JPH04336473A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
- Publication number
- JPH04336473A JPH04336473A JP3107905A JP10790591A JPH04336473A JP H04336473 A JPH04336473 A JP H04336473A JP 3107905 A JP3107905 A JP 3107905A JP 10790591 A JP10790591 A JP 10790591A JP H04336473 A JPH04336473 A JP H04336473A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- inp
- layer
- conductivity type
- semiconductor light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体受光装置に関し
、特に受光面の反射率制御を容易としたものである。
、特に受光面の反射率制御を容易としたものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の半導体受光装置の構造断面
図である。この図において、１はｎ−ＩｎＰ基板、２は
ｎ− −ＩｎＰバッファ層、３はｎ− −ＩｎＧａＡｓ
光吸収層、４はｎ− −ＩｎＰ窓層で、これら各層はｎ
−ＩｎＰ基板１上に順次結晶成長されている。５は選択
拡散などにより形成されたｐ＋ −ＩｎＧａＡｓ光吸収
層、６はｐ＋ −ＩｎＰ窓層、７はこのｐ＋ −ＩｎＰ
窓層６の一部に開口部を有し、ｎ− −ＩｎＰ窓層４と
ｐ＋ −ＩｎＰ窓層６上に形成されたＳｉＮ膜、８は前
記ｐ＋ −ＩｎＰ窓層６の一部に接しているｐ電極、９
は前記ＩｎＰ基板１側に形成されたｎ電極、２０は前記
ＳｉＮ膜７と同時に形成された反射率制御膜、２１は入
射した光の経路を示す矢印である。
図である。この図において、１はｎ−ＩｎＰ基板、２は
ｎ− −ＩｎＰバッファ層、３はｎ− −ＩｎＧａＡｓ
光吸収層、４はｎ− −ＩｎＰ窓層で、これら各層はｎ
−ＩｎＰ基板１上に順次結晶成長されている。５は選択
拡散などにより形成されたｐ＋ −ＩｎＧａＡｓ光吸収
層、６はｐ＋ −ＩｎＰ窓層、７はこのｐ＋ −ＩｎＰ
窓層６の一部に開口部を有し、ｎ− −ＩｎＰ窓層４と
ｐ＋ −ＩｎＰ窓層６上に形成されたＳｉＮ膜、８は前
記ｐ＋ −ＩｎＰ窓層６の一部に接しているｐ電極、９
は前記ＩｎＰ基板１側に形成されたｎ電極、２０は前記
ＳｉＮ膜７と同時に形成された反射率制御膜、２１は入
射した光の経路を示す矢印である。
【０００３】次に、動作について説明する。ｐ電極８と
ｎ電極９間に逆バイアスを印加した場合、ｎ− −Ｉｎ
ＧａＡｓ光吸収層３中に空乏層が広がる。この時、Ｉｎ
ＧａＡｓのバンドギャップ波長より短い波長の光が矢印
２１の経路で入射した場合、ｎ− −ＩｎＧａＡｓ光吸
収層３で光は吸収され、キャリアを発生させる。このキ
ャリアは逆バイアスにより広がった空乏層内を分離・ド
リフトすることにより光電流として電極から取り出され
る。
ｎ電極９間に逆バイアスを印加した場合、ｎ− −Ｉｎ
ＧａＡｓ光吸収層３中に空乏層が広がる。この時、Ｉｎ
ＧａＡｓのバンドギャップ波長より短い波長の光が矢印
２１の経路で入射した場合、ｎ− −ＩｎＧａＡｓ光吸
収層３で光は吸収され、キャリアを発生させる。このキ
ャリアは逆バイアスにより広がった空乏層内を分離・ド
リフトすることにより光電流として電極から取り出され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体受光装置
は、以上のように構成されているため、受光部に形成さ
れる反射率制御膜２０であるＳｉＮ膜は、パッシベーシ
ョン膜であるＳｉＮ膜と同時に形成されるため、ウエハ
プロセス時において反射率は決定され、その後のチップ
状態で反射率を変化させることが困難であった。
は、以上のように構成されているため、受光部に形成さ
れる反射率制御膜２０であるＳｉＮ膜は、パッシベーシ
ョン膜であるＳｉＮ膜と同時に形成されるため、ウエハ
プロセス時において反射率は決定され、その後のチップ
状態で反射率を変化させることが困難であった。
【０００５】本発明は、上記の問題点を解消するために
なされたもので、受光部の反射率をチップ状態またはバ
ー状態において制御できるとともに、受光部をウエハプ
ロセス完了後に露出させてウエハプロセス中における汚
れ、キズの問題を排除した半導体受光装置を得ることを
目的とする。
なされたもので、受光部の反射率をチップ状態またはバ
ー状態において制御できるとともに、受光部をウエハプ
ロセス完了後に露出させてウエハプロセス中における汚
れ、キズの問題を排除した半導体受光装置を得ることを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体受光
装置は、受光部をチップ分離時に露出する端面とし、そ
の端面からの入射光を効果的にＩｎＧａＡｓ光吸収層に
導くために基板の一部に傾斜状に加工を施した反射面を
備えたものである。
装置は、受光部をチップ分離時に露出する端面とし、そ
の端面からの入射光を効果的にＩｎＧａＡｓ光吸収層に
導くために基板の一部に傾斜状に加工を施した反射面を
備えたものである。
【０００７】
【作用】本発明における半導体受光装置は、入射してく
る光を端面より受光するため、受光部の反射率は端面コ
ート技術により、ウエハプロセス完了後に行うことがで
きる。これにより端面の反射率制御は同一ウエハにおい
ても任意に変化させることができる。また、チップ分離
時の端面を受光部とすることにより、ウエハプロセス中
における受光部の汚れ等を排除できる。
る光を端面より受光するため、受光部の反射率は端面コ
ート技術により、ウエハプロセス完了後に行うことがで
きる。これにより端面の反射率制御は同一ウエハにおい
ても任意に変化させることができる。また、チップ分離
時の端面を受光部とすることにより、ウエハプロセス中
における受光部の汚れ等を排除できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図１は本発明の一実施例による半導体受光装置の断
面図である。この図において、１〜９は図２の従来例に
示したものと同等であるので、説明を省略する。１０は
ダイボンド時の安定性を高めるためのＡｕメッキ、２０
は受光部の反射率制御のために形成された反射率制御膜
、２１は端面より入射した光の経路を示す矢印、２２は
入射した光をｎ− −ＩｎＧａＡｓ光吸収層３に効率良
く反射させるためにｎ− −ＩｎＰ基板の一部に傾斜状
に加工を施した反射面である。
る。図１は本発明の一実施例による半導体受光装置の断
面図である。この図において、１〜９は図２の従来例に
示したものと同等であるので、説明を省略する。１０は
ダイボンド時の安定性を高めるためのＡｕメッキ、２０
は受光部の反射率制御のために形成された反射率制御膜
、２１は端面より入射した光の経路を示す矢印、２２は
入射した光をｎ− −ＩｎＧａＡｓ光吸収層３に効率良
く反射させるためにｎ− −ＩｎＰ基板の一部に傾斜状
に加工を施した反射面である。
【０００９】次に、動作について説明する。ｐ電極８と
ｎ電極９間に逆バイアスを印加した場合、ｎ− −Ｉｎ
ＧａＡｓ光吸収層３中に空乏層が広がる。この時、Ｉｎ
ＧａＡｓのバンドギャップ波長より短い波長の光が端面
の受光部より入射した場合、ｎ− −ＩｎＰ基板１に形
成された反射面２２で反射され効率良くｎ− −ＩｎＧ
ａＡｓ光吸収層３に集光される。ｎ− −ＩｎＧａＡｓ
光吸収層３では、光は吸収されキャリアを発生し、この
キャリアは逆バイアスにより広がった空乏層内を分離・
ドリフトすることにより光電流として電極から取り出さ
れる。
ｎ電極９間に逆バイアスを印加した場合、ｎ− −Ｉｎ
ＧａＡｓ光吸収層３中に空乏層が広がる。この時、Ｉｎ
ＧａＡｓのバンドギャップ波長より短い波長の光が端面
の受光部より入射した場合、ｎ− −ＩｎＰ基板１に形
成された反射面２２で反射され効率良くｎ− −ＩｎＧ
ａＡｓ光吸収層３に集光される。ｎ− −ＩｎＧａＡｓ
光吸収層３では、光は吸収されキャリアを発生し、この
キャリアは逆バイアスにより広がった空乏層内を分離・
ドリフトすることにより光電流として電極から取り出さ
れる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
受光部がチップ分離時に形成される端面となるため、受
光部の反射率を制御する場合、端面コート技術によりチ
ップ状態またはバー状態で行え、ウエハプロセス完了後
に制御できる。また、受光部はウエハプロセス完了後に
露出するため、ウエハプロセス中における汚れ、キズ等
を排除することが可能となる。
受光部がチップ分離時に形成される端面となるため、受
光部の反射率を制御する場合、端面コート技術によりチ
ップ状態またはバー状態で行え、ウエハプロセス完了後
に制御できる。また、受光部はウエハプロセス完了後に
露出するため、ウエハプロセス中における汚れ、キズ等
を排除することが可能となる。
【図１】本発明の一実施例による半導体受光装置の断面
図である。
図である。
【図２】従来の半導体受光装置の断面図である。
１ ｎ−ＩｎＰ基板
２ ｎ− −ＩｎＰバッファ層
３ ｎ− −ＩｎＧａＡｓ光吸収層４ ｎ
− −ＩｎＰ窓層 ５ ｐ＋ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層６ ｐ
＋ −ＩｎＰ窓層 ７ ＳｉＮ膜 ８ ｐ電極 ９ ｎ電極 １０ Ａｕメッキ ２０ 反射率制御膜 ２１ 入射光の経路を示す矢印 ２２ 反射面
− −ＩｎＰ窓層 ５ ｐ＋ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層６ ｐ
＋ −ＩｎＰ窓層 ７ ＳｉＮ膜 ８ ｐ電極 ９ ｎ電極 １０ Ａｕメッキ ２０ 反射率制御膜 ２１ 入射光の経路を示す矢印 ２２ 反射面
Claims (1)
- 【請求項１】第１の導電型を有するＩｎＰ基板の一主面
上に同一導電型を有するＩｎＰバッファ層，ＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層，ＩｎＰ窓層を順次形成し、前記ＩｎＰ窓層
とＩｎＧａＡｓ光吸収層の一部を第２の導電型に選択的
に反転した領域を有し、この第２の導電型のＩｎＰ窓層
上に開口部を有する誘電体膜を前記ＩｎＰ窓層上に形成
し、前記誘電体膜上に一部が第２の導電型のＩｎＰ窓層
に接している第１の電極を形成し、前記第１の導電型の
ＩｎＰ基板側に第２の電極を形成し、へき開端面より光
を受ける構造の半導体受光装置において、前記ＩｎＰ基
板の一部を斜めに加工した反射面を具備し、この反射面
側の前記ＩｎＰ基板面に前記第２の電極を形成したこと
を特徴とする半導体受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3107905A JPH04336473A (ja) | 1991-05-14 | 1991-05-14 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3107905A JPH04336473A (ja) | 1991-05-14 | 1991-05-14 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04336473A true JPH04336473A (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=14471040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3107905A Pending JPH04336473A (ja) | 1991-05-14 | 1991-05-14 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04336473A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004304187A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 受光素子及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-05-14 JP JP3107905A patent/JPH04336473A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004304187A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 受光素子及びその製造方法 |
| US7161221B2 (en) | 2003-03-28 | 2007-01-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light receiving element and method of manufacturing the same |
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