JPH04355724A - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子およびその製造方法Info
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- JPH04355724A JPH04355724A JP13091691A JP13091691A JPH04355724A JP H04355724 A JPH04355724 A JP H04355724A JP 13091691 A JP13091691 A JP 13091691A JP 13091691 A JP13091691 A JP 13091691A JP H04355724 A JPH04355724 A JP H04355724A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は文字や記号、あるいは画
像の表示を行なうスーパーツイステッドネマチック(S
TN)またはスーパーツイステッドバイフリンゼントイ
フェクト(SBE)モードの液晶表示素子およびその製
造方法に関する。
像の表示を行なうスーパーツイステッドネマチック(S
TN)またはスーパーツイステッドバイフリンゼントイ
フェクト(SBE)モードの液晶表示素子およびその製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶を用いた表示素子は、薄型,
軽量,低消費電力という特徴から、パーソナルコンピュ
ータ,ワードプロセッサなどの情報機器、またテレビな
どさまざまな用途に用いられている。
軽量,低消費電力という特徴から、パーソナルコンピュ
ータ,ワードプロセッサなどの情報機器、またテレビな
どさまざまな用途に用いられている。
【0003】高品位,大容量表示としては、さまざまな
液晶表示モードのなかSTNないしSBEモードが特に
注目されている。このモードは、相対向する基板間のネ
マチック液晶分子に120度〜290度のねじれ角をも
たせた、ツイステッドネマチック構造を有するものであ
る。液晶分子のねじれ角が90度以上と大きいSTNな
いしSBEモードの液晶表示素子では、他のねじれ角の
領域が発生し、ディスクリネーションを起こしやすく表
示品位の低下を招く結果となる。これを防ぐために基板
表面において、液晶分子の基板に対する角度(プレチル
ト角)を3度〜30度の角度で配向させている(アプラ
イドフィジックスレーターズ,45(10)1984年
11月15日発行)。液晶分子をある一定のプレチルト
角でしかも一定方向に配向させる代表的配向法として、
斜方蒸着法,ラビング法が挙げられる。
液晶表示モードのなかSTNないしSBEモードが特に
注目されている。このモードは、相対向する基板間のネ
マチック液晶分子に120度〜290度のねじれ角をも
たせた、ツイステッドネマチック構造を有するものであ
る。液晶分子のねじれ角が90度以上と大きいSTNな
いしSBEモードの液晶表示素子では、他のねじれ角の
領域が発生し、ディスクリネーションを起こしやすく表
示品位の低下を招く結果となる。これを防ぐために基板
表面において、液晶分子の基板に対する角度(プレチル
ト角)を3度〜30度の角度で配向させている(アプラ
イドフィジックスレーターズ,45(10)1984年
11月15日発行)。液晶分子をある一定のプレチルト
角でしかも一定方向に配向させる代表的配向法として、
斜方蒸着法,ラビング法が挙げられる。
【0004】斜方蒸着法は、SiO,MgO等の酸化物
や、Au,Pt等の金属などの無機物質を基板に対して
斜めから蒸着するものである。一方ラビング処理法は、
基板上にポリイミド,ポリアミド等の有機配向膜を形成
した後レーヨン,ナイロン,コットン等の布を巻き付け
たドラムを回転させて配向膜表面を一定方向にこするこ
とで配向処理を行なうものである(特開昭55−143
525号公報)。液晶表示素子においてこの配向処理工
程は重要である。
や、Au,Pt等の金属などの無機物質を基板に対して
斜めから蒸着するものである。一方ラビング処理法は、
基板上にポリイミド,ポリアミド等の有機配向膜を形成
した後レーヨン,ナイロン,コットン等の布を巻き付け
たドラムを回転させて配向膜表面を一定方向にこするこ
とで配向処理を行なうものである(特開昭55−143
525号公報)。液晶表示素子においてこの配向処理工
程は重要である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、斜方蒸
着法による配向膜形成法では真空装置を使ったプロセス
であることから工程が複雑になり、蒸着膜が高価となり
液晶表示素子のコストが上昇するという問題点がある。 一方ラビング処理法は斜方蒸着法に比べ簡単な工程で液
晶表示素子を製造することができる点から配向処理法と
して従来から広く用いられてきた。
着法による配向膜形成法では真空装置を使ったプロセス
であることから工程が複雑になり、蒸着膜が高価となり
液晶表示素子のコストが上昇するという問題点がある。 一方ラビング処理法は斜方蒸着法に比べ簡単な工程で液
晶表示素子を製造することができる点から配向処理法と
して従来から広く用いられてきた。
【0006】しかし、前述のラビング処理法で均一な配
向を得るにはラビング条件の設定が非常に重要である。 配向膜表面とラビング布を巻き付けたドラムとの間隔(
押し込み量),ローラ回転数,基板の移動速度,ローラ
径がばらつくと均一なラビング処理が行なえないばかり
か極端な場合には、配向膜表面にキズ(ラビングキズ)
が発生してしまう。顕著なラビングキズはパネルとなっ
た場合キズの部分の電界に対する挙動が変化する結果、
キズに沿ってしきい値の異常な領域が発生し不良パネル
となる。
向を得るにはラビング条件の設定が非常に重要である。 配向膜表面とラビング布を巻き付けたドラムとの間隔(
押し込み量),ローラ回転数,基板の移動速度,ローラ
径がばらつくと均一なラビング処理が行なえないばかり
か極端な場合には、配向膜表面にキズ(ラビングキズ)
が発生してしまう。顕著なラビングキズはパネルとなっ
た場合キズの部分の電界に対する挙動が変化する結果、
キズに沿ってしきい値の異常な領域が発生し不良パネル
となる。
【0007】またラビング条件を変える要因であるロー
ラ回転数,基板の移動速度,押し込み量,ローラ径を一
定にしラビングしたとしても、ガラス基板の厚みの変化
、ラビング布のロット差、機械精度の経時的変化などの
ため必ずしも常に一定のラビング強度でラビングされる
補償はない。ラビング処理法による液晶分子の配向メカ
ニズムは完全に解明されていないが、ラビング処理によ
って配向膜表面にせん断応力が加わることで表面付近の
ポリマー鎖の配向が起こり、液晶分子がポリマー鎖の配
向に従って配列することが主要因と考えられている。 つまり液晶分子の配向に配向膜表面の配向状態が大きく
影響するにもかかわらず従来の液晶表示素子ではラビン
グされた配向膜としての配向状態の規定がなかった。
ラ回転数,基板の移動速度,押し込み量,ローラ径を一
定にしラビングしたとしても、ガラス基板の厚みの変化
、ラビング布のロット差、機械精度の経時的変化などの
ため必ずしも常に一定のラビング強度でラビングされる
補償はない。ラビング処理法による液晶分子の配向メカ
ニズムは完全に解明されていないが、ラビング処理によ
って配向膜表面にせん断応力が加わることで表面付近の
ポリマー鎖の配向が起こり、液晶分子がポリマー鎖の配
向に従って配列することが主要因と考えられている。 つまり液晶分子の配向に配向膜表面の配向状態が大きく
影響するにもかかわらず従来の液晶表示素子ではラビン
グされた配向膜としての配向状態の規定がなかった。
【0008】そのため、実際にパネルを組み立ててみる
までラビング処理工程の良否が判別できず、結果的に不
良率が増加するという問題点があった。すなわち基板面
内での配向膜のラビング状態が不均一だと、液晶分子の
プレチルト角がバラツキ、パネルとしてはしきい値ムラ
すなわち表示ムラ(色ムラ)となり表示品位の低下を引
き起こしてしまう。
までラビング処理工程の良否が判別できず、結果的に不
良率が増加するという問題点があった。すなわち基板面
内での配向膜のラビング状態が不均一だと、液晶分子の
プレチルト角がバラツキ、パネルとしてはしきい値ムラ
すなわち表示ムラ(色ムラ)となり表示品位の低下を引
き起こしてしまう。
【0009】本発明はかかる点に鑑み、高表示品位の液
晶表示素子およびその製造方法を提供することを目的と
する。
晶表示素子およびその製造方法を提供することを目的と
する。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達す
るため、基板上に透明電極層さらにその上にラビング処
理を施した配向膜を有する電極基板を相対向するように
配置した液晶表示素子において、少なくとも一方の配向
膜の複屈折量が0.2nm〜2nmの範囲としたもので
ある。
るため、基板上に透明電極層さらにその上にラビング処
理を施した配向膜を有する電極基板を相対向するように
配置した液晶表示素子において、少なくとも一方の配向
膜の複屈折量が0.2nm〜2nmの範囲としたもので
ある。
【0011】
【作用】本発明は上記した構成により、ラビングスジが
なくまた均一なプレチルト角で配向した表示品位の良い
パネルが得られる。また配向膜の複屈折量測定は、簡単
な工程であり量産性にも適しているため、製造の工程管
理項目として導入することで液晶表示素子の製造歩留ま
りの向上にも大きく貢献する。
なくまた均一なプレチルト角で配向した表示品位の良い
パネルが得られる。また配向膜の複屈折量測定は、簡単
な工程であり量産性にも適しているため、製造の工程管
理項目として導入することで液晶表示素子の製造歩留ま
りの向上にも大きく貢献する。
【0012】
【実施例】以下本発明の実施例について詳細に述べる。
図1は本発明の一実施例の液晶表示素子の断面図である
。各々400本の走査電極,640本の表示電極をスズ
を含む酸化インジウム透明電極(ITO電極)2,8を
形成した上下2枚の25×16cmのガラス基板1,9
を洗浄し、その後以下のポリアミック酸樹脂層あるいは
ポリピロメリット酸樹脂層を印刷で形成した。
。各々400本の走査電極,640本の表示電極をスズ
を含む酸化インジウム透明電極(ITO電極)2,8を
形成した上下2枚の25×16cmのガラス基板1,9
を洗浄し、その後以下のポリアミック酸樹脂層あるいは
ポリピロメリット酸樹脂層を印刷で形成した。
【0013】これらの配向膜溶液は加熱,重合してポリ
イミド樹脂層とするタイプで日産化学工業株式会社製の
SE150,SE4110,RN715およびチッソ石
油化学株式会社製のPSI−A−2101,PSI−A
−2201を用いた。
イミド樹脂層とするタイプで日産化学工業株式会社製の
SE150,SE4110,RN715およびチッソ石
油化学株式会社製のPSI−A−2101,PSI−A
−2201を用いた。
【0014】印刷後80℃で10分間乾燥しSE150
,SE4110,RN715は250℃で1時間、PS
I−A−2101,PSI−A−2201は200℃で
2時間本硬化を行ない、膜厚50nm〜70nmのポリ
イミドの配向膜を形成した。これらの配向膜をレーヨン
布を取り付けた直径150mmのローラでローラ回転数
500rpm,基板移動速度50mm/秒に設定し毛先
押し込み量を配向膜の種類により変化させ、すべての配
向膜3,4でラビング後の複屈折量が約1.0nmにな
るように、しかも液晶分子のねじれ角が240度となる
ラビング方向にラビング処理を行なった。
,SE4110,RN715は250℃で1時間、PS
I−A−2101,PSI−A−2201は200℃で
2時間本硬化を行ない、膜厚50nm〜70nmのポリ
イミドの配向膜を形成した。これらの配向膜をレーヨン
布を取り付けた直径150mmのローラでローラ回転数
500rpm,基板移動速度50mm/秒に設定し毛先
押し込み量を配向膜の種類により変化させ、すべての配
向膜3,4でラビング後の複屈折量が約1.0nmにな
るように、しかも液晶分子のねじれ角が240度となる
ラビング方向にラビング処理を行なった。
【0015】その後一方のガラス基板にビーズスペーサ
6を形成するビースを散布し、他方にシール樹脂5とな
るシール剤を印刷しパネルを組み立てた。シール剤は熱
硬化タイプで60℃で4時間その後150℃で3時間硬
化を行なった。市販のSTN液晶組成物7を真空注入し
パネルを完成した後、偏光板を貼りつけ1/200駆動
のモノクロ表示の液晶表示素子を完成した。これらのパ
ネル群をグループ1とする。
6を形成するビースを散布し、他方にシール樹脂5とな
るシール剤を印刷しパネルを組み立てた。シール剤は熱
硬化タイプで60℃で4時間その後150℃で3時間硬
化を行なった。市販のSTN液晶組成物7を真空注入し
パネルを完成した後、偏光板を貼りつけ1/200駆動
のモノクロ表示の液晶表示素子を完成した。これらのパ
ネル群をグループ1とする。
【0016】次に毛先押し込み量を配向膜の種類によっ
て変化させ、SE150,SE4110,RN715,
PSI−A−2101,PSI−A−2201すべての
配向膜でラビング後の複屈折量が各々約0.5nm,1
.5nm,2.0nm,0.2nm,2.3nm,0.
1nmになるようラビング処理をした以外はグループ1
のパネルと同様にしてパネルを完成した。
て変化させ、SE150,SE4110,RN715,
PSI−A−2101,PSI−A−2201すべての
配向膜でラビング後の複屈折量が各々約0.5nm,1
.5nm,2.0nm,0.2nm,2.3nm,0.
1nmになるようラビング処理をした以外はグループ1
のパネルと同様にしてパネルを完成した。
【0017】複屈折量が約0.5nm,1.5nm,2
.0nm,0.2nm,2.3nm,0.1nmのパネ
ル群を各々グループ2,グループ3,グループ4,グル
ープ5,グループ6,グループ7とする。これらグルー
プ1〜グループ7の全パネルを1/200駆動させた時
の表示品位を(表1)に○印,△印,×印で示す。
.0nm,0.2nm,2.3nm,0.1nmのパネ
ル群を各々グループ2,グループ3,グループ4,グル
ープ5,グループ6,グループ7とする。これらグルー
プ1〜グループ7の全パネルを1/200駆動させた時
の表示品位を(表1)に○印,△印,×印で示す。
【0018】
【表1】
【0019】○印は表示面に表示ムラあるいはラビング
キズ等欠陥のない表示品位の良好なパネルを示す。△印
は表示面に表示ムラあるいはラビングキズ等の欠陥が目
立つ表示品位の悪いパネルを示す。×印は表示ムラある
いはラビングキズ等の欠陥が非常に多く表示品位の非常
に悪いパネルを示す。
キズ等欠陥のない表示品位の良好なパネルを示す。△印
は表示面に表示ムラあるいはラビングキズ等の欠陥が目
立つ表示品位の悪いパネルを示す。×印は表示ムラある
いはラビングキズ等の欠陥が非常に多く表示品位の非常
に悪いパネルを示す。
【0020】以上本実施例から、配向膜のラビング処理
後の複屈折量を約0.2nm〜2nmの範囲に限定する
ことにより実施例のポリイミド配向膜いずれにおいても
表示品位の良好なパネルが得られた。しかし複屈折量が
約0.1nmではラビング強度が弱いため配向が不完全
になり表示面に表示ムラが目立つ品位の低いパネルに、
また複屈折量が2.3nmでは逆にラビング強度が強す
ぎたことにより表示面にラビングキズのある品位の低い
パネルとなった。配向膜の種類は塗布性,ラビング性,
配向規制力,化学的安定性からポリイミド配向膜が好ま
しい。
後の複屈折量を約0.2nm〜2nmの範囲に限定する
ことにより実施例のポリイミド配向膜いずれにおいても
表示品位の良好なパネルが得られた。しかし複屈折量が
約0.1nmではラビング強度が弱いため配向が不完全
になり表示面に表示ムラが目立つ品位の低いパネルに、
また複屈折量が2.3nmでは逆にラビング強度が強す
ぎたことにより表示面にラビングキズのある品位の低い
パネルとなった。配向膜の種類は塗布性,ラビング性,
配向規制力,化学的安定性からポリイミド配向膜が好ま
しい。
【0021】なお、ラビングのローラ径,ローラ回転数
,基板移動速度は本実施例に限定されるものではなく他
の条件であってもよい。また配向膜形成は印刷法以外で
あっても何等問題ない。パネル構成も必要があればアン
ダーコートあるいはオーバーコートを形成してもさしつ
かえない。ラビング処理後の配向膜の複屈折量が0.2
nm〜2nmに設定することにより本発明の効果が得ら
れることが重要である。
,基板移動速度は本実施例に限定されるものではなく他
の条件であってもよい。また配向膜形成は印刷法以外で
あっても何等問題ない。パネル構成も必要があればアン
ダーコートあるいはオーバーコートを形成してもさしつ
かえない。ラビング処理後の配向膜の複屈折量が0.2
nm〜2nmに設定することにより本発明の効果が得ら
れることが重要である。
【0022】
【発明の効果】以上のように本発明は、ラビング処理を
施した配向膜について、配向状態の評価量として複屈折
量を規定し、かつその値を0.2nm〜2nmの範囲に
することにより、表示ムラやラビングキズがない表示品
位の優れた液晶表示素子が得られた。また配向膜の複屈
折量測定は、簡単な工程であり量産性にも適しているた
め、ラビング処理後の配向膜の工程管理項目として導入
することで液晶表示素子の製造歩留まりの向上にも大き
く貢献する。
施した配向膜について、配向状態の評価量として複屈折
量を規定し、かつその値を0.2nm〜2nmの範囲に
することにより、表示ムラやラビングキズがない表示品
位の優れた液晶表示素子が得られた。また配向膜の複屈
折量測定は、簡単な工程であり量産性にも適しているた
め、ラビング処理後の配向膜の工程管理項目として導入
することで液晶表示素子の製造歩留まりの向上にも大き
く貢献する。
【図1】本発明の一実施例にかかる液晶表示素子の構造
を示す断面図
を示す断面図
1,9 ガラス基板
2,8 ITO電極
3,4 配向膜
5 シール樹脂
6 ビーズスペーサ
7 STN液晶
Claims (5)
- 【請求項1】基板上に透明電極層さらにその上にラビン
グ処理された配向膜を有する電極基板を相対向するよう
に配置した液晶表示素子において、前記配向膜の複屈折
量が0.2nm〜2nmの範囲であることを特徴とする
液晶表示素子。 - 【請求項2】配向膜がポリイミドの有機高分子膜からな
る請求項1記載の液晶表示素子。 - 【請求項3】相対向するように配置した基板間に液晶分
子のねじれ角を120度〜290度とするネマチック液
晶を介在させたことを特徴とする請求項1記載の液晶表
示素子。 - 【請求項4】基板上に透明電極層さらにその上に配向膜
を有する電極基板を相対向するように配置する液晶表示
素子の製造方法であって、前記配向膜のラビング処理後
の複屈折量が0.2nm〜2nmの範囲になるようラビ
ング処理することを特徴とする液晶表示素子の製造方法
。 - 【請求項5】相対向するように配置した基板間に液晶分
子のねじれ角を120度〜290度とするネマチック液
晶を介在させたことを特徴とする請求項4記載の液晶表
示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13091691A JPH04355724A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13091691A JPH04355724A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04355724A true JPH04355724A (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=15045738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13091691A Pending JPH04355724A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04355724A (ja) |
-
1991
- 1991-06-03 JP JP13091691A patent/JPH04355724A/ja active Pending
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