JP2004040061A

JP2004040061A - ３−５族化合物半導体の電極、その製造方法及びそれを用いた半導体発光素子

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Publication number: JP2004040061A
Application number: JP2002198956A
Authority: JP
Inventors: Sadanori Yamanaka; 山中　貞則; Yoshinobu Ono; 小野　善伸
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2002-07-08
Filing date: 2002-07-08
Publication date: 2004-02-05
Anticipated expiration: 2022-07-08
Also published as: JP4283502B2

Abstract

【課題】低温熱処理で良好なオーミック特性を有する電極をｐ型窒化ガリウム系化合物半導体結晶上に形成できるようにすること。
【解決手段】ｐ型ドーパントをドープした一般式Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_ｚＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体結晶の表面上に、ニッケル（Ｎｉ）である第１金属層１１と、金（Ａｕ）である第２金属層１２と、プラチナ（Ｐｔ）である第３金属層１３とをこの順序で積層した後、２１０℃〜６９０℃で熱処理して第１〜第３金属層１１〜１３を合金化し、オーミック電極１０とする。
【選択図】　　　　図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、３−５族化合物半導体の電極及び電極製造方法並びに半導体発光素子に関し、特に、ｐ型窒化物系化合物半導体のためのオーミック電極及びその製造方法並びにこのオーミック電極を用いた半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、青色発光ダイオードにおいては、一般式Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_ｚＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体（以下、窒化ガリウム系化合物半導体と称することがある）にｐ型ドーパントをドープした３−５族化合物半導体結晶が利用されており、これにオーミック電極が形成されている。したがって、このオーミック電極は所要の窒化ガリウム系化合物半導体との間の接触抵抗が小さいこと、すなわちオーミック特性が良好であることが好ましい。
【０００３】
そこで、従来からｐ型の窒化ガリウム系化合物半導に対して良好なオーミック特性を有する各種の電極構造及び製造方法が提案されており、例えば特開平１０−１３５５１５号公報には、ニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）とをこの順序で窒化ガリウム系化合物半導体の結晶表面上に積層形成し、酸素雰囲気中でアニールすることによって結晶表面側からＡｕ、Ｎｉの順に元素が存在するようにしたオーミック電極の形成方法が開示されている。
【０００４】
この開示された従来方法によるとニッケルよりも金が深く浸透した分布とすることができるので、電極の接触抵抗を小さくすることができる上に、ニッケルを半導体結晶表面に最初に形成しているので接合面の改善が図られるとされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来技術によると、アニール処理を４００℃〜７００℃程度の高温で行う必要がある。このため温度によるプロセス制限のために生産性の向上を図りにくく、コストの低減化を阻害する要因となっている。
【０００６】
また、良好なオーミック接触を実現しようとしてアニール処理を行うと、加熱により溶融している金の表面張力が下地との密着性よりも大きくなって、金が球状に凝集する所謂ボールアップ現象が生じ、得られた電極の表面に亀裂が生じる等表面の品質を損なう傾向を有している。
【０００７】
特開平１０−３０８５３４号公報には、ボールアップを有効に防止するため、Ａｕ層とＮｉ層との２層構造とした透明電極の作製方法が提案されており、ここでは熱処理を３００℃以上の温度で１分以上行うことが特徴として示されている。しかし、ここで開示されている技術は、透光性電極の安定した製造を主眼としており、オーミック特性の改善を図ることを目的としたものではなく、このような低温処理によって良好なオーミック特性を得ることは極めて難しい。
【０００８】
さらに、特開平８−５１２３５号公報には、窒化ガリウム系化合物半導体をｐ型化するためのアニール処理とオーミック電極形成のためのアニール処理とを同時に行うようにした技術が開示されているが、この場合でも４００℃以上での熱処理が必要とされており、これ以下の温度でのアニール処理ではｐ型化の促進がうまく行われず、良好な素子、電極の作製はできない。
【０００９】
特開平５−２９１６２１号公報には、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇまたはこれらの合金による所要の金属積層構造を形成した上でアニール処理を行うことにより良好なオーミック電極を得ることが開示されている。しかし、良好なオーミック電極の形成のためには、４００℃以上のアニールが必要である。
【００１０】
このように、現在においては、良好なオーミック特性の電極を作製するための理論は未だ確立されているとは言えず、材料、積層構造、プロセス条件を適宜に組み合わせて実験を重ねて良好なオーミック特性の実現を図っているのが実情であり、上述した従来技術が良好なオーミック特性のための方法や電極層構造を見い出すための指導、示唆をしているとは必ずしも言えないのである。
【００１１】
本発明の目的は、従来技術における上述の問題点を解決することができる、改善された３−５族化合物半導体の電極及び電極製造方法並びに半導体発光素子を提供することにある。
【００１２】
本発明の目的は、低温処理によってオーミック特性の良好なオーミック電極を窒化ガリウム系化合物半導体結晶上に形成することができるようにした電極の製造方法を提供することにある。
【００１３】
本発明の目的は、窒化ガリウム系化合物半導体結晶に対する電極においてオーミック特性をより改善することができる３−５族化合物半導体の電極を提供することにある。
【００１４】
本発明の目的は、オーミック特性が良好な電極を有する半導体発光素子を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明では、ｐ型ドーパントをドープした一般式Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_ｚＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体結晶上に実用上問題のない接触抵抗の小さなオーミック電極を低温の熱処理で製造できるようにするため、該結晶上にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）の各金属層をこの順序で、またはニッケル（Ｎｉ）、プラチナ（Ｐｔ）、金（Ａｕ）の各金属をこの順で積層して電極を形成した後、熱処理することにより実用上問題のない低接触抵抗のオーミック電極を４００℃以下の低温熱処理でも製造できるようにした点にある。結晶上にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）の各金属層をこの順序で積層するのがより好ましい。
【００１６】
請求項１の発明によれば、ｐ型ドーパントをドープした一般式Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_ｚＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体結晶上にオーミック電極を形成するに当り、前記３−５族化合物半導体結晶の表面上に、ニッケル（Ｎｉ）である第１金属層と、金（Ａｕ）またはプラチナ（Ｐｔ）から選ばれる１種の金属からなる第２金属層と、金（Ａｕ）またはプラチナ（Ｐｔ）から選ばれる１種の金属であって前記第２金属層とは異なる金属からなる第３金属層とをこの順序で積層した後、熱処理することを特徴とする３−５族化合物半導体の電極の製造方法が提案される。
【００１７】
請求項２の発明によれば、請求項１の発明において、前記熱処理を２１０℃〜６９０℃の範囲内で行う３−５族化合物半導体の電極の製造方法が提案される。
【００１８】
請求項３の発明によれば、請求項１または２の発明において、前記第１金属層の層厚（ｔ_１）が０＜ｔ_１≦１４０Åであり、前記第２金属層と前記第３金属層との合計層厚（ｔ_２）が０＜ｔ_２≦２９０Åである３−５族化合物半導体の電極の製造方法が提案される。
【００１９】
請求項４の発明によれば、請求項１〜３いずれかに記載の方法において、前記熱処理により前記第１〜第３金属層を合金化するようにした３−５族化合物半導体の電極の製造方法が提案される。
【００２０】
請求項５の発明によれば、請求項１〜４のいずれかに記載された方法を用いて製造された３−５族化合物半導体電極が提案される。
【００２１】
請求項６の発明によれば、ｐ型ドーパントをドープした一般式Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_ｚＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３―５族化合物半導体の電極であって、前記３−５族化合物半導体結晶の表面上に金（Ａｕ）を主として含む合金層、プラチナ（Ｐｔ）を主として含む合金層、及びニッケル（Ｎｉ）と酸素（Ｏ）とプラチナ（Ｐｔ）とを主として含む合金層とがこの順序で積層された層構造を有することを特徴とする３−５族化合物半導体の電極が提案される。
【００２２】
請求項７の発明によれば、請求項５または６に記載の電極を用いて作製したことを特徴とする半導体発光素子が提案される。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態の一例につき詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本発明による発光素子の実施の形態の一例を模式的に示す層構造図である。発光素子１は、サファイア基板２の上に３−５族化合物半導体薄膜結晶層を積層して形成された素子であり、サファイア基板２の上には低温バッファ層３、及びｎ型コンタクト層４が形成されている。そして、さらに、ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７、ｐ型コンタクト層８が順次形成されている。ｎ型コンタクト層４及びｐ型コンタクト層８の上にはそれぞれオーミック電極９、１０が設けられている。
【００２５】
図２には、オーミック電極１０の製造工程を説明するための工程図が示されている。以下、図２を参照して、本発明によるオーミック電極１０の製造方法の一実施形態について説明する。
【００２６】
ｐ型ドーパントであるマグネシウムが高濃度にドープされた、一般式Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_ｚＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示されるｐ型の窒化物系３−５族化合物半導体結晶であるｐ型コンタクト層８の上に先ずニッケル（Ｎｉ）を２０Åの厚さに堆積して第１金属層１１を形成する（図２（Ａ））。堆積方法は、例えば真空蒸着法その他の公知の適宜の方法を用いることができる。第１金属層１１の厚さが薄過ぎると膜厚制御が困難になり再現性が得られにくく、また厚過ぎると十分な電極の低接触抵抗化の効果が得られにくい。したがって、後述するように、第１金属層１１の厚さ（ｔ_１）は、０＜ｔ_１≦１４０Åの範囲であるのが好ましい。より好ましくは３Å〜１４０Åである。
【００２７】
次に、金（Ａｕ）を５０Åの厚さに堆積して第２金属層１２を形成する（図２（Ｂ））。さらに、プラチナ（Ｐｔ）を６０Åの厚さに堆積して第３金属層１３を形成する（図２（Ｃ））。第２金属層１２及び第３金属層１３の形成においても、例えば真空蒸着法等を用いることができる。ここで、第２金属層１２と第３金属１３との合計厚が薄過ぎると膜厚制御が困難になり再現性が得られにくく、また厚過ぎると十分な電極の低接触抵抗化の効果が得られにくい。したがって、第２金属層１２と第３金属層１３との合計厚（ｔ_２）は後述するように０＜ｔ_２≦２９０Åの範囲とするのが好ましい。より好ましくは３Å〜２９０Åである。
【００２８】
このようにして、ｐ型コンタクト層８の上に、第１金属層１１、第２金属層１２、第３金属層１３をこの順序で積層し、この積層体をリフトオフ法により所望の電極パターンに形成し、熱処理炉（図示せず）に入れ、酸素（Ｏ_２）を含む雰囲気中で３８０℃の温度で熱処理し、各金属層を合金化する。
【００２９】
熱処理が終了した後のオーミック電極１０の表面状態は非常に良好な状態となる。これは、この熱処理期間中に第２金属層１２の成分である金（Ａｕ）が溶融して球状になるが、第２金属層１２の上にはそれよりも比重の大きいプラチナ（Ｐｔ）から成る第３金属層１３が積層されているので、第３金属層１３は金（Ａｕ）の表面張力に打ち勝って金（Ａｕ）がボールアップして表面状態の品質を損なうことがないように作用するためと考えられる。
【００３０】
図３は、上述の如く熱処理した後の合金化されたオーミック電極１０の構造を模式的に示す構造図であり、オーミック電極１０の元素分布を透過電子顕微鏡、オージェ電子分光分析で調べた結果に基づいて作成した。ｐ型コンタクト８のすぐ上には、金（Ａｕ）を主として含む層２１が形成されており、金（Ａｕ）の原子濃度は、電極を構成する元素ＮｉとＡｕとＰｔとＯのうち、約８０％であった。この上にはプラチナ（Ｐｔ）を主として含む層２２が形成され、Ｐｔの原子濃度は、電極を構成する元素ＮｉとＡｕとＰｔとＯのうち、約８０％であった。一番上にはニッケル（Ｎｉ）と酸素（Ｏ）とＰｔを含む層２３が形成されており、Ｎｉの原子濃度は約２５％、Ｏの原子濃度は約２５％、Ｐｔの原子濃度は約５０％であった。主として含むとの意味は、例えばＡｕを主として含む層の場合、電極を構成する元素ＮｉとＡｕとＰｔとＯのうち、Ａｕの原子濃度が他の３元素より高いことを意味する。
【００３１】
図２に示した積層構成のものが熱処理によって図３に示す積層構造となることにより、オーミック電極１０の低接触抵抗化が図られるものと考えられる。この低接触抵抗化は３８０℃という比較的低い温度でも達成されるので、温度によるプロセス制限は緩くなり、生産性を向上させることが期待できる。
【００３２】
なお、熱処理温度は、上記実施の形態において説明した３８０℃に限定されるものではなく、後述するように２１０℃〜６９０℃の範囲で可能である。好ましくは２８０℃〜６２０℃の範囲である。熱処理温度が低すぎると十分な低接触抵抗化の効果が得られにくく、また熱処理温度が高過ぎると素子を構成する材料又は電極の変性を起こし、素子の特性を劣化させることになるので好ましくない。生産性の向上の観点からいえば、低い温度の熱処理が好ましく、この観点からいえば、熱処理温度はより好ましくは２８０℃〜４００℃の範囲である。また、比較的低温の熱処理で低接触抵抗化が図れるのは、プラチナ（Ｐｔ）を第３金属層１３に用いることによる効果と考えられ、またこの効果により金（Ａｕ）がボールアップして表面状態の品質を損なうことがないように作用するためと考えられる。
【００３３】
【実施例】
次に、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
実施例１は、ＧａＮ：Ｍｇの上にＮｉ（２０Å）／Ａｕ（５０Å）／Ｐｔ（６０Å）を形成し、酸素雰囲気下において３８０℃で熱処理して電極を形成した例である。
（１）先ずＭＯＣＶＤ法により、サファイアＣ面／ＬＴ−ＧａＮ／ｕｎｄｏｐｅｄ　ＧａＮ／ＧａＮ：Ｍｇを電極を取り付けるべき試料として作製した。
（２）成長終了後、冷却して取り出した試料を熱処理炉に載置し、窒素１００％の雰囲気下で、８００℃にて熱処理を行った。
（３）熱処理後の試料のｐ型キャリア濃度を、電解液を利用した容量−電圧（ＣＶ）法で測定したところ１×１０^１９ｃｍ^−３であり、十分高いｐ型キャリア濃度を有する伝導性の良好な窒化ガリウム系化合物半導体結晶が得られた。
（４）図２に示したところに従って真空蒸着法により、上記試料の表面上にＮｉを２０Åの厚さに、次にＡｕを５０Åの厚さに、次にＰｔを６０Åの厚さにしてそれぞれ金属層としてこの順序で堆積し、リフトオフ法により電極パターンを形成した。各金属層の膜厚は触針式段差計により得られた値を用いた。この試料を熱処理炉中に載置し、酸素１００％の雰囲気下で３８０℃、１０分間の熱処理を行い電極を形成した。昇温、降温過程においても酸素を含む雰囲気下で行った。電極を形成した後、電極の低接触抵抗化の効果を確認するため、試料と電極との間に電圧を印加して形成された電極の接触部分の電流−電圧特性を調べた。その結果が図４に示されている。図４から判るように良好なオーミック特性を示した。
【００３４】
（実施例２）
実施例２は、実施例１において用意した試料と同一の試料の表面上にＮｉを１５０Åの厚さに、次にＡｕを５０Åの厚さに、次にＰｔを５０Åの厚さにしてＮｉ／Ａｕ／Ｐｔを形成し、酸素雰囲気下、３８０℃の熱処理を行って試料表面上に電極を形成した例である。ここでは、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔの各層の膜厚を変えたことを除いては、実施例１と同様にして電極を作製した。
【００３５】
図５には、実施例２で作製された電極についても、試料と電極との間に電圧を印加して形成された電極の接触部分の電流−電圧特性を調べた。その結果が図５に示されている。良好なオーミック特性を得るための接触抵抗は、実施例１で作製されたＮｉ／Ａｕ／Ｐｔ電極の場合の接触抵抗値を１とした正規化値で１２であった。
【００３６】
（実施例３）
実施例３は、実施例１において用意した試料と同一の試料の表面上に各金属層の膜厚が異なるＮｉ／Ａｕ／Ｐｔを形成し、酸素雰囲気下３８０℃で熱処理を行って試料表面上に電極を形成した例である。ここでは、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔの各層の膜厚を変えたことを除いては、実施例１と同様に電極を作製し、図６に示されているように、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔの各層の膜厚を変えたものを９種類用意した。
【００３７】
図６に、熱処理をすることによって得られたこれら９種類の各電極の接触抵抗を測定した結果を示す。図６においては、実施例１で作製されたＮｉ／Ａｕ／Ｐｔ電極の場合の接触抵抗を１とした正規化値によりこれら９種類の各実施例についての接触抵抗を示してある。実用上好ましい接触抵抗の範囲としては、実施例１のものを正規化値として１０以下である。この測定結果から、特にＮｉの膜厚（ｔ_１）が０Å＜ｔ_１≦１４０Å、かつＡｕとＰｔの全膜厚（ｔ_２）が０Å＜ｔ２≦２９０Åで３８０℃の熱処理を行うことによって得られた電極の接触抵抗は１０以下と小さくすることができ、良好なオーミック特性を示した。Ｎｉの膜厚（ｔ_１）が薄過ぎると膜厚制御が困難になり再現性が得られにくいため、好ましくは３Å≦ｔ１≦１４０Åがよい。また、ＡｕとＰｔの全膜厚（ｔ２）が薄過ぎると膜厚制御が困難になり再現性が得られにくいため、好ましくは３Å≦ｔ_２≦２９０Åがよい。
【００３８】
（比較例１）
比較例１は、実施例１において用意した試料と同一の試料表面上にＮｉ／Ａｕ構成の金属層を形成し、酸素雰囲気下４００℃で熱処理を行って試料表面上に電極を形成した例である。ここでは、Ｎｉの金属層とＡｕの金属層とは蒸着によらず、順次堆積して形成した。比較例１における各金属層の層厚は、図７に示した。図７には、実施例１で作製されたＮｉ／Ａｕ／Ｐｔ構造の電極の場合の接触抵抗値を１とした正規化値により各比較例についての接触抵抗を示してある。実施例１で作製された電極は、比較例１の場合よりも著しく接触抵抗が小さかった。
【００３９】
（実施例４）
実施例４は、実施例１において用意したＮｉ／Ａｕ／Ｐｔを形成した試料を、酸素雰囲気下、異なる温度で熱処理を行って電極を形成した例である。ここでは、熱処理温度を１００℃、２００℃、３００℃、３５０℃、３８０℃、４００℃、５００℃、６００℃、７００℃としたときのＮｉ／Ａｕ／Ｐｔ電極の接触抵抗の最小値を測定した。これらのＮｉ／Ａｕ／Ｐｔ電極の接触抵抗の最小値の測定値は、実施例１で作製されたＮｉ／Ａｕ／Ｐｔ電極の場合の接触抵抗を１とした正規化値により示すと、６６５、６３２、１．９４、１．１７、１．００、０．７６、０．７６、０．３７、９５．２となった。図８には、これらの結果がグラフにして示されている。
【００４０】
図２を参照して説明したように、ｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体結晶上に、Ｎｉの第１金属層１１、Ａｕの第２金属層１２、Ｐｔの第３金属層１３をこの順序で積層したのち、２１０℃〜６９０℃の範囲内の適宜の温度で熱処理をすることで、図３に示されるような元素分布の略３層構造の電極を得ることができ、これによりオーミック特性の良い電極を形成することができる。しかも、従来に比べて著しく低い温度での熱処理で済むので、温度によるプロセス制限が緩やかであり、生産性の向上を図ることが容易となり、コストの低減に役立つものである。したがって、低コストで高性能の電極を得ることができる。また、図１に示されるようにして、発光素子にこの電極を用いれば、電極の接触抵抗が小さく且つ低温処理で済むので、低電圧駆動で高効率の素子を実現することができる。
【００４１】
【発明の効果】
本発明によれば、上述の如く、低い温度での熱処理で済むので、温度によるプロセス制限が緩やかであり、生産性の向上を図ることが容易となり、コストの低減に役立ち、低コストで高性能の電極を得ることができる。また、発光素子にこの電極を用いれば、オーミック特性が良好で且つ低温処理で済むので、低電圧駆動で高効率の素子を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による発光素子の実施の形態の一例を模式的に示す層構造図。
【図２】図１に示したオーミック電極の製造工程を説明するための工程図。
【図３】図２（Ｃ）に示す工程終了後に熱処理をした後のオーミック電極の構造を模式的に示す図。
【図４】実施例１の各試料についての電流−電圧特性の測定結果を示すグラフ。
【図５】実施例２の各試料についての電流−電圧特性の測定結果を示すグラフ。
【図６】実施例３における各電極の接触抵抗の測定結果を示す図。
【図７】比較例１についての接触抵抗を示す図。
【図８】実施例４の各試料についての接触抵抗を示す図。
【符号の説明】
１　発光素子
２　サファイア基板
８　ｐ型コンタクト層
１０　オーミック電極
１１　第１金属層
１２　第２金属層
１３　第３金属層
２１　Ａｕを主として含む層
２２　Ｐｔを主として含む層
２３　Ｎｉ、Ｏ、Ｐｔを主として含む層

Claims

ｐ型ドーパントをドープした一般式Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_ｚＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体結晶上にオーミック電極を形成するに当り、
前記３−５族化合物半導体結晶の表面上に、ニッケル（Ｎｉ）である第１金属層と、金（Ａｕ）またはプラチナ（Ｐｔ）から選ばれる１種の金属からなる第２金属層と、金（Ａｕ）またはプラチナ（Ｐｔ）から選ばれる１種の金属であって前記第２金属層とは異なる金属からなる第３金属層とをこの順序で積層した後、熱処理することを特徴とする３−５族化合物半導体の電極の製造方法。
前記熱処理を２１０℃〜６９０℃の範囲内で行う請求項１記載の３−５族化合物半導体の電極の製造方法。
前記第１金属層の層厚（ｔ_１）が０＜ｔ_１≦１４０Åであり、前記第２金属層と前記第３金属層との合計層厚（ｔ_２）が０＜ｔ_２≦２９０Åである請求項１または２記載の３−５族化合物半導体の電極の製造方法。
前記熱処理により前記第１〜第３金属層を合金化する請求項１〜３いずれかに記載の３−５族化合物半導体の電極の製造方法。
請求項１〜４のいずれかに記載された方法を用いて製造された３−５族化合物半導体電極。
ｐ型ドーパントをドープした一般式Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_ｚＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３―５族化合物半導体の電極であって、前記３−５族化合物半導体結晶の表面上に金（Ａｕ）を主として含む合金層、プラチナ（Ｐｔ）を主として含む合金層、及びニッケル（Ｎｉ）と酸素（Ｏ）とプラチナ（Ｐｔ）とを主として含む合金層とがこの順序で積層された層構造を有することを特徴とする３−５族化合物半導体の電極。
請求項５または６に記載の電極を用いて作製したことを特徴とする半導体発光素子。