JPH04355726A - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents

液晶表示素子およびその製造方法

Info

Publication number
JPH04355726A
JPH04355726A JP13089991A JP13089991A JPH04355726A JP H04355726 A JPH04355726 A JP H04355726A JP 13089991 A JP13089991 A JP 13089991A JP 13089991 A JP13089991 A JP 13089991A JP H04355726 A JPH04355726 A JP H04355726A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal display
display element
rubbing
alignment film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13089991A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisako Kurai
倉井 久子
Hideaki Mochizuki
望月 秀晃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP13089991A priority Critical patent/JPH04355726A/ja
Publication of JPH04355726A publication Critical patent/JPH04355726A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は文字や記号、あるいは画
像の表示を行なうスーパーツイステッドネマチック(S
TN)またはスーパーツイステッドバイフリンゼントイ
フェクト(SBE)モードの液晶表示素子およびその製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶を用いた表示素子は、薄型,
軽量,低消費電力という特徴から、パーソナルコンピュ
ータ,ワードプロセッサなどの情報機器、またテレビな
どさまざまな用途に用いられている。
【0003】高品位,大容量表示としては、さまざまな
液晶表示モードのなかSTNないしSBEモードが特に
注目されている。このモードは、相対向する基板間のネ
マチック液晶分子に120度〜290度のねじれ角をも
たせた、ツイステッドネマチック構造を有するものであ
る。液晶分子のねじれ角が90度以上と大きいSTNな
いしSBEモードの液晶表示素子では、他のねじれ角の
領域が発生し、ディスクリネーションを起こしやすく表
示品位の低下を招く結果となる。これを防ぐために基板
表面において、液晶分子の基板に対する角度(プレチル
ト角)を3度〜30度の角度で配向させている(アプラ
イドフィジックスレーターズ,45(10)1984年
11月15日発行)。液晶分子をある一定のプレチルト
角でしかも一定方向に配向させる代表的配向法として、
斜方蒸着法,ラビング法が挙げられる。
【0004】斜方蒸着法は、SiO,MgO等の酸化物
や、Au,Pt等の金属などの無機物質を基板に対して
斜めから蒸着するものである。一方ラビング処理法は、
基板上にポリイミド,ポリアミド等の有機配向膜を形成
した後レーヨン,ナイロン,コットン等の布を巻き付け
たドラムを回転させて配向膜表面を一定方向にこするこ
とで配向処理を行なうものである。液晶表示素子におい
てこの配向処理工程は重要である(特開昭55−143
525号公報)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、斜方蒸
着法による配向膜形成法では、真空装置を使ったプロセ
スであることから工程が複雑になり、蒸着膜が高価とな
り液晶表示素子のコストが上昇するという問題点がある
。一方ラビング処理法は斜方蒸着法に比べ簡単な工程で
液晶表示素子を製造することができる点から配向処理法
として従来から広く用いられてきた。
【0006】しかし、前述のラビング処理法で均一な配
向を得るにはラビング条件の設定が非常に重要である。 配向膜表面とラビング布を巻き付けたドラムとの間隔(
押し込み量),ローラ回転数,基板の移動速度,ローラ
径がばらつくと均一なラビング処理が行なえないばかり
か極端な場合には配向膜表面にキズ(ラビングキズ)が
発生してしまう。顕著なラビングキズはパネルとなった
場合、キズの部分の電界に対する挙動が変化する結果キ
ズに沿ってしきい値の異常な領域が発生し不良パネルと
なる。またラビング条件を変える要因であるローラ回転
数,基板の移動速度,押し込み量,ローラ径を一定にし
ラビングしたとしても、ガラス基板の厚みの変化、ラビ
ング布のロット差、機械精度の経時的変化などのため、
必ずしも常に一定のラビング強度でラビングされる補償
はない。
【0007】ラビング処理法による液晶分子の配向メカ
ニズムは完全に解明されていないが、ラビング処理によ
って配向膜表面にせん断応力が加わることで表面付近の
ポリマー鎖の配向が起こり、液晶分子がポリマー鎖の配
向に従って配列することが主要因と考えられている。つ
まり液晶分子の配向に配向膜表面の配向状態が大きく影
響するにもかかわらず、従来の液晶表示素子ではラビン
グされた配向膜としての配向状態の規定がなかった。そ
のため、実際にパネルを組み立ててみるまでラビング処
理工程の良否が判別できず、結果的に不良率が増加する
という問題点があった。すなわち基板面内での配向膜の
ラビング状態が不均一だと、液晶分子のプレチルト角が
バラツキ、パネルとしてはしきい値ムラすなわち表示ム
ラ(色ムラ)となり表示品位の低下を引き起こしてしま
う。
【0008】本発明は、かかる点に鑑み、表示品位が良
く、量産性に適した液晶表示素子およびその製造方法を
提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は前述のような問
題点を解決するために、基板上に透明電極層さらにその
上に配向膜を有する電極基板を相対向するように配置し
た液晶表示素子において、少なくとも一方の配向膜のラ
ビング処理後の臨界表面張力が30dyn/cm〜45
dyn/cmの範囲となるようにしたものである。
【0010】
【作用】本発明は前述のように、ラビング処理を施した
配向膜について、配向状態の評価量として臨界表面張力
を規定し、かつその値を30dyn/cm〜45dyn
/cmの範囲にすることにより、ラビングスジがなくま
た均一なプレチルト角で配向した表示品位の良いパネル
が得られる。
【0011】また配向膜の臨界表面張力測定は、簡単な
工程であり量産性にも適しているため、製造の工程管理
項目として導入することで液晶表示素子の製造歩留まり
の向上にも大きく貢献する。
【0012】
【実施例】以下本発明の実施例について詳細に述べる。 図1は本発明の液晶表示素子の断面図である。各々40
0本の走査電極,640本の表示電極をスズを含む酸化
インジウム透明電極(ITO電極)2,8で形成した上
下2枚の25×16cmのガラス基板1,9を洗浄し、
その後以下のポリアミック酸樹脂層あるいはポリピロメ
リット酸樹脂層を印刷で形成した。
【0013】これらの配向膜溶液は加熱,重合してポリ
イミド樹脂層とするタイプで日産化学工業株式会社製の
SE150,SE4110,RN715およびチッソ石
油化学株式会社製のPSI−A−2101,PSI−A
−2201を用いた。印刷後80℃で10分間乾燥しS
E150,SE4110,RN715は250℃で1時
間、PSI−A−2101,PSI−A−2201は2
00℃で2時間本硬化を行ない膜厚50nm〜70nm
のポリイミドの配向膜3,4を形成した。
【0014】これらの配向膜3,4をレーヨン布を取り
付けた直径150mmのローラでローラ回転数500r
pm,基板移動速度50mm/秒に設定し毛先押し込み
量を配向膜の種類により変化させ、すべての配向膜でラ
ビング後の臨界表面張力が約40dyn/cmになるよ
うにしかも液晶分子のねじれ角が240度となるラビン
グ方向にラビング処理を行なった。
【0015】その後一方のガラス基板にビーズスペーサ
6を形成するためのビーズを散布し、他方にシール樹脂
5を形成するためのシール剤を印刷しパネルを組み立て
た。シール剤は熱硬化タイプで60℃で4時間その後1
50℃で3時間硬化を行なった。市販のSTN液晶組成
物7を真空注入しパネルを完成した後、偏光板を貼りつ
け1/200駆動のモノクロ表示の液晶表示素子を完成
した。これらのパネル群をグループ1とする。
【0016】次に毛先押し込み量を配向膜の種類によっ
て変化させ、SE150,SE4110,RN715,
PSI−A−2101,PSI−A−2201すべての
配向膜でラビング後の臨界表面張力が各々約30dyn
/cm,35dyn/cm,45dyn/cm,25d
yn/cm,50dyn/cmになるようラビング処理
をした以外はグループ1のパネルと同様にしてパネルを
完成した。
【0017】臨界表面張力が約30dyn/cm,35
dyn/cm,45dyn/cm,25dyn/cm,
50dyn/cmのパネル群を各々グループ2,グルー
プ3,グループ4,グループ5,グループ6とする。こ
れらグループ1〜グループ6の全パネルを1/200駆
動させた時の表示品位を(表1)に○印,△印,×印で
示す。
【0018】○印は表示面に表示ムラあるいはラビング
キズ等欠陥のない表示品位の良好なパネルを示す。△印
は表示面に表示ムラあるいはラビングキズ等の欠陥が目
立つ表示品位の悪いパネルを示す。×印は表示ムラある
いはラビングキズ等の欠陥が非常に多く表示品位の非常
に悪いパネルを示す。
【0019】
【表1】
【0020】以上のように、配向膜のラビング処理後の
臨界表面張力を約30dyn/cm〜45dyn/cm
の範囲に限定することにより実施例の配向膜いずれにお
いても表示品位の良好なパネルが得られた。しかし臨界
表面張力が約25dyn/cmではラビング強度が弱い
ため配向が不完全になり表示面に表示ムラが目立つ品位
の低いパネルに、また臨界表面張力が約50dyn/c
mでは逆にラビング強度が強すぎたことにより表示面に
ラビングキズのある品位の低いパネルとなった。配向膜
の種類は塗布性,ラビング性,配向規制力,化学的安定
性からポリイミド配向膜が好ましい。
【0021】なお、ラビングのローラ径,ローラ回転数
,基板移動速度は本実施例に限定されるものではなく他
の条件であってもよい。また配向膜形成は印刷法以外で
あっても何等問題ない。パネル構成も必要があればアン
ダーコートあるいはオーバーコートを形成してもさしつ
かえない。要は、ラビング処理後の配向膜の臨界表面張
力が30dyn/cm〜45dyn/cmの範囲に設定
すればよい。
【0022】
【発明の効果】以上のように本発明は、ラビング処理を
施した配向膜について、配向状態の評価量として臨界表
面張力を規定し、かつその値を30dyn/cm〜45
dyn/cmの範囲にすることにより、表示ムラやラビ
ングキズがない表示品位の優れた液晶表示素子が得られ
た。
【0023】また配向膜の臨界表面張力測定は、簡単な
工程であり量産性にも適しているため、ラビング処理後
の配向膜の工程管理項目として導入することで液晶表示
素子の製造歩留まりの向上にも大きく貢献する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例にかかる液晶表示素子の構造
を示す断面図
【符号の説明】
1,9  ガラス基板 2,8  ITO電極 3,4  配向膜 5  シール樹脂 6  ビーズスペーサ 7  STN液晶

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上に透明電極層さらにその上にラビン
    グ処理された配向膜を有する電極基板を相対向するよう
    に配置し、前記配向膜の臨界表面張力が30dyn/c
    m〜45dyn/cmの範囲としたことを特徴とする液
    晶表示素子。
  2. 【請求項2】配向膜がポリイミドの有機高分子膜からな
    る請求項1記載の液晶表示素子。
  3. 【請求項3】相対向するように配置した基板間に液晶分
    子のねじれ角を120度〜290度とするネマチック液
    晶を介在させたことを特徴とする請求項1記載の液晶表
    示素子。
  4. 【請求項4】基板上に透明電極層さらにその上に配向膜
    を有する電極基板を相対向するように配置する液晶表示
    素子の製造方法であって、前記配向膜のラビング処理後
    の臨界表面張力が30dyn/cm〜45dyn/cm
    の範囲になるようラビング処理することを特徴とする液
    晶表示素子の製造方法。
  5. 【請求項5】相対向するように配置した基板間に液晶分
    子のねじれ角を120度〜290度とするネマチック液
    晶を介在させたことを特徴とする請求項4記載の液晶表
    示素子の製造方法。
JP13089991A 1991-06-03 1991-06-03 液晶表示素子およびその製造方法 Pending JPH04355726A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13089991A JPH04355726A (ja) 1991-06-03 1991-06-03 液晶表示素子およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13089991A JPH04355726A (ja) 1991-06-03 1991-06-03 液晶表示素子およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04355726A true JPH04355726A (ja) 1992-12-09

Family

ID=15045325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13089991A Pending JPH04355726A (ja) 1991-06-03 1991-06-03 液晶表示素子およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04355726A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6693696B1 (en) 1992-06-30 2004-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6693696B1 (en) 1992-06-30 2004-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
US7567320B2 (en) 1992-06-30 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device with liquid crystal

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09105937A (ja) 液晶表示素子の配向膜形成方法
JP4357622B2 (ja) 液晶表示装置
JP3209328B2 (ja) 液晶表示素子の製造方法
JPH04355726A (ja) 液晶表示素子およびその製造方法
KR0178418B1 (ko) 액정패널의 제조방법
JPH04355724A (ja) 液晶表示素子およびその製造方法
JPH05158045A (ja) 液晶表示素子およびその製造方法
JPH05210101A (ja) 強誘電性液晶素子の製造方法
JPH0854629A (ja) 液晶表示素子並びにその製造方法
JP3209716B2 (ja) 液晶配向処理方法及びこれを用いた液晶表示素子
JP2591966B2 (ja) 強誘電性液晶素子およびその製造方法
JPH08334767A (ja) ラビング装置
JP3018419B2 (ja) 液晶セルの製造方法
JPH09292615A (ja) ラビング装置及びそれを用いた液晶素子の製造方法
JP3112380B2 (ja) ラビング装置、液晶表示素子の配向処理方法、及び液晶表示素子の製造方法
JPH0346625A (ja) 液晶表示用配向膜の製造方法
JPH07294931A (ja) ラビング処理方法
JPH04195119A (ja) 液晶パネルの製造方法
JPH0372323A (ja) 液晶表示素子の製造法
JPH03208018A (ja) 液晶表示素子
JP2001356350A (ja) 液晶表示素子の製造方法
JP3062978B2 (ja) 強誘電性液晶素子
JP3538075B2 (ja) 液晶電気光学装置の作製方法
JPH05241157A (ja) 液晶表示パネルのラビング処理法
JPH05100228A (ja) 強誘電性液晶素子の配向処理法