JPH04327590A - セファロスポリン類の新規製造法およびその新規中間体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、セファロスポリン類の
新規な製造法に関するものである。

【０００２】

【発明の構成】本発明は、式（Ｉ）

【化７】 ［式中、Ｒ１およびＲ２は同じかまたは異なってもよく
、水素または有機基を示す］で示される３−ビニルセフ
ァロスポリン化合物の製造のための新規な中間化合物に
よる新規で経済的かつ簡単な方法に関するものである。 式（Ｉ）で示される化合物は価値ある３位置換ビニルセ
ファロスポリンの製造のための有用な出発物質である。 置換基Ｒ１およびＲ２において、有機基は、たとえば所
望により分枝していてもよいアルキル基またはアルケニ
ル基、全部または一部飽和したシクロアルキル基、所望
により置換されていてもよいアリール基、アラルキル基
または複素環を意味することができる。基は、さらにた
とえばハロゲン、アルコキシまたはアリールオキシ基、
窒素または硫黄置換基、またはカルボアルコキシまたは
カルボキシアミドのような官能基により任意の位置で置
換されてもよい。Ｒ１およびＲ２はまた所望により置換
されていてもよい環系の一部であってもよい。

【０００３】本発明の好ましい具体例として、Ｒ１およ
びＲ２の一方は水素、Ｒ１およびＲ２の他方は、ｉ）水
素、低級アルキル、低級アルケニルまたは低級アルキニ
ル； ｉｉ）低級シクロアルキル、低級シクロアルキル低級ア
ルキル、アリール、（アリール）−低級アルキル、複素
環式基またはヘテロシクリル−（低級）−アルキル、こ
れらの環は所望により１つまたはそれ以上（たとえば３
まで）の低級アルコキシ、低級アルキルチオ、ハロゲン
、低級アルキル、ニトロ、ヒドロキシ、アシルオキシ、
カルボキシ、カルボアルコキシ、低級アルキルカルボニ
ル、低級アルキルスルホニル、低級アルコキシスルホニ
ル、アミノ−（低級）−アルキルアミノまたはアシルア
ミド基、 ｉｉｉ）式−ＣＨ２Ｚ［式中、Ｚは下記の意味を有する
：ａ）ヒドロキシ、低級アルコキシ、ホルミルオキシ、
アセチルオキシ、低級アルキルスルホニルオキシ、ハロ
ゲン、Ｎ−モノ（低級）アルキルカルバモイル−オキシ
、Ｎ，Ｎ−ジ（低級）アルキルカルバモイロキシ、ｂ）
複素環式基、 ｃ）式−Ｓ（Ｏ）ｍＲ９［式中、Ｒ９は脂肪族、芳香脂
肪族、脂環式、芳香族または複素環式基、ｍは０、１ま
たは２である）で示される基； ｄ）非環式または環式アンモニウム基］で示される基で
ある。

【０００４】適当な複素環式基は、複素環式環が（Ｃ１
−４）アルキル、（Ｃ１−４）アルコキシ、ハロゲン、
トリハロ−（Ｃ１−４）アルキル、ヒドロキシ、オキソ
、メルカプト、アミノ、カルボキシ、カルバモイル、ジ
−（Ｃ１−４）アルキルアミノ、カルボキシメチル、カ
ルバモイルメチル、スルフォメチルおよびメトキシカル
ボニルアミノから選ばれた１−３の所望による置換基を
保有してもよく、各環の酸素、窒素および硫黄から選ば
れた４つ以下の異種原子が各環中に存在し、各環に４−
７、好ましくは５または６個の原子を有している単一ま
たは縮合した複素環式環を包含する。複素環の例は、置
換されないおよび置換されたイミダゾリル、ジアゾリル
、トリアゾリル、テトラゾリル、チアゾリル、チアジア
ゾリル、チアトリアゾリル、オキサゾリル、オキサジジ
アゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズオキサゾリル、
ベンズチアゾリル、トリアゾリルピリジル、プリニル、
ピリジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラゾリルお
よびトリアジニルを包含する。適当な複素環は、置換さ
れないおよび置換された５−ヒドロキシ−４−ピリドン
−２−イル、１，２，３−トリアゾリル；１，２，４−
トリアゾリル；テトラゾリル；オキサゾリル；チアゾリ
ル；１，３，４−オキサジアゾリル；１，３，４−チア
ジアゾリルまたは１，２，３−チアジアゾリルを包含す
る。好ましい複素環は、１，５−ジヒドロキシ−４−ピ
リドン−２−イル、５−ヒドロキシ−１−メチル−４−
ピリドン−２−イル、５−ヒドロキシ−４−ピリドン−
２−イル、１−メチル−１Ｈ−テトラゾール−５−イル
、２−メチル−１，３，４−チアジアゾール−５−イル
、１−カルボキシメチル−１Ｈ−テトラゾール−５−イ
ル、６−ヒドロキシ−２−メチル−５−オキソ−２Ｈ−
１，２，４−トリアジン−３−イル、１，２，３−トリ
アゾール−５−イル、４−メチル−チアゾール−５−イ
ルである。

【０００５】非環式アンモニウム基の例は、（１−カル
バモイル−２−ヒドロキシエチル）ジメチルアンモニウ
ム、（カルバモイルメチル）（エチル）−メチルアンモ
ニウムまたはトリメチルアンモニウムを包含する。環式
アンモニウムの例はアルキル、カルバモイルアルキル、
アミノアルキルまたはカルボキシアルキルによりＮ−置
換されているピロリジニウム；アルキル、ハロゲン、ヒ
ドロキシ、カルボキシアミド、アルコキシカルボニル、
アミノ、モノアルキルアミノまたはジアルキルアミノに
よりモノまたはジ置換されてもよいピリジニウムまたは
シクロペンテノピリジニウムである。別に示した場合を
除いて、有機基は好ましくは１０個以下の炭素原子を含
み、低級なものは４個以下の炭素原子を指す。

【０００６】式（Ｉ）で示される化合物の特に好ましい
群は式（Ｉａ）

【化８】 ［式中、Ｒ１’およびＲ２’の一方は水素、Ｒ１’およ
びＲ２’の他方は水素、メチル、フェニル、アセトキシ
メチル、４−メチル−チアゾール−５−イル、Ｎ−メチ
ル−Ｎ−エチル−Ｎ−（カルバモイルメチル）−アンモ
ニウム−メチル−または１，５−ジヒドロキシ−４−ピ
リドン−２−イルである］で示される化合物を含む。

【０００７】

【従来の技術】式（Ｉ）で示される化合物は既知であり
、それらの製造の各種の方法が提案されている。しかし
、文献から既知の方法によっても、式（Ｉ）で示される
化合物は広範囲の保護基技術を用いたいくつかの中間段
階によってのみ製造され得るに過ぎない。すなわち、た
とえば、上記の方法の一つとして、アシル基により保護
される７−アシルアミノセファロスポラン酸またはシッ
フ酸基により保護される７−ベンジリデンアミノセファ
ロスポラン酸は、３位にトリ置換したホスフィンまたは
ジアルコキシホスフィニル基の導入の前または後アルコ
ールでエステル化される。好ましくはベンズヒドリルま
たはｐ−メトキシベンジルエステルが製造される。それ
らの化合物は塩基の存在下で次に対応するアルデヒドと
反応させられて、二重−保護した生成物を生成する。 多くの場合に保護基の導入および開裂は技術系を用いる
化学反応を必要とする。たとえば、西独特許公開第２１
０３０１４号に記載されている他の方法によると、７−
アシルアミノ−３−セフェム−４−カルボン酸エステル
の３位のメチレン基はアルデヒド官能基に変換され、こ
れは次にウイティッヒ反応に付される。両方の方法とも
、エステル基はその後化学的に除去しなければならず、
別の段階において、アシル−保護基の選択によって異な
るが、これは化学的にまたは酵素的に開裂されなければ
ならない。

【０００８】ウイティッヒまたはホルネル反応に中間生
成物として適当であるホスホニウム塩またはジアルコキ
シホスフィニル誘導体へのセファロスポリンの３位の官
能化は、いくつかの段階を使用するが、現在の技術水準
では実施が困難である。たとえば、西独特許公開第３３
０７５５０号において、７−フェニルアセトアミド−セ
ファロスポラン酸のナトリウム塩は、３−ヒドロキシメ
チル−７−フェニルアセトアミド−３セフェム−４−カ
ルボン酸に酵素的に鹸化し、続いてジフェニルジアゾメ
タンと反応させて、３−ヒドロキシメチル−７−フェニ
ルアセトアミド−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズ
ヒドリルエステルを生成する。この化合物は以下直接に
トリフェニルホスホニウムブロミドのような試薬による
かまたはアルコール官能基を塩素に変換後、ヨーロッパ
特許第２９２８０８号に記載のようにトリフェニルホス
フィンにより対応するホスホニウムに変換され得る。同
様に、３−ジメトキシホスフィニル化合物は、たとえば
ケミカル・アンド・ファルマシューティカル・ブリテー
ン、第３６巻（第７号）２３５４頁（１９８８年）に記
載のように亜リン酸トリメチルとの反応によって、塩素
化合物を経て製造され得る。

【０００９】米国特許第４７０５８５１号において、β
−ラクタムを破壊し得る条件下でのアセトキシ基の加水
分解によるかまたは対応するセファロスポリン−Ｃ類縁
体を処理することおよび開裂することにより７−アミノ
−３−アセトキシメチル−３−セフェム−４−カルボン
酸から得られる７−アミノ−３−ヒドロキシメチル−３
−セフェム−４−カルボン酸は、最初にサリチルアルデ
ヒドと反応させられて、対応するシッフ塩基を生成し、
次にジフェニルジアゾメタンでエステル化され、得られ
たＮ−サリチリデンアミノ−３−ヒドロキシメチル−セ
フェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステルはトリ
フェニルホスフィンとよう素により対応する７−サリチ
リデンアミノ−３−トリフェニルホスホニウム−メチル
セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステルに変
換される。別の既知の方法において、３位を置換したビ
ニルセファロスポリンの製造のために出発物質として用
いる７−アシルアミノ−３−クロロメチル−３−セフェ
ム−４−カルボン酸エステルは多段階合成でペニシリン
Ｇから製造される［たとえば、西独特許公開第３４４３
２２５号、ヨーロッパ特許第０１２２００２号およびテ
トラヒドロン・レターズ、第２３巻（第２１号）２１８
７頁（１９８２年）参照］。たとえば７−フェニルアセ
チルアミノ−３−クロロメチル−３−セフェム−４−カ
ルボン酸−ｐ−メトキシベンジルエステルの製造での多
段階経路および生成物がわずかに約５０重量％の有用な
セファロスポリンを含むという事実は、この化合物をセ
ファロスポリンの製造における高価な中間生成物にする
。上記は７−フェニルアセチルアミノ−３−クロロメチ
ル−３−セフェム−４−カルボン酸−ｐ−メトキシベン
ジルエステルの製造に多大な困難をもたらす。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】３位を置換したビニル
セファロスポリンの多くの有利性を考えると、広範囲の
種類の３位を置換したビニルセファロスポリンが製造さ
れ得る中間体を提供するものとして、７−ＡＣＡから出
発する商業的に有利な方法がなお必要である。式（Ｉ）
で示される化合物の改善した製造方法を提供することは
本発明の目的である。一定の新規な中間体を提供するこ
とは本発明の別の目的である。

【００１１】

【課題を解決するための手段】一つの特徴によると、本
発明は、式（ＩＶ）

【化９】 ［式中、Ｒはシリル保護基、

【化１０】 または−Ｐ（Ｏ）．（ＯＲ４）２．Ｙ（式中、Ｒ４は低
級アルキル基またはアリール基、Ｙはアルカリ系の陽イ
オンまたは強有機塩基のプロトン化形である）である］
で示される化合物と式（Ｖ）

【化１１】 ［式中、Ｒ１およびＲ２は前記の通りである］で示され
る化合物とを反応させる段階ｉ）を含んでいる前記の式
（Ｉ）で示される化合物の新規な製造方法を提供するも
のである。

【００１２】シリル保護基の例は、トリメチルシリル、
トリエチルシリル、トリ−ｎ−プロピル−シリル、トリ
−ｎ−ブチルシリル、メチルジエチルシリル、ジメチル
エチルシリル、フェニルジメチルシリル、第３級ブチル
ジフェニルシリル、第３級ブチルジメチルシリルおよび
トリフェニルシリルを包含する。トリメチルシリル基が
好ましい。Ｒ４の定義として、低級アルキル基は好まし
くは１−４個の炭素原子を有する。アリールの例はハロ
ゲン、（Ｃ１−４）アルキルまたは（Ｃ１−４）アルコ
キシから選ばれた３基までの基によって所望により置換
されていてもよいフェニルまたはナフチルを包含する。 アルカリ族の陽イオンの例はリチウム、ナトリウムまた
はカリウムである。プロトン化強有機塩基の例は、グア
ニジン類、たとえばテトラメチルグアニジン、アミジン
、たとえば１，８−ジアザビシクロ−［５．４．０］ウ
ンデカ−７−エン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．
０］ノナ−５−エンから、またはイミノホスホラン類、
たとえば２−第３級ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ
−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスフィナン
またはトリス（ジメチルアミノ）−（１，１，３，３−
テトラメチルブチル）イミノホスホランから誘導される
ものである。

【００１３】反応は、反応条件下で不活性な溶媒または
溶媒混合物中で、または別の溶媒、たとえばテトラヒド
ロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジア
ルキルエーテルまたは第３級、ブチルメチルエーテルの
ような不活性なエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルアセトアミドまたはＮ−メチルピロリドンのような
不活性なアミド、テトラメチル尿素のような尿素、１，
３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１
Ｈ）−ピリミドン、１，３，２−イミダゾリジノンまた
はアセトニトリルのようなニトリルを添加後行なうこと
ができ、（たとえば、以下に記載のように）式（ＩＶ）
で示される化合物を生成する。

【００１４】二重結合を形成するのに必要な式（Ｖ）の
アルデヒドまたはケトンの構造は絶対的なものではない
。Ｒ１およびＲ２の代表的な例は先に示したものである
。たとえ置換基が容易にシリル化される官能基を含んで
いるならば、これは反応の前に適当なシリル化剤により
一時的に遮断されなければならない。Ｅ−およびＺ−二
重結合異性体は、少くとも２の炭素原子を含んでいるア
ルデヒドから、または非対称性ケトンを用いた場合生成
され得る。式（Ｖ）で示される化合物の量は、たとえば
式（ＩＶ）の出発物質に基ずいて、化学量論的かまたは
過剰であり得る。この異性体は既知の方法、たとえばク
ロマトグラフィーまたは結晶化により分離され得る。 このオレフィン化反応は広い温度範囲内で行われ得る。 ウイティッヒまたはホルネル反応は、好ましくはたとえ
ば以下の実施例に記載のように−７０℃および＋７０℃
の間で行われ得る。完全に無水系が必要である場合、Ｎ
，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、ビスシ
リルウレアまたはモノまたはビス（トリメチルシリル）
トリフルオロアセトミアドのような水と結合するシリル
化剤が、その添加前に式（ＩＶ）で示される化合物の溶
液に、またはアルデヒドまたは対応するケトンに添加さ
れ得る。式（Ｉ）で示される化合物は既知の方法により
分離され得る。全ての保護基は簡単な加水分解またはア
ルコール分解により除去され得る。これは反応混合物へ
の脱シリル化剤の添加によるか、またはアルカリ性また
は酸性の条件下で水を添加し、所望により有機溶媒を添
加して、等電点にｐＨ値を調節することによって沈澱す
ることにより、生成物を分離可能な水相に抽出すること
により除去され得る。

【００１５】式（ＩＶ）で示される化合物はそれ自体で
新規であり、また本発明の一部を成す。式（ＩＶ）で示
される化合物は式（ＩＩＩ）

【化１２】 ［式中、Ｘは−Ｐ（Ｒ４）３Ｉまたは−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ
４）２であって、ＲおよびＲ４は上記の通りである］で
示される化合物を塩基とを反応させる段階ｉｉ）により
好便に得られる。

【００１６】適当な塩基は強有機塩基、たとえばグアニ
ジンたとえばテトラメチルグアニジンおよびＤＢＵ（１
，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エ
ン）およびＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．
０］ノナ−５−エン）のようなアミジン、好ましくは、
１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザンのＬ
ｉまたはＮａ塩またはＬｉ−ジイソプロフィルアミドの
ような窒素含有化合物のアルカリ塩、ブチルリチウム、
アルカリ金属の水素化物またはイミノホスホランである
。塩基は化合物のジシリル化の程度を維持するために、
水分を含まずシリル化され得る部分を全く含まないよう
にしなければならない。添加する塩基の量は化学量論的
に計算した量にほぼ一致し、好ましくは７−アミノセフ
ァロスポラン酸の量を基にして、０．８−１．３当量の
塩基が用いられる。対応する陰イオンの生成は−７０℃
の低温−室温までで行われ得る。適当な溶媒は前記の溶
媒または溶媒混合物であって、その際ハロゲン化溶媒は
塩基を添加する前に必要な場合（部分的に）除去される
。

【００１７】式（Ｉ）で示される化合物への式（ＩＶ）
で示される化合物と式（Ｖ）で示される化合物との反応
は新規で、驚くべきものである。アミノ官能基のシリル
保護基は非常にその反応性を増大する。多くの既知の方
法によると、好ましい形の６−アミノペニシラン酸また
は７−アミノセファロスポラン酸のアシル化は、たとえ
ば米国特許第４５０４６５７号に記載のようにＮ，Ｏ−
ジシリル化した誘導体に対して行われる。確かに、式（
ＩＶ）で示される化合物は式（Ｖ）で示される化合物と
反応してシック塩基を生成することができ、脱シリル化
剤としての生成トリメチルシラノールは式（ＩＶ）で示
される既存の化合物をプロトン化して式（ＩＩＩ）で示
される出発化合物とすることができ、および／または同
時に脱シリル化を行うことができる筈である。それらの
弱い溶解度による脱シリルした化合物のプロトン化およ
び／または沈澱の結果として、反応の順列ＩＩＩ→ＩＶ
→Ｉは崩れる筈である。それ故、たとえばＮ，Ｏ−ジシ
リル化した７−アミノセファロスポラン酸を過剰のベン
ズアルデヒドと放置すると、しばらくして、遊離の７−
ＡＣＡが脱シリル化の結果として沈澱する。驚くべきこ
とに、この反応系列は生起しないかまたは最小限度しか
生起しない。

【００１８】式（ＩＩＩ）で示される化合物はそれ自体
で新規で、また本発明の一部を成す。式（ＩＩＩ）で示
される化合物は、式（ＩＩ）

【化１３】 ［式中、Ｒは前記の通りである］で示される化合物と式
（ＶＩＩ）または（ＶＩＩＩ） Ｐ（Ｒ４）３　　　　　　　　　　　　　　　　ＶＩＩ
Ｐ（ＯＲ４）３　　　　　　　　　　　　ＶＩＩＩ［式
中、Ｒ４は上記の通りである］で示される化合物とを反
応させる段階ｉｉｉ）により得られるのが好適である。

【００１９】式（ＩＩ）で示される化合物は既知で、オ
ーストリア特許第３８２８７５号に開示された方法によ
り製造され得る。たとえば、アミノセファロスポラン酸
は不活性な溶媒に懸濁され、過剰のシリル化剤と共に加
熱還流される。シリル化に適当な溶媒は特にハロゲン化
炭化水素である。高沸点溶媒の場合、ジシリル化は溶媒
中で充分加熱することにより行なわれ、低沸点溶媒では
、シリル化はトリフルオロ酢酸またはトリクロロ酢酸の
ような有機酸の添加により促進され得る。シリル化はま
たヨーロッパ特許第０４３６３０号に記載した窒素含有
シリル化触媒を用いることにより行われ得る。用いられ
得るシリル化剤は、１，１，１，３，３，３−ヘキサメ
チルジシラザン単独、またはトリメチルクロロシラン、
Ｎ，Ｏ−ビス−（トリメチルシリル）アセトアミド、Ｎ
−（トリメチルシリル）アセトアミドまたはそのトリフ
ルオロ類縁化合物またはビストリメチルシリル尿素のよ
うな他のシリル化剤との混合物としての１，１，１，３
，３，３−ヘキサメチルジシラザンが好ましい。こうし
て得たジシリル化した化合物は続いてトリアルキルシリ
ルヨウダイド、好ましくはトリメチルヨードシランと反
応させて、オーストリア特許第３８２８７５号の記載の
ように式（ＩＩ）で示される化合物を生成する。

【００２０】式（ＩＩ）で示される化合物は次に式（Ｖ
ＩＩ）または式（ＶＩＩＩ）で示される化合物と反応液
中に存在するままで反応させられ得る。反応は反応条件
下で不活性な溶媒または溶媒混合物中で、たとえば前の
段階で用いられたのと同じ溶媒中で行われ得る。温度は
限定的でない。反応は低温で、室温で、または高めた温
度で起る。本明細書で記載したいくつかの化合物、たと
えば式（ＩＶ）で示される化合物はメソマー（共鳴安定
性異性体）の形で存在し得、それらはまた式の定義、た
とえば式（ＩＶ）の定義に入るものとする。

【００２１】本発明の方法は既知の方法と比較して大き
な利点を有する： １）反応段階ｉ）、ｉｉ）およびｉｉｉ）は好ましくは
中間体の分離をせずにワンポット法により行われる。 ２）方法は、単一の段階により導入され得、または一個
の単一の段階により開裂され得る保護基としてのシリル
基を用い、その結果工程数を減らし得る。 ３）シリル保護基は反応の終りに簡単な加水分解または
アルコール分解により除去され得る。 ４）反応の完了したとき式（Ｉ）で示される目的化合物
は容易に反応溶液から分離され得る。 また本発明の方法は低い労働コストおよびエネルギーコ
ストという特徴をもっている。さらに本方法は簡単な製
造設備によって行われ得、既知の方法と比較して複雑な
操作を含まない。

【００２２】上に記載した通り、式（Ｉ）で示される化
合物は、たとえば、アシル化による、たとえば適当なア
シル化剤による貴重なセファロスポリン抗生物質の製造
に重要な出発物質である。３位にビニル置換をもつセフ
ァロスポリンは経口的に、または非経口的に投薬した場
合に吸収され、それらは極めて広範囲の有効な活性スペ
クトルを特徴とする。例えば下記の化合物を製造され得
る：

【化１４】

【化１５】

【００２３】下記の実施例はさらに十分に本発明を説明
するが、いかなる意味でもその範囲を制限するものでは
ない。実施例中全ての温度は摂氏で示される。 実施例１：７−アミノ−３−スチリル−３−セフェム−
４−カルボン酸 ａ）７−トリメチルシリルアミノ−３−トリフェニルホ
スホニウムメチル−３−セフェム−４−カルボン酸トリ
メチルシリルエステル・ヨウダイド［式（ＩＩＩ）で示
される化合物］ 乾燥したトリフェニルホスフィン０．８ｇを、ジクロロ
メタンを含有しているヘキサメチルジシラザン１０ｍｌ
中の７−トリメチルシリルアミノ−３−ヨードメチル−
３−セフェム−４−カルボン酸トリメチルシリルエステ
ル１．５３ｇに１０℃で添加する。溶液を続いてこの温
度で１時間撹拌する。プロトン核磁気共鳴特性測定の目
的のため、反応溶液の一部をとり真空下でジクロロメタ
ンの大部分を除去し、残留物をテトラヒドロフラン−ｄ
８およびジクロロメタン−ｄ２の混合物に取り込み、分
析する。プロトン核磁気共鳴（ＴＨＦ−ｄ８／ＣＤ２Ｃ
ｌ２、ＣＨ２Ｃｌ２を内部基準としてｐｐｍで示す）：
０．００６８（ｓ，Ｎ−トリメチルシリル）；０．１５
５（ｓ，ＣＯＯ−トリメチルシリル）；１．４８５（ｄ
，Ｊ＝１３．４Ｈｚ，Ｎ−Ｈ）；３．２６１（ＡＢ，Ｊ
＝１９．１Ｈｚ，ＪＨ−Ｐ＝２．４Ｈｚ，ＪＨ−Ｐ＝１
８．９Ｈｚ，ＣＨ２−Ｓ）；４．７０１（ｄｄ，Ｊ＝１
３．４Ｈｚ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，Ｈ７）；４．９２３（ｄ
，Ｊ＝４．８Ｈｚ，Ｈ６）；５．２４７（ＡＢ，Ｊ＝１
４．５Ｈｚ，ＪＨ−Ｐ＝４．５Ｈｚ，ＪＨ−Ｐ＝１６．
４Ｈｚ，ＣＨ２−Ｐ）；７．５７４−７．８５８（ｍ，
ｐ−フェニル）。

【００２４】ｂ）７−トリメチルシリルアミノ−３−ト
リフェニルホスホラニリデンメチル−３−セフェム−４
−カルボン酸トリメチルシリルエステル［式（ＩＶ）で
示される化合物］ 空気および水分を除去しながら、７−トリメチルシリル
アミノ−３−トリフェニルホスホニウムメチル−３−セ
フェム−４−カルボン酸トリメチルシリルエステル−ヨ
ウダイドを真空下で蒸発により濃縮する。残留物を乾そ
うしたテトラヒドロフラン１０ｍｌに溶解する。テトラ
ヒドロフラン２ｍｌ中１，１，１，３，３，３−ヘキサ
メチルジシラザンリチウム塩０．６８ｇの溶液を氷で冷
却しながら添加する。溶液の色は突然深紅色に変る。特
性測定の目的のため、少量のイリドを蒸発により濃縮し
、テトラヒドロフラン−ｄ８およびＣＤ２Ｃｌ２の混合
物中で、プロトン核磁気共鳴分光器により同定する：プ
ロトン核磁気共鳴（ＴＨＦ−ｄ８−ＣＤ２Ｃｌ２を内部
基準としてｐｐｍで示す）：０．１７７（ｓ，ＣＯＯ−
トリメチルシリル）；１．６１０（ｄ，Ｊ＝１３．５Ｈ
ｚ，Ｎ−Ｈ）；２．７７０（ＡＢ，Ｊ＝１４Ｈｚ，ＣＨ
２−Ｓ）；４．１９０（ｄｄ，Ｊ＝１３．５Ｈｚ，Ｊ＝
３．８Ｈｚ，Ｈ７）；４．９１０（ｄ，Ｊ＝３．８Ｈｚ
，Ｈ６）；７．４８０−７．７３３（ｍ，Ｐ−フェニル
）。この中間生成物の分離は方法を行うために必要でな
い；アルデヒドまたはケトンを直接に添加し得る。

【００２５】ｃ）７−アミノ−３−スチリル−３−セフ
ェム−４−カルボン酸［式（Ｉ）で示される化合物］無
水テトラヒドロフラン１０ｍｌ中トリメチルシリルアミ
ノ−３−トリフェニルホスホニウムメチル−３−セフェ
ム−４−カルボン酸トリメチルシリルエステル−ヨウダ
イド２．４ｇの溶液を無水テトラヒドロフラン２ｍｌ中
１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン　　
リチウム塩０．７０ｇの溶液と０℃で混合する。ビスト
リメチルシリルアセトアミド１．３ｇおよびベンズアル
デヒド０．６８ｇを暗紅色の溶液に添加する。反応混合
物を続いて室温で一晩中撹拌する。固体の上にある溶液
を傾しゃ除去し、酢酸エチルおよび希釈した塩酸の混合
物に注ぎ、それにより生成物は固体として沈澱する。生
成物を濾過し、酢酸エステルおよびエーテルで洗浄し、
乾そうする。プロトン核磁気共鳴（ＣＦ３ＣＯＯＤ）：
２．９３（ＡＢ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ，Ｓ−ＣＨ２，Ｅ−
異性体に対して）；３．４３（ＡＢ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ
，Ｓ−ＣＨ２，Ｅ−異性体に対して）；４．８９（ｄ，
Ｊ＝４．５Ｈｚ，β−ラクタム−Ｈ）；５．０５（ｄ，
Ｊ＝４．５Ｈｚ，β−ラクタム−Ｈ）；６．４１−７．
２９（ｍ，Ａｒ−Ｈ，Ｈ−Ｃ＝Ｃ−Ｈ　　β−スチリル
−Ｈおよびα−スチリル−Ｈ，Ｚ−異性体に対して）；
７．８０（ｄ，Ｊ＝１７．５Ｈｚ，α−スチリル−Ｈ，
Ｅ−異性体に対して）、異性体Ｅ／Ｚの割合＝７２／２
８。

【００２６】実施例２：７−アミノ−３−ビニル−３−
セフェム−４−カルボン酸 無水テトラヒドロフラン１０ｍｌ中７−トリメチルシリ
ルアミノ−３−トリフェニルホスホニウムメチル−３−
セフェム−４−カルボン酸トリメチルシリルエステル−
ヨウダイド２．３５ｇの溶液を無水テトラヒドロフラン
２ｍｌ中１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラ
ザン　　リチウム塩０．６８ｇの溶液と０℃で混合する
。わずかに過剰のガス状のホルムアルデヒドを０℃で深
紅色の溶液に通す。反応混合物を続いてエタノールで希
釈し、濾過する。濾液を酢酸によりｐＨ５．４に調節し
、それにより生成物は沈澱する。懸濁液を一晩中冷凍器
で放冷し、生成物を続いて濾過により分離する。プロト
ン核磁気共鳴（Ｄ２Ｏ，ＤＣｌ，ＴＳＰ）：３．８４（
ＡＢ，Ｊ＝１７．７Ｈｚ，Ｓ−ＣＨ２）；５．１８（ｄ
，Ｊ＝４．５Ｈｚ，β−ラクタム−Ｈ）；５．３４（ｄ
，Ｊ＝４．５Ｈｚ，β−ラクタム−Ｈ）；５．５５（ｄ
，Ｊ＝１１．４Ｈｚ，−Ｃ＝ＣＨ２シス）；５．７８（
ｄ，Ｊ＝１８Ｈｚ，−Ｃ＝ＣＨ２　　トランス）；７．
１８（ｄｄ，ＣＨ＝Ｃ，Ｊ＝１１．４Ｈｚ，Ｊ＝１８Ｈ
ｚ）。

【００２７】実施例３：７−アミノ−３−（プロパ−１
−エニル）−３−セフェム−４−カルボン酸ジクロロメ
タンの中７−トリメチルシリルアミノ−３−トリフェニ
ルホスホニウムメチル−３−セフェム−４−カルボン酸
トリメチルシリルエステル−ヨウダイド２．１６ｇの溶
液を蒸発する。残留物を無水テトラヒドロフラン８ｍｌ
に溶解し、無水テトラヒドロフラン２ｍｌ中１，１，１
，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン　　リチウム塩
０．６４ｇの溶液と０℃で混合する。暗紅色の溶液にビ
ストリメチルシリル　　アセトミアド１．４ｍｌ、続い
て無水アセトアルデヒド０．３３ｍｌを添加する。反応
混合物を室温で一晩中撹拌し、続いて同量のメタノール
と混合する。溶液を酢酸によりｐＨ５．４に調節し、そ
れにより生成物は沈澱する。懸濁液を氷により冷却しな
がらさらに３０分間撹拌し、生成物は次に吸引濾過器を
通して分離し、乾そうする。プロトン核磁気共鳴（ＣＦ
３ＣＯＯＤ，ＴＭＳ）：１．８３（ｄｄ，Ｊ＝０．９Ｈ
ｚ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，ＣＨ３，Ｚ−異性体）；２．０（
ｄ，広範域，Ｊ＝６．６Ｈｚ，ＣＨ３，Ｅ−異性体）；
３．６５（ｍ，２ＡＢ系，Ｓ−ＣＨ２として）；５．２
３−５．４７（ｍ，４ｄ　　β−ラクタム−Ｈとして）
；６．０８（ｄｑ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，Ｊ＝１２Ｈｚ，Ｃ
＝ＣＨ−ＣＨ３，Ｚ−異性体）；６．４０−６．７９（
ｍ，３−ＣＨ＝，Ｚ−異性体およびＣ＝ＣＨ−ＣＨ３，
Ｅ−異性体）；７．４４（ｄｄ，Ｊ＝１６．５Ｈｚ，Ｊ
＝１．５Ｈｚ，３−ＣＨ＝，Ｅ−異性体）。

【００２８】実施例４：７−アミノ−３−（プロパ−１
−エニル）−３−セフェム−４−カルボン酸ジクロロメ
タン中７−トリメチルシリルアミノ−３−トリフェニル
ホスホニウムメチル−３−セフェム−４−カルボン酸ト
リメチルシリルエステル−ヨウダイドの溶液を真空下で
蒸発乾固する。得た泡沫樹脂状物をテトラヒジロフラン
１２７ｍｌおよびＮ，Ｏ−ビストリメチルシリル　　ア
セトアミド２２．９ｍｌの混合物に溶解する。溶液をテ
トラヒジロフラン３５ｍｌ中１，１，１，３，３，３−
ヘキサメチルジシリラザン　　リチウム塩７．０４ｇの
溶液と混合する。１０分間後、アセトアルデヒド２１．
１ｍｌを添加し、反応混合物を２℃で３時間撹拌する。 反応混合物を続いて真空下でロータリーエバポレーター
で蒸発する。残留物を酢酸エチル２５０ｍｌに取り込み
、水１２５ｍｌと混合する。ｐＨ値を氷で冷却しながら
２ＮＮａＯＨで８．４に調節し、相を分離する。酢酸エ
チル相を水２５ｍｌで抽出する。混和した水相を酢酸５
０ｍｌで抽出する。水相を続いて半量のアセトンで希釈
し、ｐＨを１：１に希釈した濃塩酸でゆっくり３．５に
調節する。結晶性懸濁液を時おり撹拌しながら３時間氷
浴中に保ち、生成物を次に濾過する。それをそれぞれ水
／アセトン（１／１）２５ｍｌおよびアセトン２５ｍｌ
で２回洗浄し、次に真空乾燥室で乾燥する。

【００２９】実施例５：７−アミノ−３−（３−アセト
キシ−１−プロペソ−１−イル）−３−セフェム−４−
カルボン酸 ジクロロメタン中７−トリメチルシリルアミノ−３−ト
リフェニルホスホニウムメチル−３−セフェム−カルボ
ン酸トリメチルシリルエステル−ヨウダイド９４１ｇの
溶液を真空下で蒸発する。得た泡沫状樹脂をテトラヒド
ロフラン３９００ｍｌおよびＮ，Ｏ−ビストリメチルシ
リル　　アセトアミド６１７ｍｌの混合物に溶解する。 溶液を−２５℃に冷却し、無水テトラヒドロフラン３２
５ｍｌ中１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラ
ザン　　リチウム塩１７８ｇの溶液と混合する。それを
続いて−３０℃に冷却し、次にアセトキシ−アセトアル
デヒド３８８ｇを添加する。０℃で１７時間後、反応混
合物を真空下で濃縮する。残留物をｐＨ制御下で水３５
００ｍｌおよび酢酸エステル３５００ｍｌの混合物にま
ぜ込み、その間ｐＨ値を希釈アンモニウムにより６．５
で保持する。相分離後、酢酸エステル相を水１８００ｍ
ｌで抽出する。混和した水相を酢酸エステルで抽出する
。水相をアセトン３５００ｍｌで希釈し、続いて水２５
００ｍｌにまぜ込み、その際ｐＨ値を希塩酸を滴下する
ことにより３．５で一定に保持する。得た結晶性懸濁液
を氷浴で３時間撹拌する。 生成物を次に濾過し、アセトンおよびエーテルで洗浄し
、真空乾燥器で乾燥する。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　式（Ｉ） 【化１】 ［式中、Ｒ１およびＲ２は同じかまたは異なってもよく
   、水素または有機基を示す］で示される３−ビニルセフ
   ァロスポリンの製造方法であって、式（ＩＶ）【化２】 ［式中、Ｒ１はシリル保護基、 【化３】 または−Ｐ（Ｏ）．（ＯＲ４）２．Ｙ（式中、Ｒ４は低
   級アルキル基またはアリール基、Ｙはアルカリ族の陽イ
   オンまたは強有機塩基のプロトン化形である）である］
   で示される化合物と式（Ｖ） 【化４】 ［式中、Ｒ１およびＲ２は上記の通りである］で示され
   る化合物とを反応させる段階ｉ）を含む方法。
2. 【請求項２】　　式（ＩＶ）で示される化合物が式（Ｉ
   ＩＩ） 【化５】 ［式中、Ｒはシリル保護基、Ｘは−Ｐ（Ｒ４）３Ｉまた
   は−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ４）２、Ｒ４は低級アルキル基また
   はアリール基である］で示される化合物と塩基とを反応
   させる段階ｉｉ）により製造される、請求項１記載の方
   法。
3. 【請求項３】　　式（ＩＩＩ）で示される化合物が式（
   ＩＩ） 【化６】 ［式中、Ｒはシリル保護基である］で示される化合物と
   式（ＶＩＩ）または（ＶＩＩＩ） Ｐ（Ｒ４）３　　　　　　　　　　　　　　　　ＶＩＩ
   Ｐ（ＯＲ４）３　　　　　　　　　　　　　　ＶＩＩＩ
   ［式中、Ｒ４は低級アルキル基またはアリール基である
   ］で示される化合物とを反応させる段階ｉｉｉ）により
   製造される、請求項２記載の方法。
4. 【請求項４】　　請求項１および２記載の段階ｉ）、ｉ
   ｉ）およびｉｉｉ）が同じ反応容器で行われる、請求項
   ２または３記載の方法。
5. 【請求項５】　　Ｒ１およびＲ２の一方が水素、Ｒ１お
   よびＲ２の他方が水素、メチル、３−アセトキシメチル
   、４−メチル−１，３−チアゾール−５−イル、Ｎ−メ
   チル−Ｎ−エチル−Ｎ−（カルバモイルメチル）−アン
   モニウム−メチル−または１，５−ジヒドロキシ−４−
   ピリドン−２−イルである、請求項１記載の方法。
6. 【請求項６】　　請求項１記載の式（ＩＶ）で示される
   化合物またはそのメソマー。
7. 【請求項７】　　７−トリメチルシリルアミノ−３−ト
   リフェニルホスホラニリデンメチル−３−セフェム−４
   −カルボン酸トリメチルシリルエステルまたはそのメソ
   マー。
8. 【請求項８】　　請求項２記載の式（ＩＩＩ）で示され
   る化合物。
9. 【請求項９】　　７−トリメチルアミノ−３−トリフェ
   ニルホスホニウムメチル−３−セフェム−４−カルボン
   酸トリメチルシリルエステル−ヨウダイド。
10. 【請求項１０】　　請求項１−５の何れか１項記載の方
    法により製造される式（Ｉ）で示される化合物をアシル
    化することを含む７−アシルアミノ−３−セフェム−４
    −カルボン酸の製造方法。
11. 【請求項１１】　　７−アシルアミノ−３−セフェム−
    ４−カルボン酸の製造のための式（ＩＶ）または（ＩＩ
    Ｉ）で示される化合物の用途。