JPH07290813A

JPH07290813A - 電着転写用原版およびその製造方法

Info

Publication number: JPH07290813A
Application number: JP6110155A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Kobayashi; 信一小林
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1994-04-27
Filing date: 1994-04-27
Publication date: 1995-11-07
Anticipated expiration: 2018-12-15
Also published as: JP3478304B2

Abstract

(57)【要約】【目的】線幅が微細であるとともに、膜厚も適度な微
細パターンを高い精度で効率よく形成することができ高
い耐久性を備えた電着転写用原版およびその製造方法を
提供する。【構成】少なくとも表面が導電性の基板に凹部を形成
し、該凹部内絶縁性物質からなる絶縁パターンをその表
面が基板表面より低くなるよう設けることにより、基板
と絶縁パターンとの密着力を高め、且つ被転写体からの
絶縁パターンの離型性を向上させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電着転写用原版およびそ
の製造方法に係り、特に半導体プロセス等の微細加工工
程において被転写体に高い精度で効率よく微細パターン
を形成することができる、耐久性に優れた電着転写用原
版およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、印刷配線や回路パターンの形成あ
るいは金属板のエッチング用レジストパターンの形成な
どにおいては、スクリーン印刷法やオフセット印刷法等
の印刷手段が広く採用されている。しかし、これら印刷
法によって形成されるパターンは画線幅が５０μｍ程度
のものが限度であり、画線幅がそれ以下の微細パターン
を形成することは困難である。

【０００３】他方、高精細なパターンを形成する方法と
してはフォトリソグラフィー法が主流であり、特にＥＢ
描画、ｉ線描画等においては画線幅１μｍ以下の細線加
工が可能となっており、この高精細化の方向は今後さら
に進むものと予想される。しかし、これは８インチサイ
ズ程度の基板に加工する場合のことであって、大面積の
基板、例えばプリント配線板等における微細パターン形
成は、最小画線幅２０μｍ程度が限度である。

【０００４】画線幅１０〜１００μｍ程度の微細パター
ン形成については、フォトリソグラフィー法と印刷法の
両者が用いられている。しかし、フォトリソグラフィー
法では、上記画線幅の微細パターンの形成自体は容易で
あるが、被転写体の大型化に伴って大型露光装置を含む
専用装置が必要となり、装置に要する費用が莫大なもの
となり、製作コストが高くなるという問題がある。一
方、印刷法では、上記画線幅の微細パターンは形成し得
る限界領域のものであるため、近年、印刷法の高精度化
によってより微細なパターン形成へのアプローチが盛ん
である。特に、電着法によって版上に微細パターンを形
成し、これを被転写体へ転写して高精細な印刷パターン
を得ようとする試みがあり、有効な手段とされている。

【０００５】かかる方式に用いられる電着転写用原版
は、例えば図３に示されるように、導電面を有する基板
４１（図３（ａ））の面上に微細な絶縁パターン４２が
形成された構造をなす（図３（ｂ））。そして、この基
板４１の導電面裸出部分（絶縁パターン非形成部分）４
３上に電着物質を析出させて電着インキ層４４を形成し
（図３（ｃ））、粘着性接着材層４５を介して被転写体
４６に電着インキ層４４を転写させる（図３（ｄ））こ
とによって被転写体４６上に微細パターンを形成する
（図３（ｅ））。

【０００６】このような転写原理および版構造上、転写
時、粘着性接着材層４５による電着インキ層４４引き抜
きのため、絶縁パターン４２の表面が粘着性接着材層４
５からの接触剥離力を受け、絶縁パターン４２のエッジ
部の欠けや表面部の剥離、さらには基板からの剥離等、
種々のダメージを引き起こしやすい。転写用原版の耐久
性は絶縁パターン４２と基板４１との密着力ならびに粘
着性接着材層４５との剥離力のバランスにより決定さ
れ、絶縁パターン４２と基板４１との密着力が高いほ
ど、また絶縁パターン４２と粘着性接着材層４５との密
着性が低いほど版の耐久性が向上する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電着転写用原版においては、絶縁パターンとしてＰＶ
Ａ、ポリイミド、イソプレンゴム、ブタジエンゴム等の
有機物に感光現像性を持たせたもの、あるいはＳｉＯ
₂ 、ＳｉＮ等の無機系絶縁パターンをエッチング法によ
りパターン化したもの等が用いられており、これらは粘
着性接着材層との密着力が高いため、絶縁パターンが基
板から剥離しやすい。絶縁パターンにアンカー剤を混入
する等の処理によって基板との密着性を高めようとして
も、パターン樹脂層の中間部から構造破壊を起こしやす
く、特に無機系絶縁パターンにおいてはクラックなどを
起こしやすいという問題がある。

【０００８】また従来例では、絶縁パターンが平滑な基
板導電面上に設けられているため、絶縁パターンがその
底面以外では基板と接触しないことからそれだけ基板と
の密着力が低く、また、アンカー効果などによる基板と
の密着力の向上を図ることができない。さらに転写時、
電着インキ層のみならず絶縁パターンの表面も被転写体
の粘着性接着材層と接触してしまうことから、絶縁パタ
ーンが接触剥離力を受けて損傷しやすい等の問題があ
る。

【０００９】以上のようなことから、転写時、絶縁パタ
ーンが電着インキ層引き抜きによる粘着性接着材層から
の接触剥離力を受け、変形や損傷を起こしやすい。この
接触剥離力を低減するために、例えば絶縁パターンを高
離型性材料で形成することが考えられるが、高離型性材
料は導電面との離型効果もあるため、基板導電面との密
着性を高め且つ粘着性接着材層との高離型性をもたせる
ことの両立は困難である。

【００１０】このような状況から、基板導電面との密着
力が強くしかも粘着性接着材層との接着性が弱い絶縁パ
ターンを有する繰り返し転写に耐え得る電着転写用原版
が要望されていた。

【００１１】本発明は上述のような事情に鑑みてなされ
たものであり、線幅が精細な微細パターンを高い精度で
効率よく形成することができる、高い耐久性を備えた電
着転写用原版を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、少なくとも表面が導電性の基板と、該基板
に形成された凹部に設けた絶縁性物質からなる絶縁パタ
ーンとを備えるとともに、該絶縁パターン表面が基板表
面よりも低くなるよう形成されるような構成とした。

【００１３】また本発明は、少なくとも表面が導電性の
基板に所定パターンの凹部を形成し、該凹部に絶縁絶縁
性物質を電着させ、その後前記マスキング層を除去する
ような構成とした。

【００１４】

【作用】導電性基板に設けた凹部内に全面離型性の樹脂
が電着析出されて絶縁パターンが形成されるので、従来
のような平滑な基板導電面上に絶縁パターンを設けるの
に比べて絶縁パターンと導電性基板との接触面積が多く
なりそれだけ密着性が向上される一方、絶縁パターンと
粘着性接着材層との密着性が低減化される。また、絶縁
パターン表面が基板表面よりも低く形成されることか
ら、転写時にこの絶縁パターンが被転写体の粘着性接着
材層に接触することがなく、接触剥離力の影響を受ける
ことがない。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の実施例について図１乃至図２
を参照して説明する。

【００１６】図１は本発明に係る凸版タイプ電着転写用
原版の概略構成図である。図１において、電着転写用原
版１は少なくとも表面が導電性を示す基板２と、該基板
に形成された凹部７と、この凹部７内に設けられた絶縁
性物質からなる絶縁パターン９とを備えている。絶縁パ
ターン９はその表面が基板２の表面より所定の高さだけ
低くなるよう形成されている。そして隣り合う絶縁パタ
ーン９により囲まれた基板の導電面裸出部１０が電着イ
ンキ層形成部をなし、この導電面裸出部１０上に電着物
が析出され、後述するように電着インキ層が形成され
る。

【００１７】図２は、図１に示す凸版タイプ電着転写用
原版の製造方法の一例を示す説明図である。図２におい
て、まず公知の方法によって導電性基板２上にフォトレ
ジスト層を形成し、所定パターンのフォトマスクを介し
て該フォトレジスト層に紫外線を照射後、露光・除去
（現像）して所定パターンのマスキング層５を形成する
（図２（ａ））。次に、このマスキング層５をエッチン
グ用マスクとして導電性基板２のマスキング層非形成部
分６をエッチングしてマスクパターンに忠実な凹部７を
形成する（図２（ｂ））。

【００１８】次に、このように形成された凹部７内に絶
縁性物質を電着させることによって絶縁パターン９を形
成する（図２（ｃ））。絶縁パターン９の表面はマスキ
ング層５の表面より低くなるよう形成される。その後、
このマスキング層５を除去して基板２の導電面を裸出し
て電着インキ層形成部１０とし、絶縁性物質からなる絶
縁パターン９を備えた凸版タイプの電着転写用原版１を
得る（図２（ｄ））。

【００１９】そして、この電着転写用原版１の電着イン
キ層形成部１０に電着インキ層１１を形成（図２
（ｅ））した後、粘着性接着材層１２を備えた被転写体
１３と電着インキ層１１とを密着させ（図２（ｆ））、
電着インキ層１１を被転写体１３上に転写して微細パタ
ーンを形成する（図２（ｇ））。このように微細パター
ンが形成された被転写体１３は、公知のエッチング等の
処理により加工される。

【００２０】ここで、絶縁パターン９は凹部７内に形成
されているため、その全側面および底面が基板２との接
触面となることから、従来の基板面上に絶縁パターンを
形成する例に比べて基板との接触面積がそれだけ多くな
り、基板との密着性が高められる。また、絶縁パターン
９の表面が基板２よりも低くなるよう形成されているた
め、転写時に粘着性接着材層１２と電着インキ層１１の
みが加圧密着され、絶縁パターン９は粘着性接着材層１
２と接触することがない。したがって、絶縁パターン９
は粘着性接着材層１２による接触剥離力を受けず、変形
や損傷を防止することができる。さらに、電着インキ層
１１は、マスキング層５除去跡の導電面裸出部１０上に
形成されることから、最終電着パターンの面積は初期エ
ッチングレジストパターンであるマスキング層５のパタ
ーンと同一面積となり、マスキング層５を印刷微細パタ
ーンにて形成しておけば、このパターン通りに電着イン
キ層１１を形成することができるので、寸法調整の必要
のない高い寸法精度で微細パターンを得ることができ
る。

【００２１】本発明において、基板２としては、少なく
とも表面が導電性を有するものであればよく、チタン、
アルミニウム、銅、ステンレス等の導電性の金属板、あ
るいはガラス板、ポリエチレン、アクリル等の樹脂フィ
ルム等の絶縁性基板の表面に導電性薄膜を形成したもの
を使用することができるが、特にはチタンが好適に用い
られる。このような基板２の厚さは０．０５〜１．０ｍ
ｍ程度が好ましい。また、原版としての耐刷性を高める
ために、基板２の表面に、クロム（Ｃｒ）、セラミック
カニゼン（Ｋａｎｉｇｅｎ社製Ｎｉ＋Ｐ＋ＳｉＣ）等
の薄膜を形成してもよい。この薄膜の厚さは０．１〜
１．０μｍ程度が好ましい。

【００２２】凹部７の形成は、上記図１〜２で示した実
施例ではフォトレジスト（マスキング層５）を用いたエ
ッチングにより形成したが、これに限らず、サンドブラ
スト、機械切削等の手段により形成することができる。
フォトレジストを用いたエッチングの方法の場合におい
ては、マスキング層５は、例えばイオンプレーティング
法、真空蒸着法、スパッタリング法、化学的気相蒸着法
（ＣＶＤ法）等の各種の薄膜形成法により、基板２上に
シリカ（ＳｉＯ₂ ）薄膜、チッ化シリコン（ＳｉＮ_x ）
薄膜、９６％アルミナ薄膜、ベリリヤ薄膜、フォルステ
ライト薄膜等の電気絶縁性の高い薄膜を形成し、次に、
この薄膜上にフォトレジストを塗布してから所定形状の
マスクを介して露光・現像することによりエッチング形
成することができる。このマスキング層５の形成に使用
するフォトレジストとしては、ゼラチン、カゼイン、ポ
リビニルアルコール等に重クロム酸塩等の感光剤を添加
したものを挙げることができる。このように形成される
マスキング層５の厚さは０．５〜１０．０μｍ程度が好
ましい。なおエッチングの方法は、ディップ、スプレー
等のウエットエッチングや、ドライエッチング等の公知
の慣用手段で行うことができるが、例えば基板がＳＵＳ
板の場合は塩化第二鉄液に接触（浸漬など）させること
によって、基板がＴｉ板の場合にはＨＦ−Ｈ₂ Ｏ₂ −Ｈ
₂ Ｏ液に接触させること等によって、好適に行われる。
他方、サンドブラスト法による凹部形成の場合は、基板
２に例えばＡｌ₂ Ｏ₃ 粉末を吹き付けること等によって
凹部７を形成する。機械切削による凹部形成の場合は、
基板２に例えばドリル加工、レーザー加工等を行うこと
によって凹部７を形成する。

【００２３】なお、このようにして凹部７を形成した
後、さらにこの凹部７の表面を粗面化処理することによ
り、凹部７内に形成される絶縁パターン９の基板２への
密着性をより向上させることができる。粗面化処理は、
例えばＴｉ基板の場合、ＨＦ−ＮＨ₄ 液、ＨＦ液等に数
十秒間程度浸漬させることによって行うことができる
が、これに限定されるものではない。

【００２４】絶縁パターン９は、絶縁性物質からなる電
着材料である。絶縁パターンの電着材料は、一般に有機
材料（高分子材料）からなり、その原形は電着塗装法と
してよく知られている。電着塗装では、電気化学的な主
電極との反応によりカチオン電着とアニオン電着とがあ
る。これは、電着材料がカチオンとして存在するか、ア
ニオンとして挙動するかで分類される。電着に用いられ
る有機高分子物質としては、天然油脂系、合成油脂系、
アルキッド樹脂系、ポリエステル樹脂系、アクリル樹脂
系、エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系等の種々の有機
高分子物質が挙げられる。アニオン型では、古くからマ
レイン化油やポリブタジエン系樹脂が知られており、電
着物質の硬化は酸化重合反応による。カチオン型はエポ
キシ樹脂系が多く、単独あるいは変性されて使用でき
る。その他に、メラミン樹脂系、アクリル樹脂系等のい
わゆるポリアミノ系樹脂が多く用いられ、熱硬化や光硬
化等により強固な絶縁パターン層を形成できる。

【００２５】特に離型性を良好にするために、上記樹脂
にフッ素を導入したものやフッ素系ポリマー粒子を分散
させたもの等が好適に用いられる。これらフッ素系樹脂
としては、四フッ化エチレン分散型電着樹脂やアクリル
主鎖あるいは側鎖へのフッ素結合型電着樹脂などが特に
好適に用いられ、四フッ化エチレン分散型電着樹脂とし
てはフッ素アクリル樹脂（ＰＡＦＣ）等が例示的に挙げ
られ、アクリル主鎖へのフッ素結合型電着樹脂としては
主鎖にフッ素を含むフルオロオレフィン−ビニルエーテ
ル共重合体等が例示的に挙げられる。また、塗膜の強度
を高めるために、熱硬化性メラミン樹脂を共析させ、熱
処理を行うとよい。

【００２６】このように絶縁パターンに上記絶縁性物質
を用いることにより、絶縁パターンが粘着性接着材層か
らの離型性が良好となり、転写時の接触剥離力の影響を
低減することができる。

【００２７】本発明においては、この絶縁パターン９
は、その表面が基板２の面よりも低くなるよう形成され
る。これは、凹部７内への絶縁性物質の電着析出におい
て、電着析出された絶縁性物質の縁辺部が凹部側面壁の
上端に到達する程度に析出が進行した時点で電着を止め
ることにより、略中央部が凹状をなしその表面が基板面
よりも低い絶縁パターン９を形成することができる。こ
のように絶縁パターン９の表面を基板２よりも低く形成
することにより、転写時、絶縁パターンと被転写体の粘
着性接着材層との接触がまったくなく、接触剥離等の影
響を受けず変形や損傷のおそれがない。なお、本発明に
おいては、絶縁パターン９表面は基板２よりも１μｍ程
度低く形成されるのが好ましい。

【００２８】次に、実験例を示して本発明を更に詳細に
説明する。

【００２９】（実験例１）チタン（Ｔｉ）製の基板（厚
さ０．４ｍｍ）の表面にスピンコート法（回転数１５０
０ｒｐｍ、４０ｓｅｃ）によりフォトレジスト（東京応
化（株）製；ＯＦＰＲ８００）を塗布し、最小線幅５μ
ｍの所定形状のマスクを用いて露光処理、現像処理を行
って所定パターンを有するマスキング層（膜厚１．０μ
ｍ）を形成した。これをＨＦ（２．５ｗｔ％）−Ｈ₂ Ｏ
₂ （１５ｗｔ％）−Ｈ₂ Ｏ（残部）液中でＴｉ基板の露
出部をエッチング（２ｍｉｎ、エッチング深さ２μｍ）
し、凹部を形成した。その後、電着物質の基板密着性を
より向上させることを目的にＨＦ−ＮＨ₄ 液中で凹部表
面を粗面化した（３０ｓｅｃ）。

【００３０】次に、上記マスキング層を電着用マスクと
して、上記凹部内に四フッ化エチレン分散型電着樹脂
（（株）シミズ製；エレコートナイスロン）を２５ｍＡ
／ｄｍ² にて下地電着後、２０Ｖ定電圧で約６０秒間の
電着を行うことによって、図１に示したように略中央部
が凹状をなししかもその表面がＴｉ基板面よりも低くな
るよう電着膜を析出させ、絶縁パターンを形成した。

【００３１】次いで、本基板を循環オーブンにて１１０
℃、３０分間焼き付けを行った後、マスキング層のみを
常温、３０ｓｅｃアセトン浸漬にて溶解除去し、電着樹
脂層（絶縁性物質）のみ１８０℃×３０ｍｉｎでクリー
ンオーブンにて焼き付けを行い、凸版構造の電着転写用
原版を作製した。

【００３２】このようにして作製した電着転写用原版の
基板の導電面裸出部に下記のメッキ条件にしたがってピ
ロリン酸系Ｃｕメッキ液にて銅メッキを行い、金属銅パ
ターン（厚さ約１．５μｍ）を形成した。メッキ条件・メッキ浴組成：Ｃｕ₂ Ｐ₂ Ｏ₇ ・３Ｈ₂ Ｏ９４ｇ／ｌＫ₄ Ｐ₂ Ｏ₇ ３４０ｇ／ｌＰ比７．０・ｐＨ：８．８・液温：５５℃ ・電流密度：５Ａ／ｄｍ² ・時間：１．５ｍｉｎその後、被転写体としてアクリル系粘着性接着剤（日本
カーバイド工業（株）（製）；ＰＥ−１１８）をガラス
基板（１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍ）上にスピ
ンコート法（回転数３０００ｒｐｍ、３０ｓｅｃ）で塗
布したものを用い、これを電着転写用原版に密着後、版
表面を裏面から加圧ロールを速度５０ｃｍ／分にて転動
させて圧着後、銅電着インキ層を版から剥離して被転写
体に転写した。このようにして転写して形成された銅メ
ッキ層からなる微細パターンの解像度は５μｍであっ
た。この時、従来方式でみられたような原版の絶縁パタ
ーンの破壊はまったく観察されなかった。

【００３３】その後、さらに上記の電着転写用原版を用
いて同様の微細パターン形成を１００回繰り返し行った
が、１００回の連続転写に対しても絶縁パターンの変形
は全く観察されず、また、解像度を測定したところ１回
目の転写微細パターンと同じであり、本発明の電着転写
用原版が優れた耐久性をもち、高精度の微細パターン形
成が可能であることが確認された。

【００３４】（実験例２）Ｔｉ製の基板（厚さ０．４ｍ
ｍ）の表面にスピンコート法（回転数１５００ｒｐｍ、
４０ｓｅｃ）によりフォトレジスト（東京応化（株）
製；ＯＦＰＲ８００）を塗布し、最小線幅５μｍの所定
形状のマスクを用いて露光処理、現像処理を行って所定
パターンを有するマスキング層（膜厚１．０μｍ）を形
成した。これをＨＦ（２．５ｗｔ％）−Ｈ₂ Ｏ₂ （１５
ｗｔ％）−Ｈ₂ Ｏ（残部）液中でＴｉ基板の露出部をエ
ッチング（２ｍｉｎ、エッチング深さ２μｍ）し、凹部
を形成した。その後、電着物質の基板密着性をより向上
させることを目的にＨＦ−ＮＨ₄ Ｆ液中で凹部表面を粗
面化した（３０ｓｅｃ）。

【００３５】次に、上記マスキング層を電着用マスクと
して、上記凹部内にエポキシ型電着樹脂（（株）シミズ
製；エレコートＣＭ）を７０Ｖ定電圧で約１０秒間の電
着を行うことによって、図１に示したように略中央部が
凹状をなししかもその表面がＴｉ基板面よりも低くなる
よう電着膜を析出させ、絶縁パターンを形成した。その
表面がＴｉ基板より約０．５μｍ低くなるよう電着膜を
析出させて電着パターンを形成した。

【００３６】次いで、本基板を循環オーブンにて１１０
℃、３０分間焼き付けを行った後、マスキング層のみを
常温、３０ｓｅｃアセトン浸漬にて溶解除去し、電着樹
脂層（絶縁性物質）のみ１８０℃×３０ｍｉｎでクリー
ンオーブンにて焼き付けを行い、凸版構造の電着転写用
原版を作製した。

【００３７】このようにして作製した電着転写用原版の
基板の導電面裸出部に上記実験例１で用いたメッキ条件
にしたがってピロリン酸系Ｃｕメッキ液にて銅メッキを
行い、金属銅パターン（厚さ約１．５μｍ）を形成し
た。

【００３８】その後、被転写体としてアクリル系粘着性
接着剤（日本カーバイド工業（株）（製）；ＰＥ−１１
８）をガラス基板（１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍ
ｍ）上にスピンコート法（回転数３０００ｒｐｍ、３０
ｓｅｃ）で塗布したものを用い、これを電着転写用原版
に密着後、版表面を裏面から加圧ロールを速度５０ｃｍ
／分にて転動させて圧着後、銅電着インキ層を版から剥
離して被転写体に転写した。このようにして転写して形
成された銅メッキ層からなる微細パターンの解像度は５
μｍであった。この時、従来方式でみられたような原版
の絶縁パターンの破壊はまったく観察されなかった。

【００３９】その後、さらに上記の電着転写用原版を用
いて同様の微細パターン形成を１００回繰り返し行った
が、１００回の連続転写に対しても絶縁パターンのダメ
ージは全く観察されず、また、解像度を測定したところ
１回目の転写微細パターンと同じであり、本発明の電着
転写用原版が優れた耐久性をもち、高精度の微細パター
ン形成が可能であることが確認された。

【００４０】（実験例３）Ｔｉ製の基板（厚さ０．４ｍ
ｍ）の表面にスピンコート法（回転数１５００ｒｐｍ、
４０ｓｅｃ）によりフォトレジスト（東京応化（株）
製；ＯＦＰＲ８００）を塗布し、最小線幅５μｍの所定
形状のマスクを用いて露光処理、現像処理を行って所定
パターンを有するマスキング層（膜厚１．０μｍ）を形
成した。これをＨＦ（２．５ｗｔ％）−Ｈ₂ Ｏ₂ （１５
ｗｔ％）−Ｈ₂ Ｏ（残部）液中でＴｉ基板の露出部をエ
ッチング（２ｍｉｎ、エッチング深さ２μｍ）し、凹部
を形成した。その後、電着物質の基板密着性をより向上
させることを目的にＨＦ−ＮＨ₄ Ｆ液中で凹部表面を粗
面化した（３０ｓｅｃ）。

【００４１】次に、上記マスキング層を電着用マスクと
して、上記凹部内にポリアミック酸の薄膜を５０Ｖ定電
圧で約１０秒間の電着を行うことによって、図１に示し
たように略中央部が凹状をなししかもその表面がＴｉ基
板面よりも低くなるよう電着膜を析出させ、絶縁パター
ンを形成した。

【００４２】次いで、本基板を循環オーブンにて１１０
℃、３０分間焼き付けを行った後、マスキング層のみを
常温、３０ｓｅｃアセトン浸漬にて溶解除去し、続いて
基板をポリジン、無水酢酸、ベンゼンを体積比１：１：
３の割合で混合した溶液中に室温で１２時間浸漬して、
ポリイミド皮膜からなる絶縁パターンを有する凸版構造
の電着転写用原版を作製した。なお、電着液は以下の手
順で作成した。すなわち、ｐ−フェニレンジアミン３．
３重量部をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアルデヒド９０重量
部に溶解し、ピロメリット酸二無水物６．７重量部を加
えて室温で１時間反応させて、ポリアミック酸塩溶液と
した。この溶液６０重量部にメタノール４０重量部を加
えて電着液とした。

【００４３】このようにして作製した電着転写用原版の
基板の導電面裸出部に上記実験例１で用いたメッキ条件
にしたがってピロリン酸系Ｃｕメッキ液にて銅メッキを
行い、金属銅パターン（厚さ約１．５μｍ）を形成し
た。

【００４４】その後、被転写体としてアクリル系粘着性
接着剤（日本カーバイド工業（株）（製）；ＰＥ−１１
８）をガラス基板（１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍ
ｍ）上にスピンコート法（回転数３０００ｒｐｍ、３０
ｓｅｃ）で塗布したものを用い、これを電着転写用原版
に密着後、版表面を裏面から加圧ロールを速度５０ｃｍ
／分にて転動させて圧着後、銅電着インキ層を版から剥
離して被転写体に転写した。このようにして転写して形
成された銅メッキ層からなる微細パターンの解像度は５
μｍであった。この時、従来方式でみられたような原版
の絶縁パターンの破壊はまったく観察されなかった。

【００４５】その後、さらに上記の電着転写用原版を用
いて同様の微細パターン形成を１００回繰り返し行った
が、１００回の連続転写に対しても絶縁パターンのダメ
ージは全く観察されず、また、解像度を測定したところ
１回目の転写微細パターンと同じであり、本発明の電着
転写用原版が優れた耐久性をもち、高精度の微細パター
ン形成が可能であることが確認された。

【００４６】（実験例４）Ｔｉ製の基板（厚さ０．４ｍ
ｍ）の表面にスピンコート法（回転数１５００ｒｐｍ、
４０ｓｅｃ）によりフォトレジスト（東京応化（株）
製；ＯＦＰＲ８００）を塗布し、最小線幅５μｍの所定
形状のマスクを用いて露光処理、現像処理を行って所定
パターンを有するマスキング層（膜厚１．０μｍ）を形
成した。これをＨＦ（２．５ｗｔ％）−Ｈ₂ Ｏ₂ （１５
ｗｔ％）−Ｈ₂ Ｏ（残部）液中でＴｉ基板の露出部をエ
ッチング（２ｍｉｎ、エッチング深さ２μｍ）し、凹部
を形成した。その後、電着物質の基板密着性をより向上
させることを目的にＨＦ−ＮＨ₄ Ｆ液中で凹部表面を粗
面化した（３０ｓｅｃ）。

【００４７】次に、上記マスキング層を電着用マスクと
して、上記凹部内にポリエステル系電着樹脂を２０Ｖ定
電圧で約３０秒間の電着を行うことによって、図１に示
したように略中央部が凹状をなししかもその表面がＴｉ
基板面よりも低くなるよう電着膜を析出させ、絶縁パタ
ーンを形成した。

【００４８】次いで、本基板を循環オーブンにて１１０
℃、３０分間焼き付けを行った後、マスキング層のみを
常温、３０ｓｅｃアセトン浸漬にて溶解除去し、電着樹
脂層（絶縁性物質）のみ１７５℃×３０ｍｉｎでクリー
ンオーブンにて焼き付けを行い、凸版構造の電着転写用
原版を作製した。なお、電着液は以下の手順で作成し
た。すなわち、ポリエステル樹脂（神東塗料（株）製）
６０重量部、メラミン樹脂（三和ケミカル（株）製；ニ
カラックＭＸ−４０）１５重量部、ブチルセルソルブ４
５重量部、ｎ−ブタノール５重量部、トリエチルアミン
４重量部を主成分とするワニスにイオン交換水８００重
量部を加えて電着液とした。

【００４９】このようにして作製した電着転写用原版の
基板の導電面裸出部に上記実験例１で用いたメッキ条件
にしたがってピロリン酸系Ｃｕメッキ液にて銅メッキを
行い、金属銅パターン（厚さ約１．５μｍ）を形成し
た。

【００５０】その後、被転写体としてアクリル系粘着性
接着剤（日本カーバイド工業（株）（製）；ＰＥ−１１
８）をガラス基板（１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍ
ｍ）上にスピンコート法（回転数３０００ｒｐｍ、３０
ｓｅｃ）で塗布したものを用い、これを電着転写用原版
に密着後、版表面を裏面から加圧ロールを速度５０ｃｍ
／分にて転動させて圧着後、銅電着インキ層を版から剥
離して被転写体に転写した。このようにして転写して形
成された銅メッキ層からなる微細パターンの解像度は５
μｍであった。この時、従来方式でみられたような原版
の絶縁パターンの破壊はまったく観察されなかった。

【００５１】その後、さらに上記の電着転写用原版を用
いて同様の微細パターン形成を１００回繰り返し行った
が、１００回の連続転写に対しても絶縁パターンのダメ
ージは全く観察されず、また、解像度を測定したところ
１回目の転写微細パターンと同じであり、本発明の電着
転写用原版が優れた耐久性をもち、高精度の微細パター
ン形成が可能であることが確認された。

【００５２】（比較例１）電着転写用原版に凹部を設け
ることなく、該基板上に絶縁パターンを形成した以外は
上記実験例１と同様にして微細パターン形成用原版を作
成した。そして、実験例１と同様にして銅電着インキ層
形成および被転写体への銅電着インキ層転写を繰り返し
行ったところ、１０回目の繰り返し転写後、絶縁パター
ンの変形が認められた。

【００５３】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、導
電性基板に形成された凹部内に全面離型性の樹脂が該基
板よりも低くなるよう電着析出されて絶縁パターンが形
成されるため、絶縁パターンと基板との接触面積が大き
く絶縁パターンと導電性基板との密着性が向上する。さ
らに、絶縁パターンと被転写体の粘着性接着材層とがま
ったく接触することなく転写が行われるため、接触剥離
力による影響を受けない。これらのことから、基板の絶
縁パターン非形成部（導電部パターン）に析出させた電
着物質を被転写体に転写する際の絶縁パターンの破壊は
極めて少ないものとなるので、本発明の転写用原版は、
膜厚が均一で線幅も一定な寸法精度の高い微細パターン
を多数回に亘って被転写体に転写することのできる優れ
た耐久性を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電着転写用原版の一実施例を示す概略
構成図である。

【図２】図１の電着転写用原版の製造工程の説明図であ
る。

【図３】従来の電着転写用原版を説明するための概略構
成図である。

【符号の説明】

１…電着転写用原版２…基板５…マスキング層７…凹部９…絶縁パターン１１…電着インキ層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも表面が導電性の基板と、該基
板に形成された凹部に設けた絶縁性物質からなる絶縁パ
ターンとを備えるとともに、該絶縁パターン表面が基板
表面よりも低くなるよう形成されていることを特徴とす
る電着転写用原版。
【請求項２】絶縁性物質が、アクリル系樹脂、アルキ
ッド系樹脂、ポリイミド系樹脂、メラミン系樹脂、ポリ
エステル系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、エポキシ系樹
脂から選択されるいずれか１種以上からなることを特徴
とする請求項１に記載の電着転写用原版。
【請求項３】請求項２に記載の絶縁性物質にさらにフ
ッ素が導入され、あるいはフッ素系ポリマー粒子が分散
されてなることを特徴とする請求項２に記載の電着転写
用原版。
【請求項４】基板がチタン（Ｔｉ）からなることを特
徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電着転写用原
版。
【請求項５】少なくとも表面が導電性の基板に所定パ
ターンの凹部を形成し、該凹部に絶縁性物質を電着さ
せ、その後前記マスキング層を除去することを特徴とす
る請求項１〜３のいずれかに記載の電着転写用原版を製
造するための製造方法。
【請求項６】凹部をフォトレジスト層を用いたエッチ
ング法、サンドブラスト法、あるいは機械切削のいずれ
かの方法により形成することを特徴とする請求項５に記
載の製造方法。
【請求項７】凹部に粗面化処理を行うことを特徴とす
る請求項５または６に記載の製造方法。