JPH04369878A - 磁気抵抗効果素子回路 - Google Patents
磁気抵抗効果素子回路Info
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- JPH04369878A JPH04369878A JP3146377A JP14637791A JPH04369878A JP H04369878 A JPH04369878 A JP H04369878A JP 3146377 A JP3146377 A JP 3146377A JP 14637791 A JP14637791 A JP 14637791A JP H04369878 A JPH04369878 A JP H04369878A
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- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
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-
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
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- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果素子（以
下、磁気抵抗効果素子をＭＲ素子と呼ぶ）回路に関し、
特に集積化に適した回路構成に関する。
下、磁気抵抗効果素子をＭＲ素子と呼ぶ）回路に関し、
特に集積化に適した回路構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のＭＲ素子回路は、図６に
示すように、第１及び第２のＭＲ素子２及び３と、第１
及び第２のトランジスタ６，７で構成されたカレントミ
ラー回路と、第１及び第２のＭＲ素子２及び３と第１及
び第２のトランジスタ６及び７の接続点の電位差を増幅
器８により増幅して出力を得る構成となっていた。第１
及び第２のＭＲ素子２及び３の初期抵抗Ｒ０ として、
磁界を検知したときの各ＭＲ素子２，３の抵抗変動値を
ΔＲとすると、第１のＭＲ素子２が磁界を検知したとき
、電位差ΔＶ１ 、はＶＣＣ直流電圧源の電圧値とし、
ＶＢＥを第１のトランジスタのベース・エミッタ間電圧
としたとき、
示すように、第１及び第２のＭＲ素子２及び３と、第１
及び第２のトランジスタ６，７で構成されたカレントミ
ラー回路と、第１及び第２のＭＲ素子２及び３と第１及
び第２のトランジスタ６及び７の接続点の電位差を増幅
器８により増幅して出力を得る構成となっていた。第１
及び第２のＭＲ素子２及び３の初期抵抗Ｒ０ として、
磁界を検知したときの各ＭＲ素子２，３の抵抗変動値を
ΔＲとすると、第１のＭＲ素子２が磁界を検知したとき
、電位差ΔＶ１ 、はＶＣＣ直流電圧源の電圧値とし、
ＶＢＥを第１のトランジスタのベース・エミッタ間電圧
としたとき、
【０００３】
【０００４】となる。同様に第２のＭＲ素子３が磁界を
検知すると
検知すると
【０００５】
【０００６】となり、これらの電位差を入力として増幅
器８で増幅し、出力を得ていた。
器８で増幅し、出力を得ていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この従来のＭＲ素子回
路は、第１及び第２のトランジスタのベース・エミッタ
間電圧ＶＢＥが製造時にばらついて差ΔＶＢＥがある場
合、各トランジスタに流れる電流の誤差δＩ は
路は、第１及び第２のトランジスタのベース・エミッタ
間電圧ＶＢＥが製造時にばらついて差ΔＶＢＥがある場
合、各トランジスタに流れる電流の誤差δＩ は
【００
０８】
０８】
【０００９】であり、ΔＶＢＥ＝１ｍＶのとき、誤差δ
Ｉ は約４％となる。ＭＲ素子の磁界による抵抗変化率
は１％程度なので、誤差δＩ を１％以下になるように
選別しなければならず、歩留りが悪いという問題があっ
た。
Ｉ は約４％となる。ＭＲ素子の磁界による抵抗変化率
は１％程度なので、誤差δＩ を１％以下になるように
選別しなければならず、歩留りが悪いという問題があっ
た。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、一端が
直流電源の正の端子に接続された第１及び第２の磁気抵
抗効果素子と、この第１の磁気抵抗効果素子の一端がコ
レクタとベースに接続され、一端が直流電源の負端子に
接続された第３の磁気抵抗効果素子の一端がエミッタに
接続された第１のトランジスタと、第２の磁気抵抗効果
素子の一端がコレクタに接続され、第１のトランジスタ
のベースがベースに接続され、一端が直流電源の負端子
に接続された第４の磁気抵抗効果素子の一端がエミッタ
に接続された第２のトランジスタと、第１及び第２の磁
気抵抗効果素子の各一端に第１及び第２の入力が接続さ
れてそれらの差電圧を増幅する増幅回路とを有し、第１
及び第４の磁気抵抗効果素子が同期して磁気を検知し、
第２及び第３の磁気抵抗効果素子が同期して磁気を検知
するように配置されることを特徴とする磁気抵抗効果素
子回路を得る。
直流電源の正の端子に接続された第１及び第２の磁気抵
抗効果素子と、この第１の磁気抵抗効果素子の一端がコ
レクタとベースに接続され、一端が直流電源の負端子に
接続された第３の磁気抵抗効果素子の一端がエミッタに
接続された第１のトランジスタと、第２の磁気抵抗効果
素子の一端がコレクタに接続され、第１のトランジスタ
のベースがベースに接続され、一端が直流電源の負端子
に接続された第４の磁気抵抗効果素子の一端がエミッタ
に接続された第２のトランジスタと、第１及び第２の磁
気抵抗効果素子の各一端に第１及び第２の入力が接続さ
れてそれらの差電圧を増幅する増幅回路とを有し、第１
及び第４の磁気抵抗効果素子が同期して磁気を検知し、
第２及び第３の磁気抵抗効果素子が同期して磁気を検知
するように配置されることを特徴とする磁気抵抗効果素
子回路を得る。
【００１１】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。
。
【００１２】図１は本発明の第１の実施例で、図２はＭ
Ｒ素子配置例、図３は動作波形である。第１及び第２の
ＭＲ素子２，３並びに第３及び第４のＭＲ素子４，５は
磁気を検知すると抵抗が変化し、第１と第４のＭＲ素子
２，５が同期して抵抗が変化し、第２と第３のＭＲ素子
３，４が同期して抵抗が変化するように配置されている
。第１のＭＲ素子２の一端は第１のＮＰＮトランジスタ
６のコレクタとベースに接続され、第２のＭＲ素子３の
一端は第２のＮＰＮトランジスタ７のコレクタに接続さ
れ、第３のＭＲ素子４の一端は第１のＮＰＮトランジス
タ６のエミッタに接続され、第４のＭＲ素子５の一端は
第２のＮＰＮトランジスタ７のエミッタに接続されてい
る。第１及び第２のＮＰＮトランジスタ４，５のベース
同士は共通に接続されて電流ミラー回路を形成している
。第１及び第４のＭＲ素子２，５、そして第２及び第３
のＭＲ素子３，４はそれぞれ近接して配置され、第１及
び第２のＮＰＮトランジスタ６，７と同一平面上に作成
され、非常に近い特性を持つようになされている。第１
及び第２のＭＲ素子２，３の他端と、第３及び第４のＭ
Ｒ素子４，５の他端に直流電圧源１が接続されている。 第１及び第２のＭＲ素子２，３と第１及び第２のＮＰＮ
トランジスタ６，７の各接続点はそれらの電位差を増幅
する差動増幅型式の増幅器８に接続されている。ＮＰＮ
トランジスタ６と７は電流ミラー回路となっていて、Ｍ
Ｒ素子４，５の両端電が約０．５Ｖとし、各抵抗値をＲ
３ ，Ｒ４ とすると、そこに流れる電流Ｉ１ ，Ｉ２
は Ｉ１ ・Ｒ３ ≒Ｉ２ ・Ｒ４
…（４）の関係にある。また、直流電圧源１の電圧値を
ＶＣＣ、ＮＰＮトランジスタ６，７のベース・エミッタ
間電圧をＶＢＥ、ＭＲ素子２，３の抵抗値をＲ１ ，Ｒ
２ とすると、ＮＰＮトランジスタ６，７のコレクタ電
圧Ｖ１ ，Ｖ２ およびＭＲ素子２に流れる電流Ｉ１
はそれぞれＶ１ ＝ＶＣＣ−Ｉ１ ・Ｒ１
…（５）Ｖ２ ＝ＶＣＣ−Ｉ２ ・Ｒ２
…（６）
Ｒ素子配置例、図３は動作波形である。第１及び第２の
ＭＲ素子２，３並びに第３及び第４のＭＲ素子４，５は
磁気を検知すると抵抗が変化し、第１と第４のＭＲ素子
２，５が同期して抵抗が変化し、第２と第３のＭＲ素子
３，４が同期して抵抗が変化するように配置されている
。第１のＭＲ素子２の一端は第１のＮＰＮトランジスタ
６のコレクタとベースに接続され、第２のＭＲ素子３の
一端は第２のＮＰＮトランジスタ７のコレクタに接続さ
れ、第３のＭＲ素子４の一端は第１のＮＰＮトランジス
タ６のエミッタに接続され、第４のＭＲ素子５の一端は
第２のＮＰＮトランジスタ７のエミッタに接続されてい
る。第１及び第２のＮＰＮトランジスタ４，５のベース
同士は共通に接続されて電流ミラー回路を形成している
。第１及び第４のＭＲ素子２，５、そして第２及び第３
のＭＲ素子３，４はそれぞれ近接して配置され、第１及
び第２のＮＰＮトランジスタ６，７と同一平面上に作成
され、非常に近い特性を持つようになされている。第１
及び第２のＭＲ素子２，３の他端と、第３及び第４のＭ
Ｒ素子４，５の他端に直流電圧源１が接続されている。 第１及び第２のＭＲ素子２，３と第１及び第２のＮＰＮ
トランジスタ６，７の各接続点はそれらの電位差を増幅
する差動増幅型式の増幅器８に接続されている。ＮＰＮ
トランジスタ６と７は電流ミラー回路となっていて、Ｍ
Ｒ素子４，５の両端電が約０．５Ｖとし、各抵抗値をＲ
３ ，Ｒ４ とすると、そこに流れる電流Ｉ１ ，Ｉ２
は Ｉ１ ・Ｒ３ ≒Ｉ２ ・Ｒ４
…（４）の関係にある。また、直流電圧源１の電圧値を
ＶＣＣ、ＮＰＮトランジスタ６，７のベース・エミッタ
間電圧をＶＢＥ、ＭＲ素子２，３の抵抗値をＲ１ ，Ｒ
２ とすると、ＮＰＮトランジスタ６，７のコレクタ電
圧Ｖ１ ，Ｖ２ およびＭＲ素子２に流れる電流Ｉ１
はそれぞれＶ１ ＝ＶＣＣ−Ｉ１ ・Ｒ１
…（５）Ｖ２ ＝ＶＣＣ−Ｉ２ ・Ｒ２
…（６）
【００１３】
【００１４】となるので、コレクタ電圧Ｖ１ とＶ２
の電位差ΔＶは（４）〜（７）式より、
の電位差ΔＶは（４）〜（７）式より、
【００１５】
【００１６】となる。磁界の変化により、ＭＲ素子２，
５の変化量それぞれΔＲ１ ，ΔＲ４ とし、δが次式
で表わされるとすると、 δ＝ΔＲ１ ／Ｒ１ ＝ΔＲ４ ／Ｒ４ …（９）
電位差ΔＶ１ は初期抵抗Ｒ１ ＝Ｒ２ 、Ｒ３＝Ｒ４
とすると
５の変化量それぞれΔＲ１ ，ΔＲ４ とし、δが次式
で表わされるとすると、 δ＝ΔＲ１ ／Ｒ１ ＝ΔＲ４ ／Ｒ４ …（９）
電位差ΔＶ１ は初期抵抗Ｒ１ ＝Ｒ２ 、Ｒ３＝Ｒ４
とすると
【００１７】
【００１８】同様に、ＭＲ素子３，４が変化したときは
【００１９】
【００２０】となる。従来回路はΔＶ１ ＝（ＶＣＣ−
ＶＢＥ）δであるから、振幅は２Ｒ１ ／（Ｒ１ ＋Ｒ
３ ）倍となる。Ｒ１ ：Ｒ３ ＝４：１とすると振幅
は、１．６倍となる。
ＶＢＥ）δであるから、振幅は２Ｒ１ ／（Ｒ１ ＋Ｒ
３ ）倍となる。Ｒ１ ：Ｒ３ ＝４：１とすると振幅
は、１．６倍となる。
【００２１】次に、ＮＰＮトランジスタ６，７のベース
・エミッタ間電圧差をΔＶＢＥとするとＭＲ素子３に流
れるＩ２ の誤差δＩ は、ＭＲ素子４の両端電圧をＶ
Ｍ とすると δＩ ≒ΔＶＢＥ／ＶＭ
…（１２）となる。従来回路は、δＩ ＝１−ｅｘｐ
（ΔＶＢＥ／２６×１０−３）であるから、ベース・エ
ミッタ間電圧の差電位ΔＶＢＥ＝１ｍＶ、ＭＲ素子４の
両端電圧ＶＭ ＝０．５Ｖとすると、ＭＲ素子３に流れ
る電流Ｉ２ の誤差δＩ は４％から０．２％に改善さ
れる。コレクタ電圧Ｖ１ ，Ｖ２ の差電圧ΔＶの最大
値ΔＶ１ ′，Ｖ２ ′はＭＲ素子３に流れる電流Ｉ２
の誤差δＩ 分だけずれるので
・エミッタ間電圧差をΔＶＢＥとするとＭＲ素子３に流
れるＩ２ の誤差δＩ は、ＭＲ素子４の両端電圧をＶ
Ｍ とすると δＩ ≒ΔＶＢＥ／ＶＭ
…（１２）となる。従来回路は、δＩ ＝１−ｅｘｐ
（ΔＶＢＥ／２６×１０−３）であるから、ベース・エ
ミッタ間電圧の差電位ΔＶＢＥ＝１ｍＶ、ＭＲ素子４の
両端電圧ＶＭ ＝０．５Ｖとすると、ＭＲ素子３に流れ
る電流Ｉ２ の誤差δＩ は４％から０．２％に改善さ
れる。コレクタ電圧Ｖ１ ，Ｖ２ の差電圧ΔＶの最大
値ΔＶ１ ′，Ｖ２ ′はＭＲ素子３に流れる電流Ｉ２
の誤差δＩ 分だけずれるので
【００２２】
【００２３】となる。この結果より、コレクタ電圧Ｖ１
，Ｖ２ の差電圧ΔＶの電位差を増幅回路８により増
幅し、出力を得ることができる。
，Ｖ２ の差電圧ΔＶの電位差を増幅回路８により増
幅し、出力を得ることができる。
【００２４】図４は、ＮＰＮトランジスタ６，７のベー
ス電流の影響を軽減させるためにＮＰＮトランジスタ９
のベース・エミッタ間をＮＰＮトランジスタ６のコレク
タ・ベース間に付加えた実施例である。
ス電流の影響を軽減させるためにＮＰＮトランジスタ９
のベース・エミッタ間をＮＰＮトランジスタ６のコレク
タ・ベース間に付加えた実施例である。
【００２５】図５は、ＮＭＯＳトランジスタ１０，１１
を使用して回路を構成した実施例である。
を使用して回路を構成した実施例である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、それぞ
れ異った磁界を検知する２組のＭＲ素子に電流ミラー回
路を付加し、差動増幅によって差電圧を検出、増幅する
ことによって、ＮＰＮトランジスタのばらつきによる電
流の誤差を０．２％以下に抑えるとともに、差電圧出力
を約１．６倍に大きくすることができ、ＩＣの歩留りを
向上させることができる。
れ異った磁界を検知する２組のＭＲ素子に電流ミラー回
路を付加し、差動増幅によって差電圧を検出、増幅する
ことによって、ＮＰＮトランジスタのばらつきによる電
流の誤差を０．２％以下に抑えるとともに、差電圧出力
を約１．６倍に大きくすることができ、ＩＣの歩留りを
向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す回路図
【図２】本
発明の第１の実施例に於けるＭＲ素子の配置例を示す平
面図
発明の第１の実施例に於けるＭＲ素子の配置例を示す平
面図
【図３】本発明の第１の実施例に於ける動作波形図
【図
４】本発明の第２の実施例を示す回路図
４】本発明の第２の実施例を示す回路図
【図５】本発明
の第３の実施例を示す回路図
の第３の実施例を示す回路図
【図６】従来のＭＲ素子回
路を示す回路図
路を示す回路図
１ 直流電圧源
２，３，４，５ ＭＲ素子
６，７，９ ＮＰＮトランジスタ１０，１１
ＮＭＯＳトランジスタ８ 増幅器
ＮＭＯＳトランジスタ８ 増幅器
Claims (4)
- 【請求項１】 一端が直流電源の正の端子に接続され
た第１及び第２の磁気抵抗効果素子と、前記第１の磁気
抵抗効果素子の一端がコレクタとベースに接続され、一
端が前記直流電源の負端子に接続された第３の磁気抵抗
効果素子の一端がエミッタに接続された第１のトランジ
スタと、前記第２の磁気抵抗効果素子の一端がコレクタ
に接続され、前記第１のトランジスタのベースがベース
に接続され、一端が前記直流電源の負端子に接続された
第４の磁気抵抗効果素子の一端がエミッタに接続された
第２のトランジスタと、前記第１及び第２の磁気抵抗効
果素子の各前記一端に第１及び第２の入力が接続されて
それらの差電圧を増幅する増幅回路とを有することを特
徴とする磁気抵抗効果素子回路。 - 【請求項２】 前記第１及び第４の磁気抵抗効果素子
が同期して磁気を検知し、前記第２及び第３の磁気抵抗
効果素子が同期して磁気を検知するように配置されてい
ることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子回
路。 - 【請求項３】 前記第１のトランジスタのコレクタと
ベースの間に、該第１のトランジスタのコレクタにベー
スが接続され、該第１のトランジスタのベースにエミッ
タが接続された第３のトランジスタを有していることを
特徴とする請求項２記載の集積化磁気抵抗効果素子回路
。 - 【請求項４】 前記第１及び第２のトランジスタがそ
れぞれ電界効果トランジスタで構成されることを特徴と
する請求項２記載の集積化磁気抵抗効果素子回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3146377A JP2682270B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 磁気抵抗効果素子回路 |
| US07/895,937 US5168244A (en) | 1991-06-19 | 1992-06-09 | Electric circuit fabricated from magneto-resistive elements and active circuit elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3146377A JP2682270B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 磁気抵抗効果素子回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04369878A true JPH04369878A (ja) | 1992-12-22 |
| JP2682270B2 JP2682270B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=15406340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3146377A Expired - Fee Related JP2682270B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 磁気抵抗効果素子回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5168244A (ja) |
| JP (1) | JP2682270B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6754098B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-06-22 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor memory device |
| JP2016133406A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-25 | メレキシス テクノロジーズ エヌ ヴィ | 変位検出装置 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0580927B1 (en) * | 1992-07-31 | 1997-03-05 | STMicroelectronics S.r.l. | Operational amplifier |
| US5402064A (en) * | 1992-09-02 | 1995-03-28 | Santa Barbara Research Center | Magnetoresistive sensor circuit with high output voltage swing and temperature compensation |
| US5986839A (en) * | 1996-09-17 | 1999-11-16 | International Business Machines Corporation | Electronic magnetoresistive sensor biasing using a transducer equivalent circuit and current sources |
| US6208176B1 (en) * | 1998-09-17 | 2001-03-27 | General Motors Corporation | Adaptive driver circuit for semiconductor magnetoresistors |
| EA012306B1 (ru) * | 2003-01-24 | 2009-08-28 | Магле Холдинг Аб | Композиционный материал для доставки через слизистые оболочки |
| US9823090B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-11-21 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor for sensing a movement of a target object |
| US10495699B2 (en) | 2013-07-19 | 2019-12-03 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for magnetic sensor having an integrated coil or magnet to detect a non-ferromagnetic target |
| US9810519B2 (en) | 2013-07-19 | 2017-11-07 | Allegro Microsystems, Llc | Arrangements for magnetic field sensors that act as tooth detectors |
| US9719806B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-08-01 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor for sensing a movement of a ferromagnetic target object |
| US10712403B2 (en) * | 2014-10-31 | 2020-07-14 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element |
| US9720054B2 (en) * | 2014-10-31 | 2017-08-01 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element |
| US9823092B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-11-21 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor providing a movement detector |
| US10260905B2 (en) | 2016-06-08 | 2019-04-16 | Allegro Microsystems, Llc | Arrangements for magnetic field sensors to cancel offset variations |
| US10041810B2 (en) | 2016-06-08 | 2018-08-07 | Allegro Microsystems, Llc | Arrangements for magnetic field sensors that act as movement detectors |
| US10866117B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-12-15 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field influence during rotation movement of magnetic target |
| US11255700B2 (en) | 2018-08-06 | 2022-02-22 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor |
| US10823586B2 (en) | 2018-12-26 | 2020-11-03 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor having unequally spaced magnetic field sensing elements |
| US11237020B2 (en) | 2019-11-14 | 2022-02-01 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor having two rows of magnetic field sensing elements for measuring an angle of rotation of a magnet |
| US11280637B2 (en) | 2019-11-14 | 2022-03-22 | Allegro Microsystems, Llc | High performance magnetic angle sensor |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2075099A5 (ja) * | 1970-01-31 | 1971-10-08 | Licentia Gmbh | |
| JPS5441335A (en) * | 1977-09-03 | 1979-04-02 | Pola Kasei Kogyo Kk | Cosmetics |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP3146377A patent/JP2682270B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-06-09 US US07/895,937 patent/US5168244A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6754098B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-06-22 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor memory device |
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| WO2016117497A1 (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-28 | メレキシス テクノロジーズ エヌ ヴィ | 変位検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2682270B2 (ja) | 1997-11-26 |
| US5168244A (en) | 1992-12-01 |
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