JPH04363854A - イオン処理装置 - Google Patents
イオン処理装置Info
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- JPH04363854A JPH04363854A JP3166378A JP16637891A JPH04363854A JP H04363854 A JPH04363854 A JP H04363854A JP 3166378 A JP3166378 A JP 3166378A JP 16637891 A JP16637891 A JP 16637891A JP H04363854 A JPH04363854 A JP H04363854A
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- Japan
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、真空中で試料保持具
に保持された試料にイオンビームを照射して当該試料を
処理するイオン処理装置に関し、特に、試料保持具のス
パッタリングによる試料への不純物の混入を防止する手
段に関する。
に保持された試料にイオンビームを照射して当該試料を
処理するイオン処理装置に関し、特に、試料保持具のス
パッタリングによる試料への不純物の混入を防止する手
段に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のイオン処理装置としては、イオ
ン注入装置、イオン注入と真空蒸着とを併用するイオン
蒸着薄膜形成装置、イオンビームエッチング装置等があ
る。以下においてはイオン注入装置を例に説明する。
ン注入装置、イオン注入と真空蒸着とを併用するイオン
蒸着薄膜形成装置、イオンビームエッチング装置等があ
る。以下においてはイオン注入装置を例に説明する。
【０００３】図３は、従来のイオン注入装置の試料保持
具の一例を示す概略図である。この試料保持具１は、真
空容器（図示せず）内において、例えばウエハ等からな
る試料２を、試料保持台１１に載せ、試料押さえ１２に
よって押え、これを保持しするようにしたものである。 そして図示しないイオン源からイオンビーム３を照射し
、当該試料２を処理、例えばイオン注入するようにして
いる。なお、１３は冷媒路である。
具の一例を示す概略図である。この試料保持具１は、真
空容器（図示せず）内において、例えばウエハ等からな
る試料２を、試料保持台１１に載せ、試料押さえ１２に
よって押え、これを保持しするようにしたものである。 そして図示しないイオン源からイオンビーム３を照射し
、当該試料２を処理、例えばイオン注入するようにして
いる。なお、１３は冷媒路である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】イオン処理装置等にお
いては通常、試料２の全面に均一にイオンビーム３を注
入するため、試料２よりも広い領域にイオンビーム３を
照射する。従って、イオンビーム３は、試料２が保持さ
れた部分以外の試料押さえ１２にも照射される。このた
め、当該イオンビーム３によって試料２のレジストが飛
散して試料押さえ１２を汚損したり、試料押さえ１２の
表面がスパッタされたりすることとなる。
いては通常、試料２の全面に均一にイオンビーム３を注
入するため、試料２よりも広い領域にイオンビーム３を
照射する。従って、イオンビーム３は、試料２が保持さ
れた部分以外の試料押さえ１２にも照射される。このた
め、当該イオンビーム３によって試料２のレジストが飛
散して試料押さえ１２を汚損したり、試料押さえ１２の
表面がスパッタされたりすることとなる。
【０００５】この場合、試料押さえ１２の材質は、例え
ばアルミニュウム合金であり、試料２のそれは、シリコ
ンであるため、試料２の成分原子と異なるスパッタ原子
であるアルミニュウム合金や上述のレジスト等が不純物
として試料２に混入するといった不都合があった。
ばアルミニュウム合金であり、試料２のそれは、シリコ
ンであるため、試料２の成分原子と異なるスパッタ原子
であるアルミニュウム合金や上述のレジスト等が不純物
として試料２に混入するといった不都合があった。
【０００６】そこでこの発明は、イオンビームが試料押
さえをスパッタすることによる試料への不純物の混入が
生じない試料保持具を備えたイオン処理装置を提供する
ことを主たる目的とする。
さえをスパッタすることによる試料への不純物の混入が
生じない試料保持具を備えたイオン処理装置を提供する
ことを主たる目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、この発明のイオン処理装置は、前述したような試料押
さえの少なくともイオンビームが照射される側に着脱可
能にカバーを設けると共に、このカバーの表面を試料と
同系の材質から成る保護材で覆ったことを特徴とする。
、この発明のイオン処理装置は、前述したような試料押
さえの少なくともイオンビームが照射される側に着脱可
能にカバーを設けると共に、このカバーの表面を試料と
同系の材質から成る保護材で覆ったことを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記構成によれば、試料押さえの表面は、カバ
ーによって覆われているので、少なくとも試料押さえそ
のものがスパッタされるのが防止される。その際、カバ
ーの表面を覆う保護材がスパッタされるが、そのスパッ
タ原子は、試料の構成原子と同系のものであるため、こ
れが試料に混入しても不都合はない。
ーによって覆われているので、少なくとも試料押さえそ
のものがスパッタされるのが防止される。その際、カバ
ーの表面を覆う保護材がスパッタされるが、そのスパッ
タ原子は、試料の構成原子と同系のものであるため、こ
れが試料に混入しても不都合はない。
【０００９】また、試料押えからカバーを取り外すこと
が出来るので、カバーの汚れ落しが簡単に実施できる。
が出来るので、カバーの汚れ落しが簡単に実施できる。
【００１０】
【実施例】図１は、この発明の一実施例に係るイオン注
入装置の試料保持具の概略断面図である。図２は、カバ
ーの一例を示す斜視図である。図３の従来例と同一また
は相当する部分には同一符号を付し、以下においては当
該従来例との相違点を主に説明する。
入装置の試料保持具の概略断面図である。図２は、カバ
ーの一例を示す斜視図である。図３の従来例と同一また
は相当する部分には同一符号を付し、以下においては当
該従来例との相違点を主に説明する。
【００１１】この実施例においては、前述したような試
料押さえ１２のイオンビームが照射される側に、例えば
アルミニュム合金等の薄板をプレスにより一体成形され
たカバー４が、着脱可能に設けられている。図示例では
、このカバー４の側面の４箇所に爪部４１が形成されて
おり、この爪部４１が前記試料押さえ１２の側面に形成
された溝１４にはまり合うことにより、着脱可能に構成
されている。このカバー４の試料押さえ１２への取り付
けに際しては、これに限られず、ネジ、ボルト等を用い
てカバー４を試料押さえ１２に螺着することにより、着
脱可能に構成しても良いのは勿論である。
料押さえ１２のイオンビームが照射される側に、例えば
アルミニュム合金等の薄板をプレスにより一体成形され
たカバー４が、着脱可能に設けられている。図示例では
、このカバー４の側面の４箇所に爪部４１が形成されて
おり、この爪部４１が前記試料押さえ１２の側面に形成
された溝１４にはまり合うことにより、着脱可能に構成
されている。このカバー４の試料押さえ１２への取り付
けに際しては、これに限られず、ネジ、ボルト等を用い
てカバー４を試料押さえ１２に螺着することにより、着
脱可能に構成しても良いのは勿論である。
【００１２】カバー４の表面は、試料２と同系（同じも
のを含む）の材質から成る保護材５で覆っている。保護
材５は、例えばＳｉ系の試料２にイオン注入する場合に
は、試料１２と同じＳｉ系のものを真空蒸着やスパッタ
リング蒸着等によりコーティングする。より具体的には
、試料２としてＳｉにイオン注入する場合には、Ｓｉ、
ＳｉＯ２、ｐｏｌｙ−Ｓｉ等とする。
のを含む）の材質から成る保護材５で覆っている。保護
材５は、例えばＳｉ系の試料２にイオン注入する場合に
は、試料１２と同じＳｉ系のものを真空蒸着やスパッタ
リング蒸着等によりコーティングする。より具体的には
、試料２としてＳｉにイオン注入する場合には、Ｓｉ、
ＳｉＯ２、ｐｏｌｙ−Ｓｉ等とする。
【００１３】上記実施例によれば、試料２のイオン注入
に際し、試料２と同系の材質からなる保護材５で覆われ
たカバー４によって、試料押えさ１２がイオンビーム３
によつてスパッタされるのが防止される。従って、試料
押さえ１２の成分原子が試料２に不純物として混入する
ようなことが防止される。もっともその際、イオンビー
ム３は保護材５をスパッタして例えばＳｉ原子を叩き出
すけれども、このようなスパッタ原子は試料２の構成原
子と同系のものであるため、これが試料２に混入しても
何等不都合はない、それゆえ、イオン注入後の試料２と
しては、コンタミネーションの非常に少ない良質のもの
が得られる。
に際し、試料２と同系の材質からなる保護材５で覆われ
たカバー４によって、試料押えさ１２がイオンビーム３
によつてスパッタされるのが防止される。従って、試料
押さえ１２の成分原子が試料２に不純物として混入する
ようなことが防止される。もっともその際、イオンビー
ム３は保護材５をスパッタして例えばＳｉ原子を叩き出
すけれども、このようなスパッタ原子は試料２の構成原
子と同系のものであるため、これが試料２に混入しても
何等不都合はない、それゆえ、イオン注入後の試料２と
しては、コンタミネーションの非常に少ない良質のもの
が得られる。
【００１４】さらに、カバー４がイオン注入によりレジ
スト等の飛散で汚損された場合には、これのみを取り外
し、汚れを落とすか、新たなものと取り替えれば良く、
その保守時間が短縮できる。
スト等の飛散で汚損された場合には、これのみを取り外
し、汚れを落とすか、新たなものと取り替えれば良く、
その保守時間が短縮できる。
【００１５】なお、保護材５は、必ずしも試料押さえ１
２に設けられたカバー４の全域を覆わなくても試料の２
の少なくとも周囲のみを覆っても良く、そのような場合
でも上述のような試料２に対する不純物混入防止効果は
大きい。
２に設けられたカバー４の全域を覆わなくても試料の２
の少なくとも周囲のみを覆っても良く、そのような場合
でも上述のような試料２に対する不純物混入防止効果は
大きい。
【００１６】また上記実施例では、イオン注入装置につ
いて詳述したが、この発明はこれに限定されるものでは
なく、前述したようなイオン処理装置に適用できるのは
勿論である。
いて詳述したが、この発明はこれに限定されるものでは
なく、前述したようなイオン処理装置に適用できるのは
勿論である。
【００１７】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、イオン
ビームが試料押さえをスパッタすることによる試料への
不純物の混入を防止することができる外、カバーがイオ
ン注入によりレジスト等の飛散で汚損された場合には、
これのみを取り外し、汚れを落とすか、新たなものと取
り替えれば良く、短時間の内に保守作業を完了すること
ができる。
ビームが試料押さえをスパッタすることによる試料への
不純物の混入を防止することができる外、カバーがイオ
ン注入によりレジスト等の飛散で汚損された場合には、
これのみを取り外し、汚れを落とすか、新たなものと取
り替えれば良く、短時間の内に保守作業を完了すること
ができる。
【図１】 この発明の一実施例に係るイオン注入装置
の試料保持具の部分断面図である。
の試料保持具の部分断面図である。
【図２】 図１のカバーの一例を示す斜視図である。
【図３】 従来のイオン注入装置の試料保持具の一例
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
１ 試料保持具
１１ 試料保持台
１２ 試料押さえ
２ 試料
３ イオンビーム
４ カバー
５ 保護材
Claims (1)
- 【請求項１】 試料保持台と、この試料保持台上に載
せられた試料を押さえる試料押さえとからなる試料保持
具を備え、真空中で前記試料にイオンビームを照射して
当該試料を処理するイオン処理装置において、前記試料
押さえの少なくともイオンビームが照射される側に着脱
可能にカバーを設けると共に、このカバーの表面を試料
と同系の材質から成る保護材で覆ったことを特徴とする
イオン処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3166378A JPH04363854A (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | イオン処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3166378A JPH04363854A (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | イオン処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363854A true JPH04363854A (ja) | 1992-12-16 |
Family
ID=15830309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3166378A Pending JPH04363854A (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | イオン処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04363854A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995006953A1 (fr) * | 1993-08-20 | 1995-03-09 | Tadahiro Ohmi | Implanteur d'ions |
| JP2002329677A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ドーピング装置 |
| JP2011198738A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-10-06 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | 複数の磁場集中部材をカバーする保護部材を備えたイオンビーム照射装置用磁石 |
| JP2014063763A (ja) * | 2010-02-23 | 2014-04-10 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | 複数の磁場集中部材をカバーする保護部材を備えたイオンビーム照射装置用磁石 |
-
1991
- 1991-06-10 JP JP3166378A patent/JPH04363854A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995006953A1 (fr) * | 1993-08-20 | 1995-03-09 | Tadahiro Ohmi | Implanteur d'ions |
| JP2002329677A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ドーピング装置 |
| JP2011198738A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-10-06 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | 複数の磁場集中部材をカバーする保護部材を備えたイオンビーム照射装置用磁石 |
| JP2014063763A (ja) * | 2010-02-23 | 2014-04-10 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | 複数の磁場集中部材をカバーする保護部材を備えたイオンビーム照射装置用磁石 |
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