JPH01503470A - 銅及び銅含有合金のエッチング - Google Patents
銅及び銅含有合金のエッチングInfo
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 96
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 34
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims description 27
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims description 27
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 91
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 32
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- -1 triazole compound Chemical class 0.000 claims description 21
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 12
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 6
- CMPQUABWPXYYSH-UHFFFAOYSA-N phenyl phosphate Chemical class OP(O)(=O)OC1=CC=CC=C1 CMPQUABWPXYYSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 5
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 4
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical class OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 claims description 3
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)propan-2-ol Chemical compound CCOC(C)COCC(C)O QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 71
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 21
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 9
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- RPAJSBKBKSSMLJ-DFWYDOINSA-N (2s)-2-aminopentanedioic acid;hydrochloride Chemical class Cl.OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O RPAJSBKBKSSMLJ-DFWYDOINSA-N 0.000 description 2
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 238000009963 fulling Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- NVBFHJWHLNUMCV-UHFFFAOYSA-N sulfamide Chemical class NS(N)(=O)=O NVBFHJWHLNUMCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N tert‐butyl hydroperoxide Chemical compound CC(C)(C)OO CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001034845 Mus musculus Interferon-induced transmembrane protein 3 Proteins 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium peroxydisulfate Substances [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000368 destabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 239000003651 drinking water Substances 0.000 description 1
- 235000020188 drinking water Nutrition 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002730 mercury Chemical class 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000864 peroxy group Chemical group O(O*)* 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940072033 potash Drugs 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- YPNVIBVEFVRZPJ-UHFFFAOYSA-L silver sulfate Chemical compound [Ag+].[Ag+].[O-]S([O-])(=O)=O YPNVIBVEFVRZPJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000367 silver sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 238000005494 tarnishing Methods 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
び A合のエツチング
l豆立1j
本発明は、過酸化水素を含む酸性溶液を用いて銅及び銅含有金属を溶解或いはエ
ツチングする方法に関するものであり、そして制限されるわけではないが、プリ
ント回路板のエツチングを特に目的とする。
これまで、大半の銅エツチングは、酸性塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、アル
カリ性アンモニアエツチング剤、或いは酸性アンモニウム或いは過硫酸ナトリウ
ムエツチング剤いずれかを使用して為されてきた。大量のこれらエツチング剤が
、電子及び関連産業界において印刷回路板の製造に使用されている。
上記種類のエツチング剤の各々はめられる可能性のあるすべての要件に有用とい
うわけではないが、全般的に、低コスト、操業の容易性或いはエツチング速度の
点から斯界で受け入れられてきた。
連邦、州及び及び地方自治体により制定された環境規準がますます厳しくなって
いるため、金属エツチングのような化学操業からの廃液はもはや、実質すべての
溶解薬品を前もって除去しなければ、河川や公共下水に放流しえな(なっている
。これは、コストのかかる作業であり、また幾つかの操作に対しては実施不能で
ある。上に挙げた種類のエツチング剤の場合、リサイクリングも、不可能ではな
いにせよ困難である。
本発明の主題である酸性過酸化水素エツチング剤は、比較的リサイクルが容易で
ある。これら型式のエツチング剤の大半は硫酸をベースとするものであり、そし
て過剰の銅は溶液を単に冷却するだけで硫酸銅結晶として除去しうる。銅は電解
により再回収しうる。過酸化水素自体は、完全に非汚染性でありそして事実下水
排流の殺菌解毒においてまたある種の浄水場(上水道)において飲料水の処理に
おいて塩素の替わりに使用されている。
幾つかの酸性過酸化水素エツチング剤が工業的に使用されているけれども、その
使用はまだ制約されている。
これには幾つかの理由がある。歴史的には、過酸化水素エツチング法は、廃液の
品質への厳しい要件がない限りもっと広く使用されてきた塩化第二鉄或いはアル
カリ性アンモニアプロセスに比べるとき高価すぎた。しかし、現時点での最大の
理由は、エツチング速度が大規模な現代のプロセス操作に対しては遅すぎること
である。
本発明は、このエツチング速度の遅いという障害を克服する。純過酸化水素は不
安定な試剤である。過酸化水素が金属表面と接触状態になるとき或いは金属塩溶
液が過酸化水素に添加されるとき(銅を含む)、過酸化水素は急速に分解する。
そうした分解は、過酸化水素をエツチング溶液に使用することを非実用的とする
。
過酸化水素の不安定性問題を克服するために、過酸化水素を多(の用途で安全に
取り扱うことが出来る程度にまで過酸化水素を安定化する試薬が見出されてきた
。しかしながら、これら安定化された過酸化水素調剤は、金属へのエツチング侵
食が非実用的水準まで低減される程に不活性となつてしまった。エツチング速度
を増進するためには、過酸化水素を不安定化することなくエツチングを促進する
ような添加剤が見出されねばならない、即ちそうした添加剤は理想的には金属/
液体界面においてのみ有効であらねばならない、幾種かのそうした添加剤が文献
に挙げられている。有機化合物を基とする添加剤の大半は、エツチング速度のか
なりの増大をもたらしたが、塩化第二鉄や塩化第二銅に基づくプロセスと比較す
るときまだ及ばない、水銀塩或いは貴金属(銀、白金或いはパラジウムのような
)の塩を基とする添加剤は、良好な促進剤ではあるが、高価に過ぎるか或いは毒
性が強すぎる。上に挙げた添加剤はまたある程度過酸化水素を不安定化し、プロ
セスの経済性を低減せしめる。
本発明の実施において使用される添加剤は、上に挙げた欠点のいずれをも持たず
、しかも添加剤を加えない同じエツチング溶液と比較するとき5倍以上のエツチ
ング速度の増大を与える。
[■」J
本発明の改善は、硫酸、硝酸、スルファミド駿及び燐酸から成る群から選択され
る酸と、過酸化水素と、水との混合物を含む水性エツチング剤溶液を使用して銅
を処理することことを含む銅エツチング方法において、エツチング剤溶液中にト
リアゾール化合物と、脂肪族水溶性モノアルコール或いはグリコールモノエーテ
ルいずれかとの両方を急速なエツチング速度を与えるに有効量含むことを特徴と
する改善方法として定義される。
好ましいトリアゾールはトリルトリアゾールであり、これは好ましくは溶液中1
.5〜15g/β(溶液)の濃度で含有される。
過酸化水素がフェノール、フェノール燐酸或いはホスホネートから実質成る群か
ら選択される化合物で安定化されることが好ましい。もちろん、多くの他の安定
化された過酸化水素が入手しえそして同様の改善がそうした他の種過酸化水素を
使用しても達成される。
好ましい硫酸重量濃度は溶液の5〜25%の範囲内にあり、そして過酸化水素の
重量濃度は、溶液の5〜25%の範囲内にある。
好ましくは、溶液は、エツチングプロセスの最初の作用開始のためのごく軽度の
或いは中位の促進剤として作用する水和硫酸銅を1〜10重景%の濃度で含有す
る( Cu5O,は一旦エッチングが開始されると発生する)。
最も好ましくは、相乗作用的な促進有効量の、脂肪族水溶性モノアルコール及び
グリコールモノエーテルから成る群から選択される化合物が、H20!安定性を
保持しつつエツチング速度を大幅に向上するために溶液中に含まれる。好ましく
は、モノアルコールは、インプロパツール、n−ブチルアルコール及びt−ブチ
ルアルコールから成る群から選択され、そしてグリコールモノエーテルはジエチ
レングリコールモノブチルエーテル及びジエチレングリコールモノブチルエーテ
ルから成る群から選択され、そしてトリアゾール化合物が溶液中への含入に先立
ってモノアルコール或いはグリコールモノエーテルと混合される。
溶液は好ましくは、25〜50℃の範囲内、一層好ましくは35〜45℃の範囲
内の温度に維持される。
本発明はまた、促進剤としてトリルトリアゾール化合物単独での使用をも含む。
本発明組成物は、本発明方法を実施するのに使用される上記エツチング剤組成物
のすべてを含む。
ましい 体 の0゛ホ
単独促進剤としてのトリルトリアゾールは他の添加剤なしの同じ溶液でのエツチ
ング速度に比較してエツチング速度に約5倍の増大をもたらす。この速度は、文
献に挙げられた他の種有機添加剤の大半と同等かそれより良好であり、そしてこ
の化合物は強酸性過酸化水素エツチング溶液において完全に安定である。
トリルトリアゾールがある種の有機溶剤と組合わせて使用されるとき、驚くべき
ことに、極めて大きな相乗作用効果が観察される。エツチング速度は、同等時間
及び温度条件下で、他の点では同一組成の促進剤を含まない溶液のエツチング速
度と比べて約20倍以上にも増大した。これは、現時点で斯界で使用される一番
早いプロセスのエツチング速度の約2倍である。トリルトリアゾールが銅及び銅
合金上に強固な耐食性の単分子コーティングを形成し、従ってこれら金属の曇り
防止用に工業界で使用されることが知られていることを考慮するとき、これは特
に驚くべきことである。つまり、常識的には、エツチング速度は増進されるどこ
ろか、逆に抑制されると予想されよう。
同様の結果は、定性的にはベンゾトリアゾールを使用して観察されるが、定量的
な改善はトリルトリアゾールを用いた場合より著しく小さい。
エツチング実験に使用した主エツチング溶液は、断りのないかぎり、次の重量組
成を有した:硫酸: 15%
過酸化水素: 10%
銅(硫酸塩として添加):3.8%
残部−説イオン水
エツチング温度: 43.3℃(110下)主に使用された過酸化水素は、FM
C社の安定化されたHybrite (登録間標)品であった。安定化剤は、米
国特許第3.649.194号及び4.4.01.509号に記載されるような
、フェノール、フェノール燐酸及び有様ホスホネートであった。
使用した酸及び過酸化水素濃度並びにエツチング温度は、反応速度と操作の経済
性との至当なバランスを表わす、温度が高過ぎると、また酸及び過酸化水素濃度
が高過ぎると、安定化された調合剤でさえ、過度の過酸化水素消賛水準まで不安
定化されよう、50℃を越える温度ははるかに迅速な反応をもたらすけれども、
経済性を低減する。
エツチング溶液に添加される少量の銅(Cu5O,とじて)は一層迅速な作用開
始を促進する。銅は弱い促進剤として作用する0通常、短時間後充分の銅がエツ
チングされるべき物品から溶解するから、開始時に銅を添加することは不要であ
る。但し、エツチング速度は最初低くなろう。銅濃度がもっと高くなっても、最
初2〜4%銅が溶解した以降は、エツチング速度のそれ以上の増大は観察されな
い。使用される43℃より低い溶液温度は通常反応な遅(するが、32℃(90
下)の温度でも許容しうる速度が得られる。
一連の実験が以下に示すようにして行なわれたや最初使用したエツチング基鈑は
、UNS−C11000型式の電解軟質圧延銅i(0,010インチゲージ)で
あった、最初に使用した添加剤の量は、エツチング剤単位すットル当たり、50
m1イソプロピルアルコール中に1、25 gのトリルトリアゾールを含むもの
であった。実験の大半には2I2エツチング浴を使用した。最初の浴の実際にエ
ツチング速度は、添加剤の添加前はo、15ミル/分でありそして添加後は0.
65ミル/分であった(1ミルは1インチの1/1000に等しい)。
次いで、上に挙げたような標準的な酸、過酸化水素及び銅濃度を使用して新しい
浴を調製した。3インチ×3インチ寸法の、1oミルC11000銅箔クーポン
についてエツチング速度は0.17ミル/分であった。2.5gのトリルトリア
ゾールを含む100m1のイソプロピルアルコール添加後、エツチング速度はす
ぐに1.05ミル/分になった。1時間後のエツチング速度は更に高く1.22
ミル/分になりだ、24時間後のエツチング速度は1.54ミル/分であった。
次の実験において、トリルトリアゾールが、アルコールの添加なしに同じ基本組
成の新たに調製されたエツチング溶液に2.5g/ρの濃度において添加された
。43℃において、エツチング速度は、浴を一晩放置熟成した後でさえも、銅箔
において僅か0.75〜0.80ミル/分に過ぎなかった。
イソプロピルアルコール中に予備溶解したトリルトリアゾールの高いエツチング
速度により、単独添加材としてのアルコールの効果が調査された。前述したよう
にして実験が行なわれたとき、エツチング速度の3倍から4倍の増加が見出され
た。しかし、イソプロピルアルコール中に溶解したトリルトリアゾールの促進効
果は、トリルトリアゾール及びイソプロピルアルコールそれぞれ単独で使用され
たとき観察される工7チング速度の和よりも著しく大きく、これは真の協同作用
(相乗)効果を示す。
一連の広範な試験において、様々の水溶性有機溶剤がそれら自身での或いはトリ
ルトリアゾールと組み合わせての、エツチング速度への影響を試験された。これ
らは、脂肪族、オレフィン系、アセチレン系及び芳香族アルコール、エステル、
エーテル、グリコールエステル及びエーテル、アルデヒド、ケトン、ニトリル、
アミド、アミン並びに酸を含んだ、これらの大半はまた、トリルトリアゾールに
対する有効な溶剤であった。これら溶剤の多数は、単独添加材として使用される
ときエツチング速度を2〜4倍増大した。しかしながら、それらのほとんどは、
トリルトリアゾールとの相乗効果を示さず、事実幾つかはトリルトリアゾールの
本来の効果を減少さえした。
脂肪族水溶性第一、第二、及び第三モノアルコール並びにグリコールモノエーテ
ルのみが有効な相乗(協力)剤であり、そして恐らくそれらのペルオキシ誘導体
も有効であろう。
インプロパツールはエツチング溶液中で数日後に酸化により分解するので、第三
ブチルアルコールが好ましい、この溶剤は、第三ブチルヒドロペルオキシドに徐
々に酸化されるけれどもはるかに一層安定であることが判明している。第三ブチ
ルヒドロペルオキシドは、アルコールの代わりとして有効性を保持した。他の種
溶剤も相乗剤として更に一層有効であり、殊にn−ブチルアルコール、ジエチレ
ングリコールモノブチルエーテル、及びジプロピレングリコールモノメチルエー
テルが有用である。
試験基材としては、2型式の印刷回路板原板を使用した0選択された型式のもの
は、現時点で大半の印刷回路製造業界で使用されている材料を表わす、これらは
共に米国軍仕様MIL−P−13949に合う、これらの型式は次の通りである
:
GFN−FR4−C
GFN−FR4−F
これらは共に、エポキシ−ファイバガラス板上にめっきされた銅箔な有するもの
である。Cタイプは未処理の平滑な表面を有する。Fタイプは、クロム酸処理さ
れた粗面を有する。3つの型式の基板のエツチング速度に僅かの差が観察された
。一般に、軟質圧延銅箔のエツチングが最も早く、これにFR−4−Cタイプが
続(。一番遅いのがFR−4−Fタイプである。
一つの実験において、アルミニウム青銅型式、UNSC61300クーポンが他
の三種の基板と比較された。この金属へのエツチング速度は、FR−4−Fタイ
プ試験クーポンのエツチング速度にほぼ等しかった。
次の例は、本発明を更に例示するために呈示される。
すべてのエツチング実験において、3インチ×3インチ寸法の10ミルのCl1
00O銅箔と、2種の4インチ×4インチ寸法の回路板クーポンが使用された0
両方の回路板型式とも−・側面を2.6ミル厚の銅でクラッド(被覆)された。
廻」。
エツチング浴組成=15%H,SO,,10%H,O□−Hyhrite (登
録商標)商品−115g/A CuCuSO45H
温度: 43.3℃(110下)
単独促進剤として次第に増大する量のトリルトリアゾールをこの実験液組に対し
て添加した。エツチング速度を表1に示す。
Lユ
11に・するエツiヱグ11(単位ミル7分)少量のTTA ()リルトリアゾ
ール)ではエツチング速度は低下し、しかも、驚くべきことに、TTA濃度が高
めになると、エツチング速度は再度徐々に低下する。
各金属型式によって幾分異なるが、最速のTTA濃度が存在する。最適値は、T
TAが相乗溶剤と共に使用されたとき異なる。C11000iに対して、最適値
は2.5g/ρであった。F R−4= Cタイプに対しては、最適値は5 g
/ Aであった。FR−4−、Fタイプに対しては、最適値は7.5g/fi
であった。
[
例−に対するのと同じ基本組成を有する2℃エツチング浴を調製しそして110
″Fに加熱した。促進剤の添加なしでは、C1l○00クーポンへのエツチング
速度は0.16ミル/分であった。浴rAJに100mρイソプロパツール中に
5gのTTAを溶解したものを添加した。浴rBJに100mρ第三ブタノール
中に5gのTTAを溶解したものを添加した。C11000クーポンにおけるエ
ツチング結果は次の通りであった:A:1.85ミル1分 促進剤添加後70分
2.42ミル/分 促進剤添加後 4分0.55ミル/分 促進剤添加後24分
B:1.98ミル/分 促進剤添加後60分1.99ミル/分 促進剤添加後2
2分2.25ミル/分 促進剤添加後42分髭ユ
先の例におけるのと同様に2βエツチング浴を調製しそして110″Fに加熱し
た。促進剤の添加前では、エツチング速度は、FR−4−C2/Coクーポンに
対しては0.14ミル/分でありそしてFR−4−F2/FOクーポンに対して
は0.13ミル/分であった。浴rAJに100mβ第三ブタノール中に10g
のTTAを溶解したものを添加しそして浴rBJには100mβ第三ブタノール
中に15gの’r T Aを溶解したものを添加した。
エツチング結果は次の通りであった:
A:1.″″6ミル/分 C2/COクーポンに対して0.99ミル/分 F2
/FOクーポンに対してB:1.lOミル/分 C2/COクーポンに対して1
.51ミル/分 F 2/F Oクーポンに対してA
比較のために、また別の2ρエツチング浴を例2及び3と同様に調製し、そして
米国特許第3.407.141号に推奨されるような200ppmの銀(硫酸銀
)で促進した。結果は次の通りであった:
1.10ミル/分 C11000クーポンに対して0.72ミル/分 FR−4
−C2/Co クーポンに対して丑玉
例3にならって、100mA第三ブタノール中に15gのTTAを溶解したもの
を使用して調製された2℃浴を室温で170時間放置した。
この期間にわたっての過酸化水素減少量は僅かその含有量の4.8%、即ち0.
028%/時間にすぎなかった。
4互
100m忍のn−ブタノール中にlogのTTAを溶解したものを添加剤として
例1にと同様に調製した2℃浴を使用した。浴は、第2及び第3エツチング前に
硫酸及び過酸化水素で補充された。浴は、エツチングの前だけ加熱し、その他の
ときは室温に保持した。
PR−4−C2/Coクーポンへのエツチング速度は次の通りであった:
2.40ミル/分 2時間後
2.30ミル/分 28時間後
2.57ミル/分 18日後
匠ユ
2つの8ガロンエツチング溶液を調製した。各溶液は、エツチング溶液単位ρ当
たり、15%硫酸、10%Hybrite商品過酸化水素、15g/ACuSO
,・5H,O5及び5gのトリルトリアゾールを50mj2のn−ブタノールに
溶解した添加剤から成った。溶液rA」は、これまで述べた実験すべてに対して
使用されたのと同じ過酸化水素で補給された。溶液rBJは、同じ安定化剤を含
有するが、最初の過酸化水素における安定化剤の量の70%だけにおいて補給さ
れた。これら2つのバッチは、110″F′の温度で凹側回路板製造会社内で試
験された。
結果:エッチング基板: FR−4−C2/Coクーポン:溶液A:2.6〜2
.8ミル/分
溶液B:2.8〜3.7ミル/分
皿上
例1と同様にして2℃バッチを調製した。
溶液Aに対する促進剤:
100mρブチルカルピトール中Log)リルトリアゾール(ジエチレングリコ
ールモノブチルエーテル)溶液Bに対する促進剤:
100mρジプロピレングリコールモノメチルエーテル中logトリルトリアゾ
ール
FR−4−C2/COクーポンへの110下でのエツチング速度は次の通りであ
った:
A:2.37ミル/分
B:2.25ミル/分
■
この例は硫酸の替わりに硝酸を使用する。
浴組成: 15 % HNOx、10%HzO*、15 g/ A CuS04
5HJ
FR4−F2/FOクーポンのエツチング速度:110下において0.30ミル
/分(促進剤なし)
7.5g/ρトリルトリアゾールを50m 12 / 12ジプロピレングリコ
ールモノメチルエーテルに溶解した添加剤を使用して、次のエツチング速度が観
察された=0.78ミル/分 於 110″F
0.96ミル/分 於 “120″F
1.02ミル/分 於 130″F
同様の結果は、弱酸の、燐酸を使用しても得られた。
−贋高い酸及び過酸化水素と共に−1高い温度が、多くの用途に対して充分のエ
ツチング速度を与えるのに必要である。しかし、トリアゾール並びにモノアルコ
ール及び/或いはグリコールモノエーテルを使用しての改善は強酸(硫酸及び硝
酸)を使用してV察されるのと同様で次の11の溶液が調製されモして27の実
験が行なわすべてに実験に対する浴の大きさ=20エツチング基板: FR−4
−F2/FOクーポン使用したH、O□型式: Hybrite 50%、エツ
チング等級エツチングは様々の温度で為された。
1.15%H,SO,,10%HzOt、30 g CuSO4・5H20を使
用して作製された溶液。
2、#1と同じ溶液+100m1ブチルカルピトール中に15gベンゾトリアゾ
ール溶解添加剤。
3.15%H,S04.17%H2O3,30g CuSO4・5HzOを使用
して作製された溶液。
4、#3と同じ溶液+100m1ブチルカルピトール中に15gベンゾトリアゾ
ール溶解添加剤。
5.30%H,PO,、l O%HsOx、30 g Cu5On・5HzOを
使用して作製された溶液。
6、#5と同じ溶液+100m1ブチルカルピトール中に15gベンゾトリアゾ
ール溶解添加剤。
7.35%H,PO,,17%HzO2,30g Cu5O,−5HtOを使用
して作製された溶液。
8、#7と同じ溶液+100m1ブチルカルピトール中に15gベンゾトリアゾ
ール溶解添加剤。
9.35%スルファミド酸を添加して(完全には溶解せず、20〜25%溶解)
調製された溶液# H*O* ;17%、 3 0 g Cu5O−・58xO
。
10.15%スルフyミド酸、l O%HtOx 、30 gCuSO4・5H
20を使用して調製された溶液。
11、同溶液+100m1ブチルカルピトール中に15gベンゾトリアゾール溶
解添加剤。
得 れたエツチング遺 :
倒
10.0.37ミル/分 於110下(溶液1)。
11.0.37ミル/分 於 78’F(溶液2)。
12.0.58ミル/分 於 90下(溶液2)。
13.0.77ミル/分 於100下(溶液2)。
14.0.96ミル/分 於110下(溶液2)。
15.0.51ミル/分 於110下(溶液3)。
36.0.72ミル/分 於 707(i液4)。
17.1.27ミル/分 於 90″F(溶液4)。
18.2.18ミル/分 於100下(溶液4)。
19、>5.1ミル/分 於110”F(溶液4)。
20.0.14ミル/分 於110’F(溶液5)。
21.0.21ミル/分 於120下(溶液5)。
22.0.44ミル/分 於130″F(溶液5)。
23.0.64ミル/分 於140下(溶液5)。
24.0.30ミル/分 於110下(溶液6)。
25.0.43ミル/分 於120下(溶液6)。
26.0.56ミル/分 於130下(溶液6)。
27.0.77ミル/分 於140″F(溶液6)。
28.0.50ミル/分 於120下(溶液7)。
29.0.89ミル/分 於140”FNS液7)。
30.0.81ミル/分 於160下(溶液7)。
31−0.49ミル/分 於110’F、(溶液8)。
32.0.56ミル/分 於120下(溶液8)。
33.0.96ミル/分 於130下(溶液8)。
34.1.33ミル/分 於140下(溶液8)。
35.1.15ミル/分 於110下(鏡面光沢仕上)溶液9゜
36.0.51ミル/分 於110下(鏡面光沢仕上)溶液10゜
37.0.18ミル/分 於110下(緑−灰色粉状付着物)溶ti11 。
国際調査報告
Claims (36)
- 1.硫酸、硝酸、スルフアミド酸及び燐酸から成る群から選択される酸と、過酸 化水素と、水との混合物を含む水性エッチング剤溶液を使用して銅を処理するこ とを含む銅エッチング方法において、エツチング剤溶液中にトリアゾール化合物 と、脂肪族水溶性モノアルコール或いはグリコールモノエーテルいずれかとの両 方を、急速なエッチング速度を与える促進有効量含むことを特徴とする改善方法 。
- 2.トリアゾール化合物が1、2、3−トリアゾールである特許請求の範囲第1 項の方法。
- 3.トリアゾール化合物がトリルトリアゾールである特許請求の範囲第1項の方 法。
- 4.トリアゾール化合物がベンゾトリアゾールである特許請求の範囲第1項の方 法。
- 5.トリアゾール化合物が溶液の1.5〜15g/lの濃度において含まれる特 許請求の範囲第1項の方法。
- 6.過酸化水素がフェノール、フェノール燐酸及びホスホネートから実質成る群 から選択される化合物で安定化される特許請求の範囲第1項の方法。
- 7.硫酸濃度が溶液の5〜25重量%範囲内であり、そして過酸化水素濃度が溶 液の5〜25重量%範囲内である特許請求の範囲第5項の方法。
- 8.溶液が1〜10重量%の濃度において水和硫酸銅を含む特許請求の範囲第5 項の方法。
- 9.溶液が25〜50℃の範囲内の温度に維持される特許請求の範囲第5項の方 法。
- 10.モノアルコールは、イソプロパノール、n−ブチルアルコール及びt−ブ チルアルコールから成る群から選択され、そしてグリコールモノエーテルはジエ チレングリコールモノブチルエーテル及びジプロピレングリコールモノエチルエ ーテルから成る群から選択される特許請求の範囲第1、2、3、4、5、6、7 、8、或いは9項の方法。
- 11.トリアゾール化合物が溶液への含入前にモノアルコール或いはグリコール モノエーテルと混合される特許請求の範囲第10項の方法。
- 12.溶液が1〜10重量%の濃度において水和硫酸銅を含む特許請求の範囲第 11項の方法。
- 13.硫酸、硝酸、スルフアミド酸及び燐酸から成る群から選択される酸と、過 酸化水素と、水との混合物を含む水性エッチング剤溶液を使用して銅を処理する ことことを含む銅エッチング方法において、エッチング剤溶液中にトリルトリア ゾールを、急速なエッチング速度を与える促進有効量含むことを特徴とする改善 方法。
- 14.トリアゾール化合物が溶液中溶液の1.5〜15g/lの濃度において含 まれる特許請求の範囲第13項の方法。
- 15.過酸化水素がフェノール、フェノール燐酸及びホスホネートから実質成る 群から選択される化合物で安定化される特許請求の範囲第13項の方法。
- 16.硫酸濃度が溶液の5〜25重量%範囲内であり、そして過酸化水素濃度が 溶液の5〜25重量%範囲内である特許請求の範囲第13項の方法。
- 17.溶液が1〜10重量%の濃度において水和硫酸銅を含む特許請求の範囲第 13項の方法。
- 18.溶液が25〜50℃の範囲内の温度に維持される特許請求の範囲第13項 の方法。
- 19.硫酸、硝酸、スルフアミド酸及び燐酸から成る群から選択される酸と、過 酸化水素と、水との混合物を含む銅含有表面をエッチングするのに有用なエッチ ング用組成物において、エッチング剤溶液中にトリアゾール化合物と、脂肪族水 溶性モノアルコール或いはグリコールモノエーテルいずれかとの両方を、急速な エッチング速度を与える促進有効量含むことを特徴とするエッチング用組成物。
- 20.トリアゾール化合物が1、2、3−トリアゾールである特許請求の範囲第 19項の組成物。
- 21.トリアゾール化合物がトリルトリアゾールである特許請求の範囲第19項 の組成物。
- 22.トリアゾール化合物がベンゾトリアゾールである特許請求の範囲第19項 の組成物。
- 23.トリアゾール化合物が溶液の1.5〜15g/lの濃度において含まれる 特許請求の範囲第19項の組成物。
- 24.過酸化水素がフェノール、フェノール燐酸及びホスホネートから実質成る 群から選択される化合物で安定化される特許請求の範囲第19項の組成物。
- 25.硫酸濃度が溶液の5〜25重量%範囲内であり、そして過酸化水素濃度が 溶液の5〜25重量%範囲内である特許請求の範囲第23項の組成物。
- 26.溶液が1〜10重量%の濃度において水和硫酸銅を含む特許請求の範囲第 23項の組成物。
- 27.溶液が25〜50℃の範囲内の温度に維持される特許請求の範囲第23項 の組成物。
- 28.モノアルコールは、イソプロパノール、n−ブチルアルコール及びt−ブ チルアルコールから成る群から選択され、そしてグリコールモノエーテルはジエ チレングリコールモノブチルエーテル及びジプロピレングリコールモノエチルエ ーテルから成る群から選択される特許請求の範囲第19、20、21、22、2 3、24、25、26成いは27項の組成物。
- 29.トリアゾール化合物が溶液への含入前にモノアルコール或いはグリコール モノエーテルと混合される特許請求の範囲第28項の組成物。
- 30.溶液が1〜10重量%の濃度において水和硫酸銅を含む特許請求の範囲第 29項の組成物。
- 31.硫酸、硝酸、スルフアミド酸及び燐酸から成る群から選択される酸と、過 酸化水素と、水との混合物を含む銅含有表面をエッチングするのに有用なエッチ ング用組成物において、エッチング剤溶液中にトリルトリアゾールを、急速なエ ッチング速度を与える促進有効量含むことを特徴とするエッチング用組成物。
- 32.トリアゾール化合物が溶液中溶液の1.5〜15g/lの濃度において含 まれる特許請求の範囲第31項の組成物。
- 33.過酸化水素がフェノール、フェノール燐酸及びホスホネートから実質成る 群から選択される化合物で安定化される特許請求の範囲第31項の組成物。
- 34.硫酸濃度が溶液の5〜25重量%範囲内であり、そして過酸化水素濃度が 溶液の5〜25重量%範囲内である特許請求の範囲第31項の組成物。
- 35.溶液が1〜10重量%の濃度において水和硫酸銅を含む特許請求の範囲第 31項の組成物。
- 36.溶液が25〜50℃の範囲内の温度に維持される特許請求の範囲第31項 の組成物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US058,066 | 1987-06-04 | ||
US07/058,066 US4859281A (en) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | Etching of copper and copper bearing alloys |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01503470A true JPH01503470A (ja) | 1989-11-22 |
Family
ID=22014449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63504962A Pending JPH01503470A (ja) | 1987-06-04 | 1988-05-27 | 銅及び銅含有合金のエッチング |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4859281A (ja) |
EP (1) | EP0315677A4 (ja) |
JP (1) | JPH01503470A (ja) |
KR (1) | KR890700696A (ja) |
WO (1) | WO1988009829A1 (ja) |
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EP3518631A1 (en) | 2018-01-29 | 2019-07-31 | AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Anisotropic etching using highly branched polymers |
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- 1988-05-27 EP EP19880905317 patent/EP0315677A4/en not_active Withdrawn
- 1988-05-27 WO PCT/US1988/001803 patent/WO1988009829A1/en not_active Application Discontinuation
- 1988-05-27 JP JP63504962A patent/JPH01503470A/ja active Pending
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---|---|
EP0315677A4 (en) | 1989-10-11 |
KR890700696A (ko) | 1989-04-26 |
US4859281A (en) | 1989-08-22 |
WO1988009829A1 (en) | 1988-12-15 |
EP0315677A1 (en) | 1989-05-17 |
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