JPH0432258A - 半導体集積回路の実装方法 - Google Patents
半導体集積回路の実装方法Info
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-
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- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
複数の半導体素子を有する半導体集積回路基板を、その
他の表面実装部品を搭載可能な実装回路基板に実装する
手段に関する。特に、半導体集積回路基板の主表面を実
装回路基板に対向させる半導体集積回路の実装方法に関
する。
他の表面実装部品を搭載可能な実装回路基板に実装する
手段に関する。特に、半導体集積回路基板の主表面を実
装回路基板に対向させる半導体集積回路の実装方法に関
する。
半導体製造技術の発展により、一つの半導体基板上に数
カ素子の半導体素子を集積化することが可能になってき
た。これにともない、半導体基板上の信号線も増加し、
外部に接続する入出力パッドも増加し、ワイヤボンディ
ングする数が増大してきた。そこで実装工程時間の短縮
のため、−度に半導体集積回路基板の全パッドを接続で
きるフリップチップ方式やTAB (テープオートボン
ディング)方式が開発されてきた。一方、実装回路基板
も高密度化が進み、多層基板や表面実装部品が用いられ
るようになってきたゆ 更に実装密度を高めようとする
ため、半導体集積回路基板と実装回路基、板の間にも信
号線が配線されるようになってきた。
カ素子の半導体素子を集積化することが可能になってき
た。これにともない、半導体基板上の信号線も増加し、
外部に接続する入出力パッドも増加し、ワイヤボンディ
ングする数が増大してきた。そこで実装工程時間の短縮
のため、−度に半導体集積回路基板の全パッドを接続で
きるフリップチップ方式やTAB (テープオートボン
ディング)方式が開発されてきた。一方、実装回路基板
も高密度化が進み、多層基板や表面実装部品が用いられ
るようになってきたゆ 更に実装密度を高めようとする
ため、半導体集積回路基板と実装回路基、板の間にも信
号線が配線されるようになってきた。
第2図に従来技術にょ゛る実装図を示す。半導体集積回
路基板201の主表面は実装回路基板210に対向する
ように配置し、はんだバンブによるフリップチップ方式
で実装する。半導体集積回路基板201の各パッドから
は、はんだ層214゜214’、215,216を通し
て実装回路基板上の配線パターン202,202’、2
12,213に接続される。203及び204は半導体
集積回路基板201の真下を通る配線パターンである。
路基板201の主表面は実装回路基板210に対向する
ように配置し、はんだバンブによるフリップチップ方式
で実装する。半導体集積回路基板201の各パッドから
は、はんだ層214゜214’、215,216を通し
て実装回路基板上の配線パターン202,202’、2
12,213に接続される。203及び204は半導体
集積回路基板201の真下を通る配線パターンである。
208,209はその他の表面実装部品である。電圧源
207より実装回路基板のコネクタ部211を通って電
源電圧が供給される。205゜206は電源用配線パタ
ーンである。
207より実装回路基板のコネクタ部211を通って電
源電圧が供給される。205゜206は電源用配線パタ
ーンである。
近年電子機器の普及にともない、電磁障害による誤動作
が問題になってきている。電子機器間の相互干渉を避け
るために、実装回路基板をシールドすることが行なわれ
てきた。
が問題になってきている。電子機器間の相互干渉を避け
るために、実装回路基板をシールドすることが行なわれ
てきた。
本発明は、電子部品の高密度実装化にともない、より小
型にシールドを行なう方法を提供するものである。
型にシールドを行なう方法を提供するものである。
本発明の半導体集積回路の実装方法は、半導体集積回路
基板の主表面を実装回路基板と対向させ、半導体集積回
路基板の裏面に電極を形成し、かつ半導体集積回路基板
の真下にあたる実装回路基板上に導電パターンを形成し
、半導体集積回路の裏面電極は、各半導体素子と電気的
に分離させる電位に固定し、実装回路基板上の導電パタ
ーンには安定な電位を供給することにより、電磁雑音か
ら半導体素子をシールドすることを特徴とする。
基板の主表面を実装回路基板と対向させ、半導体集積回
路基板の裏面に電極を形成し、かつ半導体集積回路基板
の真下にあたる実装回路基板上に導電パターンを形成し
、半導体集積回路の裏面電極は、各半導体素子と電気的
に分離させる電位に固定し、実装回路基板上の導電パタ
ーンには安定な電位を供給することにより、電磁雑音か
ら半導体素子をシールドすることを特徴とする。
半導体集積回路基板上の各半導体素子を、裏面電極と実
装回路基板上の導電パターンではさんでサンドイッチ構
造とし、それらに安定な電位を供給することにより、外
来雑音から各半導体素子への電磁障害を防ぐことができ
る。
装回路基板上の導電パターンではさんでサンドイッチ構
造とし、それらに安定な電位を供給することにより、外
来雑音から各半導体素子への電磁障害を防ぐことができ
る。
第1図に本発明の一実施例を示す6 第1図(a)は本
発明の実施例の立体図である。第1図(b)は本発明の
要部断面図(第1図(a)のA−A’ )である。
発明の実施例の立体図である。第1図(b)は本発明の
要部断面図(第1図(a)のA−A’ )である。
半導体集積回路基板103はn型のシリコン単結晶基板
である。nウェル104の中にP型のソース・ドレイン
領域108が形成されている。同様に、Pウェル105
の中にn型のソース・ドレイン領域109が形成されて
いるe 110はゲート電極として働くポリシリコン層
、106及び111は酸化膜である。107は各半導体
素子間の配線を行なうA1層、112は半導体素子の表
面を保護するパッシベーション膜である。さらに、この
半導体集積回路基板103の裏面側には金属配線とのコ
ンタクトを良くするためのn′″拡散層102、その上
に電極としてA1層101が形成されている。一方、実
装回路基板106上には半導体集積回路基板103と接
続される信号線114.114’、120,123,1
26がパターニングされている。半導体集積回路基板1
03が実装される位置にはシールド用導電パターン11
5が形成されている。電源電圧は外部の電圧源117か
らコネクタ部121を通して実装回路基板本体116に
供給される。118,122はその他の表面実装部品で
ある。
である。nウェル104の中にP型のソース・ドレイン
領域108が形成されている。同様に、Pウェル105
の中にn型のソース・ドレイン領域109が形成されて
いるe 110はゲート電極として働くポリシリコン層
、106及び111は酸化膜である。107は各半導体
素子間の配線を行なうA1層、112は半導体素子の表
面を保護するパッシベーション膜である。さらに、この
半導体集積回路基板103の裏面側には金属配線とのコ
ンタクトを良くするためのn′″拡散層102、その上
に電極としてA1層101が形成されている。一方、実
装回路基板106上には半導体集積回路基板103と接
続される信号線114.114’、120,123,1
26がパターニングされている。半導体集積回路基板1
03が実装される位置にはシールド用導電パターン11
5が形成されている。電源電圧は外部の電圧源117か
らコネクタ部121を通して実装回路基板本体116に
供給される。118,122はその他の表面実装部品で
ある。
半導体集積回路基板103と実装回路基板116の接続
ははんだバンブによるフリップチップ方式で行なう。は
んだ層113,113’、127゜130によって各パ
ッドの接続が行なわれる。半導体集積回路基板の裏面電
極101と実装回路基板上のシールド用導電パターン1
15は、半導体集積回路基板103がn型基板であるた
め各ソース・ドレイン領域が電気的に分離されるよう電
圧源117の正側にコネクタ部121を通して接続され
る。半導体集積回路基板の裏面電極101とシールド用
導電パターン115との接続は、Au線119をワイヤ
ボンディングすることによって行なわれる。
ははんだバンブによるフリップチップ方式で行なう。は
んだ層113,113’、127゜130によって各パ
ッドの接続が行なわれる。半導体集積回路基板の裏面電
極101と実装回路基板上のシールド用導電パターン1
15は、半導体集積回路基板103がn型基板であるた
め各ソース・ドレイン領域が電気的に分離されるよう電
圧源117の正側にコネクタ部121を通して接続され
る。半導体集積回路基板の裏面電極101とシールド用
導電パターン115との接続は、Au線119をワイヤ
ボンディングすることによって行なわれる。
以上の様な構成にすれば、半導体集積回路基板の裏面全
体と、大部分の半導体集積回路直下の実装回路基板」二
のシールド用導電パターンが安定かつ同一の電位に保つ
ことができ、半導体集積回路基板」二の各半導体素子に
対してシールド効果が期待できる。
体と、大部分の半導体集積回路直下の実装回路基板」二
のシールド用導電パターンが安定かつ同一の電位に保つ
ことができ、半導体集積回路基板」二の各半導体素子に
対してシールド効果が期待できる。
なお、本発明はP型基板の場合には半導体集積回路基板
の裏面電極および実り回路基板のシールド用導電パター
ンを電圧源の負側(−膜内には接地電位)に接続するこ
とによって実施が可能である8 また本実施例ではフリ
ップチップ方式による実装の例を示したが、TAB方式
の場合においても半導体集積回路基板の主表面を実装回
路基板側に対向させ、半導体集積回路基板の裏面に電極
を形成し、実装回路基板にシールド用導電パターンを形
成すること&ごよって同様に実現できる。、裏面電極ど
シールド用導電パターンが同一電位の場合を示したが、
必ずしも同一・である必要はない。
の裏面電極および実り回路基板のシールド用導電パター
ンを電圧源の負側(−膜内には接地電位)に接続するこ
とによって実施が可能である8 また本実施例ではフリ
ップチップ方式による実装の例を示したが、TAB方式
の場合においても半導体集積回路基板の主表面を実装回
路基板側に対向させ、半導体集積回路基板の裏面に電極
を形成し、実装回路基板にシールド用導電パターンを形
成すること&ごよって同様に実現できる。、裏面電極ど
シールド用導電パターンが同一電位の場合を示したが、
必ずしも同一・である必要はない。
本発明によれば各半導体集積回路基板毎にシールドする
ことが可能であり、実装回路基板上の複数の半導体集積
回路基板間の相互干渉を避けることができる。またシー
ルドのための特別な構造部品(シールド板等)を必要と
しないため、実装回路基板の小型化が行なえる。さらに
半導体集積回路基板の裏面電極から各々の半導体素子を
電気的に分離する安定な電位を供給することにより、半
導体集積回路基板内の各半導体素子の相互干渉を避ける
ことも同時に行なえるという利点を有している。
ことが可能であり、実装回路基板上の複数の半導体集積
回路基板間の相互干渉を避けることができる。またシー
ルドのための特別な構造部品(シールド板等)を必要と
しないため、実装回路基板の小型化が行なえる。さらに
半導体集積回路基板の裏面電極から各々の半導体素子を
電気的に分離する安定な電位を供給することにより、半
導体集積回路基板内の各半導体素子の相互干渉を避ける
ことも同時に行なえるという利点を有している。
第1図(a)及び第1図(b)は本発明の一実施例を示
す立体図及び断面図、第2図は従来の実施例を示す立体
図。 101・・・半導体集積回路基板の裏面電極103.2
01・・・半導体集積回路基板本体107・・・A1層 115・・・シールド用導電パターン 116.210・・・実装回路基板本体117.207
・・・電圧源 119・・・Au線
す立体図及び断面図、第2図は従来の実施例を示す立体
図。 101・・・半導体集積回路基板の裏面電極103.2
01・・・半導体集積回路基板本体107・・・A1層 115・・・シールド用導電パターン 116.210・・・実装回路基板本体117.207
・・・電圧源 119・・・Au線
Claims (1)
- 複数の電子回路素子を有する半導体集積回路基板と、
該半導体集積回路基板を含む電子部品を搭載するための
実装回路基板と、該半導体集積回路基板と該実装回路基
板を電気的に接続する手段と該実装回路基板に電源電圧
を供給する手段を有し、該半導体集積回路基板の半導体
素子を形成した表面と該実装回路基板を対向させるよう
に配置し、該半導体集積回路基板の裏面を該半導体集積
回路基板上に形成した半導体素子を電気的に分離させる
電位に固定し、かつ該実装回路基板の該半導体集積回路
基板と対向する位置に導電パターンを形成し、かつ該導
電パターンを安定な電位に固定することを特徴とする半
導体集積回路の実装方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2138971A JPH0432258A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 半導体集積回路の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2138971A JPH0432258A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 半導体集積回路の実装方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0432258A true JPH0432258A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15234457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2138971A Pending JPH0432258A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 半導体集積回路の実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0432258A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5444297A (en) * | 1992-06-17 | 1995-08-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Noise resistant semiconductor power module |
US6953022B1 (en) | 2000-05-26 | 2005-10-11 | Yanmar Co., Ltd. | Fuel injection pump |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP2138971A patent/JPH0432258A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5444297A (en) * | 1992-06-17 | 1995-08-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Noise resistant semiconductor power module |
US6953022B1 (en) | 2000-05-26 | 2005-10-11 | Yanmar Co., Ltd. | Fuel injection pump |
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