JPH0437005A - Ｌｃノイズフィルタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は積層型ＬＣ素子、特に複数の絶縁層が積層され
た積層体内にインダクタ導体、キャパシタ導体からなる
ＬＣの分布定数的回路を形成した積層型ＬＣ素子に関す
る。

［従来の技術］ 近年の電子技術の発達に伴い、電子回路は各種分野にお
いて幅広く用いられており、従って、これら各電子回路
を、外部からのノイズの影響を受けることなく安定して
確実に作動させることが望まれる。

特に、近年では各種高性能の電子機器を多数使用してい
るため、ノイズに対する規制も益々激しくなっている。

このため、発生するノイズを確実に除去することができ
る小型でしかも高性能なノイズフィルタの開発が望まれ
る。

しかし、従来のＬＣノイズフィルタは、第８図に示すよ
う、コア１０に２組の巻線１２．１４を巻回し、これら
巻線１２１４の両端にコンデンサ１．６．１８をそれぞ
れ平行に接続して形成されていた。

従って、インダクタを構成するコア１０および巻線１２
．１４の部分か大きくなり、しかもインダクタとコンデ
ンサ１６．１８とが別部材で構成されているため、フィ
ルタ全体が大きくなってしまい、小型軽量化という要求
品質を満足できないという問題があった。

このような問題を解決するため、特開昭５６−５０５０
７号、特開昭５６−１４４５２４号、特開昭５６−１４
２６２２号特開昭［１３−７６３１３号にかかる提案か
行われている。

この従来技術、例えば特開昭５６−５０５０７号にかか
る複合電子部品では、第９図に示すよう、複数の絶縁体
層２０ａ、２０ｂ、２０ｃ・・・を積層することにより
積層体を形成する。そして、前記各絶縁体層２０ａ、２
０ｂ・・・の層間に、１つの層間から次の層間へと連続
して周回する導電パターン２２ａ、２２ｂ、２２ｃを設
け、これにより所定のターン数のコイルＬを形成する。

また、前記絶縁体層２０ａ、２０ｂ、２０ｃ・一の層間
に、前記周回導電パターン２２ａ、２２ｃと間隔をあけ
て導電層２４ａ、２４ｂを配置し、これら導電層２４ａ
、２４ｂと導電パターン２２ａ、２２ｃとの間にキャパ
シタンスＣを形成する。

これにより、第１０図に示すようＬおよびＣからなる集
中定数型のノイズフィルタを得ることができる。

さらに、この従来技術では、ＬおよびＣが積層体内に組
込まれているため、小型で軽量なＬＣノイズフィルタと
して用いることができる。

［発明が解決しようとする課題］ ■　しかし、このＬＣフィルタは、コイルを形成する導
電パターンの１部２２ａ、２２ｃの直線部分に、キャパ
シタンスを形成する導電層２４ａ。

２４ｃを隣接して設けるだけである。このため、コイル
と導電層２４との間のキャパシタンスＣが小さく、良好
な減衰特性を得ることができないという問題があった。

特に、このＬＣフィルタは、第１０図に示すよう集中定
数型のＬＣフィルタとして形成されている。このため、
各種ノイズ、特にスイッチングサージ等のコモンモード
ノイズや、リップル分等のノーマルモードノイズを確実
に除去できないという問題があった。

■　また、このＬＣフィルタは、３端子型のノーマルモ
ードフィルタとしてしか用いることができず、４端子型
のコモンモード型ノイズとして用いることはできないと
いう問題があった。

本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、侵入するノイズを確実に除去する
ことができる小型の積層型ＬＣ素子及びその製造方法を
提供するとにある。

また、本発明の他の目的は、ノーマルモード型のノイズ
フィルタとしてばかりでなく、必要に応じてコモンモー
ド型ノイズフィルタとしても用いることができる積層型
ＬＣ素子及びその製造方法を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 前記目的を達成するため、本発明の積層型ＬＣ素子は、 複数のセグメントから構成される絶縁層を積層して形成
された積層体と、 前記絶縁層の層間に、１の層間のセグメントから他の層
間のセグメントにかけて同方向に連続して周回する第１
の導１性エレメントを設け、所定ターン数のコイルを形
成する第１の導体と、前記絶縁層の層間に、前記第１の
導電性エレメントと絶縁層を介して相対向する第２の導
電性エレメントを設け、前記第１の導体との間にキャパ
シタンスを形成する第２の導体と、 を含むことを特徴とする。

［作　用］ 次に本発明の詳細な説明する。

本発明のＬＣ素子は、絶縁層を複数のセグメントから構
成し、この絶縁層を複数層にわたって積層し積層体を形
成している。

そして、第１の導体は、第１の導電性エレメントを、前
記絶縁層の層間に、１つの層間のセグメントから他の層
間のセグメントにかけて連続して周回するよう設けるこ
とにより形成されている。

これにより、第１の導体は、所定のインダクタンスを有
するコイルとして機能することになる。

また、第２の導体は、第２の導電性エレメントを積層体
の層間に設けることにより形成されている。

本発明の特徴的なことは、前記第２の導電性エレメント
を、第１の導電性エレメントと絶縁層を介して相対向す
るように設け、両者の間にキャパシタンスを形成するこ
とにある。

このとき、第２の導体は、第１の導体との間で、キャパ
シタンスを分布定数的に形成するものと推測される。従
って、本発明の積層型ＬＣ素子は、分布定数タイプのＬ
Ｃフィルタとして機能し、従来の集中定数タイプのＬＣ
フィルタに比べ、比較的広い帯域にわたり良好な減衰特
性を得ることができ、各種ノイズをリンギング等を伴う
ことなく除去することができる。特に、本発明の積層型
ＬＣ素子は、分布定数回路のし成分、Ｃ成分が有効に機
能し、各種ノイズを有効に除去することができる。

さらに、本発明の積層型ＬＣ素子は、第２の導体にアー
ス端子を設け、第１の導体の両端に人出力端子を設ける
ことによりノーマルモード型のＬＣノイズフィルタとし
て用いることができる。

また、本発、明の積層型ＬＣ素子は、第２の導体を複数
に分割し、各分割区間を接地する分割接地タイプのノー
マルモード型ＬＣノイズフィルタとして用いることによ
り、より大きなキャパシタンスを得ることができる。

さらに、本発明の積層型ＬＣ素子は、前記第１および第
２の導体の両端に入出力端子を設けることにより、コモ
ンモード型のＬＣノイズフィルタとしても用いることも
がきる。

［実施例コ 次に、発明の好適な実施例を図面に基づき詳細に説明す
る。

第１実施例 第１図には、本発明の積層型ＬＣ素子の製造工程の一例
が示され、第２図にはこの製造工程に従って形成された
積層型ＬＣ素子の一例が示され、第３図にはその等価回
路図が示されている。

実施例のＬＣ素子は、２枚の絶縁性基板］００−１．，
１００−２の間に複数の絶縁板３２−１゜３２−２・・
・３２−４をサンドイッチ状に積層して形成された積層
体３０と、前記絶縁板３２の層間３６−１．３６−２・
・・３６−４に設けられた第１の導体４０及び第２の導
体５０とを有する。

前記各絶縁板３２は、３数のセグメント３２ａ。

３２ｂ、３２ｃから構成され、例えば第１図（Ｃ）に示
す絶縁板３２−２は、中央セグメント３２ａ−２と、そ
の両側に位置するサイドセグメント３２ｂ−２，３２ｃ
ｍ２とから構成されている。

前記中央セグメント３２ａは、断面が台形となるように
左右両側にテーバか設けられ、このテーバと噛み合うよ
う、その両側に位置するサイドセグメント３２ｂ、３２
ｃにも鋭角状のテーバが設けられている。

これら各絶縁板３２および基板１００は、必要に応じて
各種の絶縁材料を用いて形成すればよい。

この絶縁材料としては、例えばセラミックス、プラスチ
ックまたは各種合成樹脂等が考えられるか、実施例では
セラミックスが用いてられている。

また、前記第１の導体４０は、絶縁板３２の層間３６−
１．３６−２・・・３６−４に、１つの層間のセグメン
トから他の層間のセグメントにかけて連続して周回すゝ
るよう設けられた複数の第］の導電性エレメント４４−
１．４４−２．　・・・４４−６から構成されている。

同様に、前記第２の導体５０は、絶縁板３２の層間３６
−１．３６−２・・３６−４に、１つの層間のセグメン
トから他の層間のセグメントにかけて連続して周回する
よう設けられた複数の第２の導電性エレメント５４−１
゜５４−２．・・・５４−７から構成されている。

ここにおいて特徴的なことは、前記第１および第２の導
電性エレメント−４４，５４が、絶縁板３２を介して相
対向し、両者の間にキャパシタンスをほぼ連続的に形成
することにある。

これにより、第１および第２の導体４０．５０は、それ
ぞれ所定ターン数のコイルとして機能すると共に、これ
ら第１および第２の導体４０゜５０の間には絶縁板３２
を介しキャパシタンスＣがほぼ連続的に形成され、しか
もこのキャパシタンスＣは第１および第２の導体４０．
５０の間に分布定数的に形成されるものと推定される。

ここにおいて、実施例の第１．第２の導電性エレメント
４４．５４は、例えば印刷、状順、メツキ等の手法を用
いて絶縁板３２の表面に次のような順序で被覆形成され
る。

まず、第１図（ａ）に示すよう、まず基板１００−１上
に絶縁板３２−１を積層しておく。

そして、この絶縁板３２−１の中央に位置する中央セグ
メント３２ａ−１の端面に補助端子部５２８′を被覆形
成する。さらに、セグメント３２ａ−１，、，３２ｂ−
１の表面には、前記補助端子部５２ａ′から連続する第
２の導電性エレメント５４−１を被覆形成する。

次に、第１図（ｂ）に示すよう、絶縁板３２−１の表面
に、第２の導電性エレメント５４の端部が露出するよう
、次の絶縁板３２−２の一部を構成する中央セグメント
３２ａ−２を積層する。そして、第２の導電性エレメン
ト５４−１から連続する第２の導電性エレメント５４−
２を、サイトセグメント３２ｂ−１から、次の層の中央
セグメント３２ａ−２にかＩ）で被覆形成する。これと
同時に、第１層目のサイドセグメント３２Ｃ−１の端面
に補助端子部４２ａ′を被覆形成する。さらに、サイド
セグメント３２ｃｍ１から次の層の中央セグメント３２
ａ−２の表面に、前記補助端子部４２ａ′から連続し、
しかも中央セグメント３２ａ−２を介し第２の導電性エ
レメント５４−１と相対向する第１の導電性エレメント
４４−１を被覆形成する。

次に、第１図（ｃ）に示すごとく、各導電性エレメント
４４−２．５４−１の端部が露出するよう次の層のサイ
ドセグメント３２ｂ−２，３２ｃｍ２を絶縁板３２−１
の表面に積層する。そして、セグメント３２ａ−２，３
２ｃｍ２上に、第２の導電性エレメント５４−２から連
続する第２の導電性エレメント５４−３を被覆形成する
。これと同時に、セグメント３２ａ−２，３２ｂ−２上
に、前記第１の導電性ニレメンｌ−４４−１から連続し
、しかもこれら各セグメント３２ｇ−２，３２ｂ　−２
を介し第２の導電性エレメント５４−２と相対向する第
１の導電性エレメント４４−２を略コ字状に被覆形成す
る。

このような絶縁層の積層工程と、エレメントの形成工程
とを第１図（ｄ）〜（ｇ）に示すよう繰返して行う。そ
の後、同図（ｈ）に示すよう絶縁性基板１００−２を絶
縁板３２−４上に積層することにより、積層体３０を形
成する。これにより、前記第１の導体４０．第２の導体
５０は、それぞれ所定ターン数のコイルを形成すること
になる。

このとき、同図（ｇ）の工程において、サイドセグメン
ト３２ｂ−４の端面に、第１の導電性ニレメン）４４−
６から連続する補助端子部４２ｂ′を被覆形成する。

そして、第１図（ｉ）に示す最終工程において、この積
層体３０の片側端部に、前記補助端子部４２ａ　　、４
２ｂ’、５２ａ’　と電気的に接続された端子４２ａ、
４２ｂ、４２を被覆形成する。

これにより、第２図に示すよう本実施例の積層型ＬＣ素
子は、積層体３０の外周面に、２個の入出力端子４２ａ
、４２ｂと、１個のアース端子５２ａとが設けられた３
端子型のＬＣ素子となる。

しかもこのＬＣ素子は、ＳＭＤタイプ（サーフェス・マ
ウント・デイバイス）の素子として形成されるため、そ
の取扱いが極めて容易なものとなる。

第３図（ａ）には、本実施例の積層型ＬＣ素子の等価回
路図が示されている。

同図に示すよう、前記第１の導体４０は、その両端が端
子４２ａ、４２ｂに接続され、所定のインダクタンスＬ
１をもったコイルとして機能する。

同様に、前記第２の導体は、その一端が端子５２ａに接
続され、所定のインダクタンスＬ２をもったコイルとし
て機能する。

しかも、前述したようにこれら第１．第２の導体４０．
５０の間にはキャパシタンスＣがほぼ連続的にしかも分
布定数的に形成されるものと推定される。

従って、本発明の積層型ＬＣ素子は、従来の集中定数型
ＬＣ素子にはない優れた特性を発揮することができ、こ
の積層型ＬＣ素子を、ＬＣノイズフィルタとして用いる
ことにより、広帯域にわたって優れた減衰特性を有する
ノーマルモード型ＬＣノイスフィルタとして用いること
ができる。

これに加えて、本発明によれば、第１および第２の導体
４０．５０が、絶縁板３２を介して相対向している。従
って、従来の積層型ＬＣ素子に比べ、十分大きなキャパ
シタンスＣを得ることかでき、この面からも従来の積層
型ＬＣ素子に比べ、良好な減衰特性をもったＬＣノイズ
フィルタとしと使用可能であることが理解されよう。

また、本実施例の導電性エレメント４４．５４は、第４
図に示すように立体的に配置されている。

このとき、第１の導電性エレメント４４−１を例にとる
と、この導電性エレメント４４−１は、絶縁板３２−２
を介して第２の導電性エレメント５４−１と対向してキ
ャパシタンスを形成するばかりでなく、その下方に位置
する第２の導電性エレメント５４−３との間でもキャパ
シタンスを形成している。このように各導電性エレメン
ト４４は、その上下両側に位置する第２の導電性エレメ
ント５４との間でキャパシタンスを形成することになる
たか、両者の間には限られた空間内にて十分大きなキャ
パシタンスＣを得ることができ、この結果、良好な特性
を持った積層型ＬＣ素子となることが理解されよう。

また、このＬＣ素子のキャパシタンスＣをより大きくす
るには、第５図に示すよう絶縁板３２の表面にエツジン
グ等により凹凸を設けることが好ましい。このように形
成された絶縁板３２の表面に導電性エレメント４４．５
２を被覆することにより、両導電性エレメント４４．５
４は広い面積で相対向することになる。これにより、同
じ大きさのＬＣ素子でも、さらに大きなキャパシタンス
Ｃを得ることが可能となる。

以上説明したように、本発明によれば、キャパシタンス
Ｃが分布定数的に形成されたＬＣ素子を得ることができ
る。しかも素子自体を大型化することなく、そのキャパ
シタンスＣを必要に応じて大きな値に設定することがで
き、従来の積層型ＬＣ素子にはない優れた特性を発揮す
ることが可能となる。

なお、前記実施例では、本発明の積層型ＬＣ素子をＳＭ
Ｄタイプの素子として形成した場合を例にとり説明した
が、本発明はこれに限らず、各端子４２ａ、４２ｂ、５
２をピン構造としたディスクリートタイプの素子として
形成することもてきる。

また、本実施例の積層型ＬＣ素子は、第３図（ａ）に示
すようなノーマルモード型ＬＣノイズフィルタとしてば
かりでなく、第３図（ｂ）に示すような４端子コモンモ
ード型ＬＣノイズフイルタとして用いることができる。

この場合には、前記第２の導体５０の両端に端子５２ｇ
、５２ｂを接続し、これら各端子５２ａ、５２ｂを接地
せず、入出力端子として用いればよい。

また、本発明のＬＣ素子において、前記第１゜第２の導
体４０．５０の導電パターンは、前記実施例に限定され
るものではなく、所定ターン数のコイルを形成できるな
らば、必要に応じてに任意のパターンとすることもでき
る。

第２実施例 次に本発明の積層型ＬＣ素子の好適な第２実施例を説明
する。なお前記第１実施例と対応する部材には同一符号
を付しその説明は省略する。

前記実施例の積簀型ＬＣ素子は、絶縁板を絶縁層として
用いたが、本実施例では、絶縁薄膜を絶縁層として用い
たことを特徴とする。これにより、薄膜形成技術を用い
て積層型ＬＣ素子を形成することが可能となる。

第６図には、この積層型ＬＣ素子の製造工程の好適な一
例が示されている。

実施例のＬＣ素子は、まず第６図（ａ）に示すよう、絶
縁性基板１００の端面に補助端子部５２８′を被覆形成
すると共に、この絶縁性基板１、　ＯＯの表面に、前記
補助端子部５２ａ′から連続する第２の導電性エレメン
ト５４−１をほぼＬ字状に被覆形成する。

次に、第６図（ｂ）に示すよう、絶縁性基板１００の表
面に、第２の導電性エレメント５４の端部が露出するよ
う、絶縁薄膜２００−１を中央セグメント３２ａ−２と
して被覆形成する。

次に、第６図（Ｃ）に示すよう、絶縁性基板１００およ
び中央セグメント３２ａ−２上に、第２の導電性エレメ
ント５４−１から連続する第２の導電性エレメント５４
−２を被覆形成する。これと同時に、絶縁性基板１００
の端面に補助端子部４２８′を被覆形成すると共に、絶
縁性基板１００から中央セグメント３２ａ−２上に、前
記補助端子部５２ａ′から連続し、しかも中央セグメン
ト３２ａ−２を介し第２の導電性エレメント５４−１と
相対向する第１の導電性エレメント４４−１をほぼコ字
状に被覆形成する。

次に、第６図（ｄ）に示すよう、各導電性エレメント４
４−１．，５４−２の端部が露出するよう、絶縁薄膜２
００−２，２００−３をサイドセグメント３２ｂ−２３
２ｃｍ２として被覆形成する。

次に、第６図（ｅ）に示すよう、各セグメント３２ａ−
２，３２ｂ−２，３２ｃｍ２上に、前記導電性エレメン
ト５４−２．４４−１と絶縁薄膜２００を介して相対向
するよう、第１の導電性工レメント４４−２．第２の導
電性エメント５４３を被覆形成する。

このような薄膜形成工程と、エレメント形成工程とを、
第６図（ｇ）〜（りに示すよう繰返して行い積層体３０
を形成する。

このとき、第６図（ｈ）の工程において、基板１００の
側面にかけて、第１の導電性エレメント４４−５から連
続する補助端子部４２ｂ′を被覆形成する。

そして、第６図（ｍ）に示す最終工程において、この積
層体３０の片側端部に、前記補助端子部４２ａ’　、４
２ｂ’　、５２ａ’　と電気的に接続された端子４２ａ
、４２ｂ、５２ａを被覆形成する。

これにより、本実施例によれば、前記第３図に示すよう
なしおよびＣからなる分布定数型の等価回路をもった３
端子型ＬＣ素子を得ることができる。従って、本実施例
のＬＣ素子を、例えばノイズフィルタとして用いること
により、広帯域にわたり良好な減衰特性を発揮すること
ができる。

また、本実施例では第２の導体５ｏの一端側にのみ端子
５２ａを設け、これをアース端子として用いる場合を例
にとり説明したが、本発明はこれに限らず、第２の導体
５０の両端に端子を設け、４端子型のＬＣ素子として形
成してもよい。この場合には、第３図（ｂ）に示すよう
なコモンモード型のＬＣノイズフィルタとして用いるこ
とができる。

また、前記第１および第２の導体４０．５０のパターン
および絶縁薄膜２００のパターンはこれに限らず、必要
に応じて任意のパターンとすることもできる。

なお、本実施例の積層型ＬＣ素子は、各種薄膜成形技術
、例えば蒸着法、スパッタ法、イオンブレーティング法
、気相成長法等を用いて容易に形成することができる。

例えば、本実施例の積層型ＬＣ素子をスパッタ法を用い
て形成する場合には、ゲートで仕切られた複数の真空チ
ャンバーを用意し、各真空チャンバー内にアルゴンガス
を封入しておく。そして、各真空チャンバー内に絶縁薄
膜２００や、導電性エレメント４４．５４の材料に対応
した母材を用いて形成されたターゲットを設ける。そし
て、前記各チャンバー内において各ターゲットは、基板
１００と対向するように位置させる。ターゲットと基板
１０００間には、パターンを特定するマスクが設けられ
ている。

前記ターゲットには、マイナス電極を介して負の直流電
圧か印加され、また基板１００には、接地電極が接続さ
れている。そして、高周波電圧を、前記マイナス電極と
接地電極との間に印加することにより、ターゲットは正
イオン化されたガスの衝撃を受けてその原子または分子
を放出し、これが基板１００へ向けてスパッタされ薄膜
状に付着する。このときのスパッタパターンは、マスク
パターンにより定められる。

従って、基板１００上に絶縁薄膜２００を被覆形成する
薄膜成形工程に対応した真空チャンバーと、導電性エレ
メント４４．５４を被覆形成するエレメント形成工程用
のチャンバーとを設けておき、薄膜形成工程と、エレメ
ント形成工程とを交互に繰返して行うことにより、実施
例の積層型ＬＣ素子を簡単に形成することかできる。

なお、このような薄膜成形技術に形成された本発明の積
層型ＬＣ素子は、前記第１実施例のものに比べてより小
型でかつ軽量なものとすることができる。

第３実施例 前記各実施例では、第１．第２の導体４０゜５０の各導
電性ニレメン）４４．５４が、同一径でコイル状に周回
するよう構成されているが、本発明はこれに限らず、必
要に応じコイル径を変化させ、ＬＣ素子を形成すること
もてきる。

例えば、第１および第２の導体４０．５０の各導電性ニ
レメン（・４４および５４が、コイル径をしたいに小さ
くしながら１つの絶縁層間から次の絶縁層間にかけて連
続して周回する構成とすることにより、実施例のＬＣ素
子は、その共振特性を前記各実施例とは異なるものとす
ることができる。

しかも、その減衰特性は、前記各実施例とはその減衰パ
ターンが若干具なるが広帯域にわたって優れたものとな
る。

また、実施例とは逆に、コイル径がしだいに大きくなる
よう第１および第２の導体４０．５０を形成することに
より、各導体のインダクタンスＬが次第に大きくなる。

これにより、リンギングを効果的に抑制しながらノイズ
を除去できるノイズフィルタとして用いることができる
。

また、本実施例では、第１．第２の導体４０．５０のコ
イル径を変化させ、ＬＣ素子の共振点をずらす場合を例
にとり説明したが、本発明はこれに限らず、必要に応じ
、例えば第１および第２の導電性エレメント４４．５４
の対向幅（面積）を変化させることによっても、その共
振点をずらすこともできる。

第４実施例 また、前記実施例では、第２の導体５０が、所定ターン
数のコイルとなるよう構成した場合を例にとり説明した
が、本発明はこれに限らず、必要に応じこの第２の導体
５０を複数に分割形成し、各分割区間を接地するように
形成してもよい。

第７図には、このように形成された積層型ＬＣ素子の等
゛価回路図が示されている。

同図において、第１の導体５０は、その両端に入出力端
子４２ａ、４２ｂが接続され、前記各実施例と同様イン
ダクタ導体として機能するよう形成されている。

また、前記第２の導体５０は、複数の分割接地導体５８
−１．５８−２．５８−３．５８−４として形成されて
いる。これにより、これら各分割接地導体５８−１．５
８−２・・・５８−４と第１の導体４０との間に形成さ
れるキャパシタンスは、はぼ直接に接地端子５２と接続
されることになり、複数のＬＣ素子が、分布定数的にし
かも直列に接続されたと同じ状態となる。

従って、第１および第２の導体４０．５０との間に分布
定数的に形成されるキャパシタンスを、ＬＣフィルタの
Ｃ成分として有効に機能することができる。

ところで、このようなＬＣ素子では、分割接地導体５８
を第１の導体４０に対しどの位置に対向させるかが、ノ
イズフィルタの減衰特性に大きく影響することか確認さ
れた。

本発明者の検討の結果、複数の分割接地導体５８の中か
ら、その１つ（実施例では５８−１．　）を第１の導体
５０の一方の入出力端子４２ａと電気回路的に近い位置
に近接配置し、他の１つ（実施例では５８−４）を他の
入出力端子４２ｂと電気回路的に近い位置に近接配置す
ることにより、良好な減衰特性を得られることが確認さ
れた。

また、本発明者の検討の結果、第７図に示すよう、各分
割接地導体５８は、その一端側のみを接地することが好
ましく、しかも入出力端子４２ａ。

４２ｂと電気的に近い場所に位置する分割接地導体５８
−１．５８−４は入出力端子４２ａ、４２ｂと近い方を
接地することが良好な減衰特性を得る上で好ましいこと
を見出した。

その他の実施例 なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。

例えば、前記各実施例では、各絶縁層を３個のセグメン
トから構成した場合を例にとり説明したが、本発明はこ
れら限らず、必要に応じ各絶縁層を任意の数のセグメン
トから構成してもよい。

例えば、前記各実施例では、第１．第２の導体４０．５
０を、例えば絶縁板３２上に被覆形成したり、また絶縁
薄膜２００上に被覆形成した場合を例にとり説明したが
、本発明はこれに限らす、例えば導電板を前記各節１．
第２の導電性エメント４４．５４の形状に打抜き形成し
、これを絶縁板３２または絶縁薄膜２００上に取付は固
定してもよい。

また、前記各実施例では、絶縁薄膜００を、薄膜成形技
術により形成する場合を例にとり説明したか、本発明は
これに限らず、必要に応しこれ以外の手法、例えば絶縁
シート等を用いて形成することもてきる。

また、前記各実施例では第１．第２の導体４０゜５０の
インダクタンスを大きくする場合には、例えば絶縁層（
絶縁板３２や絶縁薄膜２００）の積層数を大きくとるこ
とにより、これら各導体４０゜５０．６０のターン数を
大きく設定するこ場合を例にとり説明した。しかし、本
発明はこれに限らず、これ以外にも、例えば各導電性エ
レメント４４．５４を、例えばＦｅ等の通電磁性体を用
いて形成したり、またこれら各導電性エレメント４４．
５４上に磁性体を接着または粉体塗装してもよい。また
、絶縁板３２．絶縁薄膜２００内に磁性体を混合させる
等の手法を用いることにより、そのインクダンスＬを増
加させることもできる。

また、これ以外にも、例えば第２図に破線で示すよう、
積層体３０の中央に磁芯挿通孔７０を設け、この積層体
３０の表面を磁性材料で粉体塗装しあるいは磁性容器内
に収納することにより、挿通孔７０を介し積層体３０の
周囲を通る開磁路または閉磁路を形成してもよい。

また、必要に応じ、前記第１．第２の導体４０５０の長
さを異なる値に設定し、例えば第１の導体４０を第２の
導体５０より長く形成し、そのインダクタンスＬを大き
く設定することも可能である。

また、前記各実施例において、第１．第２の導体４０．
５０間に分布定数的に形成されるキャパシタンスの値を
大きくとる場合には、各導電性エレメント４４．５４の
幅を大きく形成し、その対向面積を拡げればよい。

また、これ以外にも、絶縁層として用いられる絶縁板３
２．絶縁薄膜２００として、誘電率の高いものを用いる
ことによっても、またこれら絶縁層の積層数を多くする
ことによっても、キャパシタンスを増加させることがで
きる。

また、これ以外に、例えば前記各絶縁層の厚さを薄くす
ることによっても、また電解コンデンサ方式を採用し導
電体をポーラス構造にすることによっても、キャパシタ
ンスを増加させることができる。

また、本発明のＬＣ素子では、例えば第２の導体５０を
接地し、ノーマルモード型のフィルタとして用いる場合
には、第１の導体４０の導電性エレメント４４の幅より
第２の導体５０の導電性エレメント５４の幅を大きく形
成することにより、この第２の導電性エレメント５４が
前記第１の導電性エレメント４４のシールドとして機能
し、各層間の磁束の洩れと、短絡現象の発生を効果的に
防止することができる。

また、前記各実施例においては、絶縁層として用いられ
る絶縁板３２や絶縁薄膜２００を、例えばセラミックス
やプラスチック等の絶縁材料を用いて形成する場合を例
にとり説明したが、必要に応して絶縁材料どして電磁波
吸収発熱体を用いることにより、ノイズフィルタとして
の高周波帯域における性能を高めることができる。

また、前記各実施例においては、本発明の積層型ＬＣ素
子をフィルタ、特にノイズフィルタとして用いた場合を
例にとり説明したが、本発明はこれに限らず、これ以外
の用途、例えば各種フィルタとしても、またバリスタ等
としても用いることができる。

また、前記各実施例においては、薄膜形成技術を用いた
場合を例にとり説明したが、必要に応して厚膜形成技術
を用い、本発明のＬＣ素子を形成してもよい。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、絶縁層を介して
相対向する第］および第２の導体間に十分大きなキャパ
シタンスを形成することができ、小型で良好な性能を有
し、しかも安価な積層型ＬＣ素子を得ることができる。

特に、本発明によれば、第１および第２の導体間に、絶
縁層を介し静電容量か分布定数的に形成されるものと推
定され、これにより従来の集中定数型ノイズフィルタに
比べ、侵入する各種ノイズを確実に減衰除去できる優れ
た減衰特性をもったＬＣノイズフィルタとして用いるこ
とができる。

さらに本発明によれば、前記第１および第２の導体の双
方を通電導体として用いることにより、コモンモード型
ノイズフィルタとして用いることができ、また第２の導
体を接地することにより、ノーマルモード型のノイズフ
ィルタとして用いることができるという効果もある。

また、本発明によれば、基板上に絶縁層および導体を膜
成形技術により被覆形成することもでき、これにより、
本発明を半導体製造技術と組合せることにより、ウェハ
上にＩＣを形成する際、同時に積層型ＬＣ素子を形成す
ることもできる。従って、本発明の積層型ＬＣ素子を各
種ＩＣ内に、例えばＬＣフィルタ等として組込み、ＬＣ
フィルタ内蔵型のＩＣを形成することもできるという効
果もあるヵ

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｉ）は、基板上に絶縁板を積層して本
発明の積層型ＬＣ素子を形成する一連の製造工程の説明
図、 第２図は、前記製造工程により形成されたＬＣ素子の斜
視説明図、 第３図（ａ）、（ｂ）は、実施例のＬＣ素子の等価回路
図、 第４図は、各導電性エレメントの立体配置の説明図、 第５図は、基板表面に凹凸を設けその上に導電性エレメ
ント被覆形成することにより、導電性エレメントの実効
被覆面積を大きくとる場合の説明図、 第６図（ａ）〜（ｍ）は、基板上に薄膜形成技術を用い
て導電性エレメントおよび絶縁薄膜を被覆形成して形成
された積層型ＬＣ素子の製造工程を示す説明図、 第７図は、本発明のＬＣ素子を分割接地型として形成し
た場合の等価回路図、 第８図は、従来の一般的なＬＣノイズフィルタの一例を
示す説明図、 第９図（ａ）〜（ｆ）は、従来の積層型ＬＣ素子の製造
工程の一例を示す説明図、 第１０図は、第９図に示すＬＣ素子の等価回路図である
。 ３０・・・積層体、　　３２・・・絶縁板、３２ａ　　
３２ｂ、３２ｃｍ＝セグメント、３６・・・層間、　　
　４０・・・第１の導体、４２・・・入出力端子、 ４４・・・第１の導電性エレメント、 ５０・・・第２の導体、５２・・・アース端子、５４・
・・第２の導電性エレメント、 １００・・・基板、　　２００・・・絶縁薄膜。 第２図 代理人　弁理士　布　施　行　夫（他２名）２ｂ 第３図 （ａ） （ｂ） 第 図 第 図 第 図 第 図 第 一３′。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）複数のセグメントから構成される絶縁層を積層し
   て形成された積層体と、 前記絶縁層の層間に、１の層間のセグメントから他の層
   間のセグメントにかけて同方向に連続して周回する第１
   の導電性エレメントを設け、所定ターン数のコイルを形
   成する第１の導体と、前記絶縁層の層間に、前記第１の
   導電性エレメントと絶縁層を介して相対向する第２の導
   電性エレメントを設け、前記第１の導体との間にキャパ
   シタンスを形成する第２の導体と、 を含むことを特徴とする積層型ＬＣ素子。
2. （２）請求項（１）において、 前記第２の導体は、 前記絶縁層の層間に、前記第２の導電性エレメントを、
   １の層間のセグメントから他の層間のセグメントにかけ
   て同方向に連続して周回するよう設け、所定ターン数の
   コイルを形成することを特徴とする積層型ＬＣ素子。
3. （３）請求項（１）、（２）のいずれかにおいて、前記
   第２の導体は、アース端子が設けられたキャパシタ導体
   として形成され、 前記第１の導体は、その両端に入出力端子が設けられた
   インダクタ導体として形成され、 ノーマルモード型のＬＣノイズフィルタとして用いられ
   ることを特徴とする積層型ＬＣ素子。
4. （４）請求項（１）、（２）のいずれかにおいて、前記
   第１および第２の導体は、その両端に入出力端子が設け
   られたインダクタ導体として形成され、 コモンモード型のＬＣノイズフィルタとして用いられる
   ことを特徴とする積層型ＬＣ素子。
5. （５）請求項（１）において、 前記第１の導体は、その両端に入出力端子が接続された
   インダクタ導体として形成され、 前記第２の導体は、複数に分割され、各分割区間が接地
   されたキャパシタ導体として形成されてなることを特徴
   とする積層型ＬＣ素子。
6. （６）請求項（１）〜（５）のいずれかにおいて、前記
   積層体は、絶縁層として複数のセグメントから構成され
   る絶縁板を積層して形成され、前記第１および第２の導
   電性エレメントは、前記セグメントの間を介して他の層
   間の第１および第２の導電性エレメントへ接続されるこ
   とを特徴とする積層型ＬＣ素子。
7. （７）請求項（１）〜（５）のいずれかにおいて、前記
   積層体は、絶縁層として複数のセグメントからなる絶縁
   薄膜を積層して形成され、 前記第１および第２の導電性エレメントは、前記セグメ
   ントの間を介して他の層間の第１および第２の導電性エ
   レメントへ接続されることを特徴とする積層型ＬＣ素子
   。
8. （８）請求項（５）において、 前記第２の導体の各分割区間は、その一端側のみが設置
   されてなることを特徴とする積層型ＬＣ素子。
9. （９）請求項（５）〜（８）のいずれかにおいて、前記
   第１の導体の両端部と相対向する第２の導体の分割区間
   は、第１の導体の入出力端子と電気回路的に近接する位
   置において接地されてなることを特徴する積層型ＬＣ素
   子。
10. （１０）基板上に複数のセグメント薄膜から構成される
    絶縁薄膜層を順次積層していく膜積層工程と、前記各セ
    グメント薄膜が積層される毎に、層間接続される第１の
    導電性エレメント，第２の導電性エレメントの少なくと
    もいずれか一方を、一の層間のセグメント薄膜から他の
    層間のセグメント薄膜にかけて連続して周回するよう被
    覆し、所定ターン数の第１の導体および所定ターン数の
    第２の導体を形成するエレメント形成工程と、 とを交互に繰返し、前記エレメント形成工程では、絶縁
    薄膜層を介し、第１の導電性エレメントと第２の導電性
    エレメントとが相対向するよう被覆することを特徴とす
    る積層型ＬＣ素子の製造方法。