JPH04337088A - 銀めっき剥離液 - Google Patents

銀めっき剥離液

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JPH04337088A
JPH04337088A JP13858291A JP13858291A JPH04337088A JP H04337088 A JPH04337088 A JP H04337088A JP 13858291 A JP13858291 A JP 13858291A JP 13858291 A JP13858291 A JP 13858291A JP H04337088 A JPH04337088 A JP H04337088A
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silver plating
hydrogen peroxide
silver
peeling
liquid
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Kanichirou Yamamoto
山本 観一朗
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Ebara Udylite Co Ltd
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Ebara Udylite Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、銀めっきを施された物
品から不要の銀めっきを除くための銀めっき剥離液に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】ICのリードフレーム等の電子部品に銀
めっきを施した場合、不要部分に形成された銀めっきを
剥離する必要が生じることがある。そのような場合、銀
めっきの剥離は、銀めっきされた物品を銀めっき剥離作
用を有する薬液に浸漬する方法により行うのが普通であ
る。従来、銀めっき剥離液としては、硝酸系、エチレン
ジアミン−過酸化水素系、アンモニウム塩−過酸化水素
系、シアン化合物−過酸化水素系など、多数のものが知
られている。しかしながら、これら従来の銀めっき剥離
液は、剥離作用があまり強くない一方で、銅または銅合
金からなることが多い電子部品の基体金属を腐食もしく
は汚染する傾向が強く、また、溶解した銀の安定性が悪
く再び基体表面に析出したりすることがあり、さらに、
不快臭発生、シアン化合物の毒性、排水処理の問題など
、改良の余地の多いものであった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の目的は
、従来品よりも銀めっき剥離作用にすぐれ、金属基体に
対する悪影響が少なく、溶解した銀が処理液中で安定で
基体表面に析出する恐れがなく、しかも安全性の点でも
すぐれた銀めっき剥離液を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明が提供することに
成功した新規な銀めっき剥離液は、ホウ酸およびホウ砂
からなる群から選ばれたホウ素化合物ならびに過酸化水
素を必須の成分として含有するものである。本発明はま
た、上記本発明による銀めっき剥離液にさらにポリエチ
レングリコールまたは(および)グリコールエーテル類
を含有することを特徴とする銀めっき剥離液を提供する
ものである。
【0005】
【作用】本発明の銀めっき剥離液において、過酸化水素
は従来の過酸化水素系銀めっき剥離液の場合と同様に、
酸化剤として作用して金属銀をイオン化させる主剤であ
る。この過酸化水素を上記ホウ素化合物と併用すると、
ホウ素化合物の作用機構は定かでないが、過酸化水素単
独の場合よりも、またエチレンジアミン、アンモニウム
塩、シアン化合物等を過酸化水素と併用した従来の過酸
化水素系銀めっき剥離液の場合よりも、速やかに且つ好
ましくない現象や問題点を伴うことなしに、銀めっきが
溶解して除かれる。
【0006】過酸化水素とホウ素化合物による銀めっき
の剥離は、処理液中にポリエチレングリコール、非イオ
ン界面活性剤等を共存させると上記基本2成分だけの場
合よりもむら無く均一に進行するようになり、一層好結
果が得られる。この目的で添加するポリエチレングリコ
ールとしては、分子量が約100〜20,000のもの
が適当である。本発明の銀めっき剥離液は、上記諸成分
のほかにも、基本2成分の作用を損なわない範囲で、任
意の成分を含有させることができる。たとえば、不安定
な過酸化水素の分解を防止し、長期間保存を可能にする
ための安定剤、pH調整剤を含有させることができる。 過酸化水素の安定剤として有効な化合物は多数あるが、
グリコールエーテル類、たとえばエチレングリコールモ
ノアリルエーテル、エチレングリコールモノブチルエー
テル等は、本発明の銀めっき剥離液に使用する過酸化水
素安定剤として特に優れており好ましい。
【0007】本発明の銀めっき剥離液は、安定剤を含有
させて保存可能な薬液として提供してもよく、また、使
用直前に構成成分を配合して調製してもよい。本発明の
銀めっき剥離液を構成する各成分の好適濃度(銀めっき
剥離に使用する状態における濃度)は次のとおりである
。 過酸化水素:0.1〜5モル/l(好ましくは0.3〜
3モル/l) ホウ素化合物:0.05〜1.0モル/l(好ましくは
0.1〜0.5モル/l) ポリエチレングリコール:0.0001〜1モル/l(
好ましくは0.001〜0.7モル/l) グリコールエーテル:0.0001〜1モル/l(好ま
しくは0.001〜0.2モル/l)
【0008】過酸化水素の濃度が高いほど銀めっきの剥
離は速くなるが、5モル/lをこえる高濃度では反応が
過激になり、発泡による処理液の飛散、発熱、自己分解
などを招くので、上記濃度範囲をこえないことが望まし
い。 また、0.1モル/l未満では、剥離速度が極端に遅く
なり、実用的でない。ホウ素化合物、ポリエチレングリ
コールおよびグリコールエーテルは、上記範囲よりも低
濃度では使用効果がほとんどなく、一方、使用効果は上
記範囲の上限付近で限界に達し、それ以上高濃度にして
も無駄である。本発明の銀めっき剥離液による銀めっき
剥離は、上記好適濃度範囲に調整し且つ温度を常温ない
し約40℃に調整した剥離液に、被処理物品を、または
その被処理部分を、約1〜15分間浸漬することにより
行う。
【0009】
【実施例】
実施例1 銅からなる基体に電気めっきにより銀皮膜を3μmの厚
さに施し、それを、過酸化水素溶液(濃度30%)20
0ml/l(H2O2として2モル/l)、ホウ砂50
g/l(0.12モル/l)、エチレングリコールモノ
アリールエーテル1g/l(0.001モル/l)、ポ
リエチレングリコール(分子量4000)1g/l(0
.0003モル/l)の水溶液により、温度40℃で浸
漬処理した。銀めっきは5分で完全に剥離され、また、
基体金属銅の腐食も認められなかった。
【0010】実施例2 銅からなる基体に電気めっきにより銀皮膜を3μmの厚
さに施し、それを、過酸化水素溶液(濃度30%)20
0ml/l(H2O2として0.5モル/l)、ホウ酸
30g/l(0.12モル/l)、エチレングリコール
モノブチルエーテル0.5g/l(0.001モル/l
)、ポリエチレングリコール(分子量4000)1g/
l(0.0003モル/l)の水溶液により、温度40
℃で浸漬処理した。銀めっきは5分で完全に剥離され、
また、基体金属銅の腐食も認められなかった。
【0011】実施例3 銅からなる基体に電気めっきにより銀皮膜を3μmの厚
さに施し、それを、過酸化水素溶液(濃度30%)20
0ml/l(H2O2として0.5モル/l)、ホウ酸
30g/l(0.12モル/l)の水溶液により、温度
40℃で5分間浸漬処理した。処理後の銅基体表面には
若干の色むらが観察されたが腐食は認められず、銀めっ
きは完全に剥離された。
【0012】上記各例で銀を剥離した後の銅金属基体に
ついてEPMAによる表面元素分析を行なったが、銀は
検出されず、溶解した銀の置換析出はなかったことが確
認された。また、実施例1,2で銀を剥離した後の銅金
属基体に市販の非フッ化半光沢はんだめっきを5μmの
膜厚に施し、折り曲げ試験および加熱試験を行なったが
、いずれについてもはんだ皮膜の脱落、フクレやコブの
発生は認められず、銀めっき剥離処理が基体に腐食等の
悪影響を及ぼさなかったことが確認された。
【0013】
【発明の効果】ホウ酸およびホウ砂からなる群から選ば
れたホウ素化合物、過酸化水素を必須成分とし、必要に
応じて添加する助剤がポリエチレングリコール、グリコ
ールエーテル等である本発明の銀めっき剥離液は、上述
のように基体金属に損傷を与えることなしに速やかに且
つ確実に、銀めっきを剥離し、銀の置換析出もない。ま
た、シアン化合物など危険物質を含有せず、有害ガスの
発生も無いので、保存や取り扱いが容易であり、作業環
境も良好に保たれるという特長がある。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  ホウ酸およびホウ砂からなる群から選
    ばれたホウ素化合物ならびに過酸化水素を含有すること
    を特徴とする銀めっき剥離液。
  2. 【請求項2】  ホウ酸およびホウ砂からなる群から選
    ばれたホウ素化合物、過酸化水素、ならびにポリエチレ
    ングリコールを含有することを特徴とする銀めっき剥離
    液。
  3. 【請求項3】  ホウ酸およびホウ砂からなる群から選
    ばれたホウ素化合物ならびに過酸化水素を含有し、さら
    に過酸化水素の安定剤としてグリコールエーテル類を含
    有することを特徴とする銀めっき剥離液。
JP13858291A 1991-05-15 1991-05-15 銀めっき剥離液 Expired - Fee Related JPH0730467B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6167444B1 (ja) * 2016-09-09 2017-07-26 パナソニックIpマネジメント株式会社 多層膜用エッチング液とエッチング濃縮液およびエッチング方法

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CN107690488A (zh) * 2016-09-09 2018-02-13 松下知识产权经营株式会社 多层膜用蚀刻液和蚀刻浓缩液及蚀刻方法
WO2018047210A1 (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 多層膜用エッチング液とエッチング濃縮液およびエッチング方法
CN107690488B (zh) * 2016-09-09 2019-03-01 松下知识产权经营株式会社 多层膜用蚀刻液和蚀刻浓缩液及蚀刻方法

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