JPH04312951A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH04312951A JPH04312951A JP6034291A JP6034291A JPH04312951A JP H04312951 A JPH04312951 A JP H04312951A JP 6034291 A JP6034291 A JP 6034291A JP 6034291 A JP6034291 A JP 6034291A JP H04312951 A JPH04312951 A JP H04312951A
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- lock chamber
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 84
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 abstract 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハ上で成膜，エッ
チング等の処理を行う半導体製造装置に関するものであ
る。
チング等の処理を行う半導体製造装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図４は、例えば従来のロ−ドロック室を
有するマルチチャンバ方式の枚葉式の成膜装置の上面図
である。この図において、３はウエハ搬送ア−ム、４は
ストレ−ジエレベ−タ、５は反応チャンバ、６はロ−ド
ロック室、７はロ−ダ・アンロ−ダ、８はウエハカセッ
ト、９はウエハ、１０は第１のスリットバルブ、１１は
第２のスリットバルブである。
有するマルチチャンバ方式の枚葉式の成膜装置の上面図
である。この図において、３はウエハ搬送ア−ム、４は
ストレ−ジエレベ−タ、５は反応チャンバ、６はロ−ド
ロック室、７はロ−ダ・アンロ−ダ、８はウエハカセッ
ト、９はウエハ、１０は第１のスリットバルブ、１１は
第２のスリットバルブである。
【０００３】また、図５（ａ），（ｂ）は、図４のスト
レ−ジエレベ−タ４の拡大平面図とその側面図であり、
図６は同じくウエハ搬送ア−ム３の拡大平面図である。
レ−ジエレベ−タ４の拡大平面図とその側面図であり、
図６は同じくウエハ搬送ア−ム３の拡大平面図である。
【０００４】次に、動作について説明する。処理したい
ウエハ９が入ったウエハカセット８をロ−ダ・アンロ−
ダ７にセットする。次に、通常真空引きされているロ−
ドロック室６がＮ２ ガスにより大気圧に戻される。ロ
−ドロック室６がロ−ダ・アンロ−ダ７と同じ程度の圧
力になった時点で第１のスリットバルブ１０が開き、図
６に示すウエハ搬送ア−ム３によりウエハ９はウエハカ
セット８から図５に示すストレ−ジエレベ−タ４に搬送
される。
ウエハ９が入ったウエハカセット８をロ−ダ・アンロ−
ダ７にセットする。次に、通常真空引きされているロ−
ドロック室６がＮ２ ガスにより大気圧に戻される。ロ
−ドロック室６がロ−ダ・アンロ−ダ７と同じ程度の圧
力になった時点で第１のスリットバルブ１０が開き、図
６に示すウエハ搬送ア−ム３によりウエハ９はウエハカ
セット８から図５に示すストレ−ジエレベ−タ４に搬送
される。
【０００５】すなわち、図６において、３ａは前記ウエ
ハ搬送ア−ム３を回動させて移動せしめる回動部で、ア
−ム３ｂ，３ｃとウエハ搬送ア−ム３とは回転力を伝え
る伝達ギア３ｄを介して連結され、伸縮自在に構成され
ている。また、ウエハ搬送ア−ム３には図示はしてない
が、真空チャックが装着され、搬送時にウエハ９を吸着
して所定位置へ搬送するようになっている。必要枚数の
搬送が終了した時点で、第１のスリットバルブ１０が閉
じ、ロ−ドロック室６は真空引きされる。その後、ウエ
ハ９はウエハ搬送ア−ム３に乗り、指定した反応チャン
バ５の前に移動し待機する。ロ−ドロック室６が反応チ
ャンバ５と同じ程度の室圧になった時点で指定された反
応チャンバ５の第２のスリットバルブ１１が開きウエハ
９はロ−ドロック室６からその反応チャンバ５に搬送さ
れる。搬送終了後、第２のスリットバルブ１１が閉じウ
エハ９が処理される。処理終了後、第２のスリットバル
ブ１１が開き、ウエハ９はウエハ搬送ア−ム３により反
応チャンバ５からロ−ドロック室６内のストレ−ジエレ
ベ−タ４に搬送される。また、搬送中に第２のスリット
バルブ１１が閉じる。ストレ−ジエレベ−タ４に処理終
了後のウエハ９が全て搬送された時点で、ロ−ドロック
室６はＮ２ ガスにより大気圧に戻される。ロ−ドロッ
ク室６がロ−ダ・アンロ−ダ７と同じ程度の圧力（この
例では大気圧）になった時点で第１のスリットバルブ１
０が開き、ウエハ搬送ア−ム３によりウエハ９はストレ
−ジエレベ−タ４からウエハカセット８に搬送される。 以上の動作を同様にくり返しウエハカセット８内のウエ
ハを全て処理したら最後に第１のスリットバルブ１０が
閉り、ロ−ドロック室６は真空引きされる。
ハ搬送ア−ム３を回動させて移動せしめる回動部で、ア
−ム３ｂ，３ｃとウエハ搬送ア−ム３とは回転力を伝え
る伝達ギア３ｄを介して連結され、伸縮自在に構成され
ている。また、ウエハ搬送ア−ム３には図示はしてない
が、真空チャックが装着され、搬送時にウエハ９を吸着
して所定位置へ搬送するようになっている。必要枚数の
搬送が終了した時点で、第１のスリットバルブ１０が閉
じ、ロ−ドロック室６は真空引きされる。その後、ウエ
ハ９はウエハ搬送ア−ム３に乗り、指定した反応チャン
バ５の前に移動し待機する。ロ−ドロック室６が反応チ
ャンバ５と同じ程度の室圧になった時点で指定された反
応チャンバ５の第２のスリットバルブ１１が開きウエハ
９はロ−ドロック室６からその反応チャンバ５に搬送さ
れる。搬送終了後、第２のスリットバルブ１１が閉じウ
エハ９が処理される。処理終了後、第２のスリットバル
ブ１１が開き、ウエハ９はウエハ搬送ア−ム３により反
応チャンバ５からロ−ドロック室６内のストレ−ジエレ
ベ−タ４に搬送される。また、搬送中に第２のスリット
バルブ１１が閉じる。ストレ−ジエレベ−タ４に処理終
了後のウエハ９が全て搬送された時点で、ロ−ドロック
室６はＮ２ ガスにより大気圧に戻される。ロ−ドロッ
ク室６がロ−ダ・アンロ−ダ７と同じ程度の圧力（この
例では大気圧）になった時点で第１のスリットバルブ１
０が開き、ウエハ搬送ア−ム３によりウエハ９はストレ
−ジエレベ−タ４からウエハカセット８に搬送される。 以上の動作を同様にくり返しウエハカセット８内のウエ
ハを全て処理したら最後に第１のスリットバルブ１０が
閉り、ロ−ドロック室６は真空引きされる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の装置は以上のよ
うに構成されているので、ロ−ドロック室６内の圧力の
変化時の気流の乱れにより異物のまき上げをおこし、そ
の異物がウエハ９に付着する。すなわち、２つの圧力の
異なる部屋（たとえロ−ドロック室６と反応チャンバ５
のようなわずかな圧力差であっても）を仕切っている第
１，第２のスリットバルブ１０，１１を開いたり、ロ−
ドロック室６内をＮ２ ガスで大気圧に戻す場合は、ウ
エハ９の存在している部屋の圧力が変化し気流の乱れを
生じ異物を発生させるが、ウエハ９への異物付着を防止
する機構がなかった。
うに構成されているので、ロ−ドロック室６内の圧力の
変化時の気流の乱れにより異物のまき上げをおこし、そ
の異物がウエハ９に付着する。すなわち、２つの圧力の
異なる部屋（たとえロ−ドロック室６と反応チャンバ５
のようなわずかな圧力差であっても）を仕切っている第
１，第２のスリットバルブ１０，１１を開いたり、ロ−
ドロック室６内をＮ２ ガスで大気圧に戻す場合は、ウ
エハ９の存在している部屋の圧力が変化し気流の乱れを
生じ異物を発生させるが、ウエハ９への異物付着を防止
する機構がなかった。
【０００７】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、室内の圧力変化時にウエハに付
着しようとする異物を極力少なくすることができる半導
体製造装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、室内の圧力変化時にウエハに付
着しようとする異物を極力少なくすることができる半導
体製造装置を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置は、室圧が変化する場合のみ作動しウエハ表面，裏
面および側面への異物付着を防止する異物付着防止機構
を設けたものである。
装置は、室圧が変化する場合のみ作動しウエハ表面，裏
面および側面への異物付着を防止する異物付着防止機構
を設けたものである。
【０００９】
【作用】本発明における異物付着防止機構は、室圧が変
化した場合のみウエハを覆い、異物まき上げによるウエ
ハへの異物付着を防止する。
化した場合のみウエハを覆い、異物まき上げによるウエ
ハへの異物付着を防止する。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図１は本発明の一実施例を示す構成図であり、図２
（ａ），（ｂ）は、図１中のストレ−ジエレベ−タ４の
拡大図と、そのＡ−Ａ′線による断面であり、図３（ａ
），（ｂ）は、図１中のウエハ搬送ア−ム３の拡大図と
その側面図である。これらの図において、図４と同一符
号は同一構成部分を示し、１および２は前記ウエハ９へ
の異物付着を防止する目的で設けられた異物付着防止機
構で、異物付着防止機構１は前記ストレ−ジエレベ−タ
４上のウエハ９への異物付着を防止する目的でストレ−
ジエレベ−タ４を取り囲むように筒状に形成されて設置
された異物付着防止筒であり、異物付着防止機構２は前
記ウエハ搬送ア−ム３上のウエハ９への異物付着を防止
する目的でウエハ９の表面，裏面を被うように設置され
た異物防止板である。
る。図１は本発明の一実施例を示す構成図であり、図２
（ａ），（ｂ）は、図１中のストレ−ジエレベ−タ４の
拡大図と、そのＡ−Ａ′線による断面であり、図３（ａ
），（ｂ）は、図１中のウエハ搬送ア−ム３の拡大図と
その側面図である。これらの図において、図４と同一符
号は同一構成部分を示し、１および２は前記ウエハ９へ
の異物付着を防止する目的で設けられた異物付着防止機
構で、異物付着防止機構１は前記ストレ−ジエレベ−タ
４上のウエハ９への異物付着を防止する目的でストレ−
ジエレベ−タ４を取り囲むように筒状に形成されて設置
された異物付着防止筒であり、異物付着防止機構２は前
記ウエハ搬送ア−ム３上のウエハ９への異物付着を防止
する目的でウエハ９の表面，裏面を被うように設置され
た異物防止板である。
【００１１】次に、動作について説明する。図１におい
て、処理したいウエハ９が入ったウエハカセット８をロ
−ダ・アンロ−ダ７にセットする。次に、通常真空引き
されているロ−ドロック室６がＮ２ガスにより大気圧に
戻される。ロ−ドロック室６がロ−ダ・アンロ−ダ７と
同じ程度の圧力（この例の場合は大気圧）になった時点
で、第１のスリットバルブ１０が開き、ウエハ搬送ア−
ム３によりウエハ９はウエハカセット８からストレ−ジ
エレベ−タ４に搬送される。必要枚数の搬送が終了した
時点で、異物付着防止筒１が上昇しストレ−ジエレベ−
タ４を囲み（図２参照）、第１のスリットバルブ１０が
閉じ、ロ−ドロック室６は真空引きされる。その後、ロ
−ドロック室６の圧力は反応チャンバ５の室圧と同じ程
度の圧力で一定に保たれる。その後、異物付着防止筒１
が下降し、ウエハ９はウエハ搬送ア−ム３に乗り、指定
した反応チャンバ５の前に移動し待機する。次に、異物
付着防止板２がウエハ９をウエハ搬送ア−ム３ごと囲む
（図３参照）。また、この時異物付着防止筒１が上昇し
、ストレ−ジエレベ−タ４を囲む（図２参照）。その後
、第２のスリットバルブ１１が開き、ロ−ドロック室６
と反応チャンバ５の室圧が平均化され安定した時点で異
物付着防止板２がウエハ搬送ア−ム３が動く上で支障の
ない位置へ退避する。また、この時異物付着防止筒１は
下降する。異物付着防止板２の回転軸はウエハ搬送ア−
ム３の支軸と同軸であり、どの反応チャンバ５に搬送す
る際でも異物付着防止板２が搬送時には支障のない位置
に退避することが可能である。その後、ウエハ搬送ア−
ム３によりウエハ９がロ−ドロック室６から反応チャン
バ５に搬送される。搬送終了後第２のスリットバルブ１
１が閉じ、ウエハ９が処理される。処理終了後、第２の
スリットバルブ１１が開きウエハ９はウエハ搬送ア−ム
３により反応チャンバ５からロ−ドロック室６内のスト
レ−ジエレベ−タ４上に搬送される。また、搬送途中で
第２のスリットバルブ１１が閉じる。ストレ−ジエレベ
−タ４に処理終了後のウエハ９が全て搬送された時点で
、異物付着防止筒１が上昇しストレ−ジエレベ−タ４を
囲む（図２参照）。そして、ロ−ドロック室６はＮ２
ガスにより大気圧に戻される。ロ−ドロック室６がロ−
ダ・アンロ−ダ７と同じ程度の圧力（この例の場合は大
気圧）になった時点で第１のスリットバルブ１０が開き
、ロ−ドロック室６が大気圧で安定した時点で異物付着
防止筒１が下降しウエハ９はウエハ搬送ア−ム３により
ストレ−ジエレベ−タ４からウエハカセット８に搬送さ
れる。以上を同様に繰り返し、ウエハカセット８内のウ
エハ９を全て処理したら最後に第１のスリットバルブ１
０が閉り、ロ−ドロック室６は真空引きされる。このよ
うに、室圧が変動する時のみウエハ９を異物付着防止機
構で被うことにより、ウエハ９の表面，側面，および裏
面への異物の付着が防止される。
て、処理したいウエハ９が入ったウエハカセット８をロ
−ダ・アンロ−ダ７にセットする。次に、通常真空引き
されているロ−ドロック室６がＮ２ガスにより大気圧に
戻される。ロ−ドロック室６がロ−ダ・アンロ−ダ７と
同じ程度の圧力（この例の場合は大気圧）になった時点
で、第１のスリットバルブ１０が開き、ウエハ搬送ア−
ム３によりウエハ９はウエハカセット８からストレ−ジ
エレベ−タ４に搬送される。必要枚数の搬送が終了した
時点で、異物付着防止筒１が上昇しストレ−ジエレベ−
タ４を囲み（図２参照）、第１のスリットバルブ１０が
閉じ、ロ−ドロック室６は真空引きされる。その後、ロ
−ドロック室６の圧力は反応チャンバ５の室圧と同じ程
度の圧力で一定に保たれる。その後、異物付着防止筒１
が下降し、ウエハ９はウエハ搬送ア−ム３に乗り、指定
した反応チャンバ５の前に移動し待機する。次に、異物
付着防止板２がウエハ９をウエハ搬送ア−ム３ごと囲む
（図３参照）。また、この時異物付着防止筒１が上昇し
、ストレ−ジエレベ−タ４を囲む（図２参照）。その後
、第２のスリットバルブ１１が開き、ロ−ドロック室６
と反応チャンバ５の室圧が平均化され安定した時点で異
物付着防止板２がウエハ搬送ア−ム３が動く上で支障の
ない位置へ退避する。また、この時異物付着防止筒１は
下降する。異物付着防止板２の回転軸はウエハ搬送ア−
ム３の支軸と同軸であり、どの反応チャンバ５に搬送す
る際でも異物付着防止板２が搬送時には支障のない位置
に退避することが可能である。その後、ウエハ搬送ア−
ム３によりウエハ９がロ−ドロック室６から反応チャン
バ５に搬送される。搬送終了後第２のスリットバルブ１
１が閉じ、ウエハ９が処理される。処理終了後、第２の
スリットバルブ１１が開きウエハ９はウエハ搬送ア−ム
３により反応チャンバ５からロ−ドロック室６内のスト
レ−ジエレベ−タ４上に搬送される。また、搬送途中で
第２のスリットバルブ１１が閉じる。ストレ−ジエレベ
−タ４に処理終了後のウエハ９が全て搬送された時点で
、異物付着防止筒１が上昇しストレ−ジエレベ−タ４を
囲む（図２参照）。そして、ロ−ドロック室６はＮ２
ガスにより大気圧に戻される。ロ−ドロック室６がロ−
ダ・アンロ−ダ７と同じ程度の圧力（この例の場合は大
気圧）になった時点で第１のスリットバルブ１０が開き
、ロ−ドロック室６が大気圧で安定した時点で異物付着
防止筒１が下降しウエハ９はウエハ搬送ア−ム３により
ストレ−ジエレベ−タ４からウエハカセット８に搬送さ
れる。以上を同様に繰り返し、ウエハカセット８内のウ
エハ９を全て処理したら最後に第１のスリットバルブ１
０が閉り、ロ−ドロック室６は真空引きされる。このよ
うに、室圧が変動する時のみウエハ９を異物付着防止機
構で被うことにより、ウエハ９の表面，側面，および裏
面への異物の付着が防止される。
【００１２】なお、上記実施例では、ストレ−ジエレベ
−タ４を使用するタイプのものを示したが、ウエハカセ
ット８をセットする部屋がロ−ドロック室６になる場合
でも、ウエハカセット８全体を囲む異物付着防止筒１を
設ければ同様の効果を奏する。また、上記実施例ではウ
エハ処理を減圧で行う場合を示したが、加圧の場合も同
様である。
−タ４を使用するタイプのものを示したが、ウエハカセ
ット８をセットする部屋がロ−ドロック室６になる場合
でも、ウエハカセット８全体を囲む異物付着防止筒１を
設ければ同様の効果を奏する。また、上記実施例ではウ
エハ処理を減圧で行う場合を示したが、加圧の場合も同
様である。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエハの存在する部屋の圧力が変化する時に必ずウエハ
への異物付着を防止する異物付着防止機構が働くため、
室圧変動による発塵のウエハへの付着を極力少なくする
ことができる。
ウエハの存在する部屋の圧力が変化する時に必ずウエハ
への異物付着を防止する異物付着防止機構が働くため、
室圧変動による発塵のウエハへの付着を極力少なくする
ことができる。
【図１】本発明の一実施例による半導体製造装置の構成
を示す上面図である。
を示す上面図である。
【図２】図１中のストレ−ジエレベ−タの拡大図である
。
。
【図３】図１中のウエハ搬送ア−ムの拡大図である。
【図４】従来の半導体製造装置の構成を示す上面図であ
る。
る。
【図５】図４中のストレ−ジエレベ−タの拡大図である
。
。
【図６】図４中のウエハ搬送ア−ムの拡大図である。
１ 異物付着防止筒
２ 異物付着防止板
３ ウエハ搬送ア−ム
４ ストレ−ジエレベ−タ
５ 反応チャンバ
６ ロ−ドロック室
７ ロ−ダ・アンロ−ダ
８ ウエハカセット
９ ウエハ
１０ 第１のスリットバルブ
１１ 第２のスリットバルブ
Claims (1)
- 【請求項１】 大気圧以外の圧力でウエハを処理する
半導体製造装置において、前記ウエハが存在する部屋の
室圧が変化する場合のみ作動し前記ウエハ表面，裏面お
よび側面への異物付着を防止する異物付着防止機構を設
けたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6034291A JPH04312951A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6034291A JPH04312951A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04312951A true JPH04312951A (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=13139397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6034291A Pending JPH04312951A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04312951A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012059819A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送方法及び記憶媒体 |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP6034291A patent/JPH04312951A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012059819A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送方法及び記憶媒体 |
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