JPH06338443A - ホログラフィック・グレーティングの製造方法 - Google Patents
ホログラフィック・グレーティングの製造方法Info
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- JPH06338443A JPH06338443A JP12703293A JP12703293A JPH06338443A JP H06338443 A JPH06338443 A JP H06338443A JP 12703293 A JP12703293 A JP 12703293A JP 12703293 A JP12703293 A JP 12703293A JP H06338443 A JPH06338443 A JP H06338443A
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Abstract
新規なホログラフィック・グレーティング製造方法を提
供することを目的とする。 【構成】 ホログラフィック露光によるホトレジストパ
ターン形成後、O2 プラズマアッシングまたはUV/O
3 アッシングによりホトレジストパターンの表面を平滑
にすることを特徴とする。
Description
ク・グレーティング、特にラマン分光にように極度に迷
光を押さえた分光用ホログラフィック・グレーティング
の製造方法に関する。
た光は散乱される。また非常に弱いが、当てた光の波長
と異なる光も散乱されている。その弱い散乱光がラマン
光と呼ばれるもので、ラマンスペクトルがもたらす情報
は赤外線吸収スペクトルと非常に類似していて、その分
子に特有であるため物質の同定ができる。
の散乱スペクトルであるから、その測光は赤外線吸収ス
ペクトルよりは困難で、ホログラフィック・グレーティ
ングも極度に迷光を押さえたものにしなければならなか
った。
ングを製作するには、まず、ガラスなどの基板上にホト
レジストを塗布し、次に二本のレーザビームを用いたホ
ログラフィックな干渉露光法いわゆる干渉縞を用いて、
ホトレジストを周期的に露光し、現像処理を行って、断
面が正弦波状のホトレジストパターンを作る。最後にそ
の上に真空蒸着などで反射膜となるAlなどの金属をコ
ーティングすることにより製作していた。
方法によるホログラフィック・グレーティングは、本来
光の干渉縞を記録して作られるため、溝の周期誤差によ
る迷光は極めて少ないが、実際は干渉縞だけではなく、
ミラーなどからの散乱光等もかすかに記録されるため、
それがスペックルノイズとなり、現像処理後のホトレジ
ストパターン表面が荒れたようになった。
て回折格子として使用すると、表面粗さが大きいため、
特に短波長で面荒れによる散乱光(迷光)が増大した。
これは、特に干渉縞のコントラストが悪いときに顕著で
ある。
表面の荒れを防止する新規なホログラフィック・グレー
ティング製造方法を提供することを目的とする。
を解決するため鋭意検討した結果、金属コーティングの
前段階としてホトレジストパターン表面をアッシングす
れば、表面の荒れを防止できることを見出だし、本発明
をなすに至った。すなわち、本発明は基板上にホトレジ
ストをコーティングする工程と、該ホトレジストにホロ
グラフィック露光によりホトレジストパターンを形成す
る工程と、ホログラフィック露光後、O2 プラズマアッ
シングまたはUV/O3 アッシングによりホトレジスト
パターンの表面を平滑にする工程と、上記工程後、ホト
レジストパターンの表面に金属膜をコーティングする工
程とからなるホログラフィック・グレーティングの製造
方法である。
などの無機材料を挙げることができるが、これらに限定
されない。ホトレジストは、例えば東京応化社製OFP
R5000,シプレイ・ファーイースト社製マイクロポ
ジットS1400を用いることができるが、これらに限
定されずポジ型であれば何でも良い。また、その厚さは
300〜400nmが好ましい。
ームを用いたホログラフィックな干渉露光法いわゆる干
渉縞を用いて行い、レーザビームは、例えばHe−Cd
レーザを用いる。ホログラフィック露光の際の干渉波面
には平面グレーティングの場合には二光束の平面波を、
凹面グレーティングの場合には二光束の球面波を、収差
補正型グレーティングの場合には二光束のうち少なくと
も一方に非球面波を用いる。なお、露光後、専用の現像
液で処理することにより、基板上に断面正弦波状のホト
レジストパターンが残される。現像液は、例えば、MF
314(シプレイ・ファーイースト社製),NMD−3
(東京応化社製)などを挙げることができるが、これら
に限定されない。
ンネルを有したプラズマ室に基板を置き、O2 ガスを導
入し、圧力1〜2Torr下で電圧300〜500V印加す
ることにより行う。アッシングの時間は30秒〜60秒
が好ましい。またUV/O3 アッシングは、O3 にUV
(紫外光)を照射してラジカルにし、基板に当てるもの
で、アッシングの時間は2分〜3分が好ましい。
W,Mo,Au,Ag等を用いることが可能で、厚さと
しては一般に0.1〜0.2μmが好ましい。また、金
属膜のコーティングは、真空蒸着、CVD等により行え
る。
V/O3 アッシングによりホトレジストパターンの表面
の微細な突起部が特に早く灰化除去でき、表面が滑らか
になる。
ングを製造する方法を図1に基づいて説明する。まず、
基板として平面ブランク(BK7−ガラス)1を用意
し、洗浄後この表面に、ホトレジスト(東京応化社製O
FPR5000)2を2100rpmでスピンコート
し、約0.4μmの膜を形成した。コーティング後、基
板を90℃のフレッシュエアオーブンに入れ、30分の
ベーキングを行う。このときの状態が図1(a)であ
る。
ために、ホログラフィック露光を行う。すなわち、平面
波を2方向から照射し、ホトレジスト2上で干渉縞を形
成することにより、ホトレジスト2内に断面の露光密度
が正弦波状である平行線状の潜像を形成する。ここで
は、露光光として、He−Cdレーザ光(波長λ=44
1.6nm)を使用し、900本/mmの干渉縞を作成
した。露光後、NMD−3で1分間現像を行うことによ
り、基板1には断面正弦半波状のホトレジストパターン
2が残された。このときの状態が図1(b)である。
ターンをバレルタイプ・プラズマエッチングシステムに
入れ、O2 ガスを導入し、1Torrの圧力の下、500W
の電力をかけ、1分間O2 プラズマアッシングを行っ
た。このときの状態が図1(c)である。これにより、
ホトレジストパターン2の表面の微細な突起部が灰化除
去でき、表面が滑らかになった。
UV/O3 アッシングを行っても同様にホトレジストパ
ターン2の表面の微細な突起部が灰化除去でき、表面が
滑らかになる。
表面にAlを0.1μmの厚さに抵抗加熱で真空蒸着し
た。このときの状態が図1(d)である。
グレーティングによると、220nmでの迷光値がO2
プラズマアッシングをしない場合(従来法)0.048
8%であったのが、0.0122〜0.0244%と1
/2以下に減少した。
状の変化は、触針式表面形状測定機、回折効率の測定結
果から変化していなかった。
グまたはUV/O3 アッシングによりホトレジストパタ
ーンの表面の微細な突起部が灰化除去でき、表面が滑ら
かになるので、面荒れによる散乱光(迷光)が大幅に減
少した。
Claims (1)
- 【請求項1】 基板上にホトレジストをコーティングす
る工程と、 該ホトレジストにホログラフィック露光によりホトレジ
ストパターンを形成する工程と、 ホログラフィック露光後、O2 プラズマアッシングまた
はUV/O3 アッシングによりホトレジストパターンの
表面を平滑にする工程と、 上記工程後、ホトレジストパターンの表面に金属膜をコ
ーティングする工程とからなるホログラフィック・グレ
ーティングの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12703293A JP2689851B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | ホログラフィック・グレーティングの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP12703293A JP2689851B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | ホログラフィック・グレーティングの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH06338443A true JPH06338443A (ja) | 1994-12-06 |
JP2689851B2 JP2689851B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=14949981
Family Applications (1)
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JP12703293A Expired - Fee Related JP2689851B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | ホログラフィック・グレーティングの製造方法 |
Country Status (1)
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-
1993
- 1993-05-28 JP JP12703293A patent/JP2689851B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2689851B2 (ja) | 1997-12-10 |
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