JPH0677144U - イオン処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 イオンビームがウエハ押さえをスパッタする
ことによるシリコンウエハへの不純物の混入が生じない
ウエハ保持具を備えたイオン処理装置を提供することを
目的とする。 【構成】 ウエハ押さえ１２の少なくともイオンビーム
３が照射される側にシリコンコーティング４を施したこ
とを特徴とする。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

この考案は、真空中でウエハ保持具に保持されたウエハにイオンビームを照射 して当該ウエハを処理するイオン処理装置に関し、特に、ウエハ保持具のスパッ タリングによるウエハへの不純物の混入を防止したものである。

【０００２】

【従来の技術】

この種のイオン処理装置としては、イオン注入装置、イオン処理と真空蒸着と を併用するイオン蒸着薄膜形成装置、イオンビームエッチング装置等がある。以 下においてはイオン注入装置を例に説明する。

【０００３】 図２は、従来のイオン注入装置のウエハ保持具の一例を示す概略図である。１ は、ウエハ保持具で、真空容器（図示せず）内に、シリコンウエハ２を、ウエハ 保持台１１に載せ、ウエハ押さえ１２によって図示しないバネ力などをもって押 え、これを保持しするようにしたものである。そして図示しないイオン源からイ オンビーム３を照射し、当該シリコンウエハ２を処理、例えばイオン注入するよ うにしている。なお、１３は冷媒路である。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

ところで、通常シリコンウエハ２の全面に均一にイオンビーム３を注入するた め、シリコンウエハ２よりも広い領域にイオンビーム３を照射する。従って、イ オンビーム３は、シリコンウエハ２が保持された部分以外のウエハ押さえ１２に も照射される。このため、当該イオンビーム３によってウエハ押さえ１２の表面 がスパッタされたりすることとなる。

【０００５】 この場合、ウエハ押さえ１２の材質は、例えば、合金アルミニュウムであり、 ウエハ２のそれは、シリコンであるため、シリコンウエハ２の成分原子と異なる スパッタ原子である合金アルミニュウムが不純物としてウエハ２に混入し、純度 の高いイオン注入ができなくなるといった不都合があった。

【０００６】 この考案は、イオンビームがウエハ押さえをスパッタすることによるシリコン ウエハへの不純物の混入が生じないウエハ保持具を備えたイオン処理装置を提供 することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するため、この考案のイオン処理装置は、ウエハ押さえの少な くともイオンビームが照射される側にシリコンコーティングを施したことを特徴 とする。

【０００８】

【作用】

上述の構成によれば、ウエハ押さえの表面は、シリコンコーティングによって 覆われているので、少なくともウエハ押さえそのものがスパッタされるのが防止 される。その際、カバーの表面を覆うシリコンコーティングがスパッタされるが 、そのスパッタ原子は、シリコンウエハの構成原子であるシリコンと同系のもの であるため、これがシリコンウエハに混入しても不都合はない。

【０００９】

【実施例】

図１は、この考案の一実施例に係るイオン注入装置のウエハ保持具の概略断面 図である。図２の従来例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以下に おいては当該従来例との相違点を主に説明する。合金アルミニュムを母材とする ウエハ押さえ１２のイオンビームが照射される側には、例えば、イオンプレーテ ィング、真空蒸着やスパッタリング蒸着などの薄膜加工方法によりシリコンコー ティング４が施されている。

【００１０】 図示する例では、ウエハ押さえ１２のウエハ保持台１１側を除く面にシリコン コーティング４を施してある。このシリコンコーティング４の膜厚は、４〜２０ μ程度とすれば良い。シリコンコーティング４としては、Ｓｉ、ＳｉＯ2、ｐｏ ｌｙ−Ｓｉ等とすればよい。

【００１１】 上述の実施例によれば、シリコンウエハ２のイオン注入に際し、シリコンウエ ハ２と同系の材質からなるシリコンコーティング４に覆われており、ウエハ押さ え１２そのものがイオンビーム３によつてスパッタされるのが防止される。従っ て、ウエハ押さえ１２の成分原子がシリコンウエハ２に不純物として混入するよ うなことが防止される。もっともその際、イオンビーム３はシリコンコーティン グ４をスパッタして例えばＳｉ原子を叩き出すけれども、このようなスパッタ原 子はシリコンウエハ２の構成原子と同系のものであるため、これがシリコンウエ ハ２に混入しても何等不都合はない、それゆえ、イオン注入後のシリコンウエハ ２としては、コンタミネーションの非常に少ない良質のものが得られる。

【００１２】 なお、シリコンコーティング４は、必ずしもウエハ押さえ１２の全域を覆わな くてもシリコンウエハの２の少なくとも周囲のみを覆っても良く、そのような場 合でも上述のようなシリコンウエハ２に対する不純物混入防止効果は大きい。

【００１３】 上述の実施例では、イオン注入装置について詳述したが、この考案はこれに限 定されるものではなく、前述したようなイオン処理装置に適用できるのは勿論で ある。

【００１４】

【考案の効果】

以上のようにこの考案によれば、イオンビームがシリコンウエハ押さえをスパ ッタすることによるシリコンウエハへの不純物の混入を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この考案の一実施例に係るイオン注入装置の
ウエハ保持具の部分断面図である。

【図２】 従来のイオン注入装置のウエハ保持具の一例
を示す部分断面図である。

【符号の説明】

１ ウエハ保持具 １１ ウエハ保持台 １２ ウエハ押さえ ２ シリコンウエハ ３ イオンビーム ４ シリコンコーティング

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエハ保持台と、このウエハ保持台上に
   載せられたシリコンウエハを押さえるウエハ押さえとか
   らなるウエハ保持具を備え、真空中で前記ウエハにイオ
   ンビームを照射して当該ウエハを処理するイオン処理装
   置において、前記ウエハ押さえの少なくともイオンビー
   ムが照射される側にシリコンコーティングを施してなる
   ことを特徴とするイオン処理装置。