JPH04314731A - フッ素化ポリイミド光学材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＣ−Ｈ結合の少ないフッ
素化ポリイミドに関し、特に光電子集積回路（ＯＥＩＣ
）における光導波路の光学材料として使用可能な低光損
失率ポリイミドに関する。

【０００２】

【従来の技術】プラスチック材料は、無機系の材料に比
べて軽量であり、耐衝撃性、加工性に優れ、取扱いが容
易であるなどの優れた特徴を有しているため、これまで
も光ファイバーや光ディスク用基板、光学用レンズなど
様々な光学用途に用いられてきた。中でもプラスチック
をＯＥＩＣにおける光導波路など、近赤外域（波長＝０
．８〜２．５μｍ）での光学材料として用いる場合、無
機系の材料と比較してまず問題となるのは大きな光損失
である。プラスチックにおける損失原因には大きく分け
て光の散乱と光の吸収の２つがあるが、光通信に用いら
れる波長が今後、長波長域へ移る（０．８５μｍから１
．３μｍ〜１．５μｍへ）に従って、後者の原因、つま
り分子構造に本質的な振動吸収による損失が支配的とな
り、プラスチック光学材料の光導波特性に大きな制約を
もたらすものと考えられる。特にＰＭＭＡやＰＳのよう
に、分子鎖内に炭素−水素結合（Ｃ−Ｈ結合）を有する
ものは高調波の吸収強度が減衰しにくいこともあって、
近赤外域での光損失は大きなものとなっている。このＣ
−Ｈ結合に起因する高調波を小さくし、かつ長波長側へ
シフトさせるためには、分子鎖内の水素を重水素（Ｄ）
あるいはフッ素（Ｆ）で置換することが提案されており
、ＰＭＭＡやＰＳ中の水素を重水素あるいはフッ素で置
換した材料については具体的な検討が既になされている
〔例えば戒能俊邦、アプライド　　フィジクス　　レタ
ーズ（　Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌｅｔｔ．　）、第
４８巻、第７５７頁（１９８６年）参照〕。しかし、こ
れらのプラスチック光学材料は、例えば基板上でのＯＥ
ＩＣ作製に必要な耐熱性（２６０℃）を持たないため、
光電子集積回路等に適用するには種々の工夫が必要であ
る。一方、ポリイミド樹脂はプラスチックの中で最も耐
熱性の優れたものの一つとして知られており、光学材料
への適用も最近検討（ＩＢＭ、ハネウェル、ＮＴＴ）さ
れ始めている。しかしこれまでに検討されたすべてのポ
リイミドは分子鎖中にフェニル基のＣ−Ｈ結合を多数有
するため、Ｃ−Ｈ結合の伸縮振動の高調波あるいはＣ−
Ｈ結合の伸縮振動の高調波と変角振動の結合音が現れ、
近赤外域には大きな吸収損失が存在している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】すなわち近赤外域での
ＯＥＩＣ用光学材料として用いるプラスチック材料には
、耐熱性の不足とＣ−Ｈ結合の存在に基づく大きな光損
失という問題があった。本発明はこのような現状にかん
がみてなされたものであり、その目的は光電子集積回路
を作製するのに十分な耐熱性があり、近赤外域において
光透過損失の少ないプラスチック光学材料を提供するこ
とにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明の第１の発明はフッ素化ポリイミドに関する発明で
あって、下記一般式（化１）：

【化１】 （式中Ｒは少なくとも１個の水素を含有する２価の有機
基を示す）で表される繰返し単位を含有することを特徴
とする。また、本発明の第２の発明は第１の発明のフッ
素化ポリイミドの製造方法に関する発明であって、下記
一般式（化２）：

【化２】 で表される酸二無水物、又はそのテトラカルボン酸、若
しくはその反応性誘導体と、下記一般式（化３）：

【化
３】Ｈ２　Ｎ−Ｒ−ＮＨ２　 （式中Ｒは少なくとも１個の水素を含有する２価の有機
基を示す）で表される有機ジアミンとを反応させ、得ら
れる相当するフッ素化ポリアミド酸を閉環させることを
特徴とする。そして、本発明の第３の発明はフッ素化ポ
リアミド酸に関する発明であって、下記一般式（化４）
：

【化４】 （式中Ｒは少なくとも１個の水素を含有する２価の有機
基を示す）で表される繰返し単位を含有することを特徴
とする。更に、本発明の第４の発明は第３の発明のフッ
素化ポリアミド酸の製造方法に関する発明であって、式
（化２）で表される酸二無水物、又はそのテトラカルボ
ン酸、若しくはその反応性誘導体と、一般式（化３）で
表される有機ジアミンとを反応させることを特徴とする
。

【０００５】本発明者らは、種々の既存のポリイミド及
びポリイミド光学材料について、その赤外域、近赤外域
の吸収スペクトルを測定し、近赤外域での光損失を算出
すると共に、その原因について鋭意検討した。その結果
、近赤外域で大きな光損失を引起こす原因の第１は、ア
ルキル基やフェニル環等におけるＣ−Ｈ結合の伸縮振動
の高調波吸収、及びＣ−Ｈ結合の伸縮振動の高調波と変
角振動の結合音による吸収であることが明らかとなった
。

【０００６】本発明のフッ素化ポリイミドは原料の酸二
無水物成分のフェニル環の炭素に結合するすべての１価
元素をフッ素とし、繰返し単位内にＣ−Ｈ結合を持たな
い構造とすることによって、近赤外域での最大の光損失
原因であるＣ−Ｈ結合に基づく振動吸収を小さくし，ま
たイミド結合を主鎖構造に導入してポリイミドとするこ
とによって、光電子集積回路を作製する上での十分な耐
熱性（２６０℃以上）を持たせることができる。

【０００７】本発明のフッ素化ポリイミドを製造する時
に使用する有機ジアミンとしては次のようなものが挙げ
られる。

【０００８】ｍ−フェニレンジアミン、２，４−ジアミ
ノトルエン、２，４−ジアミノキシレン、２，４−ジア
ミノデュレン、４−（１Ｈ，１Ｈ，１１Ｈ−エイコサフ
ルオロウンデカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、
４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ブタノキシ）−
１，３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフ
ルオロ−１−ヘプタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼ
ン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−オクタノキ
シ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−ペンタフルオロ
フェノキシ−１，３−ジアミノベンゼン、４−（２，３
，５，６−テトラフルオロフェノキシ）−１，３−ジア
ミノベンゼン、４−（４−フルオロフェノキシ）−１，
３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ
−パーフルオロ−１−ヘキサノキシ）−１，３−ジアミ
ノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフル
オロ−１−ドデカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン
、ｐ−フェニレンジアミン、２，５−ジアミノトルエン
、２，３，５，６−テトラメチル−ｐ−フェニレンジア
ミン、２，５−ジアミノベンゾトリフルオライド、ビス
（トリフルオロメチル）フェニレンジアミン、ジアミノ
（ペンタフルオロエチル）ベンゼン、２，５−ジアミノ
（パーフルオロヘキシル）ベンゼン、２，５−ジアミノ
（パーフルオロブチル）ベンゼン、ベンジジン、２，２
′−ジメチルベンジジン、３，３′−ジメチルベンジジ
ン、３，３′−ジメトキシベンジジン、２，２′−ジメ
トキシベンジジン、３，３′，５，５′−テトラメチル
ベンジジン、３，３′−ジアセチルベンジジン、２，２
′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノ
ビフェニル、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４′−ジアミノビフェニル、４，４′−ジアミノジ
フェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、２，２−
ビス（ｐ−アミノフェニル）プロパン、３，３′−ジメ
チル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３
′−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、
１，２−ビス（アニリノ）エタン、２，２−ビス（ｐ−
アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビ
ス（アニリノ）ヘキサフルオロプロパン、１，４−ビス
（アニリノ）オクタフルオロブタン、１，５−ビス（ア
ニリノ）デカフルオロペンタン、１，７−ビス（アニリ
ノ）テトラデカフルオロヘプタン、２，２′−ビス（ト
リフルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′，５，５
′−テトラキス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジ
アミノジフェニルエーテル、３，３′−ビス（トリフル
オロメチル）−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、４
，４′′−ジアミノ−ｐ−テルフェニル、１，４−ビス
（ｐ−アミノフェニル）ベンゼン、ｐ−ビス（４−アミ
ノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ベンゼン、ビ
ス（アミノフェノキシ）ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンゼン、ビス（アミノフェノキシ）テトラキス（トリフ
ルオロメチル）ベンゼン、４，４′′′−ジアミノ−ｐ
−クオーターフェニル、４，４′−ビス（ｐ−アミノフ
ェノキシ）ビフェニル、２，２−ビス｛４−（ｐ−アミ
ノフェノキシ）フェニル｝プロパン、４，４′−ビス（
３−アミノフェノキシフェニル）ジフェニルスルホン、
２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン
、２，２−ビス｛４−（２−アミノフェノキシ）フェニ
ル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４−（４
−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル｝ヘ
キサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４−（４−アミ
ノフェノキシ）−３，５−ジトリフルオロメチルフェニ
ル｝ヘキサフルオロプロパン、４，４′−ビス（４−ア
ミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル
、４，４′−ビス（４−アミノ−３−トリフルオロメチ
ルフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス（４−アミ
ノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ジフェニルス
ルホン、４，４′−ビス（３−アミノ−５−トリフルオ
ロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、２，２−ビ
ス｛４−（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノ
キシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、ビス｛（ト
リフルオロメチル）アミノフェノキシ｝ビフェニル、ビ
ス〔｛（トリフルオロメチル）アミノフェノキシ｝フェ
ニル〕ヘキサフルオロプロパン、ジアミノアントラキノ
ン、１，５−ジアミノナフタレン、２，６−ジアミノナ
フタレン、ビス｛２−〔（アミノフェノキシ）フェニル
〕ヘキサフルオロイソプロピル｝ベンゼン、１，３−ビ
ス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、
１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベ
ンゼン、ビス（４−アミノフェニル）ジエチルシラン等
がある。なお、本発明においては、上記ジアミン以外に
、例えばビス（２，３，５，６−テトラフルオロ−４−
アミノフェニル）エーテル、ビス（２，３，５，６−テ
トラフルオロ−４−アミノフェニル）スルフィド、ジア
ミノテトラ（トリフルオロメチル）ベンゼン、オクタフ
ルオロベンジジンのようなアミノ基以外に水素を含有し
ないジアミンを併用してもよい。

【０００９】本発明のポリアミド酸の製造方法は、通常
のポリアミド酸の製造条件と同じでよく、一般的にはＮ
−メチル−２−ヒロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなど
の極性有機溶媒中で反応させる。本発明においてはジア
ミンまたテトラカルボン酸成分とも単一化合物で用いる
ばかりではなく、複数のジアミン、テトラカルボン酸成
分を混合して用いる場合がある。その場合は、複数又は
単一のジアミンのモル数の合計と複数又は単一のテトラ
カルボン酸成分のモル数の合計が等しいかほぼ等しくな
るようにする。

【００１０】酸無水物を複数の混合物として用いる場合
に酸二無水物〔式（化２）〕又はそのテトラカルボン酸
、若しくはその反応性誘導体以外のものを併用すること
ができる。酸二無水物、テトラカルボン酸並びにその反
応性誘導体としての酸塩化物、エステル等としてはここ
ではテトラカルボン酸としての例を挙げるとジフルオロ
ピロメリット酸、（トリフルオロメチル）ピロメリット
酸、ジ（トリフルオロメチル）ピロメリット酸、ジ（ヘ
プタフルオロプロピル）ピロメリット酸、ペンタフルオ
ロエチルピロメリット酸、ビス｛３，５−ジ（トリフル
オロメチル）フェノキシ｝ピロメリット酸、２，３，３
′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３′，４
，４′−テトラカルボキシジフェニルエーテル、２，３
′，３，４′−テトラカルボキシジフェニルエーテル、
３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
、２，３，６，７−テトラカルボキシナフタレン、１，
４，５，７−テトラカルボキシナフタレン、１，４，５
，６−テトラカルボキシナフタレン、３，３′，４，４
′−テトラカルボキシジフェニルメタン、３，３′，４
，４′−テトラカルボキシジフェニルスルホン、２，２
−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、２
，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、５，５′−ビス（トリフルオロメチル
）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシビフェニル
、２，２′，５，５′−テトラキス（トリフルオロメチ
ル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシビフェニ
ル、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）−３，３′
，４，４′−テトラカルボキシジフェニルエーテル、５
，５′−ビス（トリフルオロメチル）−３，３′，４，
４′−テトラカルボキシベンゾフェノン、ビス｛（トリ
フルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ベンゼン、
ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ
｝（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（ジカルボキ
シフェノキシ）（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス
（ジカルボキシフェノキシ）ビス（トリフルオロメチル
）ベンゼン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）テトラキ
ス（トリフルオロメチル）ベンゼン、３，４，９，１０
−テトラカルボキシペリレン、２，２−ビス｛４−（３
，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝プロパン、
ブタンテトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボ
ン酸、２，２−ビス｛４−（３，４−ジカルボキシフェ
ノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、ビス｛（
トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビフェ
ニル、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェ
ノキシ｝ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、ビス
｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ジ
フェニルエーテル、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ビ
ス（トリフルオロメチル）ビフェニル、ヘキサフルオロ
−３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸、
ヘキサフルオロ−３，３′，４，４′−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸、４，４′−ビス（３，４−ジカルボ
キシトリフルオロフェノキシ）テトラフルオロベンゼン
、ヘキサフルオロ−３，３′，４，４′−オキシビスフ
タル酸、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル
）テトラメチルジシロキサン、ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）ジメチルシラン等が挙げられる。この中
でピロメリット酸二無水物のベンゼン環にフルオロアル
キル基を導入した含フッ素酸二無水物であるトリフルオ
ロメチルピロメリット酸二無水物、１，４−ジ（トリフ
ルオロメチル）ピロメリット酸二無水物、１，４−ジ（
ペンタフルオロエチル）ピロメリット酸二無水物等の製
造方法は特願昭６３−１６５０５６号明細書に記載され
ている。

【００１１】前述のポリアミド酸などの重合溶液におい
て、その溶液の濃度は５〜４０重量％（１０〜２５重量
％であることが好ましい）、また前記ポリマー溶液の回
転粘度（２５℃）は、５０〜５０００ポアズであること
が好適である。

【００１２】本発明の低光損失率フッ素化ポリイミドの
フィルム製造法としては、通常のポリイミドの製造法が
使用できる。例えばポリアミド酸溶液を、アルミ板上に
スピンコートし、窒素雰囲気下で７０℃から２００℃ま
で段階的に加熱（７０℃２時間、１６０℃１時間、２５
０℃３０分、３５０℃１時間）し、イミド化する。その
後、このアルミ板を１０％塩酸に浸し、アルミ板を溶解
してポリイミドフィルムを得ることができる。

【００１３】

【実施例】以下、実施例により本発明のフッ素化ポリア
ミド酸及びフッ素化ポリイミドについて詳細に説明する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない
。下記各例中、イミド中の確認は赤外吸収スペクトルに
おけるカルボニル基の対称、及び非対称伸縮振動による
特性吸収から行った。また、光透過性は紫外−可視吸収
スペクトルを測定することで行った。

【００１４】実施例１ 三角フラスコに１，４−ジフルオロ無水ピロメリット酸
２．５４ｇと２，２′−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４′−ジアミノビフェニル３．２０ｇ及びＤＭＡｃ
２６ｇを入れた。これを室温、乾燥窒素気流中で４８時
間かくはんし、ポリアミド酸のＤＭＡｃ溶液を得た。こ
れをシリコンウェハにキャストし、オーブン中で７０℃
２時間、１６０℃１時間、２５０℃３０分、３５０℃１
時間加熱イミド化を行った。この試料を１０％塩酸水溶
液に浸し、アルミ板を溶解してポリイミドフィルムを得
た。このポリイミドフィルムの赤外吸収スペクトルを測
定するとイミド基に特有の吸収が、１７８５ｃｍ−１に
現れ、イミド化が完全に進行したことが確認できた。こ
のポリイミドフィルムの波長０．８〜２．０μｍの範囲
での光の吸収は以下に示す比較例１で作製した従来のポ
リイミドフィルムに比べて小さかった（図１）。すなわ
ち図１の実線は実施例１のフッ素化ポリイミド、破線は
比較例１のポリイミドにおける、それぞれの光の吸光度
の波長依存性を示すグラフである。なお縦軸は吸光度（
任意単位）、横軸は波長（μｍ）を示す。

【００１５】実施例２ 三角フラスコに１，４−ジフルオロ無水ピロメリット酸
２．５４ｇと４，４′−ジアミノジフェニルエーテル２
．００ｇ及びＤＭＡｃ３５ｇを入れた。これを実施例１
と同様の方法によりポリイミドフィルムを得た。このポ
リイミドフィルムの波長０．８〜２．０μｍの範囲での
光の吸収は以下に示す比較例１で作製した従来のポリイ
ミドフィルムに比べて小さかった。

【００１６】実施例３ 三角フラスコに１，４−ジフルオロ無水ピロメリット酸
２．５４ｇと４，４′−ジアミノジフェニルメタン１．
９８ｇ及びＤＭＡｃ３５ｇを入れた。これを実施例１と
同様の方法によりポリイミドフィルムを得た。このポリ
イミドフィルムの波長０．８〜２．０μｍの範囲での光
の吸収は以下に示す比較例３で作製した従来のポリイミ
ドフィルムに比べて小さかった。

【００１７】実施例４ 三角フラスコに１，４−ジフルオロ無水ピロメリット酸
２．５４ｇと４，４′−ビス〔３−（トリフルオロメチ
ル）−４−アミノフェノキシ〕ビフェニル５．０４ｇ及
びＤＭＡｃ４５ｇを入れた。これを実施例１と同様の方
法によりポリイミドフィルムを得た。このポリイミドフ
ィルムの波長０．８〜２．０μｍの範囲での光の吸収は
以下に示す比較例４で作製した従来のポリイミドフィル
ムに比べて小さかった。

【００１８】実施例５ 三角フラスコに１，４−ジフルオロ無水ピロメリット酸
２．５４ｇと２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン３．３４ｇ及びＤＭＡｃ４０ｇを入
れた。これを実施例１と同様の方法によりポリイミドフ
ィルムを得た。このポリイミドフィルムの波長０．８〜
２．０μｍの範囲での光の吸収は以下に示す比較例５で
作製した従来のポリイミドフィルムに比べて小さかった
。

【００１９】実施例６ 三角フラスコに１，４−ジフルオロ無水ピロメリット酸
２．２９ｇと２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物０．４４ｇと２
，２′−ビス（トリフルロオロメチル）−４，４′−ジ
アミノビフェニル３．２０ｇ及びＤＭＡｃ３５ｇを入れ
た。これを実施例１と同様の方法によりポリイミドフィ
ルムを得た。このポリイミドフィルムの波長０．８〜２
．０μｍの範囲での光の吸収は以下に示す比較例１で作
製した従来のポリイミドフィルムに比べて小さかった。

【００２０】実施例７ 三角フラスコに１，４−ジフルオロ無水ピロメリット酸
２．５４ｇと２，２′−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４′−ジアミノビフェニル２．８８ｇと４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル０．２０ｇ及びＤＭＡｃ３
５ｇを入れた。これを実施例１と同様の方法によりポリ
イミドフィルムを得た。このポリイミドフィルムの波長
０．８〜２．０μｍの範囲での光の吸収は以下に示す比
較例１で作製した従来のポリイミドフィルムに比べて小
さかった。

【００２１】比較例１ 三角フラスコに２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物４．４４ｇと
２，２′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジ
アミノビフェニル３．２０ｇ及びＤＭＡｃ２６ｇを入れ
た。これを実施例１と同様の方法によりポリイミドフィ
ルムを得た。このポリイミドフィルムの波長０．８〜２
．０μｍの範囲での光の吸収スペクトルを測定したとこ
ろ１．１μｍ付近にＣ−Ｈ結合の伸縮振動の３倍音によ
る吸収が、また１．４μｍ付近には、Ｃ−Ｈ結合の伸縮
振動の高調波と変角振動の結合音による吸収が、また１
．６５μｍ付近にはＣ−Ｈ結合の伸縮振動の２倍音に起
因する吸収が強く現れた。

【００２２】比較例２ 三角フラスコに２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物４．４４ｇと
４，４′−ジアミノジフェニルエーテル２．００ｇ及び
ＤＭＡｃ３５ｇを入れた。これを実施例１と同様の方法
によりポリイミドフィルムを得た。このポリイミドフィ
ルムの波長０．８〜２．０μｍの範囲での光の吸収スペ
クトルを測定したところ比較例１の吸収スペクトルとほ
ぼ同様の吸収が現れた。

【００２３】比較例３ 三角フラスコに２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物４．４４ｇと
４，４′−ジアミノジフェニルメタン１．９８ｇ及びＤ
ＭＡｃ３５ｇを入れた。これを実施例１と同様の方法に
よりポリイミドフィルムを得た。このポリイミドフィル
ムの波長０．８〜２．０μｍの範囲での光の吸収スペク
トルを測定したところ比較例１の吸収スペクトルとほぼ
同様の吸収が現れた。

【００２４】比較例４ 三角フラスコに２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物４．４４ｇと
４，４′−ビス〔３−（トリフルオロメチル）−４−ア
ミノフェノキシ〕ビフェニル５．０４ｇ及びＤＭＡｃ４
５ｇを入れた。これを実施例１と同様の方法によりポリ
イミドフィルムを得た。このポリイミドフィルムの波長
０．８〜２．０μｍの範囲での光の吸収スペクトルを測
定したところ比較例１の吸収スペクトルとほぼ同様の吸
収が現れた。

【００２５】比較例５ 三角フラスコに２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物４．４４ｇと
２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン３．３４ｇ及びＤＭＡｃ４０ｇを入れた。これを
実施例１と同様の方法によりポリイミドフィルムを得た
。このポリイミドフィルムの波長０．８〜２．０μｍの
範囲での光の吸収スペクトルを測定したところ比較例１
の吸収スペクトルとほぼ同様の吸収が現れた。

【００２６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば新
規なフッ素化ポリアミド酸及びフッ素化ポリイミドが提
供され、該フッ素化ポリイミドは従来のものとは異なっ
て近赤外領域での光透過性が優れ、光通信用光学材料と
して有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】実線は実施例１のフッ素化ポリイミド、破線は
比較例１のポリイミドにおける、それぞれ光の吸光度の
波長依存性を示すグラフである。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　下記一般式（化１）：【化１】 （式中Ｒは少なくとも１個の水素を含有する２価の有機
   基を示す）で表される繰返し単位を含有することを特徴
   とするフッ素化ポリイミド。
2. 【請求項２】　　下記一般式（化２）：【化２】 で表される酸二無水物、又はそのテトラカルボン酸、若
   しくはその反応性誘導体と、下記一般式（化３）：【化
   ３】Ｈ２　Ｎ−Ｒ−ＮＨ２　 （式中Ｒは少なくとも１個の水素を含有する２価の有機
   基を示す）で表される有機ジアミンとを反応させ、得ら
   れる相当するフッ素化ポリアミド酸を閉環させることを
   特徴とする請求項１に記載のフッ素化ポリイミドの製造
   方法。
3. 【請求項３】　　下記一般式（化４）：【化４】 （式中Ｒは少なくとも１個の水素を含有する２価の有機
   基を示す）で表される繰返し単位を含有することを特徴
   とするフッ素化ポリアミド酸。
4. 【請求項４】　　式（化２）で表される酸二無水物、又
   はそのテトラカルボン酸、若しくはその反応性誘導体と
   、一般式（化３）で表される有機ジアミンとを反応させ
   ることを特徴とする請求項３に記載のフッ素化ポリアミ
   ド酸の製造方法。