JPH04336460A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH04336460A
JPH04336460A JP3107689A JP10768991A JPH04336460A JP H04336460 A JPH04336460 A JP H04336460A JP 3107689 A JP3107689 A JP 3107689A JP 10768991 A JP10768991 A JP 10768991A JP H04336460 A JPH04336460 A JP H04336460A
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JP
Japan
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metal frame
conductor pattern
semiconductor device
conductor
pattern
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JP3107689A
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English (en)
Inventor
Etsuo Arai
新井　悦男
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パワートランジスタ，
ダイオード，サイリスタモジュールなどを実施対象とし
た半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】頭記の半導体装置は、基板上に形成した
銅箔，アルミ箔などの導体パターンに各種のチップ素子
をマウントし、さらに外部導出端子を接続した回路組立
体をパッケージに組み込んで構成したものである。一方
、かかる半導体装置に対して、回路パターンのファイン
化，並びに放熱性を高めるために回路基板として伝熱性
の優れた金属絶縁基板を採用し、併せて高い電流容量を
確保することを目的に、金属絶縁基板の導体パターンの
うち、主電流回路に対応する導体パターン上に外部導出
端子に連なる金属フレームを固着し、該金属フレームの
チップ搭載部にチップ素子をマウントして構成した半導
体装置が、本発明と同一の出願人より特開平２−３０６
６４０号公報として既に提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の半導
体装置については、回路パターンが益々ファイン化され
るに伴い回路パターンのレイアウトで主電流回路と制御
回路との間、あるいは主電流回路の相互間で回路パター
ンを交差させる必要箇所の生じることがあるが、従来で
はこのような回路パターンの交差部分の簡単な処理方法
が確立しておらず、このことが小形で安価な半導体装置
を提供する上でのネックになっている。
【０００４】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は先記提案を改良し、基板上に組み合
わせた金属フレームを巧みに活用することにより、回路
パターンのレイアウトで導体パターンの交差部分を簡単
な方法で処理できるようにした半導体装置を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体装置においては、主電流回路に対応
する導体パターンに固着した金属フレームと他の導体パ
ターンとが交差する部位で金属フレームを相手側導体パ
ターンと非接触式に立体交差させて構成するものとする
。
【０００６】ここで、金属フレームを立体交差させる具
体的な構造として、他の導体パターンとの交差部位で、
金属フレームが相手側導体パターンの上を跨ぐように当
該金属フレームの渡り部をブリッジ状に曲げ加工して立
体交差させる。あるいは、チップ搭載部に連なる金属フ
レームの渡り部を基板から起立するように折り曲げてお
き、他の導体パターンとの交差部位で金属フレームが相
手側導体パターンの上を跨ぐように前記渡り部をトリミ
ングして立体交差させる構成で実施できる。
【０００７】
【作用】上記構成のように、金属フレームと他の導体パ
ターンとの交差部位で金属フレームが相手側導体パター
ンの上を跨ぐように加工して非接触式に立体交差させる
ことにより、基板上での導体パターンの交差部を簡単に
処理することができ、基板上に形成した回路パターンの
レイアウトの自由度が大幅に高まる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。図１，図２，図３はそれぞれ異なる本発明の実施例
を示すものであり、各図において１は金属絶縁基板、２
は基板上に形成した主電流回路に対応する導体パターン
、３は制御回路に対応する導体パターン、４は導体パタ
ーン２の上に重ねて固着した金属フレーム、５はトラン
ジスタ，ダイオードなどのチップ素子、６はボンディン
グワイヤを示す。ここで、金属フレーム４は例えば銅板
を打ち抜き加工して作られたものであり、この金属フレ
ーム４にチップ搭載部４ａ、チップ搭載部４ａの相互間
を連ねた渡り部４ｂ，および外部導出端子４ｃなどが形
成されている。また、チップ素子５は金属フレーム４の
チップ搭載部４ａの上にマウントされている。
【０００９】まず、図１の実施例では、主電流回路の導
体パターン２に固着した金属フレーム４と制御回路の導
体パターン３とが交差し合う部位で、金属フレーム４が
相手側の導体パターン３の上を跨ぐように渡り部４ｂが
ブリッジ状に曲げ加工されており、これにより金属フレ
ーム４が導体パターン３と非接触式に立体交差して両者
の間に必要な絶縁を確保している。
【００１０】図２の実施例では、金属フレーム４につい
て、チップ搭載部４ａの相互間を連ねた渡り部４ｂが基
板１に対して起立するように直角に折り曲げてあり、か
つ制御回路の導体パターン３との交差部位では渡り部４
ｂの下縁側をトリミングして相手側導体パターン３を非
接触式に跨いで立体交差するように成形されている。こ
の構成でも図１の実施例と同様に金属フレーム４とこれ
に交差する導体パターン３との間に必要な絶縁を確保で
きる。
【００１１】図３は金属フレーム４の相互間が交差し合
う部分で金属フレーム同士を立体交差させるようにした
実施例であり、一方の金属フレームの渡り部４ｂが相手
側金属フレーム４の上を跨ぐようにブリッジ状に曲げ加
工されている。
【００１２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体装置
によれば、基板上の導体パターンに固着した通電部材の
金属フレームと他の導体パターンとの交差部位で、金属
フレームの渡り部が相手側導体パターンを非接触式に跨
ぐよう立体交差させて構成したことにより、回路パター
ンの交差部分の絶縁を簡単な手段で処理することができ
、これにより回路パターンのレイアウトについての設計
自由度を高めて半導体装置の小形，コンパクト化を図る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明一実施例の構成斜視図
【図２】本発明の異なる実施例の構成斜視図
【図３】本
発明のさらに異なる実施例の構成斜視図
【符号の説明】
１　　　　金属絶縁基板 ２　　　　電流回路の導体パターン ３　　　　制御回路の導体パターン ４　　　　金属フレーム ４ａ　　チップ搭載部 ４ｂ　　渡り部 ４ｃ　　外部導出端子 ５　　　　チップ素子

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に形成した導体パターンのうち、主
    電流回路に対応する導体パターン上に重ねて外部導出端
    子に通じる主電流通路を構成する金属フレームを固着し
    、かつ該金属フレームのチップ搭載部にチップ素子をマ
    ウントしてなる半導体装置において、前記金属フレーム
    と他の導体パターンとが交差する部位で金属フレームを
    相手側導体パターンと非接触式に立体交差させたことを
    特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】請求項１記載の半導体装置において、他の
    導体パターンとの交差部位で、金属フレームが相手側導
    体パターンの上を跨ぐように当該金属フレームの渡り部
    をブリッジ状に曲げ加工して立体交差させたことを特徴
    とする半導体装置。
  3. 【請求項３】請求項１記載の半導体装置において、チッ
    プ搭載部に連なる金属フレームの渡り部を基板から起立
    するように折り曲げておき、他の導体パターンとの交差
    部位で金属フレームが相手側導体パターンの上を跨ぐよ
    うに前記渡り部をトリミングして立体交差させたことを
    特徴とする半導体装置。
JP3107689A 1991-05-14 1991-05-14 半導体装置 Pending JPH04336460A (ja)

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JP3107689A JPH04336460A (ja) 1991-05-14 1991-05-14 半導体装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010330A (ja) * 2008-06-26 2010-01-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2010171278A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置及びリードフレーム

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JP2010010330A (ja) * 2008-06-26 2010-01-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP4666185B2 (ja) * 2008-06-26 2011-04-06 三菱電機株式会社 半導体装置
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