JPH0433329A - 光ｃｖｄ装置 - Google Patents
光ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0433329A JPH0433329A JP13833490A JP13833490A JPH0433329A JP H0433329 A JPH0433329 A JP H0433329A JP 13833490 A JP13833490 A JP 13833490A JP 13833490 A JP13833490 A JP 13833490A JP H0433329 A JPH0433329 A JP H0433329A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater plate
- substrate
- gas
- lateral side
- vacuum vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ等を
製造可能な光ＣＶＤ装置に関し、特にそのヒータープレ
ートの改良に関する。
製造可能な光ＣＶＤ装置に関し、特にそのヒータープレ
ートの改良に関する。
（従来の技術）
従来、例えば薄膜トランジスタの製造に際し基板に薄膜
を形成するーっの手段として、光ＣＶＤ装置が用いられ
ている。この光ＣＶＤ装置は通常、第３図に示すように
基板１を加熱するヒータープレート４とこのヒータープ
レート４周辺に設けられヒータープレート４に薄膜が付
着することを防止するための防着板１２、反応ガスを真
空容器３内に導入する反応ガスノズル６、真空容器を真
空雰囲気にする排気系５．光源としての低圧水銀ランプ
８、ランプハウス７、光照射窓９から構成されている。
を形成するーっの手段として、光ＣＶＤ装置が用いられ
ている。この光ＣＶＤ装置は通常、第３図に示すように
基板１を加熱するヒータープレート４とこのヒータープ
レート４周辺に設けられヒータープレート４に薄膜が付
着することを防止するための防着板１２、反応ガスを真
空容器３内に導入する反応ガスノズル６、真空容器を真
空雰囲気にする排気系５．光源としての低圧水銀ランプ
８、ランプハウス７、光照射窓９から構成されている。
基板１を搬入搬出２より真空容器３内のヒータープレー
ト４上に取り入れた後、真空容器３内を排気系５により
所定の圧力まで排気して真空容器３内を真空雰囲気しこ
すると同時に基板１を所定の温度まで加熱保持する。次
に反応ガスを真空容器４内に反応ガスノズル６により流
入し、排気系５により真空容器４内を所定の圧力に保持
しながらランプハウス７内の低圧水銀ランプ８の光を光
照射窓９を介して基板１に照射し光と反応ガスを反応さ
せ基板１上に膜を堆積させる。
ト４上に取り入れた後、真空容器３内を排気系５により
所定の圧力まで排気して真空容器３内を真空雰囲気しこ
すると同時に基板１を所定の温度まで加熱保持する。次
に反応ガスを真空容器４内に反応ガスノズル６により流
入し、排気系５により真空容器４内を所定の圧力に保持
しながらランプハウス７内の低圧水銀ランプ８の光を光
照射窓９を介して基板１に照射し光と反応ガスを反応さ
せ基板１上に膜を堆積させる。
この従来の光ＣＶＤ装置によると、基板１をヒ−タープ
レート４上に搭載し光と反応させる際、ヒータ−プレー
ト４側面は加熱されており、しかも光の照射及び回り込
みを受ける。これによりヒータ−プレート４側面にも膜
が堆積し、やがて膜剥がれ等のごみ発生の主要因となっ
ている。そこでヒータ−プレート４側面には、防着板１
２等を取り付けておき頻繁にヒータープレート４より取
り外しエツチング、サンドブラスト等により、膜を剥離
し再度ヒータープレートに取り付けるといった作業を行
ってごみの発生を抑制していた。
レート４上に搭載し光と反応させる際、ヒータ−プレー
ト４側面は加熱されており、しかも光の照射及び回り込
みを受ける。これによりヒータ−プレート４側面にも膜
が堆積し、やがて膜剥がれ等のごみ発生の主要因となっ
ている。そこでヒータ−プレート４側面には、防着板１
２等を取り付けておき頻繁にヒータープレート４より取
り外しエツチング、サンドブラスト等により、膜を剥離
し再度ヒータープレートに取り付けるといった作業を行
ってごみの発生を抑制していた。
（発明が解決しようとする課題）
上述したように、従来の光ＣＶＤ装置では、ごみの発生
による膜質の品質低下、防着板交換によるメンテナンス
頻度の増大、つまり稼働率の低下に問題がある。
による膜質の品質低下、防着板交換によるメンテナンス
頻度の増大、つまり稼働率の低下に問題がある。
本発明は、基板に形成される薄膜の品質を向上させると
共に、光ＣＶＤ装置の稼働率を向上させる目的とするも
のである。
共に、光ＣＶＤ装置の稼働率を向上させる目的とするも
のである。
〔発明の構成・〕
（課題を解決するための手段）
本発明は真空容器内に設けられた基板を加熱するヒータ
ープレートの側面に、複数の孔を有するガス吹出し機構
を設けたことを特徴とする。
ープレートの側面に、複数の孔を有するガス吹出し機構
を設けたことを特徴とする。
（作用）
成膜中にヒータープレートの側面から不活性ガスを放出
することにより、ヒータープレート側面への膜の堆積は
非常に少なくなる。
することにより、ヒータープレート側面への膜の堆積は
非常に少なくなる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。尚
、従来の光ＣＶＤ装置と同一箇所には同一符号を付すこ
とにする。
、従来の光ＣＶＤ装置と同一箇所には同一符号を付すこ
とにする。
第１図は本発明の光ＣＶＤ装置を示し、第２図はヒータ
ープレート４とガス吹き出し口１０の構成を示している
。基板１を搬入搬出口２より真空容器３内にヒータープ
レート４の上にセットする。
ープレート４とガス吹き出し口１０の構成を示している
。基板１を搬入搬出口２より真空容器３内にヒータープ
レート４の上にセットする。
次に、真空容器３内を排気系５により所定の圧力の真空
雰囲気にすると同時に、基板１をヒータープレート４で
所定の温度まで加熱保持する。さらに、反応ガスを反応
ガスノズル６より真空容器３内に流入し、排気系５によ
り真空容器３内を所定の圧力に保持しながら、ランプハ
ウス７内の低圧水銀ランプ８の光を光照射窓９を介して
基板１に照射し成膜する。その際に、ヒータープレー１
〜４の側面において、不活性ガスをガス流量制御機構１
１により所定の流量になるように調節しながら。
雰囲気にすると同時に、基板１をヒータープレート４で
所定の温度まで加熱保持する。さらに、反応ガスを反応
ガスノズル６より真空容器３内に流入し、排気系５によ
り真空容器３内を所定の圧力に保持しながら、ランプハ
ウス７内の低圧水銀ランプ８の光を光照射窓９を介して
基板１に照射し成膜する。その際に、ヒータープレー１
〜４の側面において、不活性ガスをガス流量制御機構１
１により所定の流量になるように調節しながら。
ヒータ−プレート４内部を通りガス吹出し口１０から吹
出す。 このヒータープレート４の吹出し口径はφ０
、５ｍｍ、 ピッチ５ｍｍの格子状とした。不活性ガス
としては、Ｎ２．Ａｒ等が好適する。また、ガス吹出し
口１０の材質としてはアルミナセラミックス等が好適し
、ヒータープレート４の着脱はボルトにより容易に行え
るような構造になっている。
出す。 このヒータープレート４の吹出し口径はφ０
、５ｍｍ、 ピッチ５ｍｍの格子状とした。不活性ガス
としては、Ｎ２．Ａｒ等が好適する。また、ガス吹出し
口１０の材質としてはアルミナセラミックス等が好適し
、ヒータープレート４の着脱はボルトにより容易に行え
るような構造になっている。
この発明によれば、成膜中にヒータープレートの側面か
ら不活性ガスを吹出すことにより、ヒータープレート側
面への膜の堆積は減少する。従って、基板上に堆積させ
る薄膜中にごみが付着することによる品質の低下がなく
、メンテナンス頻度が削減でき装置稼働率を飛躍的に向
上させることができる。
ら不活性ガスを吹出すことにより、ヒータープレート側
面への膜の堆積は減少する。従って、基板上に堆積させ
る薄膜中にごみが付着することによる品質の低下がなく
、メンテナンス頻度が削減でき装置稼働率を飛躍的に向
上させることができる。
第１図は本発明の光ＣＶＤ装置の一実施例の概略構成を
示す断面図、第２図は第１図のヒータープレートの概略
構成を示す斜視図、第３図は従来の光ＣＶＤ装置の概略
構成を示す断面図である。 １１．、基板、 ２・・・搬入搬出口３・
・真空容器、 ４・・ヒータープレート５・・
・排気系、 ６・・・反応ガスノズル７・・
・ランプハウス、 ８・・・低圧水銀ランプ９・・
・光照射窓、 １０・・・ガス吹出し口１１・・
ガス流量制御機構、１２・・・防着板代理人 弁理士
則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 ９党！、！射２・ 七源 第 図 適 区 第 図
示す断面図、第２図は第１図のヒータープレートの概略
構成を示す斜視図、第３図は従来の光ＣＶＤ装置の概略
構成を示す断面図である。 １１．、基板、 ２・・・搬入搬出口３・
・真空容器、 ４・・ヒータープレート５・・
・排気系、 ６・・・反応ガスノズル７・・
・ランプハウス、 ８・・・低圧水銀ランプ９・・
・光照射窓、 １０・・・ガス吹出し口１１・・
ガス流量制御機構、１２・・・防着板代理人 弁理士
則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 ９党！、！射２・ 七源 第 図 適 区 第 図
Claims (1)
- 真空容器内に基板を加熱するヒータープレートと、前
記基板に光を照射する光源と、反応ガスを前記真空容器
内に導くガス導入部と、を具備する光ＣＶＤ装置におい
て、前記ヒータープレートの側面に不活性ガスを放出す
る複数の孔を有するガス吹出し機構を設けたことを特徴
とする光ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13833490A JPH0433329A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 光ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13833490A JPH0433329A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 光ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0433329A true JPH0433329A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15219482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13833490A Pending JPH0433329A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 光ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0433329A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5290358A (en) * | 1992-09-30 | 1994-03-01 | International Business Machines Corporation | Apparatus for directional low pressure chemical vapor deposition (DLPCVD) |
-
1990
- 1990-05-30 JP JP13833490A patent/JPH0433329A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5290358A (en) * | 1992-09-30 | 1994-03-01 | International Business Machines Corporation | Apparatus for directional low pressure chemical vapor deposition (DLPCVD) |
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