JPH04349642A - Ｔａｂ用バンプの形成方法 - Google Patents
Ｔａｂ用バンプの形成方法Info
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- JPH04349642A JPH04349642A JP3121608A JP12160891A JPH04349642A JP H04349642 A JPH04349642 A JP H04349642A JP 3121608 A JP3121608 A JP 3121608A JP 12160891 A JP12160891 A JP 12160891A JP H04349642 A JPH04349642 A JP H04349642A
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Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 3
- 238000013518 transcription Methods 0.000 abstract 3
- 230000035897 transcription Effects 0.000 abstract 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＴＡＢ実装に用いるフ
ィルムキャリアにバンプを形成する方法に関するもので
ある。
ィルムキャリアにバンプを形成する方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップの薄型化実装の方式として、
フィルムキャリアを用いたＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔ
ｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）実装技術が採用され
ている。このＴＡＢにおいてはバンプを介してＩＣチッ
プとフィルムキャリアのインナーリード部とを直接接続
することができるものであり、ワイヤボンディングの場
合のようなワイヤが不要になる。
フィルムキャリアを用いたＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔ
ｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）実装技術が採用され
ている。このＴＡＢにおいてはバンプを介してＩＣチッ
プとフィルムキャリアのインナーリード部とを直接接続
することができるものであり、ワイヤボンディングの場
合のようなワイヤが不要になる。
【０００３】図４はＴＡＢ実装の一般的な例を示すもの
であり、フィルムキャリア３はポリイミドフィルムなど
の絶縁フィルム１０に銅箔等の金属箔を積層し、絶縁フ
ィルム１０に穴１１をあけると共にこの部分に金属箔の
一部を突出させてリード部４を設けて形成されるもので
ある。そして図４（ａ）の例では、ＩＣチップ１２の端
子部に金などを盛り上げてバンプＡを設けてあり、この
バンプＡにフィルムキャリア３のリード部４を接合する
ようにしてある。このようにＩＣチップ１２にバンプＡ
を形成するにあたっては、アンダーバイヤメタル形成、
レジスト形成、金メッキ、レジスト除去、アンダーバイ
ヤメタルエッチングなどの工程を経ておこなうことがで
きる。また図４（ｂ）の例では、フィルムキャリア３の
リード部４の先端部に金などを盛り上げてバンプＡを設
けてあり、このバンプＡにＩＣチップ１２の端子部を接
合するようにしてある。このようにフィルムキャリア３
のリード部４にバンプＡを形成するにあたっては、金バ
ンプを上記と同様の工程、すなわちレジストコート、露
光、現像、メッキ、エッチングの工程でガラス基板の上
に設け、これをリード部４の表面に転写することによっ
ておこなうことができる。さらに図４（ｃ）の例では、
フィルムキャリア３のリード部４の先端部にエッチング
加工を施すことによって一般にメサバンプ方式と呼ばれ
る方法でバンプＡを形成し、このバンプＡにＩＣチップ
１０の端子部を接合するようにしてある。
であり、フィルムキャリア３はポリイミドフィルムなど
の絶縁フィルム１０に銅箔等の金属箔を積層し、絶縁フ
ィルム１０に穴１１をあけると共にこの部分に金属箔の
一部を突出させてリード部４を設けて形成されるもので
ある。そして図４（ａ）の例では、ＩＣチップ１２の端
子部に金などを盛り上げてバンプＡを設けてあり、この
バンプＡにフィルムキャリア３のリード部４を接合する
ようにしてある。このようにＩＣチップ１２にバンプＡ
を形成するにあたっては、アンダーバイヤメタル形成、
レジスト形成、金メッキ、レジスト除去、アンダーバイ
ヤメタルエッチングなどの工程を経ておこなうことがで
きる。また図４（ｂ）の例では、フィルムキャリア３の
リード部４の先端部に金などを盛り上げてバンプＡを設
けてあり、このバンプＡにＩＣチップ１２の端子部を接
合するようにしてある。このようにフィルムキャリア３
のリード部４にバンプＡを形成するにあたっては、金バ
ンプを上記と同様の工程、すなわちレジストコート、露
光、現像、メッキ、エッチングの工程でガラス基板の上
に設け、これをリード部４の表面に転写することによっ
ておこなうことができる。さらに図４（ｃ）の例では、
フィルムキャリア３のリード部４の先端部にエッチング
加工を施すことによって一般にメサバンプ方式と呼ばれ
る方法でバンプＡを形成し、このバンプＡにＩＣチップ
１０の端子部を接合するようにしてある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うにバンプＡを形成するにあたっては、図４（ａ）（ｂ
）のものでは多大の工程と時間を要し、また図４（ｃ）
のものではエッチング条件や寸法精度の安定性などに課
題があり、いずれも生産性が悪くてコストアップになる
という問題があった。
うにバンプＡを形成するにあたっては、図４（ａ）（ｂ
）のものでは多大の工程と時間を要し、また図４（ｃ）
のものではエッチング条件や寸法精度の安定性などに課
題があり、いずれも生産性が悪くてコストアップになる
という問題があった。
【０００５】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、生産性良く安価なコストでバンプを形成すること
ができるＴＢＡ用バンプの形成方法を提供することを目
的とするものである。
あり、生産性良く安価なコストでバンプを形成すること
ができるＴＢＡ用バンプの形成方法を提供することを目
的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＴＢＡ用バ
ンプの形成方法は、導電ペースト１をペースト転写用ポ
ンチ２に付着させた後、フィルムキャリア３のリード部
４の表面に転写用ポンチ２から導電ペースト１を転写さ
せ、次いでこの導電ペースト１を乾燥・硬化させること
を特徴とするものである。
ンプの形成方法は、導電ペースト１をペースト転写用ポ
ンチ２に付着させた後、フィルムキャリア３のリード部
４の表面に転写用ポンチ２から導電ペースト１を転写さ
せ、次いでこの導電ペースト１を乾燥・硬化させること
を特徴とするものである。
【０００７】
【作用】フィルムキャリア３のリード部４の表面に転写
用ポンチ２から導電ペースト１を転写させ、次いでこの
導電ペースト１を乾燥・硬化させるようにしているため
に、多くの工程やエッチングなどの工程を必要とするこ
となく転写や乾燥の工程だけでバンプ形成をおこなうこ
とができる。
用ポンチ２から導電ペースト１を転写させ、次いでこの
導電ペースト１を乾燥・硬化させるようにしているため
に、多くの工程やエッチングなどの工程を必要とするこ
となく転写や乾燥の工程だけでバンプ形成をおこなうこ
とができる。
【０００８】
【実施例】以下本発明を実施例によって詳述する。フィ
ルムキャリア３はポリイミドフィルムなどの絶縁フィル
ム１０に接着剤によって銅箔等の金属箔をラミネートす
ると共に、金属箔をエッチング加工してパターン形成す
ることによってリード部４を設けることによって作成さ
れるものであり、リード部４としては例えばＩＣチップ
に接続されるインナーリード部４ａと例えば外部端子に
接続されるアウターリード部４ｂとが形成されるもので
ある。
ルムキャリア３はポリイミドフィルムなどの絶縁フィル
ム１０に接着剤によって銅箔等の金属箔をラミネートす
ると共に、金属箔をエッチング加工してパターン形成す
ることによってリード部４を設けることによって作成さ
れるものであり、リード部４としては例えばＩＣチップ
に接続されるインナーリード部４ａと例えば外部端子に
接続されるアウターリード部４ｂとが形成されるもので
ある。
【０００９】しかしてこのように作成されるフィルムキ
ャリア３にバンプＡを形成するにあたっては、先ず図１
（ａ）（ｂ）に示すように導電ペースト１を平板１３の
上に薄く均一な厚みで塗布する。導電ペースト１として
は金又は半田を導電剤としたペーストを用いることがで
き、さらに溶剤を含有させてある。このとき、半田を導
電剤とする半田ペーストを用いる場合、ハロゲン系０．
２０％程度含有するフラックスを配合することもできる
が、洗浄が不要な無洗浄タイプにするためにはハロゲン
系０．３０％以下のフラックスを用いて配合するのがよ
い。また図１（ａ）のようにスキージ１４を用いて導電
ペースト１を平板１３に塗布する場合、スキージ１４の
先端縁に図２に示すような所望の塗布厚さに見合う深さ
の溝１５を設けておくことによって、図１（ｂ）のよう
に導電ペースト１を所定の均一な厚みで塗布することが
できる。
ャリア３にバンプＡを形成するにあたっては、先ず図１
（ａ）（ｂ）に示すように導電ペースト１を平板１３の
上に薄く均一な厚みで塗布する。導電ペースト１として
は金又は半田を導電剤としたペーストを用いることがで
き、さらに溶剤を含有させてある。このとき、半田を導
電剤とする半田ペーストを用いる場合、ハロゲン系０．
２０％程度含有するフラックスを配合することもできる
が、洗浄が不要な無洗浄タイプにするためにはハロゲン
系０．３０％以下のフラックスを用いて配合するのがよ
い。また図１（ａ）のようにスキージ１４を用いて導電
ペースト１を平板１３に塗布する場合、スキージ１４の
先端縁に図２に示すような所望の塗布厚さに見合う深さ
の溝１５を設けておくことによって、図１（ｂ）のよう
に導電ペースト１を所定の均一な厚みで塗布することが
できる。
【００１０】また、ペースト転写用ポンチ２はフィルム
キャリア３の各リード部４のバンプＡを形成すべき箇所
に対応した配置で転写用突部１６を下面に突出して設け
て図３（ａ）のように形成されるものであり、例えば電
鋳方式で作成したものを用いることがでる。すなわち、
図３（ｂ）に示すように、フィルムキャリア３の各リー
ド部４のバンプＡを形成すべき箇所に対応した配置で母
型１７にドリル加工等を施すことによって穴１８を設け
ておき、この穴１８付きの母型１７を用いて電鋳加工を
おこない、さらに切削等の仕上げ加工をおこなうことに
よって、ペースト転写用ポンチ２を簡便に何個でも製作
することができるものである。上記転写用突部１６の先
端面の大きさは形成すべきバンプＡの大きさに適合させ
るように設定されるものである。
キャリア３の各リード部４のバンプＡを形成すべき箇所
に対応した配置で転写用突部１６を下面に突出して設け
て図３（ａ）のように形成されるものであり、例えば電
鋳方式で作成したものを用いることがでる。すなわち、
図３（ｂ）に示すように、フィルムキャリア３の各リー
ド部４のバンプＡを形成すべき箇所に対応した配置で母
型１７にドリル加工等を施すことによって穴１８を設け
ておき、この穴１８付きの母型１７を用いて電鋳加工を
おこない、さらに切削等の仕上げ加工をおこなうことに
よって、ペースト転写用ポンチ２を簡便に何個でも製作
することができるものである。上記転写用突部１６の先
端面の大きさは形成すべきバンプＡの大きさに適合させ
るように設定されるものである。
【００１１】そしてこのペースト転写用ポンチ２を用い
、図１（ｃ）（ｄ）のようにペースト転写用ポンチ２を
平板１３の上に押し当てることによってペースト転写用
ポンチ２の転写用突部１６の先端に導電ペースト１を付
着させ、次に図１（ｅ）（ｆ）のようにペースト転写用
ポンチ２をフィルムキャリア３の上に押し当て、各リー
ド部４の表面に導電ペースト１を転写させる。そしてこ
の転写させた導電ペースト１を加熱して乾燥して溶剤を
蒸発させると共に硬化させることによって、リード部４
にバンプＡを形成することができるものである。バンプ
Ａの盛り上げ高さは１５〜１００μ程度が好ましい。 ここで、バンプＡの形成は、リード部４のインナーリー
ド部４ａのみにおこなったり、アウターリード部４ｂの
みにおこなったりすることもできるが、上記実施例のよ
うにインナーリード部４ａとアウターリード部４ｂに同
時にバンプＡを形成することによって、能率良くバンプ
Ａの作成をおこなうことができる。
、図１（ｃ）（ｄ）のようにペースト転写用ポンチ２を
平板１３の上に押し当てることによってペースト転写用
ポンチ２の転写用突部１６の先端に導電ペースト１を付
着させ、次に図１（ｅ）（ｆ）のようにペースト転写用
ポンチ２をフィルムキャリア３の上に押し当て、各リー
ド部４の表面に導電ペースト１を転写させる。そしてこ
の転写させた導電ペースト１を加熱して乾燥して溶剤を
蒸発させると共に硬化させることによって、リード部４
にバンプＡを形成することができるものである。バンプ
Ａの盛り上げ高さは１５〜１００μ程度が好ましい。 ここで、バンプＡの形成は、リード部４のインナーリー
ド部４ａのみにおこなったり、アウターリード部４ｂの
みにおこなったりすることもできるが、上記実施例のよ
うにインナーリード部４ａとアウターリード部４ｂに同
時にバンプＡを形成することによって、能率良くバンプ
Ａの作成をおこなうことができる。
【００１２】
【発明の効果】上記のように本発明は、導電ペーストを
ペースト転写用ポンチに付着させた後、フィルムキャリ
アのリード部の表面に転写用ポンチから導電ペーストを
転写させ、次いでこの導電ペーストを乾燥・硬化させる
ようにしたので、転写や乾燥の工程だけでバンプ形成を
おこなうことができ、多くの工程やエッチングなどの工
程を必要とすることなく生産性良く安価なコストでバン
プを形成することができるものである。
ペースト転写用ポンチに付着させた後、フィルムキャリ
アのリード部の表面に転写用ポンチから導電ペーストを
転写させ、次いでこの導電ペーストを乾燥・硬化させる
ようにしたので、転写や乾燥の工程だけでバンプ形成を
おこなうことができ、多くの工程やエッチングなどの工
程を必要とすることなく生産性良く安価なコストでバン
プを形成することができるものである。
【図１】本発明の一実施例の各工程を示す断面図である
。
。
【図２】本発明に用いるスキージの一実施例の斜視図で
ある。
ある。
【図３】本発明に用いるペースト転写用ポンチと母型を
示すものであり（ａ）はペースト転写用ポンチの下側を
示す斜視図、（ｂ）は母型の斜視図である。
示すものであり（ａ）はペースト転写用ポンチの下側を
示す斜視図、（ｂ）は母型の斜視図である。
【図４】従来例におけるフィルムキャリアとＩＣチップ
とのＴＡＢ実装を示すものであり、（ａ），（ｂ），（
ｃ）はそれぞれ分解断面図である。
とのＴＡＢ実装を示すものであり、（ａ），（ｂ），（
ｃ）はそれぞれ分解断面図である。
１ 導電ペースト
２ ペースト転写用ポンチ
３ フィルムキャリア
４ リード部
Claims (1)
- 【請求項１】 導電ペーストをペースト転写用ポンチ
に付着させた後、フィルムキャリアのリード部の表面に
転写用ポンチから導電ペーストを転写させ、次いでこの
導電ペーストを乾燥・硬化させることを特徴とするＴＡ
Ｂ用バンプの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3121608A JPH04349642A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | Ｔａｂ用バンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3121608A JPH04349642A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | Ｔａｂ用バンプの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04349642A true JPH04349642A (ja) | 1992-12-04 |
Family
ID=14815469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3121608A Withdrawn JPH04349642A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | Ｔａｂ用バンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04349642A (ja) |
-
1991
- 1991-05-28 JP JP3121608A patent/JPH04349642A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |