JPS5961043A - イオン注入用試料ホルダ− - Google Patents
イオン注入用試料ホルダ−Info
- Publication number
- JPS5961043A JPS5961043A JP17073182A JP17073182A JPS5961043A JP S5961043 A JPS5961043 A JP S5961043A JP 17073182 A JP17073182 A JP 17073182A JP 17073182 A JP17073182 A JP 17073182A JP S5961043 A JPS5961043 A JP S5961043A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- ion implantation
- sample holder
- ions
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子デバイス等の製造におけるイオン注入工
程で用いるイオン注入用試料ホルダーに関する。
程で用いるイオン注入用試料ホルダーに関する。
現在、電子デバイス等の製造における不純物のドーピン
グ工程は、熱拡散方式Ａ・らイオン注入方式へと移行す
る傾向にあり、すべてのドーピング工程をイオン注入方
式で行なう場合もある。このようなイオン注入］−右で
は、イオン注入時に試料ホルダーもイオン照射を受ける
が、照射を受けても試料を汚染しない材質の試料ホルダ
ーが必要である。
グ工程は、熱拡散方式Ａ・らイオン注入方式へと移行す
る傾向にあり、すべてのドーピング工程をイオン注入方
式で行なう場合もある。このようなイオン注入］−右で
は、イオン注入時に試料ホルダーもイオン照射を受ける
が、照射を受けても試料を汚染しない材質の試料ホルダ
ーが必要である。
第１図は、従来の試料ホルダーを用い゛Ｃイオン注入を
行う様子を模式的に示す断面図である。イオン源から放
出され、質知分離てれたイオン１１は試料１３に入射す
る。しかし、イオンビームは試料全ｎ１１を照射すＺｌ
ように走査すれているから、一部は試料ホルダー１２に
も照射される。このため、試料ホルダー１２を構成する
１９子（ホルダー構成原子）１４もスパッタされて、そ
の一部は試料１３に付着する。試料１３に付着したホル
ダー構成原子１４も試料１３同様にイオン１１の照射を
受けるから、試料表面の付着にとどまらず試料１３内部
にも混入する。従って、目的とするイオンが注入される
とともに、ホルダー構成原子１４により試料１３が汚染
される。
行う様子を模式的に示す断面図である。イオン源から放
出され、質知分離てれたイオン１１は試料１３に入射す
る。しかし、イオンビームは試料全ｎ１１を照射すＺｌ
ように走査すれているから、一部は試料ホルダー１２に
も照射される。このため、試料ホルダー１２を構成する
１９子（ホルダー構成原子）１４もスパッタされて、そ
の一部は試料１３に付着する。試料１３に付着したホル
ダー構成原子１４も試料１３同様にイオン１１の照射を
受けるから、試料表面の付着にとどまらず試料１３内部
にも混入する。従って、目的とするイオンが注入される
とともに、ホルダー構成原子１４により試料１３が汚染
される。
第２図は、１゛ｉ製の試料ホルダーを用いて１×１０１
６箇／ｃｒｎ”のＡｓ＋を加速霜、圧１８０ＫｅＶでＳ
ｉウェーハ（試料）にイオンを注入した場合における、
■へ４Ａ（イオンマイクロ分析機）を用いて調べた、Ｓ
ｉウエーノ・中のＴｉの深さ方向□の分布を示す図であ
る。横軸はＳｉウエーノ・中での深さに対応し、縦軸は
２次イオンのイオン電流強度、すなわちその原子の量に
対応する。この図より′１゛ｉの２次イオンが観測され
、表面での強度は強く、さらにＳｉウェーハ表面のみな
らずＳｉウエーノ゛内部にまでＴｉが混入していること
がわかる。すなわち、試料ホルダーの構成原子が試料を
汚染している。
６箇／ｃｒｎ”のＡｓ＋を加速霜、圧１８０ＫｅＶでＳ
ｉウェーハ（試料）にイオンを注入した場合における、
■へ４Ａ（イオンマイクロ分析機）を用いて調べた、Ｓ
ｉウエーノ・中のＴｉの深さ方向□の分布を示す図であ
る。横軸はＳｉウエーノ・中での深さに対応し、縦軸は
２次イオンのイオン電流強度、すなわちその原子の量に
対応する。この図より′１゛ｉの２次イオンが観測され
、表面での強度は強く、さらにＳｉウェーハ表面のみな
らずＳｉウエーノ゛内部にまでＴｉが混入していること
がわかる。すなわち、試料ホルダーの構成原子が試料を
汚染している。
本発明の目的は、イオン注入の除に試ｆ”ｌを汚染する
ことのないイオン注入用ホルタ−の拵倶にある。
ことのないイオン注入用ホルタ−の拵倶にある。
本発明の構成は、イオンの照射によりそのイオンを注入
する試料の保持に用いるイオン注入用試料ホルダーであ
って前記試料を装填すべき部分として前記試料と同じか
やや広い面積でしかも前記試料の垢゛みＫはぼ等しい凹
部を備えた試料ホルダーにおいて、少なくとも前記照射
イオンの一部が当る表面が、前記試料と同じ元素または
この元素と前記イオン照射により解離したとき気化する
元素との化合物からなることを特徴とする。
する試料の保持に用いるイオン注入用試料ホルダーであ
って前記試料を装填すべき部分として前記試料と同じか
やや広い面積でしかも前記試料の垢゛みＫはぼ等しい凹
部を備えた試料ホルダーにおいて、少なくとも前記照射
イオンの一部が当る表面が、前記試料と同じ元素または
この元素と前記イオン照射により解離したとき気化する
元素との化合物からなることを特徴とする。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第３図は本発明の第１の実に！ ｆ！ｆを用いてイオン
注入する様子を模式的に示す断面図である。この実施例
の試料ホルダー３１はＴｉ雰・）の基台３２と、この基
台３２の上面に形成してあ・る被覆３３とからなる。被
覆３３は、試料１３と同じ組成であり、この実施例では
試料１３をＳｉとしたので、被覆３３もＳｌである。そ
こで、試料ホルダー３１がイオン１１の把、射を受けて
も被の３３が存在するから、被穆３３の構成原子である
Ｓｉがスバ、りされてＳｉのスパッタ物３４が試料１３
上に付着し、そこへイオン１１が照射されてもＳｌが８
４製の試料１３中に混入するのみで、試料１３を汚染す
ることｉａない。なお、この被覆３３Ｎこの実施例で（
は蒸着しだが、当然、スノ（ツタリング法。
注入する様子を模式的に示す断面図である。この実施例
の試料ホルダー３１はＴｉ雰・）の基台３２と、この基
台３２の上面に形成してあ・る被覆３３とからなる。被
覆３３は、試料１３と同じ組成であり、この実施例では
試料１３をＳｉとしたので、被覆３３もＳｌである。そ
こで、試料ホルダー３１がイオン１１の把、射を受けて
も被の３３が存在するから、被穆３３の構成原子である
Ｓｉがスバ、りされてＳｉのスパッタ物３４が試料１３
上に付着し、そこへイオン１１が照射されてもＳｌが８
４製の試料１３中に混入するのみで、試料１３を汚染す
ることｉａない。なお、この被覆３３Ｎこの実施例で（
は蒸着しだが、当然、スノ（ツタリング法。
気相成長法（ＣＶＤ）叫の成長でも差支えない。
第斗図は、本発明の第２の実施例を用いてイオ；７注入
する様子を模式的に示す断面図である。試料１３はやは
りＳｉであり、基台３２上に試料１３の構成元素である
Ｓｉを含む８ｉ０２で被覆４３が形成しである。この場
合も試料ホルダー４１にイオン１１の照射があゲでも、
８１０２の被覆４３カニ存在するから、Ｓ ｉ０２層の
構成要素である８ｉがスパッタされて、ス・り、夕物３
４即ちＳｉが試料１３上に付着し、さらに、そこへイメ
ン１１が照射されてもＳｉが試料１３中に混入するのみ
で、試料１３を汚染することはない。５ｉ０２のもう一
つの構成要素である酸素は気化してしまう。このＳ＋０
２製被覆４３の形成は、いかなる方法でもよい。例えば
、液体状のＳｉＯ□塗膜を基台３２に塗布し、ベーキン
グ（高温下で硬化すること）すれば８ ｉ０２被覆を形
成できる。
する様子を模式的に示す断面図である。試料１３はやは
りＳｉであり、基台３２上に試料１３の構成元素である
Ｓｉを含む８ｉ０２で被覆４３が形成しである。この場
合も試料ホルダー４１にイオン１１の照射があゲでも、
８１０２の被覆４３カニ存在するから、Ｓ ｉ０２層の
構成要素である８ｉがスパッタされて、ス・り、夕物３
４即ちＳｉが試料１３上に付着し、さらに、そこへイメ
ン１１が照射されてもＳｉが試料１３中に混入するのみ
で、試料１３を汚染することはない。５ｉ０２のもう一
つの構成要素である酸素は気化してしまう。このＳ＋０
２製被覆４３の形成は、いかなる方法でもよい。例えば
、液体状のＳｉＯ□塗膜を基台３２に塗布し、ベーキン
グ（高温下で硬化すること）すれば８ ｉ０２被覆を形
成できる。
上述の実施例では基台３２はＴｔ製としたが、基台３２
０利料は所要の剛性、硬度等を備えておｆ］ｉまよく、
竹に制限はない。また、禎わｔは基台のイオン照射面に
のみ形成した例を示したが、被覆ｆ′ｉ、基台の他の面
にも形成しでちっても差支ないことは勿論である。さら
に、上述の実施例では、基台に被り・４於・した例を示
したが、試料ホルダー全体が試料元素と同じ元素の物質
し又は訂、犯元素との化合物であって、イオン照射によ
り解離したとき試料元素以外は句化する物５ｔ （例え
け、５ｉ０２））でちっても差支えなく、要するに、ｌ
Ｉ−射イオンビームが当る面が上記物質で形成し２てあ
れは足りる。
０利料は所要の剛性、硬度等を備えておｆ］ｉまよく、
竹に制限はない。また、禎わｔは基台のイオン照射面に
のみ形成した例を示したが、被覆ｆ′ｉ、基台の他の面
にも形成しでちっても差支ないことは勿論である。さら
に、上述の実施例では、基台に被り・４於・した例を示
したが、試料ホルダー全体が試料元素と同じ元素の物質
し又は訂、犯元素との化合物であって、イオン照射によ
り解離したとき試料元素以外は句化する物５ｔ （例え
け、５ｉ０２））でちっても差支えなく、要するに、ｌ
Ｉ−射イオンビームが当る面が上記物質で形成し２てあ
れは足りる。
以上詳述したように、本発明によれは、イオン注入の際
に試ｆ、を汚染することのないイオン注入用ホルタ）レ
ダーを得ることができる。
に試ｆ、を汚染することのないイオン注入用ホルタ）レ
ダーを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１し１は従来のイオン注入用試料ホルダーを用いてイ
メン注入を行う様子を摂氏的に示す断面図、第２図り従
来のＴｉ製イオン注入用試和ホ）レダーを用いてイオン
注入した試料（Ｓｉ）における汚染物Ｐｉ（１’ｌ）の
深さ方向分布を示す図、第３図および第４図はそれぞれ
本発明の第１及び第２の実施例を用いてイオン注入を行
う様子を模式的に示す断面図である。 １１・・・・・・イオン、１２．３１．４１−イオン注
入用試料ホルダー、１３・・・・・・試料（Ｓｉ）、１
４゜３４・・・・・・スバッ久物、３２・・・・・・基
台、３３，４３・・・・・・被覆。 第 １ 図 ヲ禾 ざ −一÷ 業 ２ 前 茅 ３ 圀 ”′ 茅４ 図
メン注入を行う様子を摂氏的に示す断面図、第２図り従
来のＴｉ製イオン注入用試和ホ）レダーを用いてイオン
注入した試料（Ｓｉ）における汚染物Ｐｉ（１’ｌ）の
深さ方向分布を示す図、第３図および第４図はそれぞれ
本発明の第１及び第２の実施例を用いてイオン注入を行
う様子を模式的に示す断面図である。 １１・・・・・・イオン、１２．３１．４１−イオン注
入用試料ホルダー、１３・・・・・・試料（Ｓｉ）、１
４゜３４・・・・・・スバッ久物、３２・・・・・・基
台、３３，４３・・・・・・被覆。 第 １ 図 ヲ禾 ざ −一÷ 業 ２ 前 茅 ３ 圀 ”′ 茅４ 図
Claims (1)
- イオンの照射によりそのイオンを注入する試料の保持に
用いるイオン注入用試料ホルダーであって前記試ネ」を
装填すべき部分として前記試料と同じかやや広い面積で
しかも前記試料の厚みにほぼ等しい凹部を伽えた試料ホ
ルダーにおいて、少なくとも前記照射イオンの一部が当
る表面が、前記試料と同じ元素またはこの元素と前記イ
オン照射によりＭ離したとき気化する元素との化合物か
らなることを特徴とするイオン注入用試料ホルダー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17073182A JPS5961043A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | イオン注入用試料ホルダ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17073182A JPS5961043A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | イオン注入用試料ホルダ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961043A true JPS5961043A (ja) | 1984-04-07 |
Family
ID=15910340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17073182A Pending JPS5961043A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | イオン注入用試料ホルダ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961043A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61161713A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造用部品 |
| JPH0463121U (ja) * | 1990-10-03 | 1992-05-29 | ||
| US5476520A (en) * | 1989-07-10 | 1995-12-19 | Applied Materials, Inc. | Shield assembly for semiconductor wafer supports |
-
1982
- 1982-09-29 JP JP17073182A patent/JPS5961043A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61161713A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造用部品 |
| US5476520A (en) * | 1989-07-10 | 1995-12-19 | Applied Materials, Inc. | Shield assembly for semiconductor wafer supports |
| JPH0463121U (ja) * | 1990-10-03 | 1992-05-29 |
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