JPH06333742A - 積層コイル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来のコイルはコアに被覆銅線を巻き付けた
ものである。これは体積が大きく、電子回路に取り付け
ると大きい場所を占める。小形でハイブリッドＩＣなど
に適用でき安価に製造できるコイルを提供する。 【構成】 低温焼成セラミックグリ−ンシ−トに半円状
の導体パタ−ンを形成した２種類のものを積層して、導
体パタ−ンが上下に接続されて螺旋状の導通路を形成す
るようにする。低温焼成セラミック技術だけで製造で
き、ハイブリッドＩＣなどのコイルとして利用すると、
小形高密度回路が実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電気回路、電動機、変圧
器、変流器などに用いられるコイルに関する。コイルは
例えば誘導素子として、芯になるコアに被覆銅線を巻き
付けたものが用いられる。これはコアに銅線の端を少し
巻き付けておき、コアを機械で回転することにより形成
することができる。

【０００２】

【従来の技術】従来のコイルはコアに被覆銅線を巻き付
けて製造されていた。コアになるものが非磁性体の場合
もあるし、コアが強磁性体の場合もある。コイルには自
己誘導を定義でき、これによりコイルの特性が表現され
る。勿論最大電流、直流抵抗なども特性評価のひとつで
ある。自己誘導は、コアの透磁率、巻き数の２乗、コイ
ル断面積などによって決まる。コイルはコアの製造、銅
線の巻線など多くの工程を経て製造されるのでそれ自身
コスト高になる。

【０００３】また従来コイルまたはその原理を利用した
素子を含む電子回路を製造する場合、デイスクリ−トな
部品を基板に実装する方法が用いられてきた。しかしコ
イルはコアに被覆銅線を巻いているのである程度大きい
体積を占める。他の電気部品例えば、抵抗、トランジス
タ、ダイオ−ドのデイスクリ−ト部品と比較して嵩高
い。この為に電子回路の小形化、高密度化を推進する障
害となっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】より製造容易で安価小
形のコイルを提供することが本発明のひとつの目的であ
る。ハイブリッドＩＣ基板に取りつけるのに好適なコイ
ルを提供することが本発明の第２の目的である。さらに
ノイズの発生を抑制し、外部ノイズの影響を遮断できる
コイルを提供することが本発明の第３の目的である。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明のコイルは、平板
状であって一方の面上に半円状の導体パタ−ンａが形成
され導体パタ−ンの端点からビアホ−ル導体が深さ方向
に形成された低温焼成セラミックグリ−ンシ−トＡの上
に、平板状であって一方の面上に前記の半円と相補的な
半円状の導体パタ−ンｂが形成され導体パタ−ンの端点
からビアホ−ル導体が深さ方向に形成された低温焼成セ
ラミックグリ−ンシ−トＢを重ねた単位の構造を複数組
上下に積層し、全体を焼成し一体とし、ビアホ−ル導体
により上下のグリ−ンシ−ト面の導体パタ−ンの端点が
電気的に接続され、導体パタ−ンが連続したコイル状の
線路を構成するようにしている。また最初のグリ−ンシ
−トと最後のグリ−ンシ−トにはコイルの両端に繋がる
電極を設ける。

【０００６】つまり、半円状の導体パタ−ンａを有する
グリ−ンシ−トＡと、相補的な半円状導体パタ−ンｂを
有するグリ−ンシ−トＢとの組み合わせを積層するの
で、ＡＢＡＢＡＢＡＢ…という繰り返し構造になる。ビ
アホ−ル導体で上下の導体パタ−ンの一端を接続して行
くので、全体として導体パタ−ンが螺旋状の導体路を形
成する。ために、コイルと等価なものになるのである。

【０００７】グリ−ンシ−トの中央部に穴を開けておき
ここに強磁性体コアを後で挿入すると、磁芯を持つコイ
ルになる。さらに上下に前面に導体面を形成しこれをグ
ランド電位とすると電磁シ−ルドとすることが出来る。
外部のノイズの侵入を防ぎ、外部へノイズを出さないよ
うにすることができる。

【０００８】

【作用】本発明は、相補的な半円パタ−ンを形成した２
枚のグリ−ンシ−トを上下に重ねたものを一組としてコ
イルの一巻分を形成している。これを複数組重ねて低温
同時焼成して一体化したコイルとする。相補的な半円状
の導体パタ−ンが端点において上下に接続されるので、
実質的なコイルとなるのである。グリ−ンシ−ト自体が
同一形状であることは必ずしも必要でない。導体パタ−
ンが相補的で、上下２枚で円パタ−ンができれば良いの
である。グリ−ンシ−トが同一形状であれば、矩形、円
形、８角形など対称性の良い形状にすることができる。

【０００９】グリ−ンシ−トは極めて薄いものであるか
ら、全体としての高さが小さくなる。被覆銅線をコアに
巻き付けたものよりも幅を小さくすることができるので
ある。勿論グリ−ンシ−トの上に導体パタ−ンがある
が、導体パタ−ンは蒸着または印刷で形成する薄いもの
である。数μｍ〜数十μｍである。であるから、全体の
厚みは、グリ−ンシ−ト１枚分の厚さｄに枚数Ｎを掛け
たｄＮの程度である。

【００１０】コイルは多くの場合あまり電流を流さなく
ても良いので、薄い導体パタ−ンでも充分である。しか
しかなり電流を流さなければならない時は導体パタ−ン
の幅ｓを広くすればよい。

【００１１】グリ−ンシ−トが単に平板であって中央に
磁性体が無い場合は空芯コイルと同じであり、自己誘導
は小さい。グリ−ンシ−トの中央部に穴を開けておき強
磁性体を挿入するとこれの透磁率の分だけ自己誘導も増
える。

【００１２】

【実施例】近年、低温焼成セラミックを用いた、同時焼
成積層基板の製造技術が確立されてきた。本発明はこの
技術を利用し、半円状の相補的導体パタ−ンを持つグリ
−ンシ−トを多数枚重ね合わせて同時焼成して実効的に
コイルとなるものを製造する。導体パタ−ンの形状やグ
リ−ンシ−ト自体に工夫をすることにより多様なコイル
を作ることが出来る。

【００１３】［空芯コイルの実施例］図１は本発明の積
層コイルの製造法を示すためのグリ−ンシ−トの分解斜
視図である。セラミックグリ−ンシ−ト１が複数枚用い
られる。単純な平板の盲板である。これは異なる導体パ
タ−ン２を有する２組みのグリ−ンシ−トからなる。何
れも半円状の導体パタ−ンであるが、図１で右に導体の
あるのをａ、左に導体のあるのをｂとする。導体パタ−
ンａを持つ板をシ−トＡ、導体パタ−ンｂを持つ板をシ
−トＢという。導体パタ−ンａと導体パタ−ンｂを上下
に重ねると完全な円になる。

【００１４】１枚目はＡ、２枚目はＢ、３枚目はＡ、…
という風に奇数枚目はＡ。偶数枚目はＢというように交
互にＡ、Ｂを積層する。最後のｎ枚目のものはこの例で
は奇数枚目になっている。こうすると端子を反対方向に
もって行くことができる。上のパタ−ンの一端が、直下
のパタ−ンの端に、シ−トを貫くビアホ−ル導体４によ
って接続される。

【００１５】１枚のシ−トの上には半円状導体が描かれ
ているので、ビアホ−ル導体４は次の接続では１８０度
異なる点に設けられることになる。１枚目のシ−トに
は、導体パタ−ン２に連続する端子３と、接続しない端
子６が導体パタ−ン２以外に設けられる。ｎ枚目のシ−
トには導体パタ−ン２に連続する端子７が設けられる。
また中間の２〜ｎ−１枚目のシ−トには上下に貫通ビア
接続線５を設けておく。１枚目、ｎ枚目、奇数枚目、偶
数枚目の区別がある。つまり４種類のシ−トを組み合わ
せることになる。

【００１６】このようなグリ−ンシ−トを上下に重ね合
わせ、同時焼成する。図２は一体として焼成されたもの
を中央で切断して示す断面斜視図である。グリ−ンシ−
ト群の全体が一つの積層体８になる。またビアホ−ル導
体４で上下の導体パタ−ン２の端が接続される。ｎ枚目
の端子７と、１枚目の孤立端子６とが、上下に延びる貫
通ビア接続線５によって接続される。ｎ枚のグリ−ンシ
−トを重ねており、１枚のグリ−ンシ−トは半円状のパ
タ−ンを持つので全体としてｎ／２巻のコイルになる。

【００１７】４種類のシ−トというが、パタ−ンの中心
とシ−トの中心を一致させれば、中間のシ−トＡ、Ｂは
１８０度回転すれば同じものになる。だからこれらは同
じものを使うことができる。この場合３種類のシ−トが
必要なのである。

【００１８】［磁芯入りコイルの実施例］図３は磁性体
をコイルの中央に入れた実施例を示す。グリ−ンシ−ト
１の上に半円状の導体パタ−ン２を相補的に印刷または
蒸着する点は前例と変わらない。しかし導体パタ−ン２
の囲むシ−ト中央に開口１０がある。全てのシ−トにつ
いて開口１０の位置大きさは同一である。奇数枚目は導
体パタ−ンａ、偶数枚目は導体パタ−ンｂというふうに
する点は変わらない。これらのｎ枚のグリ−ンシ−トを
重ね合わせて同時焼成する。１つの積層体８になる。

【００１９】これは上下の導体パタ−ン２がビアホ−ル
導体４によって接続され全体としてコイルになる。貫通
ビア接続線５でｎ枚目の端子と、１枚目の端子６が接続
される。中央にある開口１０の中へ円形の磁性体コア９
を挿入する。図４はこのような磁芯入りコイルの中央断
面斜視図である。これは中心に磁性体を持つ磁芯入りコ
イルと等価である。自己誘導の値が磁性体の透磁率だけ
大きくなる。

【００２０】［磁性体シ−ト入りコイルの実施例］図５
は初めから磁性体シ−トをグリ−ンシ−トと一体化して
おくものを示す。グリ−ンシ−ト１に半円状の導体パタ
−ン２を設けることと、中央に開口１０を設けておくこ
とは前例と同じである。さらにこの開口１０にぴたりと
嵌まる磁性体シ−ト１１をいれる。これもセラミックグ
リ−ンシ−トの一種であるが焼成すると所望の透磁率の
磁性体となるものである。こうすると穴のない１枚のグ
リ−ンシ−トとなる。これを重ね合わせて焼成すると、
磁芯のあるコイルができる。図６は積層体の中央断面斜
視図である。磁性体シ−トは積層されて一塊の積層磁性
体１２となる。

【００２１】［多重巻線の実施例］図１〜図６におい
て、グリ−ンシ−ト１の上には一つの半円状の導体パタ
−ン２が形成されている。これは１重巻のコイルに対応
する。しかし半円状の導体パタ−ン２を同芯状に複数個
形成するようにすれば、複数巻のコイルを作成すること
ができる。そして１枚目あるいはｎ枚目で同芯の半円状
の導体パタ−ン２を接続して連続した一つのコイルとす
る。たとえば、半円状の導体パタ−ンを３重に形成した
ものを組み合わせると、３巻のコイルを作ることができ
る。空芯コイルでも磁芯入りコイルでも同様に作ること
ができる。

【００２２】［同芯コイルトランスの実施例］前例と同
様に、複数の同芯の半円状の導体パタ−ンを形成したグ
リ−ンシ−トを上下に重ね合わせて同時焼成すると複数
の独立な巻線が得られる。中央に磁性体を入れると、磁
性体を全ての巻線が囲むことになる。これによってトラ
ンスとすることができる。例えば２重の巻線に対応する
ように２重の同芯半円状の導体パタ−ンをグリ−ンシ−
トに形成しておきこれらを重ねて同時焼成すると、４つ
の端子を有する２つの独立の巻線が得られる。これはト
ランスになる。巻線の数の比を変えるために、一方の巻
線は１本の半円状導体パタ−ンとし、他方の巻線はｍ本
の半円状導体パタ−ンとしてトランスと構成できる。こ
れは同芯のコイルによるトランスで磁気回路が閉じてい
ないので磁気抵抗が大きい。ために磁束の洩れが大き
い。

【００２３】［２芯のトランス］図７は２芯トランスに
本発明を応用した例を示す。細長い一つのグリ−ンシ−
トに２つの穴を穿ち、穴の周囲半分に同方向の二つの半
円状導体パタ−ン２を形成する。これらのシ−トも導体
パタ−ン２の方向により２種類のものがある。これを
Ａ、Ｂとし、ＡＢＡＢＡＢ…という風に積層してゆく。
１枚目には引き出し線１４によって導体パタ−ン２と接
続される端子１３と、孤立端子１６よりなる端子の組み
と、引き出し線１９に繋がる端子１５と他の導体パタ−
ン２に繋がる端子１７よりなる組とを印刷、蒸着により
導体パタ−ン２と共に形成する。

【００２４】先述の穴には磁性体を挿入するのである
が、下方のシ−トには長円形の穴を設けておく。これら
の穴には先述のような塊である磁性体（図３）を入れる
か、あるいは図５のように薄いグリ−ンシ−トになった
磁性体シ−トを個々に入れておいても良い。一方の巻線
Ｐはトランスの一次巻線になり、他方の巻線Ｑは二次巻
線になる。ここでは巻き数はいずれも一巻のものを示し
ている。しかし一方の巻き数を複数にして電圧の比を所
望の値にすることができる。これは磁性体コア１８が下
方において連続しているので磁気抵抗が小さくなる。た
めに磁束の洩れの小さいトランスとすることができる。

【００２５】［可変コイルの実施例］図８に可変コイル
の概略を示す。一方の端子がｅである。他方の端子が幾
つもある。例えば、ｇ、ｈ、ｉ、ｊの４つが異なる巻き
数部分から取り出されているとする。これらの端子への
リ−ドの一つをのこして後のものを切り取る。残ったリ
−ドと端子ｅの間の巻線部だけが有効に働く。だから可
変コイルになるのである。図９はこれに対応する本発明
の実施例を示す。全体を中央部で切断した斜視図であ
る。１枚目の面に端子ｆと、これにつながる引き出し端
子ｇ、ｈ、ｉ、ｊを設ける、これと異なるシ−トの導体
パタ−ンとを貫通ビア接続線で接続する。引き出し線
ｇ、ｈ、ｉ、ｊのいずれか一つを残して他を切断する。
残った引き出し線が繋がる導体パタ−ンまでのコイルに
なる。

【００２６】［電磁遮蔽をしたコイルの実施例］図１０
は電磁遮蔽をしたコイルの例を示す。中間に磁性体コア
を含むコイルを有し、これを両側から単なるグリ−ンシ
−トで挟み、これをさらに全面に導体パタ−ン２０、２
１を印刷、蒸着したグリ−ンシ−トで挟み、また単なる
グリ−ンシ−トで挟んでいる。導体パタ−ン２０と２１
はグランド電位とする。全面導体パタ−ン２０、２１に
よって外部からのノイズを遮断でき、内部のノイズが外
部に漏れるのを防ぐことができる。

【００２７】

【発明の効果】本発明は低温焼成セラミックグリ−ンシ
−トに半円状の導体パタ−ンを形成しこれらを重ねて同
時焼成し一体とすることによりコイルを作る。一体化し
た時ビアホ−ル導体により、上下の巻線が接続されてコ
イル状になる。本発明により、コイルとする部分を予め
回路基板の一部に作り込むことができる。するとコイル
内蔵回路基板となる。コイルを内蔵するので、デイスク
リ−トな部品としてのコイルとコイルを含む部品を使用
する必要がなくなる。回路の小形化、高密度化が可能で
ある。また本発明を実施するのに、低温焼成セラミック
積層技術以外の技術を必要としない。本発明をハイブリ
ッドＩＣ基板に適用できる。表面実装コイルが不要とな
る。小形、高密度モジュ−ルを実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を空芯コイルに適用した場合のシ−トの
分解斜視図。

【図２】図１のシ−トを積層し焼成したものの中央縦断
斜視図。

【図３】本発明を磁芯入りのコイルに適用した場合のシ
−トの分解斜視図。

【図４】図３のシ−トを積層し焼成したものの中央縦断
面斜視図。

【図５】グリ−ンシ−トの中央の穴にグリ−ンシ−トの
磁性体シ−トを入れるようにした例を示す斜視図。

【図６】図５のグリ−ンシ−トを重ねて同時焼成するこ
とにより磁性体の積層体を囲むコイルを形成するように
した例を示す中央縦断斜視図。

【図７】本発明を２芯トランスに適用したものの中央縦
断面斜視図。

【図８】自己誘導Ｌの値を変えることができる可変コイ
ル原理構成を示す図。

【図９】本発明を可変コイルに適用した例を示す中央縦
断面斜視図。

【図１０】上下にグランド面を設けてノイズの発生、ノ
イズの侵入を防止したものを示す断面図。

【符号の説明】

１ 低温焼成セラミックグリ−ンシ−ト ２ 導体パタ−ン ３ 端子 ４ ビアホ−ル導体 ５ 貫通ビア接続線 ６ 端子 ７ 端子 ８ 積層体 ９ 磁性体コア １０ 開口 １１ 磁性体シ−ト １２ 積層磁性体

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 平板状であって一方の面上に半円状の導
   体パタ−ンａが形成され導体パタ−ンの端点からビアホ
   −ル導体が深さ方向に形成された低温焼成セラミックグ
   リ−ンシ−トＡの上に、平板状であって一方の面上に前
   記の半円と相補的な半円状の導体パタ−ンｂが形成され
   導体パタ−ンの端点からビアホ−ル導体が深さ方向に形
   成された低温焼成セラミックグリ−ンシ−トＢを重ねた
   単位の構造を複数組上下に積層し、全体を焼成し一体と
   し、ビアホ−ル導体により上下のグリ−ンシ−ト面の導
   体パタ−ンの端点が電気的に接続され、導体パタ−ンが
   連続したコイル状の線路を構成するようにし、１枚目の
   シ−トの上にはその面状の導体パタ−ンに繋がる端子
   と、孤立端子を設け、孤立端子は貫通ビア接続線５によ
   って最下層のシ−トの導体パタ−ンにつながる端子と接
   続してあることを特徴とする積層コイル。
2. 【請求項２】 中央に開口を有し平板状であって一方の
   面上に半円状の導体パタ−ンａが形成され導体パタ−ン
   の端点からビアホ−ル導体が深さ方向に形成された低温
   焼成セラミックグリ−ンシ−トＡの上に、中央に開口を
   有し平板状であって一方の面上に前記の半円と相補的な
   半円状の導体パタ−ンｂが形成され導体パタ−ンの端点
   からビアホ−ル導体が深さ方向に形成された低温焼成セ
   ラミックグリ−ンシ−トＢを重ねた単位の構造を複数組
   上下に積層し、全体を焼成し一体とし、ビアホ−ル導体
   により上下のグリ−ンシ−ト面の導体パタ−ンの端点が
   電気的に接続され、導体パタ−ンが連続したコイル状の
   線路を構成するようにし、１枚目のシ−トの上にはその
   面状の導体パタ−ンに繋がる端子と、孤立端子を設け、
   孤立端子は貫通ビア接続線５によって最下層のシ−トの
   導体パタ−ンにつながる端子と接続してあり、中央の開
   口に磁性体コアを挿入してあることを特徴とする積層コ
   イル。
3. 【請求項３】 中央の開口に磁性体シ−トが嵌め込んで
   あり一方の面上に半円状の導体パタ−ンａが形成され導
   体パタ−ンの端点からビアホ−ル導体が深さ方向に形成
   された低温焼成セラミックグリ−ンシ−トＡの上に、中
   央の開口に磁性体シ−トが嵌め込んであり一方の面上に
   前記の半円と相補的な半円状の導体パタ−ンｂが形成さ
   れ導体パタ−ンの端点からビアホ−ル導体が深さ方向に
   形成された低温焼成セラミックグリ−ンシ−トＢを重ね
   た単位の構造を複数組上下に積層し、これらの全体を焼
   成し一体とし、ビアホ−ル導体により上下のグリ−ンシ
   −ト面の導体パタ−ンの端点が電気的に接続され、導体
   パタ−ンが連続したコイル状の線路を構成するように
   し、１枚目のシ−トの上にはその面状の導体パタ−ンに
   繋がる端子と、孤立端子を設け、孤立端子は貫通ビア接
   続線５によって最下層のシ−トの導体パタ−ンにつなが
   る端子と接続してあり、中央の開口に設けた磁性体シ−
   トは焼成により一体化して一つの磁性体となっているこ
   とを特徴とする積層コイル。
4. 【請求項４】 平板状であって一方の面上に半円状の導
   体パタ−ンａが同芯状に複数本形成され導体パタ−ンの
   端点からビアホ−ル導体が深さ方向に形成された低温焼
   成セラミックグリ−ンシ−トＡの上に、平板状であって
   一方の面上に前記の半円と相補的な同数の半円状の導体
   パタ−ンｂが同芯状に形成され導体パタ−ンの端点から
   ビアホ−ル導体が深さ方向に形成された低温焼成セラミ
   ックグリ−ンシ−トＢを重ねた単位の構造を複数組上下
   に積層し、全体を焼成し一体とし、ビアホ−ル導体によ
   り上下のグリ−ンシ−ト面の複数の導体パタ−ンの端点
   が電気的に接続され、導体パタ−ンが連続したコイル状
   の線路を構成するようにし、１枚目のシ−トの上にはそ
   の面状の導体パタ−ンに繋がる端子と、孤立端子を設
   け、孤立端子は貫通ビア接続線５によって最下層のシ−
   トの導体パタ−ンにつながる端子と接続してあり、最上
   層と最下層では複数の導体パタ−ンを相互に接続してひ
   とつの連続したコイルとしてあることを特徴とする積層
   コイル。
5. 【請求項５】 中央に開口を有し平板状であって一方の
   面上に半円状の導体パタ−ンａが同芯状に複数本形成さ
   れ導体パタ−ンの端点からビアホ−ル導体が深さ方向に
   形成された低温焼成セラミックグリ−ンシ−トＡの上
   に、中央に開口を有し平板状であって一方の面上に前記
   の半円と相補的な同数の半円状の導体パタ−ンｂが同芯
   状に形成され導体パタ−ンの端点からビアホ−ル導体が
   深さ方向に形成された低温焼成セラミックグリ−ンシ−
   トＢを重ねた単位の構造を複数組上下に積層し、全体を
   焼成し一体とし、ビアホ−ル導体により上下のグリ−ン
   シ−ト面の複数の導体パタ−ンの端点が電気的に接続さ
   れ、導体パタ−ンが連続したコイル状の線路を構成する
   ようにし、１枚目のシ−トの上にはその面状の導体パタ
   −ンに繋がる端子と、孤立端子を設け、孤立端子は貫通
   ビア接続線５によって最下層のシ−トの導体パタ−ンに
   つながる端子と接続してあり、最上層と最下層では複数
   の導体パタ−ンを相互に接続してひとつの連続したコイ
   ルとしてあり中央の開口には磁性体コアを挿入してある
   ことを特徴とする積層コイル。
6. 【請求項６】 二つの開口を有し平板状であって一方の
   面上に開口中心を中心とする半円状の導体パタ−ンａが
   同芯状に複数本形成され導体パタ−ンの端点からビアホ
   −ル導体が深さ方向に形成された低温焼成セラミックグ
   リ−ンシ−トＡの上に、二つの開口を有し平板状であっ
   て一方の面上に開口中心を中心とする前記の半円と相補
   的な同数の半円状の導体パタ−ンｂが同芯状に形成され
   導体パタ−ンの端点からビアホ−ル導体が深さ方向に形
   成された低温焼成セラミックグリ−ンシ−トＢを重ねた
   単位の構造を複数組上下に積層し、さらに前記の開口を
   結ぶような長円穴を有する低温焼成セラミックグリ−ン
   シ−トを重ね、全体を焼成し一体とし、ビアホ−ル導体
   により上下のグリ−ンシ−ト面の複数の導体パタ−ンの
   端点が電気的に接続され、導体パタ−ンが連続したコイ
   ル状の線路を構成するようにし、１枚目のシ−トの上に
   はその面状の導体パタ−ンに繋がる端子と、孤立端子を
   ２組設け、孤立端子は貫通ビア接続線５によって最下層
   のシ−トの導体パタ−ンにつながる端子と接続してあ
   り、最上層と最下層では複数の導体パタ−ンを相互に接
   続してひとつの連続したコイルとしてあり中央の二つの
   開口と長円開口には分岐した磁性体コアを挿入してあ
   り、ふたつのコイル間にトランス結合をさせるようにし
   たことを特徴とする積層コイル。
7. 【請求項７】 中央の開口に磁性体シ−トが嵌め込んで
   あり一方の面上に半円状の導体パタ−ンａが形成され導
   体パタ−ンの端点からビアホ−ル導体が深さ方向に形成
   された低温焼成セラミックグリ−ンシ−トＡの上に、中
   央の開口に磁性体シ−トが嵌め込んであり一方の面上に
   前記の半円と相補的な半円状の導体パタ−ンｂが形成さ
   れ導体パタ−ンの端点からビアホ−ル導体が深さ方向に
   形成された低温焼成セラミックグリ−ンシ−トＢを重ね
   た単位の構造を複数組上下に積層し、これらを全面に導
   体を設けたグリ−ンシ−トによって挟み、これらの積層
   体の全体を焼成し一体とし、ビアホ−ル導体により上下
   のグリ−ンシ−ト面の導体パタ−ンの端点が電気的に接
   続され、導体パタ−ンが連続したコイル状の線路を構成
   するようにし、１枚目のシ−トの上にはその面状の導体
   パタ−ンに繋がる端子と、孤立端子を設け、孤立端子は
   貫通ビア接続線５によって最下層のシ−トの導体パタ−
   ンにつながる端子と接続してあり、中央の開口に設けた
   磁性体シ−トは焼成により一体化して一つの磁性体とな
   っており、全面に導体を設けたシ−トの導体には接地電
   位を与えることにより中間のコイル部分を電磁遮蔽する
   ようにしたことを特徴とする積層コイル。
8. 【請求項８】 中央に開口を有し平板状であって一方の
   面上に半円状の導体パタ−ンａが同芯状に複数本形成さ
   れ導体パタ−ンの端点からビアホ−ル導体が深さ方向に
   形成された低温焼成セラミックグリ−ンシ−トＡの上
   に、中央に開口を有し平板状であって一方の面上に前記
   の半円と相補的な同数の半円状の導体パタ−ンｂが同芯
   状に形成され導体パタ−ンの端点からビアホ−ル導体が
   深さ方向に形成された低温焼成セラミックグリ−ンシ−
   トＢを重ねた単位の構造を複数組上下に積層し、全体を
   焼成し一体とし、ビアホ−ル導体により上下のグリ−ン
   シ−ト面の複数の導体パタ−ンの端点が電気的に接続さ
   れ、導体パタ−ンが連続したコイル状の線路を構成する
   ようにし、１枚目のシ−トの上にはその面状の導体パタ
   −ンに繋がる端子と、互いに接続されている引き出し端
   子ｇ、ｈ、ｉ、ｊ…とこれらを統合する端子ｆを設け、
   引き出し端子ｇ、ｈ、ｉ、ｊ…は独立した複数の貫通ビ
   ア接続線５によって幾つかの異なる層のシ−トの導体パ
   タ−ンにつながる端子と接続してあり、中央の開口には
   磁性体コアを挿入してあり、引き出し端子の何れか一つ
   を残して他を切り取ることにより異なる巻き数のコイル
   とすることができるようにしたことを特徴とする積層コ
   イル。