JPH04323367A - 酸化物超電導薄膜のスパッタリング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、種類の異なる複数のタ
−ゲットを用いて酸化物超電導薄膜を作製するマルチタ
−ゲット方式のスパッタリング方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、スパッタリング現象を利用して薄
膜を作製し、その薄膜の基礎物性を測定したり、薄膜を
加工してデバイスに応用したりする基礎研究や実用化技
術の開発が活発に行われている。

【０００３】スパッタリング法を、使用するタ−ゲット
の個数の観点から分類すると、シングルタ−ゲットスパ
ッタリング法と、マルチタ−ゲットスパッタリング法に
分けることができる。前者は、一つのタ−ゲットで膜を
作製する方法であり、通常は作製しようとする膜と同じ
組成のタ−ゲットを利用する。後者は、複数のタ−ゲッ
トを用いて膜を作製する方法であり、作製しようとする
膜が複数の元素から構成されている場合に、これらの元
素の単体または組み合わせからなる組成のタ−ゲットを
複数種類用いる。したがって、シングルタ−ゲットスパ
ッタリング法は簡易的であり、マルチタ−ゲットスパッ
タリング法は複雑な装置構成になる。

【０００４】最近、薄膜作製技術の進歩と共に高機能デ
バイスへの要望が高まり、高品位な多層膜、多元素膜が
要求されている。これらの要求を実現するためには薄膜
を原子層レベルでいかに再現性良く制御できるかがポイ
ントとなる。この薄膜の精密組成制御合成の観点からシ
ングルタ−ゲットスパッタリング法では限界があり、マ
ルチタ−ゲットスパッタリング法が要望されている。

【０００５】多元素薄膜の一例として酸化物薄膜がある
。現在脚光を浴びている酸化物薄膜としては、酸化物超
電導薄膜やＩＴＯ薄膜（透明導電膜）、ＳｒＴｉＯ３薄
膜（高誘電率膜）などが挙げられる。特に、酸化物超電
導薄膜は酸素を含む３種類以上の元素で構成されており
、膜組成によりその膜の特性が変化する。したがって、
膜組成を精密に制御する必要がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】実用化されている従来
のマルチタ−ゲットスパッタリング法では、その膜を構
成する元素からなる複数のタ−ゲットを使用することに
よって精密組成制御が可能であり、かつデポジションレ
−トも向上すると考えられていた。しかし、構成する元
素によっては、次のような問題点がある。 （１）タ−ゲットの形状に加工できない。 （２）タ−ゲットの裏板にボンディングできない。 （３）タ−ゲットが大気に触れると不安定になり、表面
の膜質が変化して再現性がない。 （４）タ−ゲットに大電力を印加すると異常放電が発生
し、タ−ゲトの表面形状が変化したり、タ−ゲットが割
れたりする。 （５）タ−ゲットから発生する酸素負イオンや２次電子
によって基板上の膜が再スパッタリングされて、膜組成
が変動する。

【０００７】これらの問題点は、前述した膜の精密組成
制御やデポジションレ−トやスル−プット（生産性）に
大きく影響を及ぼし、実際に膜を作製したりデバイスを
作製したりする場合に大きな問題となる。このことが解
決されないとその膜が実用化されないこともある。具体
例を挙げれば、このような薄膜として酸化物超電導薄膜
がある。Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７を例にして説明すると、
直径４インチのタ−ゲットに３００Ｗ以上の電力を長時
間印加すると、異常放電を起こす。さらに、基板加熱の
状態では２００Ｗ以上で異常放電を起こし、タ−ゲット
の表面形状が変化して使用できなくなる。この原因は、
この物質の構成元素であるＢａが、単体でも非常に不安
定であって、前記の問題点（１）〜（５）のすべてを含
むからである。特に、（５）の再スパッタリング現象の
影響は大きい。この再スパッタリング現象とは、タ−ゲ
ットから放出された酸素負イオンがタ−ゲット近傍のシ
−ス電界によって基板方向に加速され、基板表面に付着
している膜（スパッタリングされた粒子）に衝突して、
これらの粒子を膜からはじき飛ばす現象を指す。酸化物
超電導薄膜においては、この再スパッタリング現象によ
り膜組成がタ−ゲット組成と一致しなくなり、膜の超電
導特性が著しく劣化する。この再スパッタリング現象は
、他の酸化物にも多くみられ、多元素系酸化物に多く見
られる特徴がある。

【０００８】本発明の目的は、マルチタ−ゲットスパッ
タリング法によって酸化物超電導薄膜を作製する方法に
おいて、膜作製の再現性や制御性およびデポジションレ
−トを改善することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】第１の発明のスパッタリ
ング方法は、複数のタ−ゲットをスパッタリングするこ
とによって基板上に酸化物超電導薄膜を堆積させるスパ
ッタリング方法において、前記酸化物超電導薄膜が、銅
と酸素とその他の少なくとも一つの元素（以下、その他
元素という。）とからなり、かつ、その他元素の少なく
とも一つは、単体の状態および酸素との化合物の状態で
はスパッタリングのタ−ゲットとして不安定な性質を有
する元素（以下、不安定元素という。）であり、前記複
数のタ−ゲットの組成は、銅と酸素とその他元素との任
意の組み合わせからなる群から選ばれ、かつ、不安定元
素を含むタ−ゲットは必ず銅と酸素を含むようにするこ
とを特徴としている。

【００１０】ここで、その他元素は１種類に限らず、２
種類以上の元素となることも多い。たとえば、Ｙ−Ｂａ
−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導薄膜では、ＹとＢａが本発
明におけるその他元素となる。使用する複数のタ−ゲッ
トの組成としては、銅と酸素とその他元素との任意の組
み合わせからなる群から選ばれることになるが、この組
み合わせには、銅の単体からなるタ−ゲット、その他元
素の単体からなるタ−ゲット、銅と酸素とからなるタ−
ゲット、銅とその他元素とからなるタ−ゲット、その他
元素と酸素とからなるタ−ゲット、銅と酸素とその他元
素とからなるタ−ゲット、など各種の組み合わせが考え
られ、その中からその超電導薄膜を作製するに最も適し
たものをいくつか選ぶことになる。その際に、不安定元
素を含むタ−ゲットは、必ず、銅と酸素と不安定元素と
からなるタ−ゲットの状態で使用することにしている。

【００１１】第２の発明は、第１の発明の特徴に加えて
、不安定元素と銅と酸素とからなるタ−ゲットは、不安
定元素に対する銅の組成比が１より小さいことを特徴と
している。

【００１２】第３の発明は、第２の発明の特徴に加えて
、不安定元素に対する銅の組成比が０．１〜０．２であ
ることを特徴としている。

【００１３】第４の発明は、上述のいずれかの発明にお
いて、融点が１０００℃以下の条件および第１イオン化
エネルギ−が７．５ｅＶ以下の条件の少なくとも一つを
満たした元素を不安定元素として取り扱うことを特徴と
している。

【００１４】

【作用】マルチタ−ゲットスパッタリング法によって精
密な膜組成制御をし、かつデポジションレ−トを高める
には、作製すべき膜を構成する元素を含む複数のタ−ゲ
ットをどのように選択するかが重要となる。本発明者は
、実験事実から次のことを見いだした。酸化物超電導薄
膜を構成する元素の中に、融点が１０００℃以下もしく
は第１イオン化エネルギ−が７．５ｅＶ以下の元素が含
まれている場合には、スパッタリングにおいて以下に示
す特徴がある。 （１）作製しようとする薄膜と同一組成のタ−ゲットを
使用する場合、このタ−ゲットに印加する電力には限界
がある。この限界値を越えると異常放電が起こる。この
異常放電により、タ−ゲットの表面に割れが生じやすい
。 （２）融点または第１イオン化エネルギ−が上記の条件
を満たす元素は、単体の状態および酸化物の状態でタ−
ゲットとして不安定である（以下、このようなタ−ゲッ
トとして不安定な元素を不安定元素と呼ぶことにする。 ）。ただし、この不安定元素に酸素と少量の銅を加える
ことにより安定化する。 （３）タ−ゲットにおいて不安定元素が酸素と結合した
場合、スパッタリングにおいてタ−ゲットから酸素負イ
オンや２次電子を発生しやすい。これにより、膜の再ス
パッタリング現象が生じる。そして、タ−ゲットのエロ
−ジョン領域に対向する基板表面において、この再スパ
ッタリング現象が強く起こる。スパッタリング中に基板
を移動させると、基板移動方向に沿った膜組成の変動は
小さくなる。しかし、基板移動方向に垂直な方向に沿っ
た膜組成の変動は、エロ−ジョン領域の形状に依存し、
基板移動による膜組成の均一化の効果は小さい。

【００１５】図１は、酸化物超電導薄膜を構成する元素
について横軸に第１イオン化エネルギ−を、縦軸に融点
をとったグラフである。実験の結果、Ｔａ、Ｎｂ、Ｓｉ
、Ｃｕについては単体または酸化物の状態でタ−ゲット
として安定して使用できるがその他の元素では単体およ
び酸化物の状態でタ−ゲットとしてはあまり安定でない
ことが分かった。すなわち、一点鎖線１０よりも右上の
領域に含まれる元素はタ−ゲットとして安定であり、左
下の領域に含まれる元素は不安定であると判定すること
ができる。一点鎖線１０より左側の領域というのは、融
点が約１０００℃以下の条件および第１イオン化エネル
ギ−が約７．５ｅＶの条件の少なくとも一つを満足する
ものである。したがって、融点とイオン化エネルギ−の
数値が不安定元素を判定する条件となりうる。この判定
数値は、図１のグラフをもとにして得られたものである
から、数値そのものに臨界的意義があるのではなくて、
図１のグラフ上で安定元素と不安定元素とを区別するこ
とができる限りにおいて多少の幅があるものである。

【００１６】ところで、タ−ゲットとしての安定性を判
断する上で、元素の融点と第１イオン化エネルギ−に着
目したのは次のような理由による。元素の第１イオン化
エネルギ−とは、その元素から電子１個を取り除くのに
必要なエネルギ−である。第１イオン化エネルギ−が小
さい元素では、電子が放出されやすいので、この元素と
酸素とが含まれているタ−ゲットでは、この元素から放
出された電子が酸素と結び付いて酸素の負イオンを放出
しやすくなると推定される。これにより、タ−ゲットの
エロ−ジョン領域の酸素が欠乏し、タ−ゲット組成が部
分的に変化して、タ−ゲットの割れなどを引き起こし、
タ−ゲットが不安定になりやすい。また、融点が低い元
素は、蒸気圧が比較的高く、スパッタリング中にタ−ゲ
ットが高温になった部分ではこの元素が蒸発しやすい。 これにより、タ−ゲットのエロ−ジョン領域の組成が変
化して、同様にタ−ゲットが不安定になりやすい。

【００１７】本発明では、不安定元素をタ−ゲットとし
て利用する場合に、必ず銅と酸素とを含むようにしてタ
−ゲットとしての安定化を図っている。この場合に、不
安定元素の膜中での組成を精密に制御するという観点か
らは、不安定元素を含むタ−ゲットにおいて、不安定元
素に対する銅の組成比を１以下に、できれば０．１〜０
．２程度にするのが好ましい。これは次のような理由に
よる。複数のタ−ゲットを利用して酸化物超電導薄膜を
作製する場合に、膜の組成比を所望の値にするには各タ
−ゲットに印加する電力を最適値に制御する必要がある
。この最適値は、あらかじめ実験によって求めておくこ
とになる。常に、この求めた電力値でスパッタリングす
る限りにおいては、不安定元素と銅の組成比はどのよう
な値であっても組成制御の観点からは特に大きな問題は
ない。しかし、デポジションレ−トを変更する場合には
問題が生じる。デポジションレ−トを変更するには、各
タ−ゲットに印加する電力を同じ割合で増減すればよい
と考えられるが、同一タ−ゲットに含まれる不安定元素
と銅のそれぞれのスパッタ率の電力依存性が異なるので
、電力値を変更すると、膜組成が理想値からずれる恐れ
がある。したがって、膜中の不安定元素の組成制御の観
点からは、不安定元素に対する銅の組成比はできるだけ
小さいほうがよい。発明者が実験した限りでは、不安定
元素に対する銅の組成比を０．１〜０．２程度まで小さ
くしてもタ−ゲットとして安定に使用できた。タ−ゲッ
トの安定性が確保される限り、この組成比はもっと小さ
くしてもよい。

【００１８】

【実施例】本発明の実施例として、Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ
７の酸化物超電導薄膜を作製した例について述べる。ま
ず、この物質を構成する元素（酸素以外）の第１イオン
化エネルギ−と融点を表１に示す。また、各構成元素の
組み合わせからなる各種のタ−ゲットについての安定性
の評価を表２に示す。

【００１９】

【表１】

【００２０】

【表２】

【００２１】表２より、ＹとＢａは、単体では不安定で
実用的なタ−ゲットとして利用できないことが分かる。 特にＢａは、酸化物にしても、Ｙおよび酸素を結合して
も、安定化しない。このようなＢａであっても、酸素と
Ｃｕとを結合させることにより安定化することができる
。この場合、Ｂａに対するＣｕの比率を０．２まで減少
させても実用可能なタ−ゲットを得ている。一方、Ｙに
ついては、酸素と結合することにより、ある程度安定化
するが、長時間スパッタリングするとタ−ゲット表面に
ひび割れを生じる。このＹについても、酸素とＣｕとを
結合させることにより、さらに安定化することができる
。この場合、Ｙに対するＣｕの比率を０．１まで減少さ
せても実用可能なタ−ゲットを得ている。

【００２２】なお、表２において四元系のタ−ゲットは
ＹＢａＣｕＯとなっていて組成比を明記していないが、
この種のタ−ゲットは各種の組成比についてすべて安定
であったので、このように表現してある。

【００２３】次に、これらのタ−ゲットを利用して酸化
物超電導薄膜を作製した実施例を図面を参照して説明す
る。図２は、この実施例で使用したマルチタ−ゲットス
パッタリング装置の平面断面図である。真空容器５６は
主排気系（図示しない）によって圧力が１０−７Ｔｏｒ
ｒ以下の真空状態に保たれている。真空容器５６の内部
には、基板５７を８００℃まで加熱可能な基板加熱装置
５８と、この基板５７を保持して矢印５９の方向に移動
させる基板回転ホルダ−６０が設置されている。この基
板回転ホルダ−６０には基板５７を最大６個まで取り付
けることができる。

【００２４】基板５７は、基板移動機構６２を矢印６３
の方向に動作させることによって、真空容器５６から基
板交換室６１へと真空状態で移動が可能である。基板５
７は基板回転ホルダ−６０によって、後述する複数のタ
−ゲットに順番に対向するように移動できて、高周波ス
パッタリングによって基板５７の表面に膜を堆積するこ
とができる。

【００２５】真空容器５６には大きなポ−トが６か所あ
り、そのうち４か所にマグネトロンカソ−ドが設置され
ており、残りの２か所には上述した基板交換室６１とビ
ュ−イングポ−ト（のぞき窓）６４が設置されている。 ４個のマグネトロンカソ−ド６５、６６、６７、６８に
は、それぞれ独立にタ−ゲット６９、７０、７１、７２
を備えている。各タ−ゲットの周囲にはタ−ゲットシ−
ルド（図示しない）が設置されている。各カソ−ドに高
周波電力を供給するために、それぞれ、インピ−ダンス
整合器７３、７４、７５、７６と高周波電源７７、７８
、７９、８０が接続されている。高周波電源７７〜８０
は、同時放電時に互いに干渉しないように、周波数１３
．５６ＭＨｚを中心に±６ｋＨｚの範囲内で同一周波数
にならないようにしてある。すなわち、高周波電源７７
〜８０の順に、１３．５６０ＭＨｚ、１３．５５４ＭＨ
ｚ、１３．５５７ＭＨｚ、１３．５６３ＭＨｚの周波数
を利用している。

【００２６】各タ−ゲット６９〜７２と基板回転ホルダ
−６０との間には、それぞれ独立にシャッタ−８１、８
２、８３、８４があり、シャッタ−駆動機構８５、８６
、８７、８８によって駆動されて開閉する。シャッタ−
駆動機構８５〜８８は５ｋｇｆ／ｃｍ２の圧縮空気によ
って駆動される。圧縮空気の制御は図３に示す電磁弁８
９によって行われる。電磁弁３１はシャッタ−制御装置
９０からの開閉信号によって制御され、各シャッタ−は
それぞれ独立に開閉制御される。シャッタ−制御装置９
０は、コンピュ−タ３３からの信号を受けて、各シャッ
タ−の開閉を同時にあるいは順番に開閉することができ
る。

【００２７】図２に戻って、各カソ−ド６５〜６８には
ロ−パスフィルタ９２、９３、９４、９５を介して電圧
計９６、９７、９８、９９が接続されている。ロ−パス
フィルタはＣとＬの簡単な回路で構成されている。これ
により、各電圧計には、放電時にタ−ゲットに誘起され
るセルフバイアス電圧が表示される。電圧計９６〜９９
は図３に示す記録計１００に接続されている。なお、図
示しないが、記録計１００には、真空容器５６内の圧力
や基板５７の温度も記録される。記録計１００の情報は
コンピュ−タ３３に常時入力されている。以上のような
装置構成により、各タ−ゲット６９〜７２に誘起される
セルフバイアス電圧が常時モニタ−される。

【００２８】次に、図２に示す装置による具体的な膜作
製方法を説明する。タ−ゲット６９にＹ１Ｂａ２Ｃｕ３
Ｏｙ、タ−ゲット７０にＢａ１Ｃｕ０．２Ｏｙ、タ−ゲ
ット７１にＣｕＯ、タ−ゲット７２にＹ１Ｃｕ０．１Ｏ
ｙを用いた。膜組成分布を測定する実験では、基板にＳ
ｉウェ−ハを用い、基板温度を室温とした。超電導臨界
温度を測定する実験では、基板にＭｇＯを用い、基板温
度を６５０℃とした。基板回転ホルダ−は３０ｒｐｍで
回転させた。タ−ゲット・基板間距離は４２ｍｍである
。放電時の導入ガスは、ＡｒとＯ２の１対１の混合ガス
で、圧力が４Ｐａである。各タ−ゲットに印加する電力
は、タ−ゲット６９〜７２の順に、１５０Ｗ、１５０Ｗ
、１７５Ｗ、９０Ｗである。

【００２９】膜組成分布を測定する実験では、シャッタ
−を閉じた状態で約３０分間のプリスパッタリングを行
い、タ−ゲットのセルフバイアス電圧が安定してから、
各シャッタ−を開いて、Ｓｉウェ−ハに２００分間堆積
を行った。このときのデポジションレ−トは２９．６オ
ングストロ−ム／分であった。図４は、直径４インチの
タ−ゲットを用いた場合の膜組成分布のグラフであり、
図５はそのときの基板とタ−ゲットを示す。図５の（Ａ
）は直径３インチのＳｉウェ−ハ１２の基板であり、ス
パッタリング中は矢印１４の方向に移動している。そし
て、移動方向に沿ったＡ−Ａ方向の膜組成分布が図４の
（Ａ）に示され、移動方向に垂直なＢ−Ｂ方向の膜組成
分布が図４の（Ｂ）に示されている。図５の（Ｂ）は直
径４インチの円形タ−ゲット１６であり、そのエロ−ジ
ョン領域１８は内径が４０ｍｍ、外径が９０ｍｍ、エロ
−ジョン中心（最も深い位置）の位置が直径７０ｍｍで
ある。図４の（Ａ）と（Ｂ）を比較すると分かるように
、基板移動方向（Ａ−Ａ方向）に沿った膜組成分布は化
学量論組成比にほぼ一致した均一な分布であるのに対し
て、基板移動方向に垂直な方向（Ｂ−Ｂ方向）の膜組成
分布は、エロ−ジョン領域の内径（４０ｍｍ）よりも内
側の領域で化学量論組成比にほぼ一致して均一となるが
その外側では化学量論組成比よりもＢａとＣｕが少なく
なる。ＢａとＣｕが少なくなる原因は、酸素負イオンに
よる再スパッタリングの影響である。

【００３０】図６と図７は、矩形タ−ゲットを用いた場
合の、図４および図５と同様の図面である。図７の（Ｂ
）は矩形タ−ゲット２０を示しており、その寸法は１０
０ｍｍ×１２０ｍｍであり、エロ−ジョン領域２２の内
側寸法は５０ｍｍ×７０ｍｍであり、外側寸法は９０×
１１０ｍｍである。矢印２４はこのタ−ゲットに対向す
る基板の移動方向を示している。すなわち、基板の移動
方向に垂直な方向の基板寸法（約７６ｍｍ）は、この方
向に沿ったエロ−ジョン領域の内側寸法（約７０ｍｍ）
と同程度になっている。このような配置にしたことによ
り、図６から明らかなように、基板移動方向に沿った膜
組成分布も、基板移動方向に垂直な方向の膜組成分布も
、化学量論組成比にほぼ一致した均一な分布となる。図
６の例では、基板全面で化学量論組成比に対して±５％
以内の精度で精密に膜組成制御ができた。もちろん、基
板の移動方向に垂直な方向の基板寸法を、この方向に沿
ったエロ−ジョン領域の内側寸法より小さくすれば、同
様に均一な組成比分布となる。

【００３１】図８は、基板加熱を６５０℃にしてＭｇＯ
基板上に作成した超電導膜の超電導臨界温度Ｔｃを測定
したグラフである。グラフ（Ａ）は図５の（Ｂ）に示す
円形タ−ゲットを使用した場合であり、グラフ（Ｂ）は
図７の（Ｂ）に示す矩形タ−ゲットを使用した場合であ
る。いずれの場合も基板移動方向に垂直方向の超電導臨
界温度の分布を示してある。これらのグラフは上述の膜
組成分布の結果を反映しており、円形タ−ゲットでは基
板の外側部分で臨界温度が低下するのに対して、矩形タ
−ゲットを使用した場合は基板全面で９０Ｋの均一な臨
界温度を得ている。

【００３２】上述の実施例ではＹ系の酸化物超電導薄膜
について述べたが、Ｃｕを含む構造のその他の酸化物超
電導薄膜、たとえばＫ２ＮｉＦ４系、Ｂｉ系、Ｔｌ（タ
リウム）系についても本発明を適用することができる。

【００３３】

【発明の効果】本発明では、不安定元素を構成元素とし
て含む酸化物超電導薄膜をマルチタ−ゲットスパッタリ
ング法で作製する場合に、不安定元素を必ず銅と酸素と
を含む状態でタ−ゲットとして使用することにより、タ
−ゲットが安定化して異常放電がなくなり、またタ−ゲ
ットの破損などのトラブルがなくなった。また、このよ
うにして不安定元素を、独立して電力制御可能な別個の
タ−ゲットとして利用できるようにしたことにより、膜
のデポジションレ−トを飛躍的に増加させることができ
た。さらに、不安定元素を含むタ−ゲットにおいて不安
定元素に対する銅の組成比を小さくすることにより、タ
−ゲットに印加する電力を増減しても膜組成比の変動を
少なくすることができ、膜組成の精密な制御が容易にな
った。

【図面の簡単な説明】

【図１】酸化物超電導薄膜を構成する元素の融点と第１
イオン化エネルギ−のグラフである。

【図２】本発明を実施するための装置の一例の平面断面
図である。

【図３】図２に示す装置のシャッタ−制御系のブロック
図である。

【図４】円形タ−ゲットを使用した場合の膜組成比分布
のグラフである。

【図５】図４のグラフを得る際に使用した基板とタ−ゲ
ットの平面図である。

【図６】矩形タ−ゲットを使用した場合の膜組成比分布
のグラフである。

【図７】図６のグラフを得る際に使用した基板とタ−ゲ
ットの平面図である。

【図８】作製した膜の超電導臨界温度分布のグラフであ
る。

【符号の説明】

１０　　不安定元素と安定元素とを分ける境界線１２、
５７　　基板

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　複数のタ−ゲットをスパッタリングす
   ることによって基板上に酸化物超電導薄膜を堆積させる
   スパッタリング方法において、前記酸化物超電導薄膜が
   、銅と酸素とその他の少なくとも一つの元素（以下、そ
   の他元素という。）とからなり、かつ、その他元素の少
   なくとも一つは、単体の状態および酸素との化合物の状
   態ではスパッタリングのタ−ゲットとして不安定な性質
   を有する元素（以下、不安定元素という。）であり、前
   記複数のタ−ゲットの組成は、銅と酸素とその他元素と
   の任意の組み合わせからなる群から選ばれ、かつ、不安
   定元素を含むタ−ゲットは必ず銅と酸素を含むようにす
   ることを特徴とする、酸化物超電導薄膜のスパッタリン
   グ方法。
2. 【請求項２】　　不安定元素と銅と酸素とからなるタ−
   ゲットは、不安定元素に対する銅の組成比が１より小さ
   いことを特徴とする請求項１記載のスパッタリング方法
   。
3. 【請求項３】　　不安定元素に対する銅の組成比が０．
   １〜０．２であることを特徴とする請求項２記載のスパ
   ッタリング方法。
4. 【請求項４】　　融点が１０００℃以下の条件および第
   １イオン化エネルギ−が７．５ｅＶ以下の条件の少なく
   とも一つを満たした元素を不安定元素として取り扱うこ
   とを特徴とする請求項１、２または３記載のスパッタリ
   ング方法。