JPH0432258A - 半導体集積回路の実装方法 - Google Patents
半導体集積回路の実装方法Info
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- JPH0432258A JPH0432258A JP2138971A JP13897190A JPH0432258A JP H0432258 A JPH0432258 A JP H0432258A JP 2138971 A JP2138971 A JP 2138971A JP 13897190 A JP13897190 A JP 13897190A JP H0432258 A JPH0432258 A JP H0432258A
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73257—Bump and wire connectors
-
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- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
複数の半導体素子を有する半導体集積回路基板を、その
他の表面実装部品を搭載可能な実装回路基板に実装する
手段に関する。特に、半導体集積回路基板の主表面を実
装回路基板に対向させる半導体集積回路の実装方法に関
する。
他の表面実装部品を搭載可能な実装回路基板に実装する
手段に関する。特に、半導体集積回路基板の主表面を実
装回路基板に対向させる半導体集積回路の実装方法に関
する。
半導体製造技術の発展により、一つの半導体基板上に数
カ素子の半導体素子を集積化することが可能になってき
た。これにともない、半導体基板上の信号線も増加し、
外部に接続する入出力パッドも増加し、ワイヤボンディ
ングする数が増大してきた。そこで実装工程時間の短縮
のため、−度に半導体集積回路基板の全パッドを接続で
きるフリップチップ方式やＴＡＢ （テープオートボン
ディング）方式が開発されてきた。一方、実装回路基板
も高密度化が進み、多層基板や表面実装部品が用いられ
るようになってきたゆ 更に実装密度を高めようとする
ため、半導体集積回路基板と実装回路基、板の間にも信
号線が配線されるようになってきた。
カ素子の半導体素子を集積化することが可能になってき
た。これにともない、半導体基板上の信号線も増加し、
外部に接続する入出力パッドも増加し、ワイヤボンディ
ングする数が増大してきた。そこで実装工程時間の短縮
のため、−度に半導体集積回路基板の全パッドを接続で
きるフリップチップ方式やＴＡＢ （テープオートボン
ディング）方式が開発されてきた。一方、実装回路基板
も高密度化が進み、多層基板や表面実装部品が用いられ
るようになってきたゆ 更に実装密度を高めようとする
ため、半導体集積回路基板と実装回路基、板の間にも信
号線が配線されるようになってきた。
第２図に従来技術にょ゛る実装図を示す。半導体集積回
路基板２０１の主表面は実装回路基板２１０に対向する
ように配置し、はんだバンブによるフリップチップ方式
で実装する。半導体集積回路基板２０１の各パッドから
は、はんだ層２１４゜２１４’、２１５，２１６を通し
て実装回路基板上の配線パターン２０２，２０２’、２
１２，２１３に接続される。２０３及び２０４は半導体
集積回路基板２０１の真下を通る配線パターンである。
路基板２０１の主表面は実装回路基板２１０に対向する
ように配置し、はんだバンブによるフリップチップ方式
で実装する。半導体集積回路基板２０１の各パッドから
は、はんだ層２１４゜２１４’、２１５，２１６を通し
て実装回路基板上の配線パターン２０２，２０２’、２
１２，２１３に接続される。２０３及び２０４は半導体
集積回路基板２０１の真下を通る配線パターンである。
２０８，２０９はその他の表面実装部品である。電圧源
２０７より実装回路基板のコネクタ部２１１を通って電
源電圧が供給される。２０５゜２０６は電源用配線パタ
ーンである。
２０７より実装回路基板のコネクタ部２１１を通って電
源電圧が供給される。２０５゜２０６は電源用配線パタ
ーンである。
近年電子機器の普及にともない、電磁障害による誤動作
が問題になってきている。電子機器間の相互干渉を避け
るために、実装回路基板をシールドすることが行なわれ
てきた。
が問題になってきている。電子機器間の相互干渉を避け
るために、実装回路基板をシールドすることが行なわれ
てきた。
本発明は、電子部品の高密度実装化にともない、より小
型にシールドを行なう方法を提供するものである。
型にシールドを行なう方法を提供するものである。
本発明の半導体集積回路の実装方法は、半導体集積回路
基板の主表面を実装回路基板と対向させ、半導体集積回
路基板の裏面に電極を形成し、かつ半導体集積回路基板
の真下にあたる実装回路基板上に導電パターンを形成し
、半導体集積回路の裏面電極は、各半導体素子と電気的
に分離させる電位に固定し、実装回路基板上の導電パタ
ーンには安定な電位を供給することにより、電磁雑音か
ら半導体素子をシールドすることを特徴とする。
基板の主表面を実装回路基板と対向させ、半導体集積回
路基板の裏面に電極を形成し、かつ半導体集積回路基板
の真下にあたる実装回路基板上に導電パターンを形成し
、半導体集積回路の裏面電極は、各半導体素子と電気的
に分離させる電位に固定し、実装回路基板上の導電パタ
ーンには安定な電位を供給することにより、電磁雑音か
ら半導体素子をシールドすることを特徴とする。
半導体集積回路基板上の各半導体素子を、裏面電極と実
装回路基板上の導電パターンではさんでサンドイッチ構
造とし、それらに安定な電位を供給することにより、外
来雑音から各半導体素子への電磁障害を防ぐことができ
る。
装回路基板上の導電パターンではさんでサンドイッチ構
造とし、それらに安定な電位を供給することにより、外
来雑音から各半導体素子への電磁障害を防ぐことができ
る。
第１図に本発明の一実施例を示す６ 第１図（ａ）は本
発明の実施例の立体図である。第１図（ｂ）は本発明の
要部断面図（第１図（ａ）のＡ−Ａ’ ）である。
発明の実施例の立体図である。第１図（ｂ）は本発明の
要部断面図（第１図（ａ）のＡ−Ａ’ ）である。
半導体集積回路基板１０３はｎ型のシリコン単結晶基板
である。ｎウェル１０４の中にＰ型のソース・ドレイン
領域１０８が形成されている。同様に、Ｐウェル１０５
の中にｎ型のソース・ドレイン領域１０９が形成されて
いるｅ １１０はゲート電極として働くポリシリコン層
、１０６及び１１１は酸化膜である。１０７は各半導体
素子間の配線を行なうＡ１層、１１２は半導体素子の表
面を保護するパッシベーション膜である。さらに、この
半導体集積回路基板１０３の裏面側には金属配線とのコ
ンタクトを良くするためのｎ′″拡散層１０２、その上
に電極としてＡ１層１０１が形成されている。一方、実
装回路基板１０６上には半導体集積回路基板１０３と接
続される信号線１１４．１１４’、１２０，１２３，１
２６がパターニングされている。半導体集積回路基板１
０３が実装される位置にはシールド用導電パターン１１
５が形成されている。電源電圧は外部の電圧源１１７か
らコネクタ部１２１を通して実装回路基板本体１１６に
供給される。１１８，１２２はその他の表面実装部品で
ある。
である。ｎウェル１０４の中にＰ型のソース・ドレイン
領域１０８が形成されている。同様に、Ｐウェル１０５
の中にｎ型のソース・ドレイン領域１０９が形成されて
いるｅ １１０はゲート電極として働くポリシリコン層
、１０６及び１１１は酸化膜である。１０７は各半導体
素子間の配線を行なうＡ１層、１１２は半導体素子の表
面を保護するパッシベーション膜である。さらに、この
半導体集積回路基板１０３の裏面側には金属配線とのコ
ンタクトを良くするためのｎ′″拡散層１０２、その上
に電極としてＡ１層１０１が形成されている。一方、実
装回路基板１０６上には半導体集積回路基板１０３と接
続される信号線１１４．１１４’、１２０，１２３，１
２６がパターニングされている。半導体集積回路基板１
０３が実装される位置にはシールド用導電パターン１１
５が形成されている。電源電圧は外部の電圧源１１７か
らコネクタ部１２１を通して実装回路基板本体１１６に
供給される。１１８，１２２はその他の表面実装部品で
ある。
半導体集積回路基板１０３と実装回路基板１１６の接続
ははんだバンブによるフリップチップ方式で行なう。は
んだ層１１３，１１３’、１２７゜１３０によって各パ
ッドの接続が行なわれる。半導体集積回路基板の裏面電
極１０１と実装回路基板上のシールド用導電パターン１
１５は、半導体集積回路基板１０３がｎ型基板であるた
め各ソース・ドレイン領域が電気的に分離されるよう電
圧源１１７の正側にコネクタ部１２１を通して接続され
る。半導体集積回路基板の裏面電極１０１とシールド用
導電パターン１１５との接続は、Ａｕ線１１９をワイヤ
ボンディングすることによって行なわれる。
ははんだバンブによるフリップチップ方式で行なう。は
んだ層１１３，１１３’、１２７゜１３０によって各パ
ッドの接続が行なわれる。半導体集積回路基板の裏面電
極１０１と実装回路基板上のシールド用導電パターン１
１５は、半導体集積回路基板１０３がｎ型基板であるた
め各ソース・ドレイン領域が電気的に分離されるよう電
圧源１１７の正側にコネクタ部１２１を通して接続され
る。半導体集積回路基板の裏面電極１０１とシールド用
導電パターン１１５との接続は、Ａｕ線１１９をワイヤ
ボンディングすることによって行なわれる。
以上の様な構成にすれば、半導体集積回路基板の裏面全
体と、大部分の半導体集積回路直下の実装回路基板」二
のシールド用導電パターンが安定かつ同一の電位に保つ
ことができ、半導体集積回路基板」二の各半導体素子に
対してシールド効果が期待できる。
体と、大部分の半導体集積回路直下の実装回路基板」二
のシールド用導電パターンが安定かつ同一の電位に保つ
ことができ、半導体集積回路基板」二の各半導体素子に
対してシールド効果が期待できる。
なお、本発明はＰ型基板の場合には半導体集積回路基板
の裏面電極および実り回路基板のシールド用導電パター
ンを電圧源の負側（−膜内には接地電位）に接続するこ
とによって実施が可能である８ また本実施例ではフリ
ップチップ方式による実装の例を示したが、ＴＡＢ方式
の場合においても半導体集積回路基板の主表面を実装回
路基板側に対向させ、半導体集積回路基板の裏面に電極
を形成し、実装回路基板にシールド用導電パターンを形
成すること＆ごよって同様に実現できる。、裏面電極ど
シールド用導電パターンが同一電位の場合を示したが、
必ずしも同一・である必要はない。
の裏面電極および実り回路基板のシールド用導電パター
ンを電圧源の負側（−膜内には接地電位）に接続するこ
とによって実施が可能である８ また本実施例ではフリ
ップチップ方式による実装の例を示したが、ＴＡＢ方式
の場合においても半導体集積回路基板の主表面を実装回
路基板側に対向させ、半導体集積回路基板の裏面に電極
を形成し、実装回路基板にシールド用導電パターンを形
成すること＆ごよって同様に実現できる。、裏面電極ど
シールド用導電パターンが同一電位の場合を示したが、
必ずしも同一・である必要はない。
本発明によれば各半導体集積回路基板毎にシールドする
ことが可能であり、実装回路基板上の複数の半導体集積
回路基板間の相互干渉を避けることができる。またシー
ルドのための特別な構造部品（シールド板等）を必要と
しないため、実装回路基板の小型化が行なえる。さらに
半導体集積回路基板の裏面電極から各々の半導体素子を
電気的に分離する安定な電位を供給することにより、半
導体集積回路基板内の各半導体素子の相互干渉を避ける
ことも同時に行なえるという利点を有している。
ことが可能であり、実装回路基板上の複数の半導体集積
回路基板間の相互干渉を避けることができる。またシー
ルドのための特別な構造部品（シールド板等）を必要と
しないため、実装回路基板の小型化が行なえる。さらに
半導体集積回路基板の裏面電極から各々の半導体素子を
電気的に分離する安定な電位を供給することにより、半
導体集積回路基板内の各半導体素子の相互干渉を避ける
ことも同時に行なえるという利点を有している。
第１図（ａ）及び第１図（ｂ）は本発明の一実施例を示
す立体図及び断面図、第２図は従来の実施例を示す立体
図。 １０１・・・半導体集積回路基板の裏面電極１０３．２
０１・・・半導体集積回路基板本体１０７・・・Ａ１層 １１５・・・シールド用導電パターン １１６．２１０・・・実装回路基板本体１１７．２０７
・・・電圧源 １１９・・・Ａｕ線
す立体図及び断面図、第２図は従来の実施例を示す立体
図。 １０１・・・半導体集積回路基板の裏面電極１０３．２
０１・・・半導体集積回路基板本体１０７・・・Ａ１層 １１５・・・シールド用導電パターン １１６．２１０・・・実装回路基板本体１１７．２０７
・・・電圧源 １１９・・・Ａｕ線
Claims (1)
- 複数の電子回路素子を有する半導体集積回路基板と、
該半導体集積回路基板を含む電子部品を搭載するための
実装回路基板と、該半導体集積回路基板と該実装回路基
板を電気的に接続する手段と該実装回路基板に電源電圧
を供給する手段を有し、該半導体集積回路基板の半導体
素子を形成した表面と該実装回路基板を対向させるよう
に配置し、該半導体集積回路基板の裏面を該半導体集積
回路基板上に形成した半導体素子を電気的に分離させる
電位に固定し、かつ該実装回路基板の該半導体集積回路
基板と対向する位置に導電パターンを形成し、かつ該導
電パターンを安定な電位に固定することを特徴とする半
導体集積回路の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2138971A JPH0432258A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 半導体集積回路の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2138971A JPH0432258A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 半導体集積回路の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432258A true JPH0432258A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15234457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2138971A Pending JPH0432258A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 半導体集積回路の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0432258A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5444297A (en) * | 1992-06-17 | 1995-08-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Noise resistant semiconductor power module |
| US6953022B1 (en) | 2000-05-26 | 2005-10-11 | Yanmar Co., Ltd. | Fuel injection pump |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP2138971A patent/JPH0432258A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5444297A (en) * | 1992-06-17 | 1995-08-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Noise resistant semiconductor power module |
| US6953022B1 (en) | 2000-05-26 | 2005-10-11 | Yanmar Co., Ltd. | Fuel injection pump |
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