JPH03208560A

JPH03208560A - 人工砥石

Info

Publication number: JPH03208560A
Application number: JP269190A
Authority: JP
Inventors: Mamoru Tanaka; 守田中; Yuichi Sumida; 隅田　雄一; Masami Sasamoto; 篠本　正美
Original assignee: NSK Ltd
Current assignee: NSK Ltd
Priority date: 1990-01-10
Filing date: 1990-01-10
Publication date: 1991-09-11
Anticipated expiration: 2015-01-11
Also published as: JP2998160B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野］本発明は、基材上の予め設定した位置に、制御された大
きさのダイヤモンド粒またはＣＢＮ　（立方晶窒化ホウ
素）粒を気相成長させてなる砥石とその製造方法に関す
る。

〔従来の技術〕

超硬合金やセラミックなどのような硬く脆い材料に精密
加工を施す場合は、ダイヤモンド，　　ＣＢＮの如き超
砥粒を用いた砥石による研削．研磨等の加工が必要であ
る。従来の超砥粒砥石としては、例えば超砥粒であるダ
イヤモンドの結合材に長石系のポンドを用いたビトリフ
ァイドボンド砥石、熱硬化性樹脂または硬質熱可塑性樹
脂を結合材としたレジノイドボンド砥石、金属を結合材
としたメタルボンド砥石、および砥粒をヘースの表面に
保持しながらニッケルメッキを施して砥粒を機械的に固
定した電着砥石がある。

一方また、こうした従来の一般的なダイヤモンド砥石は
すべて砥粒に天然または人工ダイヤモンド粒を用いてい
るのに対して、析出生成人工ダイヤモンド粒で構威され
たダイヤモンド研削砥石が特開昭６０−２０１８７８号
公報及び特開昭６０−２０１８７９号公報に提案されて
いる。この従来例は、砥石の基体の少なくとも研磨作用
面がＷ．Ｍｏ，およびＮｂ，並びにその合金のうちの１
種以上が分散相として存在する組織を有する蒸着層（ま
たは焼結合金）で構威され、かつ前記分散相上には人工
ダイヤモンド析出生戒法により形成した人工ダイヤモン
ド粒が密着した構造のダイヤモンド研磨砥石である。

〔発明が解決しようとする課題〕

一般に硬く脆い材料に研削・研磨加工を施す超砥粒砥石
に対しては、次のような性能が求められている。

■ツルーイングやドレッシングが容易もしくは不要なこ
と。

■適切な砥粒間隔や集中度や砥粒突出量に基づく適切な
チップポケットを有すること。

■強固な砥粒保持力を有し、砥粒脱落による被加工面の
或形精度の劣化等を防止できること。

■砥粒の形・大きさが揃い、初期性能が均一で、且つ砥
粒の摩耗も平均化され、高精度で長寿命であること。

しかし、上記ビトリファイドボンド砥石，レ伊ジノイド
ボンド砥石，メタルボンド砥石は、いづれもツルーイン
グによる砥石形状の威形、目づまり時におけるドレッシ
ング威形が必要であり、その作業に手間がかかる。しか
もその際、砥粒のへき開や破砕が生し易く、戒形精度が
低下して被加工製品の面粗度を低下せしめたり、砥石の
寿命を縮めるなどの砥石性能の劣化が起きやすいという
問題点があった。

さらに、従来のメタルボンド砥石では、適切な砥粒突出
量を得るために電解ドレッシング等をしなければならず
、一層時間や手間がかかるという問題点があった。

これに対して、電着砥石ではツルーイング・ドレッシン
グは不要であるが、砥石製造に際して砥粒間隔や集中度
を制御することはできず、したがってチップポケットを
最適に形成することはできない。そのため切粉の排出が
適切になされず、砥石の目づまりで研削・研磨抵抗の上
昇やキズ・ヤケなと製品面粗度の劣化が起きやすい。特
にダイヤモンド砥石の場合は研削熱の放熱が抑制されて
温度が上昇し、高温で化学的に不安定なダイヤモンド砥
粒の消耗が促進されやすい、等の問題点があった。

一方、析出生戒人工ダイヤモンド粒で構成した従来例に
あっては、砥粒の粒度分布を狭くして比較的均一な粒度
に制御することは可能であるが、やはり砥粒間隔や集中
度の制御はできない。それ故、従来の電着砥石と同しく
、砥石にとって不可欠なチンプポケソトを適切に作るこ
とができない。

したがって、切粉の排出が困難で砥石の目づまりを起こ
し易く、加工抵抗上昇やキズ・ヤケなどが発生して製品
面粗度の劣化が起きやすく、特に、ダイヤモンド砥石に
おいて温度上昇によるダイヤモンド砥粒の消耗が生し易
いという上記電着砥石におけると同様の問題点は未解決
のまま残されている。

そこで本発明は、上記従来の問題点乙二着目してなされ
たものであり、その目的とするところは、ツルーイング
・ドレッシングが不要であり、また砥粒間隔や集中度や
砥粒突出量を任意に制御可能で最適なチップポケットが
構威でき、更には必要に応じて極めて強固な砥粒保持力
を付与でき、また砥粒の形・大きさが均一で高精度・長
寿命を有する砥石およびその製造方法を提供して、上記
従来の問題点を解決することにある。

（課題を解決するための手段〕上記目的を達威するために、本発明の砥石は、金属また
はセラ旦ツクスからなる基材の表面に、予め設定した砥
粒間隔と集中度を有し気相成長させてなるダイヤモンド
砥粒またはＣＢＮ砥粒を備えたことを特徴とする。

また、本発明の砥石は、前記ダイヤモンド砥粒またはＣ
ＢＮ砥粒の結晶方向を揃えてなることを特徴とすること
ができる。

また、本発明の砥石は、前記ダイヤモンド砥粒またはＣ
ＢＮ砥粒が予め設定した突出量を有することを特徴とす
ることができる。

また、本発明の砥石は、前記ダイヤモンド砥粒またはＣ
ＢＮ砥粒の粒間に、それらの砥粒を強固に固着する金属
層を有することを特徴とすることができる。

本発明の砥石の製造法は、金属またはセラミックスから
なる基材の表面に中間層としての窒化膜．炭化膜，およ
び酸化膜のうちのいずれか一種の膜を形或する工程と、
フォトファブリケーション法を用いてダイヤモンド粒ま
たはＣＢＮ粒を形成したい所以外の前記中間層を除去す
る工程と、その後減圧下において前記中間層を除去しな
い個所にダイヤモンド粒またはＣＢＮ粒を気相成長さ廿
る工程とを包含することを特徴とする。

また、本発明の砥石の製造法は、金属またはセラミック
スからなる基材の表面に中間層としての窒化膜．炭化膜
，および酸化膜のうちのいずれか一種の膜を形或する工
程と、フォトファブリケーション法を用いてダイヤモン
ド粒またはＣＢＮ粒を形成したい所以外の前記中間層を
除去する工程と、その後減圧下において前記中間層を除
去しない個所にダイヤモンド粒またはＣＢＮ粒を気相成
長させる工程と、その後基材表面をメッキして前記ダイ
ヤモンド粒またはＣＢＮ粒を強固に固着する工程とを包
含することを特徴とすることができる。

また、本発明の砥石の製造法は、金属またはセラミック
スからなる基材の表面のうちダイヤモンド粒またはＣＢ
Ｎ粒を形成したい所以外にマスキングを施す工程と、そ
の後減圧下において前記マスキングを施していない個所
にダイヤモンド粒またはＣＢＮ粒を直接基材の面上に気
相成長させる工程と、その後前記マスキングのマスクを
除去する工程とを包含することを特徴とすることができ
る。

また、本発明の砥石の製造法は、金属またはセラミノク
スからなる基材の表面のうちダイヤモンド粒またはＣＢ
Ｎ粒を形成したい所以外にマスキングを施す工程と、そ
の後減圧下において前記マスキングを施していない個所
にダイヤモンド粒またはＣＢＳ粒を直接基材の面上に気
相成長させる工程と、その後前記マスキングのマスクを
除去する工程と、その後基材表面をメッキして前記ダイ
ヤモンド粒またはＣＢＮ粒を強固に固着する工程とを包
含することを特徴と炙ることができる。

〔作用〕

本発明による砥石は、被加工物の形状に合わせて予め高
精度に戒形された金属またはセラミックスの基材の上に
、気相或長させた単層のダイヤモンド粒またはＣＢＮ粒
を有している。そのため、ツルーイングをしなくてもよ
い。

また、気相成長させるべき砥粒の核発生位置をフォトフ
ァブリケーション法や高精度に形成したマスクを利用し
て予め精密に設定できるから、砥粒間隔は任意に制御可
能である。加えて、砥粒の生或条件を制御することによ
り砥粒の粒径の調整も自在に行えるから、集中度も任意
に制御可能である。そのため、被加工物の性状に応した
砥粒間隔や集中度を設定して最適なチップポケントを形
成し、切粉の排出を容易に行うことができ、砥粒の目づ
まりが抑制される。それ故ドレッシングは不要である。

また、必要に応して、気相成長で形成された砥粒間に、
金属メッキ層を任意に制御した厚さで形戒することによ
り、適切な砥粒突出量を得ることもでき、これによって
砥石の目づまり防止が一層促進されると共に、各砥粒を
極めて強固に基材に保持することができる。

また、気相成長法で形成される砥粒は、その結晶方向や
形や大きさが均一にでき、砥粒の摩耗が平均化され初期
性能もバラツキがなく均一で、その結果、高精度且つ長
寿命の砥石が得られる。

以下、更に詳細に説明する。

本発明の砥石は、基材として金属もしくはセラミックス
を用いる。それらの基材は、直接にその表面にダイヤモ
ンド（もしくはＣＢＮ，以下、同し）が気相合威可能な
ものと、しからざるものとが利用できる。前者は、例え
ばＷ（タングステン），Ｔａ（タンタル），　　Ｍｏ　
（モリブデン）Ｓｉ（ケイ素）Ｎｂ（−オブ），Ａｕ（
金），八ｇ（銀），Ｃｕ（銅），／ｌ（アルミニウム）
及びこれらを含む合金である。

また、直接に表面にダイヤモンドが気相合成可能なセラ
ミックスとしては、例えばＡｌｚＯ，Ｃアルξナ），Ｓ
ｉ３Ｎ４（窒化ケイ素），ＷＣ（炭化タングステン）が
ある。これ−らを含む合金もまた利用可能である。

一方、ステンレス鋼のようなＦｅ（鉄）系金属や、Ｃｏ
（コバルＨ，Ｎｉ　（ニッケル）などは、グラファイト
等が生威してしまい、直接にその表面にダイヤモンドを
気相合成することはできない。

これらの材料を用いて形成される本発明の砥石の基材は
、研削ないし研磨加工される被加工個所の形状に合わせ
て予め高寸法精度で戒形しておくことができる。所定形
状に成形された基材の面に、砥粒を気相成長で単層に形
戒すれば、極めて高形状精度を有する砥石が得られて、
ツルーイングが不要になる。

本発明にあっては、直接には表面にダイヤモンドが気相
合成できない基材を用いた場合には、その基材の表面に
中間層を形成し、その中間層を介してダイヤモンドを気
相成長で合或する。中間層としては例えばＡ　ｌ　ｚ　
Ｏ　ｘ，　　Ｓ　ｒ　Ｏ　ｔ　（酸化ケイ素），ＭｇＯ
（酸化マグネシウム）等の金属酸化膜、ＳｉＣ（炭化ケ
イ素），Ｔｉｃ（炭化チタン），Ｂ．Ｃ（炭化ホウ素）
，ＴｉＣＮ（炭窒化チタン）等の炭化膜、ＴｉＮ　（窒
化チタン），Ｓ１ｓＮａ．ＢＮ　（窒化ホウ素）等の窒
化膜、或いは上記各種酸化物．炭化物，窒化物がＭｏ，
Ｃｒ等の金属と複合してなるサーメント膜例えばＴｉＣ
基サーメット膜等が好適である。

本発明のダイヤモンド砥粒は、上記基材面に上記中間膜
を介して、或いは中間膜を介さず直接に、気相成長で形
成されるが、例えばＣｏ（一酸化炭素）、Ｈｚ（水素）
、ＣＨ，（メタン）等の化合物の分解によるＣＶＤ　（
化学蒸着法）が好適に利用できる。

本発明のダイヤモンド砥粒の結晶方向は、ＣＶＤにおけ
る成分ガス濃度と基材温度とを制御することにより任意
に形或可能で、例えば基材温度が高いとミラー指数（１
１１）、炭素濃度が高く基材温度が低いと（１００）の
結晶が得られる。ちなみに、ミラー指数（１１１）のも
のは三角錐形砥粒となるから研削加工用の砥石として有
用であり、ミラー指数（１００）一のものは平板形砥粒
となるから研磨加工用の砥石として有用なものになる。

本発明の砥石の砥粒の位置は、フォトファブリケーショ
ンの技術を利用して、またはマスキングの技術を用いて
、極めて微細に基材面上に予め設定される。これにより
砥粒間隔と集中度とをミクロンオーダで制御する。ここ
に集中度とは、ダイヤモンド砥粒の重量パーセントをい
い、ＩＣｒＡ当たり４．４ｃｔ含まれる場合を集中度１
００とされる。

計算上、下限は集中度０　（Ｏ　ｃ　ｔ／ｃｊ）　、上
限は集中度４　０　０　（　１　７．６　ｃ　ｔ／ａｄ
）であるが、超砥粒砥石としての一般的な使用範囲は５
０〜２００が適当である。ちなみに、一般に集中度が大
きい程、砥石寿命は長く、被加工物の粗さ精度は良好で
、砥石の大きさは小さくなるが、反面では高価で且つツ
ルーイングやドレッシングが困難になる。

この砥粒の集中度の制御は、形成される砥粒の大きさも
関与する。しかして砥粒の大きさは、気相成長における
合成条件である砥粒の合威時間を制御して自在に設定で
きる。

本発明にあっては、上記のようにして制御された砥粒間
隔および集中度をもって形成した砥粒を、ニッケルや銅
などのメッキ金属層でより強固に固着することができる
。これにより強い砥粒保持力を備える。

また、メッキ層の厚さはメッキ時間を管理することで微
細に制御可能であり、これによって砥粒の突出量を自在
に調整する。かくして、本発明にあっては、砥粒間隔，
集中度とあいまって砥粒突出量を制御し、最適なチンプ
ボケントを設定する。

これにより、目づまりしにくい砥石が得られて、ドレッ
シングが不要になる。

次に、本発明の実施例を図面に基づいて具体的に説明す
る。

（第１実施例）この実施例は、直接には表面にダイヤモンドが気相合威
できない基材を用いた場合の例である。

第１図■〜■は製造工程を模式的に示したものである。

基材１は直径１０−ＯｍｍのステンレスｗＩＳＵＳ３０
４の円板であり、まず工程Ｉで平面研削により表面１ａ
を仕上げる。

工程■で、その表面１ａに約１μｍのＳｉ．Ｎ．膜２を
化学蒸着で威膜した。威膜条件は次の通りである。

反応ガス：ＳｉＨｎ（モノシラン）１００ｃｃｍＮＨ１
　　　　　　　　　２５ｃｃｍ基材温度：約３００″Ｃ合威時間：約３０分工程■では、最初に、Ｓｉ３Ｎｇ膜２を威膜した基材１
を＃２　０　０　０のダイヤモンドパウダーを分散させ
たアルコール溶液中に浸漬し、１０分間超音波を付加し
た。これは、ＳｉｓＮ４膜２の面に微細な疵を付けて、
気相台威されるダイヤモンド結晶の核発生密度を増加せ
しめ、所定位置に確実に結晶を生成させるためである。

その後、基材１を取り出し洗浄し、その基材１のＳｉ．
Ｎ．膜２にポジ型レジスト（ＯＦＰＲ８００、東京応化
社）を約１μｍの厚さに塗布してフォトレジスト膜３で
被覆した。

工程■では、別途製作したガラスパターン４（２　０　
ｕｍ間隔の碁盤目に直径５μｍのドット４Ｄが形成され
たもの）を前記フォトレジスト膜３の上に密着せしめ、
前記ドッ｝４Ｄ以外の個所のフォトレジスト膜３を水銀
灯で露光した。

工程Ｖで、所定の現像液を用いて定法通り現像し、未露
光のドット４Ｄの部分のフォトレジスト膜３を残して他
のフォトレジスト膜３は除去した。

工程■で、規則正しく配列している残留フォトレジスト
膜３で部分的に保護されたＳｉ：＋Ｎａ膜２に対してエ
ッチングを行った。この実施例ではＣＦ．ガスを１００
ｃｃｍの流量で送り、約３０分間のプラズマエッチング
を施すことにより露出している個所のＳｉｉＮａ膜２を
除去した。ちなみに、中間層をＳｉ．Ｎｔ膜ではな（Ｓ
ｉＯｚ膜で形成した場合は、エッチング液を用いるウェ
ットエッチングでもよい。

工程■で、残留フォトレジスト膜３を剥離する。

これにより、基材ｌの表面ｌａ上に、ガラスパターンの
ドノト４Ｄに対応して、直径５μｍ．高さ１μｍのＳ１
３Ｎ４ランド２Ｄが間隔２０ｕｍの配列で露出される。

工程■では、上記Ｓｉ３Ｎ＝ランド２Ｄのパターンを有
する基材１の表面１ａにダイヤモンドを気相成長法で合
威した。ダイヤモンド合戒条件は次の通りである。

装置二マイクロ波プラズマＣＶＤ装置マイクロ波電力　ｉｏｏｏ　　ｗ反応ガス：ＣＯ　　　　　　５　　ｃｃｍＨ２　　　　
　９５　　ｃｃｍ基材温度：約９００　　゜Ｃ合戒時間：約２０　時間圧　　　力：４０　　　Ｔｏｒｒかくして、粒径５μｍ，ミラー指数（１　１　１）のダ
イヤモンド粒５が各Ｓｌ３Ｎ４ランド２Ｄ上にそれぞれ
形成された。

工程■で、この２０μｍの間隔で粒径５μｍのダイヤモ
ンド粒５が整然と配列された基材１の砥石面に、次の条
件下に無電解ニッケルメッキを施した．メッキ液：ＳＵＭＥＲ　　Ｓ−７９０（日本カニゼン製）液温度　：７０″Ｃメッキ時間：２０分これにより約２μｍ厚さのニッケル金属層６が形成され
、ダイヤモンド粒５が強固に固着されて、第２図（ａ）
に示すような形状の砥石を得た。

なお、砥石形状は、研削または研磨加工される個所の形
状・寸法に応して予め威形される−基材１の形状で定ま
る。第２図（ロ）．　（Ｃ），　（ｄ），　（ｅ）は、
上記実施例で形成したその他の砥石形状を例示したもの
である。

（第２実施例）この実施例は、直接にダイヤモンドが気相合威できる基
材を用いた場合の例である。

第３図Ｉ−ｖは製造工程を模式的に示したものである。

基材１ｌは第２図（ｂ）に示す軸付円筒形状（但し半断
面のみ表している）に或形された超硬合金である１５０
分類のＫ１−０からなる。

工程Ｉで、まずその表面１１ａが研削加工で仕上げられ
る。

工程■で、ダイヤモンド結晶の核発生密度を増加せしめ
るべく、基材１１を＃２　０　０　０のダイヤモンドパ
ウダーを分散させたアルコール溶液中に浸漬し、１０分
間超音波を付加した。

その後、別途に製作した厚さ５０μｍのステンレスパタ
ーン１２（４０ａｍ間隔の碁盤目に直径ＬｏｔＩｍの穴
１３が打ち抜き形成されたもの）を、前記基材の表面１
１ａに密着して巻き付け、マスキングした。

工程ｍで、上記ステンレスパターン１２でマスキングさ
れていない個所の基材１１の表面１１ａに、基材】１を
回転させながらダイヤモンドを気相或長法で合威した。

ダイヤモンド合威条件は次の通りである。

装置：熱フィラメントＣＶＤ装置タングステンフィラメントと基材表面１１ａ間の距ｊ１
　　　１０ｍ反応ガス：ＣＨａ　　　　　３　　ｃｃｍＨ，　　　　
　９７　　ｃｃｍフィラメントの温度：約２０００　″Ｃ基材温度：約６
００’Ｃフィラメント放射のみ、冷却なし合戒時間：２０　時間圧　　　力：１００　　　Ｔｏｒｒかくして、粒径１０ｌＩｍ，高さ約６μｍ，ミラー指数
（１００）のダイヤモンド粒ｌ５が、ステンレスパター
ン１２の各穴１３の個所にそれぞれ形成された。

工程■で、ステンレスパターン１２を、４０ボーメのＦ
ｅＣｌｓｆ４液を用いて、約１０分間シャワー方式でウ
エントエッチングした。

工程Ｖでは、４０μｍの等間隔で粒径１μｍのダイヤモ
ンド粒１５が整然と配列された基材１１の砥石面に、常
法にしたがい厚さ４μｍの電解銅メッキを施し、銅金属
層ｌ６でダイヤモンド粒１５を強固に固着させた。これ
によりダイヤモンド粒１５の突出量は約２μｍとなった
。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、砥粒が予め設定
した所定の間隔，形状，大きさを有して均一に形成され
ており、且つ最適なチップポケットが構成されてツルー
イング・ドレッシングが不要であり、更には極めて強固
な砥ね保持力を備え、高精度の研削または研磨加工に好
適で長寿命を有する砥石が、比較的容易に得られるとい
う効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の製造工程の一例を説明する模式図、第
２図は本発明の製造法で形成した砥石形状を例示した斜
視図、第３図は本発明の製造工程の他の例を説明する模
式図である。図中、１，１ｌは基材、２は中間層、５．１５はダイヤ
モンド砥粒、６．１６は金属層。第２図（０）（ｂ）（Ｃ）（ｄ）（ｅ）第 ■ １０

Claims

【特許請求の範囲】

（１）金属またはセラミックスからなる基材の表面に、
予め設定した砥粒間隔と集中度を有し気相成長させてな
るダイヤモンド砥粒またはＣＢＮ砥粒を備えたことを特
徴とする砥石。
（２）ダイヤモンド砥粒またはＣＢＮ砥粒の結晶方向を
揃えてなることを特徴とする請求項（１）記載の砥石。
（３）ダイヤモンド砥粒またはＣＢＮ砥粒が予め設定し
た突出量を有することを特徴とする請求項（１）または
（２）記載の砥石。
（４）ダイヤモンド砥粒またはＣＢＮ砥粒の粒間に、そ
れらの砥粒を強固に固着する金属層を有することを特徴
とする請求項（１）ないし（３）のいずれかに記載の砥
石。
（５）金属またはセラミックスからなる基材の表面に中
間層としての窒化膜、炭化膜、および酸化膜のうちのい
ずれか一種の膜を形成する工程と、フォトファブリケー
ション法を用いてダイヤモンドまたはＣＢＮを形成した
い所以外の前記中間層を除去する工程と、その後減圧下
において前記中間層を除去しない個所にダイヤモンド粒
またはＣＢＮ粒を気相成長させる工程とを包含すること
を特徴とする請求項（１）ないし（３）のいずれかに記
載の砥石の製造法。
（６）金属またはセラミックスからなる基材の表面に中
間層としての窒化膜、炭化膜、および酸化膜のうちのい
ずれか一種の膜を形成する工程と、フォトファブリケー
ション法を用いてダイヤモンドまたはＣＢＮを形成した
い所以外の前記中間層を除去する工程と、その後減圧下
において前記中間層を除去しない個所にダイヤモンド粒
またはＣＢＮ粒を気相成長させる工程と、その後基材表
面をメッキして前記ダイヤモンド粒またはＣＢＮ粒を強
固に固着する工程とを包含することを特徴とする請求項
（４）に記載の砥石の製造法。
（７）金属またはセラミックスからなる基材の表面のう
ちダイヤモンド粒またはＣＢＮ粒を形成したい所以外に
マスキングを施す工程と、その後減圧下において前記マ
スキングを施していない個所にダイヤモンド粒またはＣ
ＢＮ粒を直接基材の面上に気相成長させる工程と、その
後前記マスキングのマスクを除去する工程とを包含する
ことを特徴とする請求項（１）ないし（３）のいずれか
に記載の砥石の製造法。
（８）金属またはセラミックスからなる基材の表面のう
ちダイヤモンド粒またはＣＢＮ粒を形成したい所以外に
マスキングを施す工程と、その後減圧下において前記マ
スキングを施していない個所にダイヤモンド粒またはＣ
ＢＮ粒を直接基材の面上に気相成長させる工程と、その
後前記マスキングのマスクを除去する工程と、その後基
材表面をメッキして前記ダイヤモンド粒またはＣＢＮ粒
を強固に固着する工程とを包含することを特徴とする請
求項（４）に記載の砥石の製造法。