JPH04338551A - オリフィスプレートの製造方法 - Google Patents
オリフィスプレートの製造方法Info
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- JPH04338551A JPH04338551A JP11058391A JP11058391A JPH04338551A JP H04338551 A JPH04338551 A JP H04338551A JP 11058391 A JP11058391 A JP 11058391A JP 11058391 A JP11058391 A JP 11058391A JP H04338551 A JPH04338551 A JP H04338551A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、オリフィスプレートの
製造方法に係り、特にインクジェットプリンタの吐出部
を形成するオリフィスプレートの製造方法に関するもの
である。
製造方法に係り、特にインクジェットプリンタの吐出部
を形成するオリフィスプレートの製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、インクジェットプリンタのインク
吐出部を形成するオリフィスプレートは、電鋳法により
製造されている。その原盤は、導電性基板上に非導電性
のフォトレジストをマスクとして用いたものである。以
下、図３に基づいて、具体的に説明する。
吐出部を形成するオリフィスプレートは、電鋳法により
製造されている。その原盤は、導電性基板上に非導電性
のフォトレジストをマスクとして用いたものである。以
下、図３に基づいて、具体的に説明する。
【０００３】図示されているように、まず、導電性基板
１上にフォトレジスト２を塗布した後、該フォトレジス
ト２の表面側からフォトマスク３を介して紫外線４を照
射する（図３（ａ））。次に、これを現像液内で現像し
た後、ベーキング処理を行ない安定させると、上記導電
性基板１上にフォトレジストパターン２ａが形成される
（図３（ｂ））。
１上にフォトレジスト２を塗布した後、該フォトレジス
ト２の表面側からフォトマスク３を介して紫外線４を照
射する（図３（ａ））。次に、これを現像液内で現像し
た後、ベーキング処理を行ない安定させると、上記導電
性基板１上にフォトレジストパターン２ａが形成される
（図３（ｂ））。
【０００４】そして、このフォトレジストパターン２ａ
の形成された導電性基板１の導電体露出部のみに、離型
被膜５を被覆し原盤を形成する。その後、この膜５の上
に電鋳法により電鋳膜６を必要量だけ電着する（図３（
ｃ））。その後、上記電鋳膜６を基板１より剥離させる
と、オリフィスプレート７が製造される（図３（ｄ））
。
の形成された導電性基板１の導電体露出部のみに、離型
被膜５を被覆し原盤を形成する。その後、この膜５の上
に電鋳法により電鋳膜６を必要量だけ電着する（図３（
ｃ））。その後、上記電鋳膜６を基板１より剥離させる
と、オリフィスプレート７が製造される（図３（ｄ））
。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のオリ
フィスプレートの製造方法にあっては、電鋳時のマスク
剤として非常に軟らかいフォトレジスト２を用いている
ので、電鋳膜６の形成後にこれを剥離する際に、電鋳膜
６にフォトレジスト２が一部付着して欠落し、上記基板
１上のフォトレジストパターン２ａが損傷することがあ
った。従って、フォトレジストパターン２ａの形成され
た導電性基板１を重複使用することができず、製造コス
トが上昇するという問題があった。
フィスプレートの製造方法にあっては、電鋳時のマスク
剤として非常に軟らかいフォトレジスト２を用いている
ので、電鋳膜６の形成後にこれを剥離する際に、電鋳膜
６にフォトレジスト２が一部付着して欠落し、上記基板
１上のフォトレジストパターン２ａが損傷することがあ
った。従って、フォトレジストパターン２ａの形成され
た導電性基板１を重複使用することができず、製造コス
トが上昇するという問題があった。
【０００６】また、製造工程中にフォトレジストパター
ン２ａを有する基板１を汚染したとき、このフォトレジ
ストパターン２ａは洗浄力の強い有機溶剤アルカリ性水
溶液に対して溶解性があり、該アルカリ性水溶液を使用
することができないので、十分な汚染除去を行うことが
できず、品質が低下するという問題があった。本発明の
目的は、上記課題に鑑みて、マスク剤の形成された基板
を重複使用することができ、オリフィスプレートの品質
向上と製造コストの低下を図ることができる、オリフィ
スプレートの製造方法を提供するにある。
ン２ａを有する基板１を汚染したとき、このフォトレジ
ストパターン２ａは洗浄力の強い有機溶剤アルカリ性水
溶液に対して溶解性があり、該アルカリ性水溶液を使用
することができないので、十分な汚染除去を行うことが
できず、品質が低下するという問題があった。本発明の
目的は、上記課題に鑑みて、マスク剤の形成された基板
を重複使用することができ、オリフィスプレートの品質
向上と製造コストの低下を図ることができる、オリフィ
スプレートの製造方法を提供するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明に係
るオリフィスプレートの製造方法によれば、導電性基板
の表面上に非導電層を被着させて形成し、該非導電層上
にフォトレジストパターンを形成した後、露出している
上記非導電層を上記基板が露出するまでエッチングし、
その後上記フォトレジストパターンを除去して、上記非
導電層パターンが密着された基板を作製し、これを原盤
として電鋳法により電鋳膜を被着、剥離して製造するこ
とにより達成される。
るオリフィスプレートの製造方法によれば、導電性基板
の表面上に非導電層を被着させて形成し、該非導電層上
にフォトレジストパターンを形成した後、露出している
上記非導電層を上記基板が露出するまでエッチングし、
その後上記フォトレジストパターンを除去して、上記非
導電層パターンが密着された基板を作製し、これを原盤
として電鋳法により電鋳膜を被着、剥離して製造するこ
とにより達成される。
【０００８】
【作用】上記構成によれば、導電性基板の表面に非導電
層パターンが密着して形成された原盤を用いて電鋳を行
なうと、導電性の良い部分にのみ電鋳膜が形成され、該
電鋳膜が所定の厚みに達した後、基板より剥離する。上
記非導電層パターンは上記基板との密着性が良く、又、
それ自体の機械的強度も強いので、該非導電層パターン
が損傷することが無い。
層パターンが密着して形成された原盤を用いて電鋳を行
なうと、導電性の良い部分にのみ電鋳膜が形成され、該
電鋳膜が所定の厚みに達した後、基板より剥離する。上
記非導電層パターンは上記基板との密着性が良く、又、
それ自体の機械的強度も強いので、該非導電層パターン
が損傷することが無い。
【０００９】従って、上記非導電層パターンの形成され
た基板は重複使用に耐え、これによって製造されるオリ
フィスプレートの品質向上と製造コストの低下に寄与す
るものである。
た基板は重複使用に耐え、これによって製造されるオリ
フィスプレートの品質向上と製造コストの低下に寄与す
るものである。
【００１０】
【実施例】以下、本発明に係るオリフィスプレートの製
造方法の一実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する
。図１はインクジェットプリンタのインク吐出部の斜視
図である。図示されているように、インクを内部に収容
する複数のインク室１０の一側壁は、オリフィスプレー
ト１１によって区画形成されている。このオリフィスプ
レート１１には、複数のオリフィス１２が形成されてお
り、各オリフィス１２はそれぞれ各インク室１０に接続
されている。インクの吐出は、インク室１０内に収容さ
れたインクが例えば、圧電法、加熱法、バブル法等によ
り圧力を受けて、上記オリフィスプレート１１のオリフ
ィス１２から押し出されることによって行われる。即ち
、外部からの信号に対応してインクを吐出することによ
り、インクジェットプリンタは所望の印字を行なうもの
である。
造方法の一実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する
。図１はインクジェットプリンタのインク吐出部の斜視
図である。図示されているように、インクを内部に収容
する複数のインク室１０の一側壁は、オリフィスプレー
ト１１によって区画形成されている。このオリフィスプ
レート１１には、複数のオリフィス１２が形成されてお
り、各オリフィス１２はそれぞれ各インク室１０に接続
されている。インクの吐出は、インク室１０内に収容さ
れたインクが例えば、圧電法、加熱法、バブル法等によ
り圧力を受けて、上記オリフィスプレート１１のオリフ
ィス１２から押し出されることによって行われる。即ち
、外部からの信号に対応してインクを吐出することによ
り、インクジェットプリンタは所望の印字を行なうもの
である。
【００１１】次に、図２に基づいて本発明に係るオリフ
ィスプレートの製造方法を説明する。まず、例えば、ス
テンレス板等の導電性基板２０上に、例えば、スパッタ
法、蒸着法、イオンプレーティング法等の真空成膜法や
ゾルゲル法等でＳｉＯ２ 等の酸化物２１を被着させて
形成する。（図２（ａ））。
ィスプレートの製造方法を説明する。まず、例えば、ス
テンレス板等の導電性基板２０上に、例えば、スパッタ
法、蒸着法、イオンプレーティング法等の真空成膜法や
ゾルゲル法等でＳｉＯ２ 等の酸化物２１を被着させて
形成する。（図２（ａ））。
【００１２】次に、酸化物２１が表面に形成された導電
性基板２０上に、周知のフォトリソグラフィー技術によ
り、フォトレジストパターン２２を形成する（図２（ｂ
））。そして、ドライエッチング装置中で、例えばＣＦ
４ ガスなどのエッチングガスを用いて、露出している
酸化物２１を導電性基板２０の表面が露出するまでエッ
チングする。続いて、同装置内で、内部ガスをＯ２ ガ
スに置換し、上記フォトレジストパターン２２をアッシ
ング除去すれば、導電性基板２０上に酸化物パターン２
１ａが形成される。（図２（ｃ））。
性基板２０上に、周知のフォトリソグラフィー技術によ
り、フォトレジストパターン２２を形成する（図２（ｂ
））。そして、ドライエッチング装置中で、例えばＣＦ
４ ガスなどのエッチングガスを用いて、露出している
酸化物２１を導電性基板２０の表面が露出するまでエッ
チングする。続いて、同装置内で、内部ガスをＯ２ ガ
スに置換し、上記フォトレジストパターン２２をアッシ
ング除去すれば、導電性基板２０上に酸化物パターン２
１ａが形成される。（図２（ｃ））。
【００１３】その後、酸化物パターン２１ａの形成され
た基板２０上に、離型被膜２３を形成する。この時、ア
ルカリ溶液中の陽極酸化法等で離型被膜２３を作製すれ
ば、該離型被膜２３は上記基板２０の導電体露出部のみ
に形成される（図２（ｄ））。また、この離型被膜２３
は、例えば、ニッカノンタック（日本化学産業株式会社
製）等の高分子被膜を用いれば、上記基板２０の導電体
露出部だけでなく酸化物パターン２１ａ上にもで形成さ
れる（図２（ｅ））。
た基板２０上に、離型被膜２３を形成する。この時、ア
ルカリ溶液中の陽極酸化法等で離型被膜２３を作製すれ
ば、該離型被膜２３は上記基板２０の導電体露出部のみ
に形成される（図２（ｄ））。また、この離型被膜２３
は、例えば、ニッカノンタック（日本化学産業株式会社
製）等の高分子被膜を用いれば、上記基板２０の導電体
露出部だけでなく酸化物パターン２１ａ上にもで形成さ
れる（図２（ｅ））。
【００１４】そして、このように離型被膜２３の被覆さ
れた基板２０を、例えばスルファミン酸ニッケル浴等の
電鋳液に浸漬し、ニッケルの電鋳膜２４を必要量だけ電
着する（図２（ｆ））。最後に、電鋳膜２４を基板２０
より剥離させると、オリフィスプレート１１が製造され
る（図２（ｇ））。
れた基板２０を、例えばスルファミン酸ニッケル浴等の
電鋳液に浸漬し、ニッケルの電鋳膜２４を必要量だけ電
着する（図２（ｆ））。最後に、電鋳膜２４を基板２０
より剥離させると、オリフィスプレート１１が製造され
る（図２（ｇ））。
【００１５】この電鋳膜２４を剥離する際、上記基板２
０と酸化物パターン２１ａとは、そのまま密着した状態
で剥離されるので、その原形（図２（ｃ）の状態）を維
持したままで、電鋳膜２４を剥離することができる。上
記離型被膜２３はその剥離を行う際に、一部損傷するこ
とがある。従って、再度電鋳工程を行う際は、上記基板
２０上に残留した離型被膜２３が酸化被膜であれば、こ
れを酸性溶液に浸漬し、高分子膜であれば有機溶剤に浸
漬し、溶解して完全に除去した後、新たに離型被膜２３
を被覆して、同様の工程でオリフィスプレートを製造す
るものである。
０と酸化物パターン２１ａとは、そのまま密着した状態
で剥離されるので、その原形（図２（ｃ）の状態）を維
持したままで、電鋳膜２４を剥離することができる。上
記離型被膜２３はその剥離を行う際に、一部損傷するこ
とがある。従って、再度電鋳工程を行う際は、上記基板
２０上に残留した離型被膜２３が酸化被膜であれば、こ
れを酸性溶液に浸漬し、高分子膜であれば有機溶剤に浸
漬し、溶解して完全に除去した後、新たに離型被膜２３
を被覆して、同様の工程でオリフィスプレートを製造す
るものである。
【００１６】以上、オリフィスプレートの製造工程を説
明したが、工程の途中で基板２０の表面が汚染されても
、上記基板２０と酸化物パターン２１ａとが強固に密着
されており、又、該酸化物パターン２１ａはアルカリ性
水溶液に不溶であるので、洗浄力の強いアルカリ水溶液
中において電解洗浄を行うことができる。従って、上記
基板２０の表面を再び清浄な表面にすることができるの
で、上記オリフィスプレート１１の品質の安定性を確保
することができる。
明したが、工程の途中で基板２０の表面が汚染されても
、上記基板２０と酸化物パターン２１ａとが強固に密着
されており、又、該酸化物パターン２１ａはアルカリ性
水溶液に不溶であるので、洗浄力の強いアルカリ水溶液
中において電解洗浄を行うことができる。従って、上記
基板２０の表面を再び清浄な表面にすることができるの
で、上記オリフィスプレート１１の品質の安定性を確保
することができる。
【００１７】次に、上記実施例における作用を述べる。
上述のように、ステンレス等の上記導電性基板２０の表
面には、ＳｉＯ２ 等の非導電性の酸化物パターン２１
ａが密着して形成されている。このように酸化物パター
ン２１ａが形成された基板２０を原盤とし、該原盤を用
いて電鋳を行なうと、導電性の良い基板２０上にのみ電
鋳膜２４が形成され、該電鋳膜２４が所定の厚みに達し
た後、上記基板２０より剥離する。
面には、ＳｉＯ２ 等の非導電性の酸化物パターン２１
ａが密着して形成されている。このように酸化物パター
ン２１ａが形成された基板２０を原盤とし、該原盤を用
いて電鋳を行なうと、導電性の良い基板２０上にのみ電
鋳膜２４が形成され、該電鋳膜２４が所定の厚みに達し
た後、上記基板２０より剥離する。
【００１８】上記酸化物パターン２１ａは上記基板２０
との密着性が非常に良く、又、それ自体の機械的強度も
強く、耐有機溶剤性、耐アルカリ溶液性に優れる。従っ
て、上記酸化層パターン２１ａが損傷することが無く、
該酸化層パターン２１ａの形成された基板２０は重複使
用に耐える。その結果、これを原盤としてオリフィスプ
レート１１を製造することにより、高品質のオリフィス
プレート１１を多量かつ安価に製造することができるも
のである。
との密着性が非常に良く、又、それ自体の機械的強度も
強く、耐有機溶剤性、耐アルカリ溶液性に優れる。従っ
て、上記酸化層パターン２１ａが損傷することが無く、
該酸化層パターン２１ａの形成された基板２０は重複使
用に耐える。その結果、これを原盤としてオリフィスプ
レート１１を製造することにより、高品質のオリフィス
プレート１１を多量かつ安価に製造することができるも
のである。
【００１９】尚、本実施例にあっては、非導電物として
ＳｉＯ２ を用いたが、例えば、ＭｇＯ，Ａｌ２ Ｏ３
またはＴｉＯ２等の他の酸化物、ＡｌＮ，ＳｉＮ等の
窒化物、またはそれらの混合物であるＳｉＡｌＯＮ等を
用いても良い。さらに、非導電性な金属化合物ならば何
を用いても良い。また、本実施例にあっては、導電性基
板２０としてステンレス等の金属を用いたが、例えばガ
ラス，セラミックス等の不導体上に、例えばＮｉ，Ｃｒ
等の導電性の金属をスパッタ蒸着法等で形成した基板で
も良い。
ＳｉＯ２ を用いたが、例えば、ＭｇＯ，Ａｌ２ Ｏ３
またはＴｉＯ２等の他の酸化物、ＡｌＮ，ＳｉＮ等の
窒化物、またはそれらの混合物であるＳｉＡｌＯＮ等を
用いても良い。さらに、非導電性な金属化合物ならば何
を用いても良い。また、本実施例にあっては、導電性基
板２０としてステンレス等の金属を用いたが、例えばガ
ラス，セラミックス等の不導体上に、例えばＮｉ，Ｃｒ
等の導電性の金属をスパッタ蒸着法等で形成した基板で
も良い。
【００２０】さらに、本実施例にあっては、電鋳液とし
てスルファミン酸ニッケル浴を用いたが、例えば、硫酸
銅浴等の他の電鋳液を用いても良い。
てスルファミン酸ニッケル浴を用いたが、例えば、硫酸
銅浴等の他の電鋳液を用いても良い。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係るオリフ
ィスプレートの製造方法によれば、マスク剤の形成され
た基板を重複使用することができ、オリフィスプレート
の品質向上と製造コストの低下を図ることができる、と
いう優れた効果を発揮する。
ィスプレートの製造方法によれば、マスク剤の形成され
た基板を重複使用することができ、オリフィスプレート
の品質向上と製造コストの低下を図ることができる、と
いう優れた効果を発揮する。
【図１】インクジェットプリンタの吐出部を示す斜視図
である。
である。
【図２】本発明に係るオリフィスプレートの製造方法を
経時的に示す説明図である。
経時的に示す説明図である。
【図３】従来のオリフィスプレートの製造方法を経時的
に示す説明図である。
に示す説明図である。
１１…オリフィスプレート
２０…基板
２１…酸化物
２１ａ…酸化物パターン
Claims (1)
- 【請求項１】 導電性基板の表面上に非導電層を被着
させて形成し、該非導電層上にフォトレジストパターン
を形成した後、露出している上記非導電層を上記基板が
露出するまでエッチングし、その後上記フォトレジスト
パターンを除去して、上記非導電層パターンが密着され
た基板を作製し、これを原盤として電鋳法により電鋳膜
を被着、剥離したことを特徴とするオリフィスプレート
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058391A JPH04338551A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | オリフィスプレートの製造方法 |
| US07/874,009 US5277783A (en) | 1991-05-15 | 1992-04-27 | Manufacturing method for orifice plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058391A JPH04338551A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | オリフィスプレートの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04338551A true JPH04338551A (ja) | 1992-11-25 |
Family
ID=14539527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11058391A Pending JPH04338551A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | オリフィスプレートの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04338551A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5539982A (en) * | 1992-03-03 | 1996-07-30 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing an ink jet recording head |
| US8372253B2 (en) | 2009-12-07 | 2013-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium, method of manufacturing the same, and magnetic read/write apparatus |
-
1991
- 1991-05-15 JP JP11058391A patent/JPH04338551A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5539982A (en) * | 1992-03-03 | 1996-07-30 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing an ink jet recording head |
| US5923351A (en) * | 1992-03-03 | 1999-07-13 | Seiko Epson Corporation | Vibrating plate for an ink jet recording head which causes ink to be discharged from a pressure chamber when vibrated by a vibrator |
| US8372253B2 (en) | 2009-12-07 | 2013-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium, method of manufacturing the same, and magnetic read/write apparatus |
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