JPH04324401A - 回折格子の製造方法 - Google Patents
回折格子の製造方法Info
- Publication number
- JPH04324401A JPH04324401A JP9451891A JP9451891A JPH04324401A JP H04324401 A JPH04324401 A JP H04324401A JP 9451891 A JP9451891 A JP 9451891A JP 9451891 A JP9451891 A JP 9451891A JP H04324401 A JPH04324401 A JP H04324401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- diffraction grating
- etching
- angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 abstract 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ブレーズド型回折格子
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のブレーズド型回折格子の製造方法
は次の通りである。ガラス基板の表面に一定の厚みのレ
ジスト膜を被覆し、２方向から平面波を照射してレジス
ト膜を露光する（ホログラフィック露光）。これにより
、レジスト膜には両平面波の干渉による平行パターンが
潜在的に形成され、適当なレジスト溶剤で洗うことによ
り、基板上に断面がサイン波状の平行線状のレジスト層
が形成される。このとき、レジスト膜の除去をやや多め
に行うことにより、サイン波の底の部分で基板を露出さ
せる。このようにして平行線状のレジスト層で被覆され
た基板に、平行線に直角な斜め上方からイオンビームを
照射することにより基板及びレジスト層をエッチングで
削り、ブレーズド型グレーティング構造を有する回折格
子を作成する。
は次の通りである。ガラス基板の表面に一定の厚みのレ
ジスト膜を被覆し、２方向から平面波を照射してレジス
ト膜を露光する（ホログラフィック露光）。これにより
、レジスト膜には両平面波の干渉による平行パターンが
潜在的に形成され、適当なレジスト溶剤で洗うことによ
り、基板上に断面がサイン波状の平行線状のレジスト層
が形成される。このとき、レジスト膜の除去をやや多め
に行うことにより、サイン波の底の部分で基板を露出さ
せる。このようにして平行線状のレジスト層で被覆され
た基板に、平行線に直角な斜め上方からイオンビームを
照射することにより基板及びレジスト層をエッチングで
削り、ブレーズド型グレーティング構造を有する回折格
子を作成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来より、エッチング
効率を上げるため、イオンビームエッチングのエッチン
グガスには基板と化学反応を生じる反応性ガスを使用し
ている。通常、回折格子の基板としては種々のガラスが
用いられるが、エッチングガスとしては、ガラスの主成
分であるＳｉＯ２に対して反応性を有するＣＦ４ガス、
ＣＨＦ３ガス等が用いられている。
効率を上げるため、イオンビームエッチングのエッチン
グガスには基板と化学反応を生じる反応性ガスを使用し
ている。通常、回折格子の基板としては種々のガラスが
用いられるが、エッチングガスとしては、ガラスの主成
分であるＳｉＯ２に対して反応性を有するＣＦ４ガス、
ＣＨＦ３ガス等が用いられている。
【０００４】しかし、これらのガスを用いてイオンビー
ムエッチングを行った場合、回折格子として理想的な断
面（傾斜面）が得られないという問題がある。本来、ブ
レーズド型回折格子の断面は一定の傾きを有する傾斜面
ができるだけ広く形成されていることが望ましいが、図
３（ｂ）に示すように、従来の工程により作成されたグ
レーティング溝の断面形状は傾斜面部分Ｓ２が狭く、し
かも、完全な平面とはなっていない。
ムエッチングを行った場合、回折格子として理想的な断
面（傾斜面）が得られないという問題がある。本来、ブ
レーズド型回折格子の断面は一定の傾きを有する傾斜面
ができるだけ広く形成されていることが望ましいが、図
３（ｂ）に示すように、従来の工程により作成されたグ
レーティング溝の断面形状は傾斜面部分Ｓ２が狭く、し
かも、完全な平面とはなっていない。
【０００５】これは、エッチングガスであるＣＦ４とエ
ッチングマスクであるレジスト膜の双方に炭素（Ｃ）が
含有されており、エッチング時にこれらのＣが基板上に
再堆積して、表面の十分なエッチングを妨げるためと推
定される。また、イオンビーム電極や加工室内からの金
属不純物、それに、エッチングにより一旦除去されたガ
ラス中の金属化合物が基板上に再堆積することも原因の
一つと考えられる。この傾向は特にブレーズ角が小さい
場合やエッチング時間が長い場合に顕著となる。 本
発明は上記課題を解決するために成されたものであり、
その目的とするところは、傾斜面が十分に広く、理想的
な形状に近い断面形状を有するブレーズド型回折格子を
製造する方法を提供することにある。
ッチングマスクであるレジスト膜の双方に炭素（Ｃ）が
含有されており、エッチング時にこれらのＣが基板上に
再堆積して、表面の十分なエッチングを妨げるためと推
定される。また、イオンビーム電極や加工室内からの金
属不純物、それに、エッチングにより一旦除去されたガ
ラス中の金属化合物が基板上に再堆積することも原因の
一つと考えられる。この傾向は特にブレーズ角が小さい
場合やエッチング時間が長い場合に顕著となる。 本
発明は上記課題を解決するために成されたものであり、
その目的とするところは、傾斜面が十分に広く、理想的
な形状に近い断面形状を有するブレーズド型回折格子を
製造する方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に成された本発明では、所定の傾斜角を有する傾斜面を
有する溝が基板上に多数本平行に刻まれて成るブレーズ
ド型回折格子の製造方法において、（ａ）基板上に、線
状のレジスト層を一定の間隔で平行に被覆する工程と、
（ｂ）上記レジスト層で被覆された基板上に、レジスト
層の各線に直角で、かつ、基板表面に対して上記所定傾
斜角に応じて定まる角度だけ傾斜した方向から、基板物
質に対して反応性を有するガスと不活性ガスとの混合ガ
スによるイオンビームエッチングを行う工程とを含むこ
とを特徴とする。
に成された本発明では、所定の傾斜角を有する傾斜面を
有する溝が基板上に多数本平行に刻まれて成るブレーズ
ド型回折格子の製造方法において、（ａ）基板上に、線
状のレジスト層を一定の間隔で平行に被覆する工程と、
（ｂ）上記レジスト層で被覆された基板上に、レジスト
層の各線に直角で、かつ、基板表面に対して上記所定傾
斜角に応じて定まる角度だけ傾斜した方向から、基板物
質に対して反応性を有するガスと不活性ガスとの混合ガ
スによるイオンビームエッチングを行う工程とを含むこ
とを特徴とする。
【０００７】
【作用】上記方法によると、エッチングガス中の不活性
ガスのイオンが、基板上に堆積した炭素や金属層を物理
的スパッタリングにより除去し、基板及びレジスト膜の
表面を常に清浄な状態に保つ。このため、反応性ガスイ
オンによるエッチングは理想的な形で行われ、所期の通
りの断面形状を得ることができる。すなわち、グレーテ
ィング溝の傾斜面がほぼ完全な平面となり、しかも、傾
斜面の平面領域が広い。
ガスのイオンが、基板上に堆積した炭素や金属層を物理
的スパッタリングにより除去し、基板及びレジスト膜の
表面を常に清浄な状態に保つ。このため、反応性ガスイ
オンによるエッチングは理想的な形で行われ、所期の通
りの断面形状を得ることができる。すなわち、グレーテ
ィング溝の傾斜面がほぼ完全な平面となり、しかも、傾
斜面の平面領域が広い。
【０００８】
【実施例】図１及び図２により、本発明を実施した回折
格子の製造方法の一例を説明する。本実施例では基板１
０としてガラス（例えば、商品名ＢＫ−７）を使用する
が石英等、他の材料を使用することもできる。この基板
１０上に、まず、レジスト膜１１を塗布する（図１（ａ
））。ここで、レジスト膜１１には通常のフォトリソグ
ラフィで用いられるもの（例えば商品名マイクロポジッ
ト１４００等）を使用することができる。次に、ホログ
ラフィック露光により、レジスト膜１１に平行線状の潜
像パターンを形成する（図１（ｂ））。本実施例では露
光光としてＨｅ−Ｃｄレーザによる波長４４１６オング
ストロームの光１２を使用する。
格子の製造方法の一例を説明する。本実施例では基板１
０としてガラス（例えば、商品名ＢＫ−７）を使用する
が石英等、他の材料を使用することもできる。この基板
１０上に、まず、レジスト膜１１を塗布する（図１（ａ
））。ここで、レジスト膜１１には通常のフォトリソグ
ラフィで用いられるもの（例えば商品名マイクロポジッ
ト１４００等）を使用することができる。次に、ホログ
ラフィック露光により、レジスト膜１１に平行線状の潜
像パターンを形成する（図１（ｂ））。本実施例では露
光光としてＨｅ−Ｃｄレーザによる波長４４１６オング
ストロームの光１２を使用する。
【０００９】２方向からの平面波干渉によりサイン波状
の強弱の露光を受けたレジスト膜１１は、適当な現像液
で洗うことにより、サイン波状の断面を有する多数の平
行線となって基板上に残る（図１（ｃ））。このとき、
サイン波の底の部分で基板１０が露出するまで現像を行
う。なお、平行線状レジスト層１１を形成するための工
程は、ここで述べたホログラフィック露光法以外にも、
通常の光リソグラフィや電子ビームリソグラフィ等、任
意の方法を使用することができる。
の強弱の露光を受けたレジスト膜１１は、適当な現像液
で洗うことにより、サイン波状の断面を有する多数の平
行線となって基板上に残る（図１（ｃ））。このとき、
サイン波の底の部分で基板１０が露出するまで現像を行
う。なお、平行線状レジスト層１１を形成するための工
程は、ここで述べたホログラフィック露光法以外にも、
通常の光リソグラフィや電子ビームリソグラフィ等、任
意の方法を使用することができる。
【００１０】平行線状のレジスト層１１で覆われた基板
１０をイオンビームエッチング装置の中に入れ、レジス
ト層１１の平行線に直角に、かつ、斜め上からイオンビ
ームを照射する。なお、図２（ｄ）では基板１０の方を
傾斜させ、イオンビームを真上から照射するように描い
ているが、両者の方向は相対的なものであり、いずれの
方法でもかまわない。このときの傾斜角（基板１０の表
面とイオンビームの照射方向とが成す角）の大きさは、
作成しようとするグレーティング溝のブレーズ角によっ
て決定される。
１０をイオンビームエッチング装置の中に入れ、レジス
ト層１１の平行線に直角に、かつ、斜め上からイオンビ
ームを照射する。なお、図２（ｄ）では基板１０の方を
傾斜させ、イオンビームを真上から照射するように描い
ているが、両者の方向は相対的なものであり、いずれの
方法でもかまわない。このときの傾斜角（基板１０の表
面とイオンビームの照射方向とが成す角）の大きさは、
作成しようとするグレーティング溝のブレーズ角によっ
て決定される。
【００１１】このイオンビームエッチング工程において
使用するガスとして、本実施例では、基板１０の材料で
あるガラスに対して反応性を有するＣＦ４ガスと、それ
に不活性ガスであるＡｒとを混合したものを用いる。本
実施例では両者の混合比はＣＦ４：Ａｒ＝６：４とする
。
使用するガスとして、本実施例では、基板１０の材料で
あるガラスに対して反応性を有するＣＦ４ガスと、それ
に不活性ガスであるＡｒとを混合したものを用いる。本
実施例では両者の混合比はＣＦ４：Ａｒ＝６：４とする
。
【００１２】このようにしてイオンビーム照射を行うと
、レジスト層１１によって覆われていない基板１０の部
分からエッチングされてゆく（図２（ｅ））。この間、
レジスト層１１もエッチングされており、レジスト層１
１が完全に除去された段階でエッチングを終了すると、
図２（ｆ）に示すようなブレーズド型グレーティングが
得られる。
、レジスト層１１によって覆われていない基板１０の部
分からエッチングされてゆく（図２（ｅ））。この間、
レジスト層１１もエッチングされており、レジスト層１
１が完全に除去された段階でエッチングを終了すると、
図２（ｆ）に示すようなブレーズド型グレーティングが
得られる。
【００１３】上記実施例ではＣＦ４とＡｒの混合比は＝
６：４としたが、両者の混合比はより広い範囲のものを
使用することができる。一例として、ＣＦ４：Ａｒ＝３
：７とした混合ガスでイオンビームエッチングを行い、
製造した回折格子の断面形状の実測図を図２（ａ）に示
す。従来の方法で製造した回折格子の断面形状である図
２（ｂ）と比較するとわかる通り、傾斜面部分Ｓ１が広
く、しかも、ほぼ完全な平面となっている。また、反応
性ガスとしては、ＣＦ４以外にも、ＣＨＦ３等、従来用
いられているものを使用することができる。不活性ガス
についても、上記実施例では最も入手しやすいガスとし
てＡｒを使用したが、ＮｅやＫｒ等の他の不活性ガスも
単体で、あるいは混合して用いることができる。
６：４としたが、両者の混合比はより広い範囲のものを
使用することができる。一例として、ＣＦ４：Ａｒ＝３
：７とした混合ガスでイオンビームエッチングを行い、
製造した回折格子の断面形状の実測図を図２（ａ）に示
す。従来の方法で製造した回折格子の断面形状である図
２（ｂ）と比較するとわかる通り、傾斜面部分Ｓ１が広
く、しかも、ほぼ完全な平面となっている。また、反応
性ガスとしては、ＣＦ４以外にも、ＣＨＦ３等、従来用
いられているものを使用することができる。不活性ガス
についても、上記実施例では最も入手しやすいガスとし
てＡｒを使用したが、ＮｅやＫｒ等の他の不活性ガスも
単体で、あるいは混合して用いることができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明に係る方法により製造したブレー
ズド型回折格子は、断面の傾斜面部分が広く、また、傾
斜面がほぼ完全な平面となっている。このため、非常に
高精度で、かつ、回折効率の良い回折格子を製造するこ
とができる。また、回折格子の製造歩留まりが上昇する
ため、製造コストが低下する。さらに、不活性ガスのイ
オンが加工室の内部のクリーニングも行うため、エッチ
ング装置のクリーニングメンテナンスの回数を減らすこ
とができ、また、エッチング終了後の内部残留ガスのＮ
２による置換の時間を減らすことができる。
ズド型回折格子は、断面の傾斜面部分が広く、また、傾
斜面がほぼ完全な平面となっている。このため、非常に
高精度で、かつ、回折効率の良い回折格子を製造するこ
とができる。また、回折格子の製造歩留まりが上昇する
ため、製造コストが低下する。さらに、不活性ガスのイ
オンが加工室の内部のクリーニングも行うため、エッチ
ング装置のクリーニングメンテナンスの回数を減らすこ
とができ、また、エッチング終了後の内部残留ガスのＮ
２による置換の時間を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例である回折格子の製造工
程の前半を示す工程図。
程の前半を示す工程図。
【図２】 本発明の一実施例である回折格子の製造工
程の後半を示す工程図。
程の後半を示す工程図。
【図３】 本発明の方法により製造した回折格子（ａ
）と従来の方法により製造した回折格子（ｂ）の断面形
状を比較するグラフ。
）と従来の方法により製造した回折格子（ｂ）の断面形
状を比較するグラフ。
１０…基板
１１…レジスト層 １２…レーザ光
１１…レジスト層 １２…レーザ光
Claims (1)
- 【請求項１】 所定の傾斜角を有する傾斜面を有する
溝が基板上に多数本平行に刻まれて成るブレーズド型回
折格子の製造方法において、基板上に、線状のレジスト
層を一定の間隔で平行に被覆する工程と、上記レジスト
層で被覆された基板上に、レジスト層の各線に直角で、
かつ、基板表面に対して上記所定傾斜角に応じて定まる
角度だけ傾斜した方向から、基板物質に対して反応性を
有するガスと不活性ガスとの混合ガスによるイオンビー
ムエッチングを行う工程とを含むことを特徴とする回折
格子の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094518A JPH0830764B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 回折格子の製造方法 |
| DE69223534T DE69223534T2 (de) | 1991-03-22 | 1992-03-20 | Trockenätzverfahren und Anwendung davon |
| EP92104852A EP0504912B1 (en) | 1991-03-22 | 1992-03-20 | Dry etching method and its application |
| SG1996003773A SG49673A1 (en) | 1991-03-22 | 1992-03-20 | Dry etching method and its application |
| US07/854,684 US5234537A (en) | 1991-03-22 | 1992-03-20 | Dry etching method and its application |
| CN92102953A CN1036868C (zh) | 1991-03-22 | 1992-03-21 | 干刻方法及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094518A JPH0830764B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 回折格子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04324401A true JPH04324401A (ja) | 1992-11-13 |
| JPH0830764B2 JPH0830764B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=14112550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3094518A Expired - Fee Related JPH0830764B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-04-25 | 回折格子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0830764B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6514576B1 (en) * | 1999-03-11 | 2003-02-04 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method of manufacturing a diffraction grating |
| US7175773B1 (en) | 2004-06-14 | 2007-02-13 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Method for manufacturing a blazed grating, such a blazed grating and a spectrometer having such a blazed grating |
| US7346977B2 (en) * | 2005-03-03 | 2008-03-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for making a magnetoresistive read head having a pinned layer width greater than the free layer stripe height |
| US7455957B2 (en) * | 2003-11-27 | 2008-11-25 | Shimadzu Corporation | Blazed holographic grating, method for producing the same and replica grating |
| JP2021503709A (ja) * | 2017-10-30 | 2021-02-12 | フェイスブック・テクノロジーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーＦａｃｅｂｏｏｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， Ｌｌｃ | 高屈折率材料のｈ２補助傾斜エッチング |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03253802A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-12 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 微細加工方法 |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP3094518A patent/JPH0830764B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03253802A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-12 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 微細加工方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6514576B1 (en) * | 1999-03-11 | 2003-02-04 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method of manufacturing a diffraction grating |
| US7455957B2 (en) * | 2003-11-27 | 2008-11-25 | Shimadzu Corporation | Blazed holographic grating, method for producing the same and replica grating |
| US7175773B1 (en) | 2004-06-14 | 2007-02-13 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Method for manufacturing a blazed grating, such a blazed grating and a spectrometer having such a blazed grating |
| US7346977B2 (en) * | 2005-03-03 | 2008-03-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for making a magnetoresistive read head having a pinned layer width greater than the free layer stripe height |
| JP2021503709A (ja) * | 2017-10-30 | 2021-02-12 | フェイスブック・テクノロジーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーＦａｃｅｂｏｏｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， Ｌｌｃ | 高屈折率材料のｈ２補助傾斜エッチング |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0830764B2 (ja) | 1996-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1210618C (zh) | 双层制模白板及其制造工艺 | |
| US6913871B2 (en) | Fabricating sub-resolution structures in planar lightwave devices | |
| US5234537A (en) | Dry etching method and its application | |
| US4124473A (en) | Fabrication of multi-level relief patterns in a substrate | |
| JPH04324401A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JPH0815510A (ja) | バイナリーオプティクス及びその製造方法 | |
| JPH06174907A (ja) | 金属格子の製作方法 | |
| JPH0643311A (ja) | 回折光学素子及びその製造方法 | |
| US6803154B1 (en) | Two-dimensional phase element and method of manufacturing the same | |
| JPH1172606A (ja) | ＳｉＣのパターンエッチング方法 | |
| JPH06338443A (ja) | ホログラフィック・グレーティングの製造方法 | |
| US5468576A (en) | Method for manufacturing exposure mask | |
| JP2992596B2 (ja) | ＳｉＣのパターンエッチング方法及びそれを用いたラミナー型ＳｉＣ回折格子の製造方法 | |
| JPH0534513A (ja) | 格子板の製造方法 | |
| JPH06250007A (ja) | ブレーズド型回折格子の製造方法 | |
| JPH04293234A (ja) | ＳｉＣのエッチング方法 | |
| JPH0812287B2 (ja) | グレーティング作製方法 | |
| DE69122054T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Beugungsgitters | |
| JPH05150110A (ja) | ＳｉＣ基板の回折格子製作方法 | |
| JP2001074924A (ja) | 回折光学素子の作製方法 | |
| JPH0529197A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0456284B2 (ja) | ||
| JP2663824B2 (ja) | ＳｉＣのパターンエッチング方法 | |
| JPH11305023A (ja) | シリコン回折格子の製造方法 | |
| JPH0461331B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080327 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090327 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100327 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100327 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110327 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |