JPH0431371A - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体の製造方法Info
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- JPH0431371A JPH0431371A JP2136581A JP13658190A JPH0431371A JP H0431371 A JPH0431371 A JP H0431371A JP 2136581 A JP2136581 A JP 2136581A JP 13658190 A JP13658190 A JP 13658190A JP H0431371 A JPH0431371 A JP H0431371A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、酸化物超電導体の製造方法に関し、詳細には
、高密度で且つ高配向の酸化物超電導体の製造方法に関
する。
、高密度で且つ高配向の酸化物超電導体の製造方法に関
する。
（従来技術）
近年、超電導体として従来から用いられてきた金属系超
電導体によりも高い臨界温度Ｔｃ（抵抗がゼロになる温
度）を有する材料として酸化物超電導体が発見され、そ
の実用化が期待されている。
電導体によりも高い臨界温度Ｔｃ（抵抗がゼロになる温
度）を有する材料として酸化物超電導体が発見され、そ
の実用化が期待されている。
現在、酸化物超電導体としては、主としてＹＢａ−Ｃｕ
−０系（以下、Ｙ系という）およびＢ１−３ｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０系（以下、Ｂｉ系という）の２種が知られてお
り、後者の酸化物超電導体では、更にＴｃが１１０にの
高Ｔｃ相と、Ｔｃが８０に相の低Ｔｃ相の２種が知みれ
ており、Ｙ系に比較してＴｃが高いことからその実用化
が特に進められている。
−０系（以下、Ｙ系という）およびＢ１−３ｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０系（以下、Ｂｉ系という）の２種が知られてお
り、後者の酸化物超電導体では、更にＴｃが１１０にの
高Ｔｃ相と、Ｔｃが８０に相の低Ｔｃ相の２種が知みれ
ており、Ｙ系に比較してＴｃが高いことからその実用化
が特に進められている。
このＢｉ系における高Ｔｃ相と低Ｔｃ相は、具体的には
、高Ｔｃ相が Ｂ １２ｓｒｚｃａｚｃｕ３０＋ｏ、δからなり、低Ｔ
ｃ相が Ｂ ｉ ２Ｓ ｒ ｚＣａ １Ｃｕ２０ｇ−δからなる
。
、高Ｔｃ相が Ｂ １２ｓｒｚｃａｚｃｕ３０＋ｏ、δからなり、低Ｔ
ｃ相が Ｂ ｉ ２Ｓ ｒ ｚＣａ １Ｃｕ２０ｇ−δからなる
。
これら酸化物超電導体は、その実用化に際しては高い臨
界温度を有するとともに臨界電流密度（抵抗ゼロにおけ
る電流値）が大きいことが必要とされている。そこでＢ
ｉ系酸化物超電導体においてはその結晶が燐片状粒子か
らなることから、この燐片状粒子を一方向に配向させる
ことにより臨界電流密度を高くすることができると考え
られている。また、焼結体としてその相対密度を高め、
高緻密化することも特性上大きな要因であると言われて
いる。
界温度を有するとともに臨界電流密度（抵抗ゼロにおけ
る電流値）が大きいことが必要とされている。そこでＢ
ｉ系酸化物超電導体においてはその結晶が燐片状粒子か
らなることから、この燐片状粒子を一方向に配向させる
ことにより臨界電流密度を高くすることができると考え
られている。また、焼結体としてその相対密度を高め、
高緻密化することも特性上大きな要因であると言われて
いる。
そこで、高密度の酸化物超電導体を作成する方法として
、高い機械的な圧力を加えつつ加熱するホットプレス法
が採用されている。
、高い機械的な圧力を加えつつ加熱するホットプレス法
が採用されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、Ｂｉ系酸化物超電導体を作成する場合、
例えば低Ｔｃ相の仮焼粉末をホットプレス焼成すると緻
密化自体は進行するが、高Ｔｃ相の生成が少ないために
高Ｔｃ化、高Ｊｃ化が望めない。そこで、上記ホットプ
レス後の焼結体をさらに熱処理し、高Ｔｃ相を生成する
ことも提案されるが、熱処理によって粒成長が生じるた
めに密度は逆に低下する傾向にある。
例えば低Ｔｃ相の仮焼粉末をホットプレス焼成すると緻
密化自体は進行するが、高Ｔｃ相の生成が少ないために
高Ｔｃ化、高Ｊｃ化が望めない。そこで、上記ホットプ
レス後の焼結体をさらに熱処理し、高Ｔｃ相を生成する
ことも提案されるが、熱処理によって粒成長が生じるた
めに密度は逆に低下する傾向にある。
また上記の方法では、焼結体の緻密化にはそれなりの効
果があるが、粒子の配向化の点からは不十分であるため
に、得られる焼結体のＪｃ値もせいぜい１００ＯＡ／ｃ
ｍ２以下であり、実用的レベルには到底達していないの
が現状であった。
果があるが、粒子の配向化の点からは不十分であるため
に、得られる焼結体のＪｃ値もせいぜい１００ＯＡ／ｃ
ｍ２以下であり、実用的レベルには到底達していないの
が現状であった。
（問題点を解決するための手段）
本発明者牛は、上記問題点に対して先に低Ｔｃ相の仮焼
粉末を常圧で焼成して充分に高Ｔｃ相を生成した後、該
焼結体δこ圧力を加えつつ加熱処理を行う、いわゆるホ
ットフォージング処理を行うことによって、高配向、高
密度でＪｃ値が１５００〜４５００Ａ／ｃｍ２程度の優
れた酸化物超電導体が得られることを提案したが、この
方法に基づき、さらに高いＪｃ値を得るための方法につ
いて検討したところ、上記の構成においてホットフォー
ジング処理するに際し、焼結体を延性のある金属板を介
して処理するにより焼結体の配向性をより高め、さらに
高いＪｃ値を有する酸化物超電導体が得られることを知
見した。
粉末を常圧で焼成して充分に高Ｔｃ相を生成した後、該
焼結体δこ圧力を加えつつ加熱処理を行う、いわゆるホ
ットフォージング処理を行うことによって、高配向、高
密度でＪｃ値が１５００〜４５００Ａ／ｃｍ２程度の優
れた酸化物超電導体が得られることを提案したが、この
方法に基づき、さらに高いＪｃ値を得るための方法につ
いて検討したところ、上記の構成においてホットフォー
ジング処理するに際し、焼結体を延性のある金属板を介
して処理するにより焼結体の配向性をより高め、さらに
高いＪｃ値を有する酸化物超電導体が得られることを知
見した。
即ち、本発明は、酸化物超電導体を構成する元素の酸化
物あるいは酸化物形成化合物からなる混合体を成形する
か、あるいは該混合体を仮焼した後に成形し、該成形体
を一旦酸化性雰囲気中で焼成した後に、該焼結体を延性
金属板を介してホットフォージング処理することを特徴
とするものである。
物あるいは酸化物形成化合物からなる混合体を成形する
か、あるいは該混合体を仮焼した後に成形し、該成形体
を一旦酸化性雰囲気中で焼成した後に、該焼結体を延性
金属板を介してホットフォージング処理することを特徴
とするものである。
以下、本発明を図面を参照しつつ説明する。
本発明の製造方法によれば、まず酸化物超電導体を構成
する金属の酸化物粉末あるいは焼成により酸化物を形成
しうる炭酸塩や硝酸塩粉末を用いてこれらを酸化物超電
導体を形成しうる割合に秤量混合する。具体的には前述
したＢｌ系酸化物超電導体のうち高Ｔｃ相を作成する場
合には、Ｂｉ２Ｏ：＋、５ｒＯ１ＣａＣＯ：＋ 、Ｃｕ
Ｏの各粉末を用いてこれらを原子比においてＳｒを２と
したとき、Ｂｉが１．８〜２．２、Ｃａが２．０〜３．
５、Ｃｕが３．０〜４．５の範囲になるように秤量する
。また、高Ｔｃ相の生成量を増加させることを目的とし
て上記の混合体にさらにＰｂＯ粉末、およびに２Ｃ０３
、Ｎａｚ Ｃｏｘ 、Ｌ ｉｚ ＣＯ２等をＳｒを２と
してＰｂを０．１〜０．５、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａを０．０５
〜０．６の割合で混合することができる。
する金属の酸化物粉末あるいは焼成により酸化物を形成
しうる炭酸塩や硝酸塩粉末を用いてこれらを酸化物超電
導体を形成しうる割合に秤量混合する。具体的には前述
したＢｌ系酸化物超電導体のうち高Ｔｃ相を作成する場
合には、Ｂｉ２Ｏ：＋、５ｒＯ１ＣａＣＯ：＋ 、Ｃｕ
Ｏの各粉末を用いてこれらを原子比においてＳｒを２と
したとき、Ｂｉが１．８〜２．２、Ｃａが２．０〜３．
５、Ｃｕが３．０〜４．５の範囲になるように秤量する
。また、高Ｔｃ相の生成量を増加させることを目的とし
て上記の混合体にさらにＰｂＯ粉末、およびに２Ｃ０３
、Ｎａｚ Ｃｏｘ 、Ｌ ｉｚ ＣＯ２等をＳｒを２と
してＰｂを０．１〜０．５、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａを０．０５
〜０．６の割合で混合することができる。
上記のようにして得られた混合粉末を公知の成形手段に
よって成形する。また、所望によっては上記の混合粉末
を７００〜８５０°Ｃの酸化性雰囲気中で１〜２０時間
程度仮焼後、粉砕し同様に成形する。この仮焼工程によ
れば、前述した組成からなる混合粉末を仮焼すると低Ｔ
ｃ相を主体とする酸化物超電導粉末となる。
よって成形する。また、所望によっては上記の混合粉末
を７００〜８５０°Ｃの酸化性雰囲気中で１〜２０時間
程度仮焼後、粉砕し同様に成形する。この仮焼工程によ
れば、前述した組成からなる混合粉末を仮焼すると低Ｔ
ｃ相を主体とする酸化物超電導粉末となる。
なお、成形方法としてはプレス成形、押し出し成形、ド
クターブレード成形法等が採用される。
クターブレード成形法等が採用される。
次に、上記のようにして得られた成形体を８４０〜８５
５°Ｃの酸化性雰囲気中で焼成する。この焼成によって
一旦低Ｔｃ相の燐片状の結晶が生成されるとともに焼成
が進行するに従い、低Ｔｃ相から高Ｔｃ相に変換される
。
５°Ｃの酸化性雰囲気中で焼成する。この焼成によって
一旦低Ｔｃ相の燐片状の結晶が生成されるとともに焼成
が進行するに従い、低Ｔｃ相から高Ｔｃ相に変換される
。
この焼成を非加圧で行うと燐片状の結晶の成長により低
密度の焼結体となるために、ホットプレス焼成を行って
もよい。
密度の焼結体となるために、ホットプレス焼成を行って
もよい。
上記焼成工程終了時点では、焼結体の燐片状結晶はほと
んど無配向状態である。
んど無配向状態である。
そこで、上記の焼結体を特定の延性金属に挟んだ状態で
ホットフォージング処理する。この処理方法を第１図を
用いて説明する。第１図中、１はｍ粘体、２．３はプレ
スパンチである。本発明によれば、焼結体Ｉとプレスパ
ンチ２．３との間に延性のある金属板４を介して配置し
、プレスパンチ２．３によって入方向に圧力を付与する
と同時に加熱手段６によって加熱を行う。
ホットフォージング処理する。この処理方法を第１図を
用いて説明する。第１図中、１はｍ粘体、２．３はプレ
スパンチである。本発明によれば、焼結体Ｉとプレスパ
ンチ２．３との間に延性のある金属板４を介して配置し
、プレスパンチ２．３によって入方向に圧力を付与する
と同時に加熱手段６によって加熱を行う。
この時の圧力は５０ｋｇ／ｃｍ２以上、加熱温度は８０
０〜８５０°Ｃであることが望ましい。
０〜８５０°Ｃであることが望ましい。
このホントフォージング処理は、繰り返し行うことによ
りさらに焼結体の密度および配向性を高めることが可能
となる。
りさらに焼結体の密度および配向性を高めることが可能
となる。
なお、ホットフォージング処理において用いられる延性
金属板としては銀、白金、金、銅等からなるものが好適
で、厚さ０９０５ｍｍ以上が好適である。
金属板としては銀、白金、金、銅等からなるものが好適
で、厚さ０９０５ｍｍ以上が好適である。
（作用）
本発明の構成によれば、焼成によって得た焼結体を延性
のある金属に挾んだ状態でホットフォージング処理する
点が最も重要である。このような処理を施すと、第１図
における入方向からの圧力によって延性金属４自身がＢ
方向に圧延され、それと同時に焼結体１もＢ方向に圧延
されるために焼結体中の燐片状結晶粒子もＢ方向に配向
されるとともに圧縮され焼結体の密度を高くすることが
できる。
のある金属に挾んだ状態でホットフォージング処理する
点が最も重要である。このような処理を施すと、第１図
における入方向からの圧力によって延性金属４自身がＢ
方向に圧延され、それと同時に焼結体１もＢ方向に圧延
されるために焼結体中の燐片状結晶粒子もＢ方向に配向
されるとともに圧縮され焼結体の密度を高くすることが
できる。
それにより、燐片状結晶同士の密着性が飛躍的に向上す
るために酸化物超電導体の臨界電流密度をさらに高くす
ることができる。
るために酸化物超電導体の臨界電流密度をさらに高くす
ることができる。
また、本発明によれば、上記ホントフォージング処理に
より焼結体内に生成した高Ｔｃ相が分解されて低Ｔｃ相
が生成され易くなるために、最終的に８３０〜８５５°
Ｃの酸化性雰囲気中で非加圧下で１０〜２００時間程度
熱処理することにより粒界の不純物としての低Ｔｃ相量
が低減され、さらに高い臨界電流密度を得ることができ
る。
より焼結体内に生成した高Ｔｃ相が分解されて低Ｔｃ相
が生成され易くなるために、最終的に８３０〜８５５°
Ｃの酸化性雰囲気中で非加圧下で１０〜２００時間程度
熱処理することにより粒界の不純物としての低Ｔｃ相量
が低減され、さらに高い臨界電流密度を得ることができ
る。
以下、本発明を次の例で説明する。
（実施例１）
（１）原料粉末としテＢ ｉ ｚ０３ 、Ｐ ｂ Ｏ，
、Ｓ ｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、ＣｕＯの各粉末を各金属
のモル比がＢｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．９３：
０．３６：２：３．１７＝４．２５となるように秤量後
、７５０〜８１０″Ｃで２０時間仮焼し、粉砕して平均
粒径５μｍの低Ｔｃ相を多量に含む仮焼粉末を得た。
、Ｓ ｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、ＣｕＯの各粉末を各金属
のモル比がＢｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．９３：
０．３６：２：３．１７＝４．２５となるように秤量後
、７５０〜８１０″Ｃで２０時間仮焼し、粉砕して平均
粒径５μｍの低Ｔｃ相を多量に含む仮焼粉末を得た。
（１１）この仮焼粉末をφ１２ｍｍの金型を用いて成形
圧１ｔｏｎ／ｃｍ２で成形して厚み約１ｍｍの円板状成
形体を得た。
圧１ｔｏｎ／ｃｍ２で成形して厚み約１ｍｍの円板状成
形体を得た。
（ｉｉｉ ）上記成形体を大気中で８４０°Ｃの温度で
１５０時間焼成したところ、比重２．０（アルキメデス
法乙こ基づく）の焼結体が得られた。また、組織観察し
たところ、高Ｔｃ相の燐片状の結晶がランダムに配列し
ていた。
１５０時間焼成したところ、比重２．０（アルキメデス
法乙こ基づく）の焼結体が得られた。また、組織観察し
たところ、高Ｔｃ相の燐片状の結晶がランダムに配列し
ていた。
（ｉｖ）次に、この焼結体を第１図に従い、焼結体の上
下面に銀製の厚み０．１ｍｍのプレートを配置し、この
プレートを介して焼結体に対してｌｔ。
下面に銀製の厚み０．１ｍｍのプレートを配置し、この
プレートを介して焼結体に対してｌｔ。
ｎ７ｃｍ２の圧力で８２０ ”Ｃの温度でホットフォー
ジング処理した。このようにして得られた焼結体を試料
Ｎｏ、 １とした。
ジング処理した。このようにして得られた焼結体を試料
Ｎｏ、 １とした。
［特性の評価］
最終的に得られた焼結体に対してアルキメデス法により
比重を調べるとともにＸ線回折測定を行い、Ｘ線回折の
チャートデータに基づき、次式■から（００１）面の配
向度ｆを求めた。
比重を調べるとともにＸ線回折測定を行い、Ｘ線回折の
チャートデータに基づき、次式■から（００１）面の配
向度ｆを求めた。
ｆ ＝（Ｐ−Ｐｏ） ／ （１−Ｐｏ） ・・・・
０式中、 Ｐ（配向試料）−ΣＩ（ＯＯＰ、）、’（ΣＩ（ｈｋｊ
２）＋ΣＩ（ＯＯｆｆ） ） Ｐｏ（未配向試料） −ΣＩ’（ＯＯｆｆ）／ ＣＩ
Ｉ’（ｈｋｆｆ）士ΣＩ’（ＯＯＩ！、） ） さらに、上記焼結体について、抵抗法に基づき、試料を
液体窒素中で電流を徐々に高め、高圧端子に１μＶ／ｃ
ｍの電圧が生じた時の電流値を臨界電流密度Ｊｃとして
求め、同時に臨界温度Ｔｃも測定した。結果は第１表に
示した。
０式中、 Ｐ（配向試料）−ΣＩ（ＯＯＰ、）、’（ΣＩ（ｈｋｊ
２）＋ΣＩ（ＯＯｆｆ） ） Ｐｏ（未配向試料） −ΣＩ’（ＯＯｆｆ）／ ＣＩ
Ｉ’（ｈｋｆｆ）士ΣＩ’（ＯＯＩ！、） ） さらに、上記焼結体について、抵抗法に基づき、試料を
液体窒素中で電流を徐々に高め、高圧端子に１μＶ／ｃ
ｍの電圧が生じた時の電流値を臨界電流密度Ｊｃとして
求め、同時に臨界温度Ｔｃも測定した。結果は第１表に
示した。
（比較例１）
実施例１において、ホットフォージング処理時に延性金
属を何ら用いない以外は、実施例１と全く同様にして焼
結体（試料Ｎｏ、 ２ ）を作成し、同様に特性の評価
を行った。結果は第１表に示した。
属を何ら用いない以外は、実施例１と全く同様にして焼
結体（試料Ｎｏ、 ２ ）を作成し、同様に特性の評価
を行った。結果は第１表に示した。
（実施例２）
実施例１ムこおいて、ホットフォージング処理を焼結体
の上下面に銀製の厚みＱ、１ｍｍのプレートを配置し、
このプレートを介して焼結体に対して１ｔ、Ｏｎ／Ｃｍ
２の圧力で８２０°Ｃの温度で行った後、−旦室温まで
冷却し、再度同じ条件でホ・７トフオージング処理を行
い、最終的にこのホットフォージング処理を３回行った
。
の上下面に銀製の厚みＱ、１ｍｍのプレートを配置し、
このプレートを介して焼結体に対して１ｔ、Ｏｎ／Ｃｍ
２の圧力で８２０°Ｃの温度で行った後、−旦室温まで
冷却し、再度同じ条件でホ・７トフオージング処理を行
い、最終的にこのホットフォージング処理を３回行った
。
得られた焼結体（試料Ｎｏ、 ３ ）に対して、実施例
１と同様に特性の評価を行った。結果は第１表に示した
。
１と同様に特性の評価を行った。結果は第１表に示した
。
（比較例２）
実施例１で得た成形体を大気中８５０°Ｃで焼成した後
、室温で５ｔｏｎ／ｃｍ２で一軸ブレス処理しさらに８
４０°Ｃで５０時間熱処理を行った。
、室温で５ｔｏｎ／ｃｍ２で一軸ブレス処理しさらに８
４０°Ｃで５０時間熱処理を行った。
得られた焼結体（試料Ｎｏ、 ４ ）に対して実施例１
と同様に特性の評価を行った。結果は第１表に示した。
と同様に特性の評価を行った。結果は第１表に示した。
（実施例３）
実施例１及び実施例２で得られたホットフォージング後
の焼結体（試料Ｎｏ、 １および３）に対して８４０°
Ｃの大気中で５０時間熱処理を行い、試籾阻５および６
の試料を得、同様に特性の評価を行った。結果は第１表
に示した。
の焼結体（試料Ｎｏ、 １および３）に対して８４０°
Ｃの大気中で５０時間熱処理を行い、試籾阻５および６
の試料を得、同様に特性の評価を行った。結果は第１表
に示した。
＊印は本発明の範囲外の試料を示す。
第１表から明らかなように、延性金属を挟まずにホット
フォージング処理した比較例１では従来法の比較例２よ
りもいずれの特性も優れたものであったが、ホントフォ
ージング処理に際して延性金属を用いた実施例１は比重
、配向度、Ｊｃ値、Ｔｃ値のいずれにおいてもさらに優
れ、このホットフォージング処理を繰り返すことにより
その効果はさらに顕著となり、また、ホットフォージン
グ処理後に熱処理することによりさらに臨界電流密度の
高い酸化物超電導体を得ることができた。
フォージング処理した比較例１では従来法の比較例２よ
りもいずれの特性も優れたものであったが、ホントフォ
ージング処理に際して延性金属を用いた実施例１は比重
、配向度、Ｊｃ値、Ｔｃ値のいずれにおいてもさらに優
れ、このホットフォージング処理を繰り返すことにより
その効果はさらに顕著となり、また、ホットフォージン
グ処理後に熱処理することによりさらに臨界電流密度の
高い酸化物超電導体を得ることができた。
（発明の効果）
以上、詳述した通り、本発明の方法によれば、酸化物超
電導体、例えば、Ｂ ｉ −３ｒ−Ｃａ−ＣＵ−〇系酸
化物超電導体の作成に際しである程度緻密化した焼結体
をホントフォージング処理するに当たり、延性金属を介
して処理を行うことによって、焼結体の結晶粒子の配向
度を高めるとともに高密度化が達成できるために高臨界
温度を有し且つ臨界電流密度が極めて高い酸化物超電導
体を安定して得ることができる。
電導体、例えば、Ｂ ｉ −３ｒ−Ｃａ−ＣＵ−〇系酸
化物超電導体の作成に際しである程度緻密化した焼結体
をホントフォージング処理するに当たり、延性金属を介
して処理を行うことによって、焼結体の結晶粒子の配向
度を高めるとともに高密度化が達成できるために高臨界
温度を有し且つ臨界電流密度が極めて高い酸化物超電導
体を安定して得ることができる。
このように、臨界電流密度の高い酸化物超電導体が得ら
れることにより酸化物超電導体の実用化をさらに進める
ことができる。
れることにより酸化物超電導体の実用化をさらに進める
ことができる。
第１図は、本発明の酸化物超電導体の製造方法における
ホットフォージング処理を説明するための図である。 １・・・・焼結体 ２．３・・プレスパンチ ４・・・・延性金属板 特許出願人（６６３）京セラ株式会社
ホットフォージング処理を説明するための図である。 １・・・・焼結体 ２．３・・プレスパンチ ４・・・・延性金属板 特許出願人（６６３）京セラ株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸化物超電導体を構成する元素の酸化物あるいは酸化
物形成化合物からなる混合体を成形するか、あるいは該
混合体を仮焼後成形する工程と、該成形体を酸化性雰囲
気中で焼成する工程と、該焼結体を延性金属板を介して
加圧すると同時に加熱処理する工程と、 を具備する酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2136581A JP2969220B2 (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 酸化物超電導体の製造方法 |
| US07/600,194 US5108985A (en) | 1989-11-27 | 1990-10-17 | Bi-Pb-Sr-Ca-Cu oxide superconductor containing alkali metal and process for preparation thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2136581A JP2969220B2 (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0431371A true JPH0431371A (ja) | 1992-02-03 |
| JP2969220B2 JP2969220B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=15178626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2136581A Expired - Fee Related JP2969220B2 (ja) | 1989-11-27 | 1990-05-25 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2969220B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5585815A (en) * | 1992-12-10 | 1996-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display having a switching element for disconnecting a scanning conductor line from a scanning conductor line drive element in synchronization with a level fall of an input video signal |
-
1990
- 1990-05-25 JP JP2136581A patent/JP2969220B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5585815A (en) * | 1992-12-10 | 1996-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display having a switching element for disconnecting a scanning conductor line from a scanning conductor line drive element in synchronization with a level fall of an input video signal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2969220B2 (ja) | 1999-11-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |