し、この排出ロア、８に接続したチューブ９
から排出器１０を介して排出するようにしている。 また、ホットプレートの両側に設けた側壁面に複数の排
気孔を形成してレジスト溶媒等をこの排気孔より排気す
る方法も開示されている（特開昭６１−２０３３１号公
報参照）。
ウェハにレジストを塗布し、露光、現像等の複数の処理
工程を経て行なわれる。このような複数の処理を行なう
ために、適宜の搬送工程により搬送されるが、特に、レ
ジスト塗布後のウェハを熱処理部において１００℃以上
の高温で加熱してレジスト溶剤等を蒸発させこれを外部
に排出する必要がある。 通常、この場合、第６図及び第７図に示すように熱処理
部１の断熱材４を有するカバー２内に設けた熱板ステー
ジ３にウオーキングビームを設け、このビームにより搬
送される半導体ウェハが熱処理部１に搬入される入口５
と搬出される８口６にレジスト溶媒を排出する排出ロア
、８を配設し、この排出ロア、８に接続したチューブ９
から排出器１０を介して排出するようにしている。 また、ホットプレートの両側に設けた側壁面に複数の排
気孔を形成してレジスト溶媒等をこの排気孔より排気す
る方法も開示されている（特開昭６１−２０３３１号公
報参照）。
然し乍ら、上記の従来例によると、次のような課題を有
している。 前者の例によると、熱処理部１内の排気は、第６図及び
第７図に示すような熱板のステージが増加して熱処理部
１のオーブンが長くなると、熱処環部１の入口５と出口
６に設けた排出ロア、８より排気しているので、熱処理
部１の中央部位置の近傍の排気が不十分となり、レジス
ト溶剤等を均一に排気することができない等の問題があ
る。 また、後者の例によると、レジスト溶媒等が側壁面に付
着するおそれがあり、常時、溶媒を均一に排気すること
ができない等の問題がある。 本発明は、上記の問題点に鑑みて開発したものであり、
熱処理部内のオーブンが長くなっても溶媒を均一で、か
つ完全な排気を可能とした熱処理装置を提供することを
目的としている。 「発明の構成」
している。 前者の例によると、熱処理部１内の排気は、第６図及び
第７図に示すような熱板のステージが増加して熱処理部
１のオーブンが長くなると、熱処環部１の入口５と出口
６に設けた排出ロア、８より排気しているので、熱処理
部１の中央部位置の近傍の排気が不十分となり、レジス
ト溶剤等を均一に排気することができない等の問題があ
る。 また、後者の例によると、レジスト溶媒等が側壁面に付
着するおそれがあり、常時、溶媒を均一に排気すること
ができない等の問題がある。 本発明は、上記の問題点に鑑みて開発したものであり、
熱処理部内のオーブンが長くなっても溶媒を均一で、か
つ完全な排気を可能とした熱処理装置を提供することを
目的としている。 「発明の構成」
上記の目的を達成するため、本発明は、被処理体と熱処
理体を相対的に移動させて熱処理する熱処理装置におい
て、上記被処理体の側部に沿って排気口を設け、この排
気口から排気状態で熱処理するように構成した。
理体を相対的に移動させて熱処理する熱処理装置におい
て、上記被処理体の側部に沿って排気口を設け、この排
気口から排気状態で熱処理するように構成した。
従って、本発明によると、被処理体と加熱板を相対的に
移動させた状態で熱処理する装置において、少なくとも
上記移動方向に沿って配設した排気口より排気されるの
で、熱処理部内の全域において排気されて常時排出され
るため、熱処理部の中央部分の排気も充分に行なわれ、
全ステージにわたって均一に排気することができる。 即ち、均一加熱が実行できる。 【実施例］ 以下、本発明を半導体ウェハに塗布したレジストを加熱
して乾燥させるための熱処理装置に適用した実施例につ
き図面を参照して具体的に説明する。 第１図乃至第３図において、客側により液状化されてレ
ジスト液を滴下回転塗布したレジスト塗布後の半導体ウ
ェハ２０を熱処理部２１内に設けた長方形状の熱板２２
上に載置させて１００℃以上の高温で加熱して乾燥する
。この熱板２２には、半導体ウェハと相対的に移動する
ため１例えば、ウオーキングビーム２３を設け、このビ
ーム２３は、通常のスクエアモーションにより半導体ウ
ェハ２０を搬送するようにしている。更に、このウオー
キングビーム２３を、熱膨張率の小さいセラミック製に
することによりビーム２３の長さが長くなってもビーム
２３の伸びを小さくして反らないようにしている。 ウオーキングビームの構造は１周知であるからその詳細
を略すが、ビーム状の半導体ウェハ支持体が上動してウ
ェハを載置支持し、この支持した状態で移動方向にビー
ムを移動させてウェハを移動させるものである。 上記した熱処理部２１は、熱板２２のウェハ搬送方向の
沿って排気側壁２４を並設し、この排気側壁２４の下部
に排気路２５を設け、かつ上部に一定間隔に排気筒２６
を設け、この排気筒２６は一ケ所に集中するよう導孔し
、排気ポンプに導孔して均一にレジスト溶剤を吸引する
ようにしている。更に、この排気側壁２４の上部に設け
た排気筒２６に着脱自在に嵌合したカバ一部材２７を設
ける。このカバ一部材２７は、中央面に内部を監視でき
るように窓ガラス２８を設けると共に、ウオーキングビ
ーム２３のＷＪ側側方方位置、半導体ウェハ２０の搬送
方向に沿って開口した排気口２９を配設する。 上記排気口２９は、第５図に示すように側部に連続して
形成してもよいし、また、第４図に示すように、適宜の
間隔で複数筒殻けてもよい。 また、図中３０は熱処理部２１の入口、３１は出口であ
る。 次に上記実施例の作用を説明する。 レジスト塗布後の半導体ウェハ２０を熱処理部２１内に
設けた熱板２２上に載置させて１００”Ｃ以上の高温で
加熱して溶媒等を排気しながら乾燥させる。この場合、
半導体ウェハ２ｏは、ウオーキングビーム２３のスクエ
アモーションにより搬送され、同時に第１図及び第３図
に示すように搬送方向に沿ってウオーキングビーム２３
の両側上方位置に配設した排気口２９より排気されるの
で、熱処理部２１内の全域において常時排気されて排出
されるため、熱処理部２１の中央部分の排気も充分に行
なわれ、全ステージにわたって均一に排気することがで
きる。 また、排出側壁２４とカバ一部材２７とは、着脱自在に
設けられているので、メンテナンスが容易であると共に
、排気筒２６を一定間隔に配設されているので、均一に
溶媒を吸引排気することができる。 上記実施例で、半導体ウェハ上のレジストの乾燥につい
て説明したがＬＣＤの製造工程、プリント基板の製造工
程などに適用してもよい。 「発明の効果」 以上のことから明らかなように、本発明によると熱処理
部内の溶媒を均一で、かつ完全な排気を可能とした熱処
理装置を提供することができる等の効果がある。
移動させた状態で熱処理する装置において、少なくとも
上記移動方向に沿って配設した排気口より排気されるの
で、熱処理部内の全域において排気されて常時排出され
るため、熱処理部の中央部分の排気も充分に行なわれ、
全ステージにわたって均一に排気することができる。 即ち、均一加熱が実行できる。 【実施例］ 以下、本発明を半導体ウェハに塗布したレジストを加熱
して乾燥させるための熱処理装置に適用した実施例につ
き図面を参照して具体的に説明する。 第１図乃至第３図において、客側により液状化されてレ
ジスト液を滴下回転塗布したレジスト塗布後の半導体ウ
ェハ２０を熱処理部２１内に設けた長方形状の熱板２２
上に載置させて１００℃以上の高温で加熱して乾燥する
。この熱板２２には、半導体ウェハと相対的に移動する
ため１例えば、ウオーキングビーム２３を設け、このビ
ーム２３は、通常のスクエアモーションにより半導体ウ
ェハ２０を搬送するようにしている。更に、このウオー
キングビーム２３を、熱膨張率の小さいセラミック製に
することによりビーム２３の長さが長くなってもビーム
２３の伸びを小さくして反らないようにしている。 ウオーキングビームの構造は１周知であるからその詳細
を略すが、ビーム状の半導体ウェハ支持体が上動してウ
ェハを載置支持し、この支持した状態で移動方向にビー
ムを移動させてウェハを移動させるものである。 上記した熱処理部２１は、熱板２２のウェハ搬送方向の
沿って排気側壁２４を並設し、この排気側壁２４の下部
に排気路２５を設け、かつ上部に一定間隔に排気筒２６
を設け、この排気筒２６は一ケ所に集中するよう導孔し
、排気ポンプに導孔して均一にレジスト溶剤を吸引する
ようにしている。更に、この排気側壁２４の上部に設け
た排気筒２６に着脱自在に嵌合したカバ一部材２７を設
ける。このカバ一部材２７は、中央面に内部を監視でき
るように窓ガラス２８を設けると共に、ウオーキングビ
ーム２３のＷＪ側側方方位置、半導体ウェハ２０の搬送
方向に沿って開口した排気口２９を配設する。 上記排気口２９は、第５図に示すように側部に連続して
形成してもよいし、また、第４図に示すように、適宜の
間隔で複数筒殻けてもよい。 また、図中３０は熱処理部２１の入口、３１は出口であ
る。 次に上記実施例の作用を説明する。 レジスト塗布後の半導体ウェハ２０を熱処理部２１内に
設けた熱板２２上に載置させて１００”Ｃ以上の高温で
加熱して溶媒等を排気しながら乾燥させる。この場合、
半導体ウェハ２ｏは、ウオーキングビーム２３のスクエ
アモーションにより搬送され、同時に第１図及び第３図
に示すように搬送方向に沿ってウオーキングビーム２３
の両側上方位置に配設した排気口２９より排気されるの
で、熱処理部２１内の全域において常時排気されて排出
されるため、熱処理部２１の中央部分の排気も充分に行
なわれ、全ステージにわたって均一に排気することがで
きる。 また、排出側壁２４とカバ一部材２７とは、着脱自在に
設けられているので、メンテナンスが容易であると共に
、排気筒２６を一定間隔に配設されているので、均一に
溶媒を吸引排気することができる。 上記実施例で、半導体ウェハ上のレジストの乾燥につい
て説明したがＬＣＤの製造工程、プリント基板の製造工
程などに適用してもよい。 「発明の効果」 以上のことから明らかなように、本発明によると熱処理
部内の溶媒を均一で、かつ完全な排気を可能とした熱処
理装置を提供することができる等の効果がある。
第１図は本発明における熱処理装置の一実施例を示した
平面説明図、第２図は同上における縦断説明図、第３図
は側面説明図、第４図と第５図は、本発明の他側を示す
平面説明図であり、第６図は、従来例の平面説明図、第
７図は従来例の正面説明図である。 ２０・・・半導体ウェハ ２１・・・熱処理部 ２２・・・熱板 ２３・・・ウオーキングビーム ２４・・・排出側壁 ２５・・・排気路 ２６・・・排気筒 ２７・・・カバ一部材 ２９・・・排気口 特許呂願人 東京エレクトロン株式会社特許出願人
東京エレクトロン九州株式会社第 図 第７ 図
平面説明図、第２図は同上における縦断説明図、第３図
は側面説明図、第４図と第５図は、本発明の他側を示す
平面説明図であり、第６図は、従来例の平面説明図、第
７図は従来例の正面説明図である。 ２０・・・半導体ウェハ ２１・・・熱処理部 ２２・・・熱板 ２３・・・ウオーキングビーム ２４・・・排出側壁 ２５・・・排気路 ２６・・・排気筒 ２７・・・カバ一部材 ２９・・・排気口 特許呂願人 東京エレクトロン株式会社特許出願人
東京エレクトロン九州株式会社第 図 第７ 図
Claims (1)
- （１） 被処理体と熱処理体を相対的に移動させて熱
処理する熱処理装置において、上記被処理体の側部に沿
って排気口を設け、この排気口から排気状態で熱処理す
ることを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14513890A JP2931992B2 (ja) | 1990-06-02 | 1990-06-02 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14513890A JP2931992B2 (ja) | 1990-06-02 | 1990-06-02 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0438817A true JPH0438817A (ja) | 1992-02-10 |
| JP2931992B2 JP2931992B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=15378293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14513890A Expired - Lifetime JP2931992B2 (ja) | 1990-06-02 | 1990-06-02 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2931992B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007158088A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラム、コンピュータ読取可能な記憶媒体 |
-
1990
- 1990-06-02 JP JP14513890A patent/JP2931992B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007158088A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラム、コンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| JP4672538B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2931992B2 (ja) | 1999-08-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110528 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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