JPH0432543U - - Google Patents
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- JPH0432543U JPH0432543U JP7494490U JP7494490U JPH0432543U JP H0432543 U JPH0432543 U JP H0432543U JP 7494490 U JP7494490 U JP 7494490U JP 7494490 U JP7494490 U JP 7494490U JP H0432543 U JPH0432543 U JP H0432543U
- Authority
- JP
- Japan
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- source
- field effect
- effect transistor
- mos field
- drain
- Prior art date
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- Granted
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
第1図と第2図は本考案に係る半導体装置の実
施例を示す要部のパワーMOSFET素子の平面
図と等価回路図、第3図と第4図は従来の半導体
装置の各具体例を示す各等価回路図である。 ICo……半導体装置、Q1……パワーMOS
電界効果トランジスタ、R1……ソース配線抵抗
、A……過電流検出回路部。
施例を示す要部のパワーMOSFET素子の平面
図と等価回路図、第3図と第4図は従来の半導体
装置の各具体例を示す各等価回路図である。 ICo……半導体装置、Q1……パワーMOS
電界効果トランジスタ、R1……ソース配線抵抗
、A……過電流検出回路部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 多数の単位MOS電界効果トランジスタ素子を
並列配置すると共に、上記単位素子の各ソース、
ゲート、ドレインを並列結合してソース、ゲート
、ドレインを導出し、単一素子を形成した出力用
パワーMOS電界効果トランジスタと、 上記単位素子の各ソースの並列結合によつて生
じるソース又はドレインの配線抵抗の両端の電圧
降下を検出して上記パワーMOS電界効果トラン
ジスタに流れる過電流を検出する過電流検出回路
部とを同一素子内に形成したことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1990074944U JP2525470Y2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1990074944U JP2525470Y2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0432543U true JPH0432543U (ja) | 1992-03-17 |
JP2525470Y2 JP2525470Y2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=31615086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1990074944U Expired - Lifetime JP2525470Y2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2525470Y2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001089053A1 (de) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiter-bauelement |
WO2005081276A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Uchiya Thermostat Co., Ltd. | 安全装置及びそれを用いた過大電流遮断システム |
WO2015033585A1 (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-12 | 株式会社東芝 | 過電流保護装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0350762A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-05 | Hitachi Ltd | 電流検出回路 |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP1990074944U patent/JP2525470Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0350762A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-05 | Hitachi Ltd | 電流検出回路 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001089053A1 (de) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiter-bauelement |
WO2005081276A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Uchiya Thermostat Co., Ltd. | 安全装置及びそれを用いた過大電流遮断システム |
WO2015033585A1 (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-12 | 株式会社東芝 | 過電流保護装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2525470Y2 (ja) | 1997-02-12 |
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