JPH04338550A - オリフィスプレートの製造方法 - Google Patents
オリフィスプレートの製造方法Info
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- JPH04338550A JPH04338550A JP11058291A JP11058291A JPH04338550A JP H04338550 A JPH04338550 A JP H04338550A JP 11058291 A JP11058291 A JP 11058291A JP 11058291 A JP11058291 A JP 11058291A JP H04338550 A JPH04338550 A JP H04338550A
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、オリフィスプレートの
製造方法に係り、特にインクジェットプリンタの吐出部
を形成するオリフィスプレートの製造方法に関するもの
である。
製造方法に係り、特にインクジェットプリンタの吐出部
を形成するオリフィスプレートの製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、インクジェットプリンタのインク
吐出部を形成するオリフィスプレートは、電鋳法により
製造されている。その原型は、導電性基板上に非導電性
のフォトレジストをマスクとして用いたものである。以
下、図３に基づいて、具体的に説明する。
吐出部を形成するオリフィスプレートは、電鋳法により
製造されている。その原型は、導電性基板上に非導電性
のフォトレジストをマスクとして用いたものである。以
下、図３に基づいて、具体的に説明する。
【０００３】図示されているように、まず、導電性基板
１上にフォトレジスト２を塗布した後、該フォトレジス
ト２の表面側からフォトマスク３を介して紫外線４を照
射する（図３（ａ））。次に、これを現像液内で現像し
た後、ベーキング処理を行ない安定させると、上記導電
性基板１上にマスクパターンとしてのフォトレジストパ
ターン２ａが形成される（図３（ｂ））。
１上にフォトレジスト２を塗布した後、該フォトレジス
ト２の表面側からフォトマスク３を介して紫外線４を照
射する（図３（ａ））。次に、これを現像液内で現像し
た後、ベーキング処理を行ない安定させると、上記導電
性基板１上にマスクパターンとしてのフォトレジストパ
ターン２ａが形成される（図３（ｂ））。
【０００４】そして、このフォトレジストパターン２ａ
の形成された導電性基板１上に、離型被膜５を被覆し原
盤を形成する。その後、この膜５の上に電鋳法により電
鋳膜６を必要量だけ電着する（図３（ｃ））。その後、
上記電鋳膜６を基板１より剥離させると、オリフィスプ
レート７が製造される（図３（ｄ））。
の形成された導電性基板１上に、離型被膜５を被覆し原
盤を形成する。その後、この膜５の上に電鋳法により電
鋳膜６を必要量だけ電着する（図３（ｃ））。その後、
上記電鋳膜６を基板１より剥離させると、オリフィスプ
レート７が製造される（図３（ｄ））。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のオリ
フィスプレートの製造方法にあっては、フォトレジスト
２と基板１との密着性が弱く、又、該フォトレジスト２
自体が非常に軟らかいため、電鋳膜６の形成後にこれを
剥離する際に、電鋳膜６にフォトレジスト２が一部付着
して欠落し、上記基板１上のフォトレジストパターン２
ａが損傷することがあった。従って、フォトレジストパ
ターン２ａの形成された導電性基板１を重複使用するこ
とができず、製造コストが上昇するという問題があった
。
フィスプレートの製造方法にあっては、フォトレジスト
２と基板１との密着性が弱く、又、該フォトレジスト２
自体が非常に軟らかいため、電鋳膜６の形成後にこれを
剥離する際に、電鋳膜６にフォトレジスト２が一部付着
して欠落し、上記基板１上のフォトレジストパターン２
ａが損傷することがあった。従って、フォトレジストパ
ターン２ａの形成された導電性基板１を重複使用するこ
とができず、製造コストが上昇するという問題があった
。
【０００６】また、製造工程中にフォトレジストパター
ン２ａを有する基板１を汚染したとき、このフォトレジ
ストパターン２ａは洗浄力の強い有機有罪アルカリ性水
溶液に対して溶解性があり、該アルカリ性水溶液を使用
することができないので、十分な汚染除去を行うことか
できず、品質が低下するという問題があった。本発明の
目的は、上記課題に鑑みて、マスクパターンの形成され
た基板を重複使用することができ、オリフィスプレート
の品質向上と製造コストの低下を図ることができる、オ
リフィスプレートの製造方法を提供するにある。
ン２ａを有する基板１を汚染したとき、このフォトレジ
ストパターン２ａは洗浄力の強い有機有罪アルカリ性水
溶液に対して溶解性があり、該アルカリ性水溶液を使用
することができないので、十分な汚染除去を行うことか
できず、品質が低下するという問題があった。本発明の
目的は、上記課題に鑑みて、マスクパターンの形成され
た基板を重複使用することができ、オリフィスプレート
の品質向上と製造コストの低下を図ることができる、オ
リフィスプレートの製造方法を提供するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明に係
るオリフィスプレートの製造方法によれば、導電性基板
の表面から所定の深さ部分を改質して導電性の異なる改
質層を形成し、該改質層上にフォトレジストパターンを
形成した後、露出している上記改質層を上記基板が露出
するまでエッチングし、その後上記フォトレジストパタ
ーンを除去して、上記改質層のマスクパターンが一体に
形成された基板を作製し、これを原盤として電鋳法によ
り電鋳膜を被着、剥離することにより、達成される。
るオリフィスプレートの製造方法によれば、導電性基板
の表面から所定の深さ部分を改質して導電性の異なる改
質層を形成し、該改質層上にフォトレジストパターンを
形成した後、露出している上記改質層を上記基板が露出
するまでエッチングし、その後上記フォトレジストパタ
ーンを除去して、上記改質層のマスクパターンが一体に
形成された基板を作製し、これを原盤として電鋳法によ
り電鋳膜を被着、剥離することにより、達成される。
【０００８】
【作用】上記構成によれば、基板の表面に所定深さの導
電性異なる改質層のマスクパターンが一体に形成された
原盤を用いて電鋳を行なうと、導電性の良い部分にのみ
電鋳膜が形成され、該電鋳膜が所定の厚みに達した後、
基板より剥離する。上記改質層のマスクパターンは上記
基板と一体であり又、それ自体の機械的強度も強く、耐
有機溶剤、耐アルカリ溶液性に優れているので、該マス
クパターンが損傷することが無く、強力洗浄が可能であ
る。
電性異なる改質層のマスクパターンが一体に形成された
原盤を用いて電鋳を行なうと、導電性の良い部分にのみ
電鋳膜が形成され、該電鋳膜が所定の厚みに達した後、
基板より剥離する。上記改質層のマスクパターンは上記
基板と一体であり又、それ自体の機械的強度も強く、耐
有機溶剤、耐アルカリ溶液性に優れているので、該マス
クパターンが損傷することが無く、強力洗浄が可能であ
る。
【０００９】従って、マスクパターンの形成された基板
は重複使用に耐え、これによって製造されるオリフィス
プレートの品質向上と製造コストの低下に寄与するもの
である。
は重複使用に耐え、これによって製造されるオリフィス
プレートの品質向上と製造コストの低下に寄与するもの
である。
【００１０】
【実施例】以下、本発明に係るオリフィスプレートの製
造方法の一実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する
。図１はインクジェットプリンタのインク吐出部の斜視
図である。図示されているように、インクを内部に収容
する複数のインク室１０の一側壁は、オリフィスプレー
ト１１によって区画形成されている。このオリフィスプ
レート１１には、複数のオリフィス１２が形成されてお
り、各オリフィス１２はそれぞれ各インク室１０に接続
されている。インクの吐出は、インク室１０内に収容さ
れたインクが例えば、圧電法、加熱法、バブル法等によ
り圧力を受けて、上記オリフィスプレート１１のオリフ
ィス１２から押し出されることによって行われる。即ち
、外部からの信号に対応してインクを吐出することによ
り、インクジェットプリンタは所望の印字を行なうもの
である。
造方法の一実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する
。図１はインクジェットプリンタのインク吐出部の斜視
図である。図示されているように、インクを内部に収容
する複数のインク室１０の一側壁は、オリフィスプレー
ト１１によって区画形成されている。このオリフィスプ
レート１１には、複数のオリフィス１２が形成されてお
り、各オリフィス１２はそれぞれ各インク室１０に接続
されている。インクの吐出は、インク室１０内に収容さ
れたインクが例えば、圧電法、加熱法、バブル法等によ
り圧力を受けて、上記オリフィスプレート１１のオリフ
ィス１２から押し出されることによって行われる。即ち
、外部からの信号に対応してインクを吐出することによ
り、インクジェットプリンタは所望の印字を行なうもの
である。
【００１１】次に、図２に基づいて本発明に係るオリフ
ィスプレートの製造方法を説明する。まず、例えば、Ｓ
ｉウェハ等の良好な導電性を有する基板（導電率：１０
−３Ω・ｃｍ程度）２０を、蒸溜水の蒸気雰囲気中で、
電気炉等の加熱手段により１０００〜１２００℃の温度
で適当時間だけ加熱する。すると、上記基板２０の表面
から所定の深さが酸化され、その部分にＳｉＯ２ 層２
１が形成される（図２（ａ））。
ィスプレートの製造方法を説明する。まず、例えば、Ｓ
ｉウェハ等の良好な導電性を有する基板（導電率：１０
−３Ω・ｃｍ程度）２０を、蒸溜水の蒸気雰囲気中で、
電気炉等の加熱手段により１０００〜１２００℃の温度
で適当時間だけ加熱する。すると、上記基板２０の表面
から所定の深さが酸化され、その部分にＳｉＯ２ 層２
１が形成される（図２（ａ））。
【００１２】次に、ＳｉＯ２ 層２１が表面に形成され
た基板２０の上に、周知のフォトリソグラフィー技術に
より、フォトレジストパターン２２を形成する（図２（
ｂ））。そして、ドライエッチング装置で、例えばＣＦ
４ ガスなどのエッチングガスを用いて、露出している
上記ＳｉＯ２ 層２１を基板２０のＳｉが露出するまで
エッチングする（図２（ｃ））。
た基板２０の上に、周知のフォトリソグラフィー技術に
より、フォトレジストパターン２２を形成する（図２（
ｂ））。そして、ドライエッチング装置で、例えばＣＦ
４ ガスなどのエッチングガスを用いて、露出している
上記ＳｉＯ２ 層２１を基板２０のＳｉが露出するまで
エッチングする（図２（ｃ））。
【００１３】その後、同装置内で、内部ガスをＯ２ に
置換し、上記フォトレジストパターン２２をアッシング
除去する（図２（ｄ））。すると、上記良好な導電性を
有する基板２０上に、非導電性のＳｉＯ２ パターン２
１ａが一体に形成される。次に、ＳｉＯ２ パターン２
１ａが一体に形成された基板２０上に、離型被膜２３を
被覆する（図２（ｅ））。この離型被膜２３は、例えば
、高分子被膜であり、ニッカノンタック（日本化学産業
株式会社製）を用いれば、上記基板２０上に一様に被覆
することができる。
置換し、上記フォトレジストパターン２２をアッシング
除去する（図２（ｄ））。すると、上記良好な導電性を
有する基板２０上に、非導電性のＳｉＯ２ パターン２
１ａが一体に形成される。次に、ＳｉＯ２ パターン２
１ａが一体に形成された基板２０上に、離型被膜２３を
被覆する（図２（ｅ））。この離型被膜２３は、例えば
、高分子被膜であり、ニッカノンタック（日本化学産業
株式会社製）を用いれば、上記基板２０上に一様に被覆
することができる。
【００１４】続いて、このように離型被膜２３の被覆さ
れた基板２０を、例えば、スルファミン酸ニッケル浴等
の電鋳液に浸漬し、ニッケルの電鋳膜２４を必要量だけ
電着する（図２（ｆ））。最後に、その後、電鋳膜２４
を基板２０より剥離させると、上記オリフィスプレート
１１が製造される（図２（ｇ））。
れた基板２０を、例えば、スルファミン酸ニッケル浴等
の電鋳液に浸漬し、ニッケルの電鋳膜２４を必要量だけ
電着する（図２（ｆ））。最後に、その後、電鋳膜２４
を基板２０より剥離させると、上記オリフィスプレート
１１が製造される（図２（ｇ））。
【００１５】この電鋳膜２４を基板２０より剥離する際
、Ｓｉウェハからなる基板２０と、マスクパターンとし
てのＳｉＯ２ パターン２１ａとは、一体に密着して形
成されているので、その原形（図２（ｄ）の状態）を維
持したままで、電鋳膜２４を剥離することができる。上
記離型被膜２３はその剥離を行う際に、一部損傷するこ
とがある。従って、再度電鋳工程を行う際は、上記基板
２０上に残留した被膜を完全に除去した後、新たに離型
被膜２３を被覆して、同様の工程でオリフィスプレート
を製造するものである。
、Ｓｉウェハからなる基板２０と、マスクパターンとし
てのＳｉＯ２ パターン２１ａとは、一体に密着して形
成されているので、その原形（図２（ｄ）の状態）を維
持したままで、電鋳膜２４を剥離することができる。上
記離型被膜２３はその剥離を行う際に、一部損傷するこ
とがある。従って、再度電鋳工程を行う際は、上記基板
２０上に残留した被膜を完全に除去した後、新たに離型
被膜２３を被覆して、同様の工程でオリフィスプレート
を製造するものである。
【００１６】以上、オリフィスプレートの製造工程を説
明したが、工程の途中で基板２０が汚染された場合には
、ＳｉＯ２ のマスクパターン２１ａがＳｉウェハから
なる基板２０と一体的に形成されており、又、アルカリ
性水溶液に不溶であるので、洗浄力の強いアルカリ水溶
液中において電解洗浄を行うことができ、上記オリフィ
スプレート１１の品質の安定性を確保することができる
。
明したが、工程の途中で基板２０が汚染された場合には
、ＳｉＯ２ のマスクパターン２１ａがＳｉウェハから
なる基板２０と一体的に形成されており、又、アルカリ
性水溶液に不溶であるので、洗浄力の強いアルカリ水溶
液中において電解洗浄を行うことができ、上記オリフィ
スプレート１１の品質の安定性を確保することができる
。
【００１７】次に、上記実施例における作用を述べる。
上述のように、Ｓｉウエハ等の上記導電性基板２０には
、ＳｉＯ２ 等の非導電性酸化層２１がその表面から所
定深さだけ形成されている。このように、マスクパター
ンとしてＳｉＯ２ パターン２１ａが一体に形成された
基板２０を原型とし、この原型を用いて電鋳を行なうと
、導電性の良い基板２０にのみ電鋳膜２４が形成され、
該電鋳膜２４が所定の厚みに達した後、上記基板２０よ
り剥離する。
、ＳｉＯ２ 等の非導電性酸化層２１がその表面から所
定深さだけ形成されている。このように、マスクパター
ンとしてＳｉＯ２ パターン２１ａが一体に形成された
基板２０を原型とし、この原型を用いて電鋳を行なうと
、導電性の良い基板２０にのみ電鋳膜２４が形成され、
該電鋳膜２４が所定の厚みに達した後、上記基板２０よ
り剥離する。
【００１８】上記ＳｉＯ２ パターン２１ａは上記基板
２０と一体であり又、それ自体の機械的強度も強く、耐
有機溶剤、耐アルカリ溶液性に優れている。従って、マ
スクパターンが損傷することが無く、該マスクパターン
の形成された基板２０は重複使用に耐える。すなわち、
このような原型を使用してオリフィスプレート１１の製
造を行えば、高品質のオリフィスプレート１１を多量か
つ安価に製造することができるものである。
２０と一体であり又、それ自体の機械的強度も強く、耐
有機溶剤、耐アルカリ溶液性に優れている。従って、マ
スクパターンが損傷することが無く、該マスクパターン
の形成された基板２０は重複使用に耐える。すなわち、
このような原型を使用してオリフィスプレート１１の製
造を行えば、高品質のオリフィスプレート１１を多量か
つ安価に製造することができるものである。
【００１９】尚、本実施例にあっては、上記基板２０と
して改質層として酸化層を持つＳｉウエハを用いたが、
高抵抗Ｓｉウエハ上に不純物の拡散等により基板表面に
低抵抗層を設けたもの等、その他基板の表面から所定深
さだけ基板と異なる導電率を持たせたものならば何を用
いてもよい。また、本実施例にあっては、電鋳液として
スルファミン酸ニッケル浴を用いたが、例えば、硫酸銅
浴等の他の電鋳液を用いても良い。
して改質層として酸化層を持つＳｉウエハを用いたが、
高抵抗Ｓｉウエハ上に不純物の拡散等により基板表面に
低抵抗層を設けたもの等、その他基板の表面から所定深
さだけ基板と異なる導電率を持たせたものならば何を用
いてもよい。また、本実施例にあっては、電鋳液として
スルファミン酸ニッケル浴を用いたが、例えば、硫酸銅
浴等の他の電鋳液を用いても良い。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係るオリフ
ィスプレートの製造方法によれば、マスクパターンの形
成された基板を重複使用することができ、オリフィスプ
レートの品質向上と製造コストの低下を図ることができ
る、という優れた効果を発揮する。
ィスプレートの製造方法によれば、マスクパターンの形
成された基板を重複使用することができ、オリフィスプ
レートの品質向上と製造コストの低下を図ることができ
る、という優れた効果を発揮する。
【図１】インクジェットプリンタの吐出部を示す斜視図
である。
である。
【図２】本発明に係るオリフィスプレートの製造方法を
経時的に示す説明図である。
経時的に示す説明図である。
【図３】従来のオリフィスプレートの製造方法を経時的
に示す説明図である。
に示す説明図である。
１１…オリフィスプレート
２０…基板
２１…ＳｉＯ２
Claims (1)
- 【請求項１】 基板の表面から所定の深さ部分を改質
して導電性の異なる改質層を形成し、該改質層上にフォ
トレジストパターンを形成した後、露出している上記改
質層を上記基板が露出するまでエッチングし、その後上
記フォトレジストパターンを除去して、上記改質層のマ
スクパターンが一体に形成された基板を作製し、これを
原盤として電鋳法により電鋳膜を被着、剥離したことを
特徴とするオリフィスプレートの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058291A JPH04338550A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | オリフィスプレートの製造方法 |
| US07/874,009 US5277783A (en) | 1991-05-15 | 1992-04-27 | Manufacturing method for orifice plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058291A JPH04338550A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | オリフィスプレートの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04338550A true JPH04338550A (ja) | 1992-11-25 |
Family
ID=14539498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11058291A Pending JPH04338550A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | オリフィスプレートの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04338550A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5539982A (en) * | 1992-03-03 | 1996-07-30 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing an ink jet recording head |
| US6315394B1 (en) | 1998-01-28 | 2001-11-13 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing a silicon substrate with a recess, an ink jet head manufacturing method, a silicon substrate with a recess, and an ink jet head |
| JP2011131590A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-07-07 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドの製造方法及び吐出口部材の製造方法 |
-
1991
- 1991-05-15 JP JP11058291A patent/JPH04338550A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5539982A (en) * | 1992-03-03 | 1996-07-30 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing an ink jet recording head |
| US5923351A (en) * | 1992-03-03 | 1999-07-13 | Seiko Epson Corporation | Vibrating plate for an ink jet recording head which causes ink to be discharged from a pressure chamber when vibrated by a vibrator |
| US6315394B1 (en) | 1998-01-28 | 2001-11-13 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing a silicon substrate with a recess, an ink jet head manufacturing method, a silicon substrate with a recess, and an ink jet head |
| JP2011131590A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-07-07 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドの製造方法及び吐出口部材の製造方法 |
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