JPH04317374A - ＳｉＣデバイスの電極形成方法 - Google Patents
ＳｉＣデバイスの電極形成方法Info
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- JPH04317374A JPH04317374A JP3111195A JP11119591A JPH04317374A JP H04317374 A JPH04317374 A JP H04317374A JP 3111195 A JP3111195 A JP 3111195A JP 11119591 A JP11119591 A JP 11119591A JP H04317374 A JPH04317374 A JP H04317374A
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- electrode
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
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- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
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- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＳｉＣ発光ダイオー
ド、ＳｉＣ ＭＯＳ ＦＥＴ、ＳｉＣ ＭＥＳ
ＦＥＴ、ＳｉＣバイポーラトランジスタ、ＳｉＣダイ
オード等のＳｉＣデバイスの電極形成方法に関する。
ド、ＳｉＣ ＭＯＳ ＦＥＴ、ＳｉＣ ＭＥＳ
ＦＥＴ、ＳｉＣバイポーラトランジスタ、ＳｉＣダイ
オード等のＳｉＣデバイスの電極形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＳｉＣデバイスの電極は、月刊
Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ １９
８６．１１ ＳｉＣ半導体への応用とその最近動向．
Ｐ．４６に記載されている他、図６または図７に示すよ
うなものがある。
Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ １９
８６．１１ ＳｉＣ半導体への応用とその最近動向．
Ｐ．４６に記載されている他、図６または図７に示すよ
うなものがある。
【０００３】図３は、ＳｉＣ発光ダイオードを示してい
る。
る。
【０００４】このＳｉＣ発光ダイオードは、次のように
して作製される。まず、Ｎ形ＳｉＣ基板３１の主面にＮ
形ＳｉＣエピタキシャル層３２およびＰ形ＳｉＣエピタ
キシャル層３３を形成する。
して作製される。まず、Ｎ形ＳｉＣ基板３１の主面にＮ
形ＳｉＣエピタキシャル層３２およびＰ形ＳｉＣエピタ
キシャル層３３を形成する。
【０００５】次に、Ｐ形ＳｉＣエピタキシャル層３３上
面にＰ形電極としてＳｉ層３４およびＡｌ層３５を電子
ビーム蒸着によって順次形成するとともにＮ形ＳｉＣ基
板３１の他の面にＮ形電極としてＮｉ層３６およびＡｕ
層３７を電子ビーム蒸着によって順次形成し、熱処理を
施すことによりそれぞれオーミック電極を形成する。
面にＰ形電極としてＳｉ層３４およびＡｌ層３５を電子
ビーム蒸着によって順次形成するとともにＮ形ＳｉＣ基
板３１の他の面にＮ形電極としてＮｉ層３６およびＡｕ
層３７を電子ビーム蒸着によって順次形成し、熱処理を
施すことによりそれぞれオーミック電極を形成する。
【０００６】図４は、他のＳｉＣ発光ダイオードを示し
ている。
ている。
【０００７】このＳｉＣ発光ダイオードは、次のように
して作製される。まず、Ｎ形ＳｉＣ基板４１の主面にＮ
形ＳｉＣエピタキシャル層４２およびＰ形ＳｉＣエピタ
キシャル層４３を形成する。
して作製される。まず、Ｎ形ＳｉＣ基板４１の主面にＮ
形ＳｉＣエピタキシャル層４２およびＰ形ＳｉＣエピタ
キシャル層４３を形成する。
【０００８】次に、Ｐ形ＳｉＣエピタキシャル層４３上
面にＰ形電極としてＴｉ層４４およびＡｌ層４５を電子
ビーム蒸着によって順次形成するとともにＮ形ＳｉＣ基
板４１の他の面にＮ形電極としてＮｉ層４６およびＡｕ
層４７を電子ビーム蒸着によって順次形成し、熱処理を
施すことによりそれぞれオーミック電極を形成する。
面にＰ形電極としてＴｉ層４４およびＡｌ層４５を電子
ビーム蒸着によって順次形成するとともにＮ形ＳｉＣ基
板４１の他の面にＮ形電極としてＮｉ層４６およびＡｕ
層４７を電子ビーム蒸着によって順次形成し、熱処理を
施すことによりそれぞれオーミック電極を形成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図３のＰ形電極構造で
は、電極とＳｉＣとの界面における反応が極めて激しく
、結晶性の低下や、ＬＥＤの光学的特性の経時変化が発
生する。さらにボールアップ等の形状変化も著しい。
は、電極とＳｉＣとの界面における反応が極めて激しく
、結晶性の低下や、ＬＥＤの光学的特性の経時変化が発
生する。さらにボールアップ等の形状変化も著しい。
【００１０】図４のＰ形電極構造では結晶性の低下や発
光特性、電気特性での問題はないが、９００〜１０００
℃の熱処理時にＡｌ層４５が蒸発し、オーミック性を低
下することがある。
光特性、電気特性での問題はないが、９００〜１０００
℃の熱処理時にＡｌ層４５が蒸発し、オーミック性を低
下することがある。
【００１１】この発明は、光学的特性の経時変化および
形状変化の発生を防止できるとともに熱処理時にＡｌの
蒸発を防止でき、ＳｉＣデバイスの特性および信頼性の
向上化が図れるＳｉＣデバイスの電極形成方法を提供す
ることを目的とする。
形状変化の発生を防止できるとともに熱処理時にＡｌの
蒸発を防止でき、ＳｉＣデバイスの特性および信頼性の
向上化が図れるＳｉＣデバイスの電極形成方法を提供す
ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明によるＳｉＣデ
バイスの電極形成方法は、Ｐ形ＳｉＣ表面にＴａ層、Ｔ
ｉ層およびＡｌ層を、Ｐ形ＳｉＣ表面からＴａ層、Ｔｉ
層およびＡｌ層の順またはＴｉ層、Ｔａ層およびＡｌ層
の順に順次形成したのち熱処理を施すことにより、Ｐ形
オーミック電極を形成すること特徴とする。
バイスの電極形成方法は、Ｐ形ＳｉＣ表面にＴａ層、Ｔ
ｉ層およびＡｌ層を、Ｐ形ＳｉＣ表面からＴａ層、Ｔｉ
層およびＡｌ層の順またはＴｉ層、Ｔａ層およびＡｌ層
の順に順次形成したのち熱処理を施すことにより、Ｐ形
オーミック電極を形成すること特徴とする。
【００１３】
【作用】Ｐ形ＳｉＣ表面にＴａ層、Ｔｉ層およびＡｌ層
を、Ｐ形ＳｉＣ表面からＴａ層、Ｔｉ層およびＡｌ層の
順に順次形成した場合、熱処理を施すことにより、Ａｌ
がＴｉおよびＴａと反応し、ＳｉＣ表面に到達し、オー
ミック性を有するとともに、Ｔａと反応したＡｌは、融
点が高温化し、形状変化も極めて少ない。
を、Ｐ形ＳｉＣ表面からＴａ層、Ｔｉ層およびＡｌ層の
順に順次形成した場合、熱処理を施すことにより、Ａｌ
がＴｉおよびＴａと反応し、ＳｉＣ表面に到達し、オー
ミック性を有するとともに、Ｔａと反応したＡｌは、融
点が高温化し、形状変化も極めて少ない。
【００１４】Ｐ形ＳｉＣ表面にＴａ層、Ｔｉ層およびＡ
ｌ層を、Ｐ形ＳｉＣ表面からＴｉ層、Ｔａ層およびＡｌ
層の順に順次形成した場合も同様である。
ｌ層を、Ｐ形ＳｉＣ表面からＴｉ層、Ｔａ層およびＡｌ
層の順に順次形成した場合も同様である。
【００１５】
【実施例】以下、図１および図２を参照して、この発明
を発光ダイオードに適用した場合の実施例について説明
する。
を発光ダイオードに適用した場合の実施例について説明
する。
【００１６】図１は、ＳｉＣ発光ダイオードの製造工程
を示している。
を示している。
【００１７】まず、Ｎ形ＳｉＣ基板１上面にＮ形ＳｉＣ
エピタキシャル層２およびＰ形ＳｉＣエピタキシャル層
３を順次形成して、ＳｉＣウェハを作成する（図１（ａ
））。
エピタキシャル層２およびＰ形ＳｉＣエピタキシャル層
３を順次形成して、ＳｉＣウェハを作成する（図１（ａ
））。
【００１８】次に、ＳｉＣウェハのＰ形ＳｉＣエピタキ
シャル層３上面にＰ形電極として層厚０．３μｍのＴａ
層４、層厚０．０２μｍのＴｉ層５および層厚０．５μ
ｍのＡｌ層６を、電子ビーム蒸着により順次形成する（
図１（ｂ））。
シャル層３上面にＰ形電極として層厚０．３μｍのＴａ
層４、層厚０．０２μｍのＴｉ層５および層厚０．５μ
ｍのＡｌ層６を、電子ビーム蒸着により順次形成する（
図１（ｂ））。
【００１９】次に、ＳｉＣウェハのＮ形基板１下面にＮ
形電極として層厚０．４μｍのＮｉ層７、層厚１．０μ
ｍのＡｕ層８を、電子ビーム蒸着により形成し、９５０
℃のアルゴンガスまたは真空中で熱処理を施す（図１（
ｃ））。これにより、Ｐ形、Ｎ形それぞれのオーミック
電極が形成される。
形電極として層厚０．４μｍのＮｉ層７、層厚１．０μ
ｍのＡｕ層８を、電子ビーム蒸着により形成し、９５０
℃のアルゴンガスまたは真空中で熱処理を施す（図１（
ｃ））。これにより、Ｐ形、Ｎ形それぞれのオーミック
電極が形成される。
【００２０】さらに、Ｐ形オーミック電極上に層厚０．
１μｍのＴｉ層９、層厚０．２μｍのＰｔ層１０および
層厚１．０μｍのＡｕ層１１を電子ビーム蒸着により形
成し、４００℃アルゴンガスまたは真空中で熱処理を施
すことによって、ＳｉＣ発光ダイオードが得られる（図
１（ｄ））。
１μｍのＴｉ層９、層厚０．２μｍのＰｔ層１０および
層厚１．０μｍのＡｕ層１１を電子ビーム蒸着により形
成し、４００℃アルゴンガスまたは真空中で熱処理を施
すことによって、ＳｉＣ発光ダイオードが得られる（図
１（ｄ））。
【００２１】図２は、この発明の他の実施例を示してい
る。
る。
【００２２】このＳｉＣ発光ダイオードは、次のように
して製造される。まず、Ｎ形基板２１上面にＮ形ＳｉＣ
エピタキシャル層２２およびＰ形ＳｉＣエピタキシャル
層２３を順次形成して、ＳｉＣウェハを作成する。
して製造される。まず、Ｎ形基板２１上面にＮ形ＳｉＣ
エピタキシャル層２２およびＰ形ＳｉＣエピタキシャル
層２３を順次形成して、ＳｉＣウェハを作成する。
【００２３】次に、ＳｉＣウェハのＰ形ＳｉＣエピタキ
シャル層２３上面にＰ形電極として層厚０．０２μｍの
Ｔｉ層２４、層厚０．３μｍのＴａ層２５および層厚０
．５μｍのＡｌ層２６を、電子ビーム蒸着により順次形
成する。
シャル層２３上面にＰ形電極として層厚０．０２μｍの
Ｔｉ層２４、層厚０．３μｍのＴａ層２５および層厚０
．５μｍのＡｌ層２６を、電子ビーム蒸着により順次形
成する。
【００２４】次に、ＳｉＣウェハのＮ形基板１下面にＮ
形電極として層厚０．４μｍのＮｉ層７、層厚１．０μ
ｍのＡｕ層８を、電子ビーム蒸着により形成し、９５０
℃のアルゴンガスまたは真空中で熱処理を施すことによ
り、Ｐ形、Ｎ形それぞれのオーミック電極が形成される
。
形電極として層厚０．４μｍのＮｉ層７、層厚１．０μ
ｍのＡｕ層８を、電子ビーム蒸着により形成し、９５０
℃のアルゴンガスまたは真空中で熱処理を施すことによ
り、Ｐ形、Ｎ形それぞれのオーミック電極が形成される
。
【００２５】上記実施例によれば、Ｐ形オーミック電極
とＳｉＣウェハとの界面における反応が低減し、発光ダ
イオードの光学的特性の経時変化が防止できるとともに
、ボールアップ等の電極形状の変化が防止できる。また
、９００〜１０００℃での熱処理によっても、Ａｌの蒸
発量が低減されるので、安定したオーミック性が得られ
ることになる。
とＳｉＣウェハとの界面における反応が低減し、発光ダ
イオードの光学的特性の経時変化が防止できるとともに
、ボールアップ等の電極形状の変化が防止できる。また
、９００〜１０００℃での熱処理によっても、Ａｌの蒸
発量が低減されるので、安定したオーミック性が得られ
ることになる。
【００２６】上記実施例では、ＳｉＣ発光ダイオードを
例に挙げて述べたが、この発明は、ＳｉＣＭＯＳ Ｆ
ＥＴ、ＳｉＣ ＭＥＳ ＦＥＴ、ＳｉＣバイポーラ
トランジスタ、ＳｉＣダイオード等の電子デバイスにも
適用することができる。
例に挙げて述べたが、この発明は、ＳｉＣＭＯＳ Ｆ
ＥＴ、ＳｉＣ ＭＥＳ ＦＥＴ、ＳｉＣバイポーラ
トランジスタ、ＳｉＣダイオード等の電子デバイスにも
適用することができる。
【００２７】
【発明の効果】この発明によれば、光学的特性の経時変
化および形状変化の発生を防止できるとともに熱処理時
にＡｌの蒸発を防止でき、ＳｉＣデバイスの特性および
信頼性の向上化が図れる。
化および形状変化の発生を防止できるとともに熱処理時
にＡｌの蒸発を防止でき、ＳｉＣデバイスの特性および
信頼性の向上化が図れる。
【図１】この発明の実施例を示すＳｉＣ発光ダイオード
の製造工程を示す工程図である。
の製造工程を示す工程図である。
【図２】この発明の他の実施例を示す断面図である。
【図３】従来例を示す断面図である。
【図４】他の従来例を示す断面図である。
１ Ｎ形ＳｉＣ基板
２ Ｎ形ＳｉＣエピタキシャル層
３ Ｐ形ＳｉＣエピタキシャル層
４ Ｔａ層
５ Ｔｉ層
６ Ａｌ層
２１ Ｎ形ＳｉＣ基板
２２ Ｎ形ＳｉＣエピタキシャル層
２３ Ｐ形ＳｉＣエピタキシャル層
２４ Ｔｉ層
２５ Ｔａ層
２６ Ａｌ層
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｐ形ＳｉＣ表面にＴａ層、Ｔｉ層およ
びＡｌ層を、Ｐ形ＳｉＣ表面からＴａ層、Ｔｉ層および
Ａｌ層の順またはＴｉ層、Ｔａ層およびＡｌ層の順に順
次形成したのち熱処理を施すことにより、Ｐ形オーミッ
ク電極を形成すること特徴とするＳｉＣデバイスの電極
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3111195A JPH04317374A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | ＳｉＣデバイスの電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3111195A JPH04317374A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | ＳｉＣデバイスの電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04317374A true JPH04317374A (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=14554909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3111195A Pending JPH04317374A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | ＳｉＣデバイスの電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04317374A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5789311A (en) * | 1994-09-26 | 1998-08-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of SiC Schottky diode |
| US5929523A (en) * | 1996-03-07 | 1999-07-27 | 3C Semiconductor Corporation | Os rectifying Schottky and ohmic junction and W/WC/TiC ohmic contacts on SiC |
| US6388272B1 (en) | 1996-03-07 | 2002-05-14 | Caldus Semiconductor, Inc. | W/WC/TAC ohmic and rectifying contacts on SiC |
| KR100563264B1 (ko) * | 1998-12-21 | 2006-05-25 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 내구성이 향상된 탄성표면파 필터의 전극제조방법 |
-
1991
- 1991-04-16 JP JP3111195A patent/JPH04317374A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5789311A (en) * | 1994-09-26 | 1998-08-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of SiC Schottky diode |
| US5929523A (en) * | 1996-03-07 | 1999-07-27 | 3C Semiconductor Corporation | Os rectifying Schottky and ohmic junction and W/WC/TiC ohmic contacts on SiC |
| US6388272B1 (en) | 1996-03-07 | 2002-05-14 | Caldus Semiconductor, Inc. | W/WC/TAC ohmic and rectifying contacts on SiC |
| KR100563264B1 (ko) * | 1998-12-21 | 2006-05-25 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 내구성이 향상된 탄성표면파 필터의 전극제조방법 |
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