JPH04331075A - ダイヤモンド砥石およびその製造法 - Google Patents
ダイヤモンド砥石およびその製造法Info
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- JPH04331075A JPH04331075A JP3128604A JP12860491A JPH04331075A JP H04331075 A JPH04331075 A JP H04331075A JP 3128604 A JP3128604 A JP 3128604A JP 12860491 A JP12860491 A JP 12860491A JP H04331075 A JPH04331075 A JP H04331075A
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Landscapes
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、長期に亘って使用す
ることができ、粗研削から中粗研削に至る広範囲研削が
可能な気相合成ダイヤモンド被覆膜を形成したダイヤモ
ンド砥石に関するものである。
ることができ、粗研削から中粗研削に至る広範囲研削が
可能な気相合成ダイヤモンド被覆膜を形成したダイヤモ
ンド砥石に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、金属、超硬合金などからなる砥石
基体の表面に気相合成ダイヤモンド被覆膜を形成してな
るダイヤモンド砥石は知られており、上記砥石基体表面
に形成された気相合成ダイヤモンド被覆膜は粒度分布が
極めて狭い範囲内にある析出生成ダイヤモンド粒で構成
されているところから、上記ダイヤモンド砥石は超精密
研削面を形成するための砥石として使用されている（特
開昭６０−２０１８７８号公報、特開昭６０−２０１８
７９号公報など参照）。
基体の表面に気相合成ダイヤモンド被覆膜を形成してな
るダイヤモンド砥石は知られており、上記砥石基体表面
に形成された気相合成ダイヤモンド被覆膜は粒度分布が
極めて狭い範囲内にある析出生成ダイヤモンド粒で構成
されているところから、上記ダイヤモンド砥石は超精密
研削面を形成するための砥石として使用されている（特
開昭６０−２０１８７８号公報、特開昭６０−２０１８
７９号公報など参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、気相合
成ダイヤモンド被覆膜を形成したダイヤモンド砥石は、
超精密研削面を得るには極めて有効な砥石であるが、粗
研削を行うことができないために高能率研削を行うこと
ができず、その用途は極めて限定され、また上記気相合
成ダイヤモンド被覆膜の膜厚はせいぜい５μｍ程度と極
めて薄いために、砥石としての使用寿命が短いなどの課
題があった。
成ダイヤモンド被覆膜を形成したダイヤモンド砥石は、
超精密研削面を得るには極めて有効な砥石であるが、粗
研削を行うことができないために高能率研削を行うこと
ができず、その用途は極めて限定され、また上記気相合
成ダイヤモンド被覆膜の膜厚はせいぜい５μｍ程度と極
めて薄いために、砥石としての使用寿命が短いなどの課
題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
粗研削が可能でかつ使用寿命の長い気相合成ダイヤモン
ド被覆膜を有するダイヤモンド砥石を開発すべく研究を
行った結果、砥石基体表面に溝を形成し、この溝にダイ
ヤモンド微粉末を充填し、ついでこの溝にダイヤモンド
微粉末が充填されている砥石基体の表面に通常の気相合
成法によりダイヤモンド被覆膜を形成して得られたダイ
ヤモンド砥石は、粗研削が可能でありかつ使用寿命が長
いという知見を得たのである。
粗研削が可能でかつ使用寿命の長い気相合成ダイヤモン
ド被覆膜を有するダイヤモンド砥石を開発すべく研究を
行った結果、砥石基体表面に溝を形成し、この溝にダイ
ヤモンド微粉末を充填し、ついでこの溝にダイヤモンド
微粉末が充填されている砥石基体の表面に通常の気相合
成法によりダイヤモンド被覆膜を形成して得られたダイ
ヤモンド砥石は、粗研削が可能でありかつ使用寿命が長
いという知見を得たのである。
【０００５】この発明は、かかる知見に基づいてなされ
たものであって、表面に溝が形成されている砥石基体、
上記溝に充填されているダイヤモンド微粉末、並びに上
記砥石基体の表面および上記溝に充填されているダイヤ
モンド微粉末の上に形成されている気相合成ダイヤモン
ド被覆膜からなるダイヤモンド砥石およびその製造法に
特徴を有するものである。
たものであって、表面に溝が形成されている砥石基体、
上記溝に充填されているダイヤモンド微粉末、並びに上
記砥石基体の表面および上記溝に充填されているダイヤ
モンド微粉末の上に形成されている気相合成ダイヤモン
ド被覆膜からなるダイヤモンド砥石およびその製造法に
特徴を有するものである。
【０００６】この発明のダイヤモンド砥石およびその製
造法を図面を用いて具体的に説明する。
造法を図面を用いて具体的に説明する。
【０００７】図１は、表面に溝２を設けた砥石基体１の
断面図、図２は上記溝２にダイヤモンド微粉末を充填し
た状態を示す砥石基体１の断面図、図３は上記図２の溝
２にダイヤモンド微粉末を充填した砥石基体１の上に気
相合成ダイヤモンド被覆膜４を形成したこの発明のダイ
ヤモンド砥石の断面図である。
断面図、図２は上記溝２にダイヤモンド微粉末を充填し
た状態を示す砥石基体１の断面図、図３は上記図２の溝
２にダイヤモンド微粉末を充填した砥石基体１の上に気
相合成ダイヤモンド被覆膜４を形成したこの発明のダイ
ヤモンド砥石の断面図である。
【０００８】まず、気相合成ダイヤモンド被覆膜が強固
に密着することのできる材質の砥石基体１を用意する。 この砥石基体１としては、Ｍｏ，Ｗ，超硬合金，ＳｉＯ
２ ，ＳｉＣ，Ｓｉ，Ｓｉ３ Ｎ４ ，ＡｌＮ，サイア
ロンなどを用いることが可能である。
に密着することのできる材質の砥石基体１を用意する。 この砥石基体１としては、Ｍｏ，Ｗ，超硬合金，ＳｉＯ
２ ，ＳｉＣ，Ｓｉ，Ｓｉ３ Ｎ４ ，ＡｌＮ，サイア
ロンなどを用いることが可能である。
【０００９】上記砥石基体１の表面を研摩したのち、レ
ーザー加工法、放電加工法、もしくはストレートホイー
ル砥石による加工法などの物理的方法、または半導体用
フォトリソグラフィーなどのエッチングによる化学的方
法により溝２を成形する。
ーザー加工法、放電加工法、もしくはストレートホイー
ル砥石による加工法などの物理的方法、または半導体用
フォトリソグラフィーなどのエッチングによる化学的方
法により溝２を成形する。
【００１０】上記砥石基体１の表面に形成される溝２の
平面模様は、細長い直線溝が交叉する溝であってもよく
、またそれぞれが独立した穴溝が無数に存在するもので
あってもよいが、この発明における溝の平面模様は上記
の平面模様に限定されるものではなく、任意の平面模様
を採用することができる。
平面模様は、細長い直線溝が交叉する溝であってもよく
、またそれぞれが独立した穴溝が無数に存在するもので
あってもよいが、この発明における溝の平面模様は上記
の平面模様に限定されるものではなく、任意の平面模様
を採用することができる。
【００１１】さらに、溝２の寸法は幅または径が１〜１
，０００μｍ、深さ：１〜１，０００μｍの範囲内にあ
ることが好ましいが、溝の寸法についても上記範囲に特
に限定されるものではない。
，０００μｍ、深さ：１〜１，０００μｍの範囲内にあ
ることが好ましいが、溝の寸法についても上記範囲に特
に限定されるものではない。
【００１２】このようにして砥石基体１の表面に溝２を
形成したのち、上記溝２にダイヤモンド微粉末３を充填
する。上記ダイヤモンド微粉末３は、溝２を設けた砥石
基体１の表面に均一厚さに積載し、振動を加えたのち拭
き落すと、溝２に充填されているダイヤモンド微粉末３
のみが溝２に残り、その他の砥石基体１の表面のダイヤ
モンド微粉末は拭き落され、図２に示されるようなダイ
ヤモンド微粉末３が溝２にのみ充填されている砥石基体
１が作製される。溝に充填されるダイヤモンド微粉末の
粒径は、上記溝の寸法よりも小さな粒径であればよいが
、上記ダイヤモンド微粉末の粒径が細かいほど滑らかな
砥削面が得られるので、粗研削、中粗研削などの用途に
応じたダイヤモンド微粉末の粒径を選べばよい。また、
上記ダイヤモンド微粉末は、天然ダイヤモンド微粉末で
もよいが、超硬圧による人工ダイヤモンド微粉末を用い
る方が粒径が揃っているので好ましい。
形成したのち、上記溝２にダイヤモンド微粉末３を充填
する。上記ダイヤモンド微粉末３は、溝２を設けた砥石
基体１の表面に均一厚さに積載し、振動を加えたのち拭
き落すと、溝２に充填されているダイヤモンド微粉末３
のみが溝２に残り、その他の砥石基体１の表面のダイヤ
モンド微粉末は拭き落され、図２に示されるようなダイ
ヤモンド微粉末３が溝２にのみ充填されている砥石基体
１が作製される。溝に充填されるダイヤモンド微粉末の
粒径は、上記溝の寸法よりも小さな粒径であればよいが
、上記ダイヤモンド微粉末の粒径が細かいほど滑らかな
砥削面が得られるので、粗研削、中粗研削などの用途に
応じたダイヤモンド微粉末の粒径を選べばよい。また、
上記ダイヤモンド微粉末は、天然ダイヤモンド微粉末で
もよいが、超硬圧による人工ダイヤモンド微粉末を用い
る方が粒径が揃っているので好ましい。
【００１３】このようにしてダイヤモンド微粉末３を溝
２に充填した砥石基体１の上に、通常の人工気相合成法
により気相合成ダイヤモンド被覆膜４を形成すると、図
３のようなこの発明のダイヤモンド砥石を作製すること
ができる。
２に充填した砥石基体１の上に、通常の人工気相合成法
により気相合成ダイヤモンド被覆膜４を形成すると、図
３のようなこの発明のダイヤモンド砥石を作製すること
ができる。
【００１４】この発明のダイヤモンド砥石の気相合成ダ
イヤモンド被覆膜４は、溝２に入り込みかつダイヤモン
ド微粉末３の粒子隙間にも入り込むことによりアンカー
効果が働いて砥石基体１に強固に密着すると同時に上記
ダイヤモンド微粉末３も気相合成ダイヤモンド被覆膜４
に包み込まれることにより溝２内に強固に固定される。
イヤモンド被覆膜４は、溝２に入り込みかつダイヤモン
ド微粉末３の粒子隙間にも入り込むことによりアンカー
効果が働いて砥石基体１に強固に密着すると同時に上記
ダイヤモンド微粉末３も気相合成ダイヤモンド被覆膜４
に包み込まれることにより溝２内に強固に固定される。
【００１５】したがって、この発明のダイヤモンド砥石
を厳しい条件で使用しても、気相合成ダイヤモンド被覆
膜４は砥石基体１から剥離することがなく、また上記気
相合成ダイヤモンド被覆膜４が摩耗してダイヤモンド微
粉末３が外面に現われてもダイヤモンド微粉末３は溝２
から脱落することがなく、溝２の中に充填されているダ
イヤモンド微粉末３が消耗しつくすまで研摩性能は維持
され、長期に亘って使用可能なダイヤモンド砥石が得ら
れるのである。
を厳しい条件で使用しても、気相合成ダイヤモンド被覆
膜４は砥石基体１から剥離することがなく、また上記気
相合成ダイヤモンド被覆膜４が摩耗してダイヤモンド微
粉末３が外面に現われてもダイヤモンド微粉末３は溝２
から脱落することがなく、溝２の中に充填されているダ
イヤモンド微粉末３が消耗しつくすまで研摩性能は維持
され、長期に亘って使用可能なダイヤモンド砥石が得ら
れるのである。
【００１６】上記砥石基体１は、気相合成ダイヤモンド
被覆膜４を形成する際に、装置内において所定の温度に
加熱する必要があり、上記加熱速度を速めるために砥石
基体１を可能な限り薄くする必要があるが、かかる薄い
砥石基体１をもったダイヤモンド砥石は強度が低いので
裏面にアルミニウム板、鋼板などの支持板を貼り付けて
補強することが好ましい。
被覆膜４を形成する際に、装置内において所定の温度に
加熱する必要があり、上記加熱速度を速めるために砥石
基体１を可能な限り薄くする必要があるが、かかる薄い
砥石基体１をもったダイヤモンド砥石は強度が低いので
裏面にアルミニウム板、鋼板などの支持板を貼り付けて
補強することが好ましい。
【００１７】
【実施例】つぎに、この発明を実施例を用いて一層具体
的に説明する。
的に説明する。
【００１８】実施例１
直径：１５０ｍｍ、厚さ：３ｍｍの合成石英円板を用意
し、この合成石英円板の表面をラッピングしたのち、ポ
リッシングし、このポリッシングした合成石英円板の表
面をアルカリ脱脂により清浄し、水分を十分除去したの
ち、ＯＦＰＲ−８００と称するポジ型フォトレジスト液
を塗布した。
し、この合成石英円板の表面をラッピングしたのち、ポ
リッシングし、このポリッシングした合成石英円板の表
面をアルカリ脱脂により清浄し、水分を十分除去したの
ち、ＯＦＰＲ−８００と称するポジ型フォトレジスト液
を塗布した。
【００１９】上記塗布したフォトレジスト液の溶媒を、
温度：１１０℃、９０秒間保持のプレベークすることに
より蒸発させ、ラップ仕上した合成石英円板の表面にフ
ォトレジスト膜を形成した。
温度：１１０℃、９０秒間保持のプレベークすることに
より蒸発させ、ラップ仕上した合成石英円板の表面にフ
ォトレジスト膜を形成した。
【００２０】一方、格子状フォトマスクを用意し、この
フォトマスクを上記フォトレジスト膜を有する合成石英
円板の上に重ね合せ、波長：４３６ｎｍの水銀灯を用い
て上記フォトマスクの上から紫外線を照射し、上記合成
石英円板表面のレジスト膜を感光させた。
フォトマスクを上記フォトレジスト膜を有する合成石英
円板の上に重ね合せ、波長：４３６ｎｍの水銀灯を用い
て上記フォトマスクの上から紫外線を照射し、上記合成
石英円板表面のレジスト膜を感光させた。
【００２１】この感光した合成石英円板表面のレジスト
膜を現像すると感光部分のフォトレジストは溶出し、フ
ォトレジスト膜がタイル状に残った。このタイル状フォ
トレジスト膜の付着した合成石英円板をポストベークす
ることにより現像液、リンス液を除去し、さらに熱架橋
で接着性を改善したのち、エッチング液に浸漬してフォ
トレジスト膜のない合成石英円板部分をエッチングし、
合成石英円板の表面に格子模様の幅：５μｍ、深さ：１
μｍのＵ字溝を形成した。
膜を現像すると感光部分のフォトレジストは溶出し、フ
ォトレジスト膜がタイル状に残った。このタイル状フォ
トレジスト膜の付着した合成石英円板をポストベークす
ることにより現像液、リンス液を除去し、さらに熱架橋
で接着性を改善したのち、エッチング液に浸漬してフォ
トレジスト膜のない合成石英円板部分をエッチングし、
合成石英円板の表面に格子模様の幅：５μｍ、深さ：１
μｍのＵ字溝を形成した。
【００２２】上記エッチング条件は、次の通りである。
【００２３】エッチング液：
硝酸第２セリウム・アンモニウム：１７ｇ、過塩素酸：
５ｃｃ、 純水：１００ｃｃ、 エッチング液の温度：室温、 このようにして合成石英板のＵ字溝に、平均粒径：１μ
ｍのダイヤモンド微粉末を充填し、合成石英板の表面に
付着しているダイヤモンド微粉末を拭い去ったのち、人
工ダイヤモンド析出生成装置に装入し、反応容器：内径
：２００ｍｍφの石英管、反応混合ガス組成：ＣＨ４
／Ｈ２ ＝１／１００（容量割合）、 熱電子放射材と円板状合成石英基体表面との距離：３０
ｍｍ、 反応容器内雰囲気圧力：３０Ｔｏｒｒ、熱電子放射材の
加熱温度：２０００℃、熱電子放射材による円板状合成
石英基体の加熱温度：８５０℃、 反応処理時間：３時間、 の条件で処理することにより、上記ダイヤモンド微粉末
をＵ字溝に充填した円板状合成石英基体表面に気相合成
ダイヤモンド被覆膜を形成しこの発明のダイヤモンド砥
石を作製した。
５ｃｃ、 純水：１００ｃｃ、 エッチング液の温度：室温、 このようにして合成石英板のＵ字溝に、平均粒径：１μ
ｍのダイヤモンド微粉末を充填し、合成石英板の表面に
付着しているダイヤモンド微粉末を拭い去ったのち、人
工ダイヤモンド析出生成装置に装入し、反応容器：内径
：２００ｍｍφの石英管、反応混合ガス組成：ＣＨ４
／Ｈ２ ＝１／１００（容量割合）、 熱電子放射材と円板状合成石英基体表面との距離：３０
ｍｍ、 反応容器内雰囲気圧力：３０Ｔｏｒｒ、熱電子放射材の
加熱温度：２０００℃、熱電子放射材による円板状合成
石英基体の加熱温度：８５０℃、 反応処理時間：３時間、 の条件で処理することにより、上記ダイヤモンド微粉末
をＵ字溝に充填した円板状合成石英基体表面に気相合成
ダイヤモンド被覆膜を形成しこの発明のダイヤモンド砥
石を作製した。
【００２４】この発明のダイヤモンド砥石を直径：２０
０ｍｍのバックアップ回転テーブルに取付け、バックア
ップ周速度：９０ｍ／ｍｉｎ で回転しているバックア
ップ回転テーブル上のダイヤモンド砥石に、圧力：３０
０ｇ／ｃｍ２ で直径：１０ｍｍの棒状シリコン単結晶
を５分間押付けて研削し、研削されたシリコン単結晶棒
の研削量を測定した結果、研削量は１６．１３ｍｇであ
った。
０ｍｍのバックアップ回転テーブルに取付け、バックア
ップ周速度：９０ｍ／ｍｉｎ で回転しているバックア
ップ回転テーブル上のダイヤモンド砥石に、圧力：３０
０ｇ／ｃｍ２ で直径：１０ｍｍの棒状シリコン単結晶
を５分間押付けて研削し、研削されたシリコン単結晶棒
の研削量を測定した結果、研削量は１６．１３ｍｇであ
った。
【００２５】従来例１
実施例１で用意した合成石英円板の表面をラッピングし
たのちポリッシングし、このポリッシングしたままの溝
なしの合成石英板表面に実施例１と同じ条件で気相合成
ダイヤモンド被覆膜を析出生成させて従来ダイヤモンド
砥石を作製し、この従来ダイヤモンド砥石を用いて上記
実施例１と全く同一条件で棒状シリコン単結晶を測定し
た結果、研削量は４．３５ｍｇであった。
たのちポリッシングし、このポリッシングしたままの溝
なしの合成石英板表面に実施例１と同じ条件で気相合成
ダイヤモンド被覆膜を析出生成させて従来ダイヤモンド
砥石を作製し、この従来ダイヤモンド砥石を用いて上記
実施例１と全く同一条件で棒状シリコン単結晶を測定し
た結果、研削量は４．３５ｍｇであった。
【００２６】実施例２
直径：１５０ｍｍ、厚さ：１ｍｍの金属Ｓｉ製円板を用
意し、この金属Ｓｉ製円板を、 エッチング液：濃度８０％のフッ酸：１、濃度８０％の
硝酸：４、 濃度８０％の酢酸：３、 の割合で混合した混合液、 エッチング液の温度：室温、 の条件でエッチング処理を行う以外はすべて実施例１と
全く同様に処理することにより、直径：５μｍ、深さ：
１μｍの寸法を有する穴を上記金属Ｓｉ製円板表面に無
数に成形し、この無数の穴に平均粒径：１μｍのダイヤ
モンド微粉末を実施例１と同様にして充填し、ついで上
記ダイヤモンド微粉末が充填されている金属Ｓｉ製円板
表面に実施例１と全く同一条件で気相合成ダイヤモンド
被覆膜を析出生成させ、この発明のダイヤモンド砥石を
作製した。
意し、この金属Ｓｉ製円板を、 エッチング液：濃度８０％のフッ酸：１、濃度８０％の
硝酸：４、 濃度８０％の酢酸：３、 の割合で混合した混合液、 エッチング液の温度：室温、 の条件でエッチング処理を行う以外はすべて実施例１と
全く同様に処理することにより、直径：５μｍ、深さ：
１μｍの寸法を有する穴を上記金属Ｓｉ製円板表面に無
数に成形し、この無数の穴に平均粒径：１μｍのダイヤ
モンド微粉末を実施例１と同様にして充填し、ついで上
記ダイヤモンド微粉末が充填されている金属Ｓｉ製円板
表面に実施例１と全く同一条件で気相合成ダイヤモンド
被覆膜を析出生成させ、この発明のダイヤモンド砥石を
作製した。
【００２７】このダイヤモンド砥石を用いて、直径：１
０ｍｍの引き上げ棒状シリコン単結晶を実施例１と全く
同様にして研削し、その研削量を測定したところ、２５
．３２ｍｇであった。
０ｍｍの引き上げ棒状シリコン単結晶を実施例１と全く
同様にして研削し、その研削量を測定したところ、２５
．３２ｍｇであった。
【００２８】従来例２
実施例２で用意した金属Ｓｉ製円板の表面をラッピング
したのちポリッシングし、ポリッシングしたままの溝な
しの金属Ｓｉ製円板を砥石基体の表面に実施例１と同一
条件で気相合成ダイヤモンド被覆膜を析出生成させ従来
ダイヤモンド砥石を作製し、このダイヤモンド砥石を用
いて実施例２で用意した棒状シリコン単結晶を研削し、
その研削量を測定したところ、７．２５ｍｇであった。
したのちポリッシングし、ポリッシングしたままの溝な
しの金属Ｓｉ製円板を砥石基体の表面に実施例１と同一
条件で気相合成ダイヤモンド被覆膜を析出生成させ従来
ダイヤモンド砥石を作製し、このダイヤモンド砥石を用
いて実施例２で用意した棒状シリコン単結晶を研削し、
その研削量を測定したところ、７．２５ｍｇであった。
【００２９】実施例３
直径：１５０ｍｍ、厚さ：３ｍｍのＭｏ製円板を用意し
、このＭｏ製円板の表面をラッピングしたのち、外径：
５２ｍｍ、厚さ：１５μｍのダイヤモンド超薄刃砥石を
用いて上記ラッピングしたＭｏ製円板の表面に、幅：１
６μｍ、深さ：５μｍの寸法を有するＵ字溝を表面模様
となるように形成し、Ｍｏ製砥石基体を作製した。
、このＭｏ製円板の表面をラッピングしたのち、外径：
５２ｍｍ、厚さ：１５μｍのダイヤモンド超薄刃砥石を
用いて上記ラッピングしたＭｏ製円板の表面に、幅：１
６μｍ、深さ：５μｍの寸法を有するＵ字溝を表面模様
となるように形成し、Ｍｏ製砥石基体を作製した。
【００３０】このＭｏ製砥石基体表面の上記Ｕ字溝に平
均粒径：５μｍのダイヤモンド微粉末を充填し、このダ
イヤモンド微粉末が充填されているＵ字溝を有するＭｏ
製砥石基体表面に気相合成ダイヤモンド被覆膜を形成し
、この発明のダイヤモンド砥石を作製した。このダイヤ
モンド砥石を直径：２００ｍｍのバックアップ回転テー
ブルに取付け、バックアップ回転テーブルを周速度：９
０ｍ／ｍｉｎ で回転させながらアルミナセラミックス
棒を回転している上記ダイヤモンド砥石に圧力：３００
ｇ／ｃｍ２ で押付けることにより研削し、上記ダイヤ
モンド砥石が研削不能となるまでの研削時間を測定した
ところ２１．３０分であり、研削不能になるまでに研削
したアルミナセラミックスの研削量は４５．４０ｍｇで
あった。
均粒径：５μｍのダイヤモンド微粉末を充填し、このダ
イヤモンド微粉末が充填されているＵ字溝を有するＭｏ
製砥石基体表面に気相合成ダイヤモンド被覆膜を形成し
、この発明のダイヤモンド砥石を作製した。このダイヤ
モンド砥石を直径：２００ｍｍのバックアップ回転テー
ブルに取付け、バックアップ回転テーブルを周速度：９
０ｍ／ｍｉｎ で回転させながらアルミナセラミックス
棒を回転している上記ダイヤモンド砥石に圧力：３００
ｇ／ｃｍ２ で押付けることにより研削し、上記ダイヤ
モンド砥石が研削不能となるまでの研削時間を測定した
ところ２１．３０分であり、研削不能になるまでに研削
したアルミナセラミックスの研削量は４５．４０ｍｇで
あった。
【００３１】従来例３
実施例３で用意したＭｏ製円板の表面をラッピングした
ままの溝なしのＭｏ製円板を砥石基体とし、実施例１と
同一条件で気相合成ダイヤモンド被覆膜を形成して従来
ダイヤモンド砥石を作製し、この従来ダイヤモンド砥石
を用いて実施例３と同一条件で研削し、上記従来ダイヤ
モンド砥石が研削不能となるまでの研削時間を測定した
ところ６．４２分であり、それまでに研削されたアルミ
ナセラミックスの研削量は５．２ｍｇであった。
ままの溝なしのＭｏ製円板を砥石基体とし、実施例１と
同一条件で気相合成ダイヤモンド被覆膜を形成して従来
ダイヤモンド砥石を作製し、この従来ダイヤモンド砥石
を用いて実施例３と同一条件で研削し、上記従来ダイヤ
モンド砥石が研削不能となるまでの研削時間を測定した
ところ６．４２分であり、それまでに研削されたアルミ
ナセラミックスの研削量は５．２ｍｇであった。
【００３２】
【発明の効果】実施例１と従来例１および実施例２と従
来例２をそれぞれ対比すると、砥石基体の溝にダイヤモ
ンド微粉末を充填し、その上に気相合成ダイヤモンド被
覆膜を形成したこの発明のダイヤモンド砥石は、通常の
溝なし砥石基体表面に気相合成ダイヤモンド被覆膜を形
成した従来のダイヤモンド砥石よりも研削能力は格段に
向上することがわかる。
来例２をそれぞれ対比すると、砥石基体の溝にダイヤモ
ンド微粉末を充填し、その上に気相合成ダイヤモンド被
覆膜を形成したこの発明のダイヤモンド砥石は、通常の
溝なし砥石基体表面に気相合成ダイヤモンド被覆膜を形
成した従来のダイヤモンド砥石よりも研削能力は格段に
向上することがわかる。
【００３３】さらに、実施例３と従来例３を比較すると
、この発明のダイヤモンド砥石は、従来のダイヤモンド
砥石よりも研削能力は格段に向上するとともに、砥石が
研削不能となるまでの時間、すなわち砥石寿命も大幅に
向上することがわかる。
、この発明のダイヤモンド砥石は、従来のダイヤモンド
砥石よりも研削能力は格段に向上するとともに、砥石が
研削不能となるまでの時間、すなわち砥石寿命も大幅に
向上することがわかる。
【００３４】したがって、この発明によると、従来の気
相合成ダイヤモンド被覆砥石では考えられなかった粗研
削を行うことができると共に使用寿命の長い気相合成ダ
イヤモンド膜被覆ダイヤモンド砥石を提供することがで
き、産業上すぐれた効果をもたらすものである。
相合成ダイヤモンド被覆砥石では考えられなかった粗研
削を行うことができると共に使用寿命の長い気相合成ダ
イヤモンド膜被覆ダイヤモンド砥石を提供することがで
き、産業上すぐれた効果をもたらすものである。
【図１】表面に溝を形成した砥石基体の断面図である。
【図２】砥石基体の溝にダイヤモンド微粉末を充填した
砥石基体の断面図である。
砥石基体の断面図である。
【図３】この発明のダイヤモンド砥石の断面図である。
１ 砥石基体
２ 溝
３ ダイヤモンド微粉末
４ 気相合成ダイヤモンド被覆膜
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に溝が形成されている砥石基体、
上記溝に充填されているダイヤモンド微粉末、並びに上
記砥石基体の表面および上記溝に充填されているダイヤ
モンド微粉末の上に形成された気相合成ダイヤモンド被
覆膜から構成されていることを特徴とするダイヤモンド
砥石。 - 【請求項２】 砥石基体表面に溝を形成する工程、上
記溝にダイヤモンド微粉末を充填する工程、および上記
溝にダイヤモンド微粉末が充填されている砥石基体の表
面に気相合成法によりダイヤモンド被覆膜を形成する工
程からなることを特徴とするダイヤモンド砥石の製造法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3128604A JPH04331075A (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | ダイヤモンド砥石およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3128604A JPH04331075A (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | ダイヤモンド砥石およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04331075A true JPH04331075A (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=14988885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3128604A Withdrawn JPH04331075A (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | ダイヤモンド砥石およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04331075A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007152493A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Ebara Corp | 研磨パッドのドレッサー及びその製造方法 |
| CN107775193A (zh) * | 2017-10-24 | 2018-03-09 | 长沙理工大学 | 一种双光束激光钎焊金刚石的方法与系统 |
-
1991
- 1991-05-01 JP JP3128604A patent/JPH04331075A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007152493A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Ebara Corp | 研磨パッドのドレッサー及びその製造方法 |
| CN107775193A (zh) * | 2017-10-24 | 2018-03-09 | 长沙理工大学 | 一种双光束激光钎焊金刚石的方法与系统 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |