JPH043017A - Plzt光シャッタアレーの電極形成方法 - Google Patents
Plzt光シャッタアレーの電極形成方法Info
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- JPH043017A JPH043017A JP10462190A JP10462190A JPH043017A JP H043017 A JPH043017 A JP H043017A JP 10462190 A JP10462190 A JP 10462190A JP 10462190 A JP10462190 A JP 10462190A JP H043017 A JPH043017 A JP H043017A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はPLZT (透明なセラミック)の複屈折を
利用して平面デイスプレィや光シャッタ等の表、バ装置
に用いるPLZT光シャッタアレーの電極形成方法に係
り、更に詳しくは各光シャッタの駆動電圧を有効に利用
するようにしたPLZT光シャッタアレーの電極形成方
法に関するものである。
利用して平面デイスプレィや光シャッタ等の表、バ装置
に用いるPLZT光シャッタアレーの電極形成方法に係
り、更に詳しくは各光シャッタの駆動電圧を有効に利用
するようにしたPLZT光シャッタアレーの電極形成方
法に関するものである。
〔従 来 例]
近年、PZTにLaを添加した透明なセラミックのPL
ZI’(PbO,LaO,ZrO□、Tie)が光シャ
ッタやデイスプレィに用いられようとしている。このP
LZTを2次元光シヤツタや平面デイスプレィ等の表示
装置に用いる場合、例えば第10図および第11図に示
される表向電極や溝型電極構造が採られる。
ZI’(PbO,LaO,ZrO□、Tie)が光シャ
ッタやデイスプレィに用いられようとしている。このP
LZTを2次元光シヤツタや平面デイスプレィ等の表示
装置に用いる場合、例えば第10図および第11図に示
される表向電極や溝型電極構造が採られる。
第10図に示す表面電極の場合、PLZT基板1上に駆
動電極(信号系)2および共通電極(GND) 3を形
成し、それら電極2,3間に電圧を印加することにより
、内部に電場を発生させ、その部分の偏光面を回転させ
ることにより光透過率を制御することができる。
動電極(信号系)2および共通電極(GND) 3を形
成し、それら電極2,3間に電圧を印加することにより
、内部に電場を発生させ、その部分の偏光面を回転させ
ることにより光透過率を制御することができる。
こ九に対して、第11図に示す溝型電極の場合。
駆動電極4と共通電極5との間に電圧を印加すると、丘
記表面電極の場合より有効な電場を発生させることがで
き、即動電圧の低下が望める。
記表面電極の場合より有効な電場を発生させることがで
き、即動電圧の低下が望める。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、上記表面電極や溝型電極によるPLZT基板に
は以ドの欠点がある。
は以ドの欠点がある。
(])光の透過方向に垂直な電場成分のみが透過率の制
御寄与するにもかかわらず、第10図および第11図の
二点鎖線に示されるように、PLZT基板1内に発生す
る電場がどうしても一曲するため、それら電極間に印加
した電圧が有効に働いていないことになり、即動電圧を
より低下させることが難しい。
御寄与するにもかかわらず、第10図および第11図の
二点鎖線に示されるように、PLZT基板1内に発生す
る電場がどうしても一曲するため、それら電極間に印加
した電圧が有効に働いていないことになり、即動電圧を
より低下させることが難しい。
(2)PLZT基板1に複数の光シャッタを形成した場
合、隣接光シャッタに電場が漏れ、クロストークが悪い
。
合、隣接光シャッタに電場が漏れ、クロストークが悪い
。
(3)PLZT基板1は、電歪特性を有しているため、
電圧印加により歪が生じ、しかもその歪が電極(駆動電
極および共通電極)付近に集中し、光透過率の劣化を招
くだけなく、光漏れが発生する。
電圧印加により歪が生じ、しかもその歪が電極(駆動電
極および共通電極)付近に集中し、光透過率の劣化を招
くだけなく、光漏れが発生する。
この発明は、第12図に示されるように、駆動電@6お
よび共通電極7を光シャッタ8の両端面に形成すれば、
つまり電極6,7を縦型とすれば、各光シャッタ8にお
いて発生する電場が透過する光の方向と直角になり(同
図の二点鎖線に示す)。
よび共通電極7を光シャッタ8の両端面に形成すれば、
つまり電極6,7を縦型とすれば、各光シャッタ8にお
いて発生する電場が透過する光の方向と直角になり(同
図の二点鎖線に示す)。
上記(1)から(3)に示す欠点が解消することに着目
してなされたものであり、その目的はPLZT基板を用
いて縦型電極を簡単な工程で作製することができ、趣!
電極の低ドやクロストークを抑えることができ、歪によ
る光漏れ、寿命の低下の改善を図ることができるように
した)’LZT光シャッタアレーの電極形成方法を提供
することにある。
してなされたものであり、その目的はPLZT基板を用
いて縦型電極を簡単な工程で作製することができ、趣!
電極の低ドやクロストークを抑えることができ、歪によ
る光漏れ、寿命の低下の改善を図ることができるように
した)’LZT光シャッタアレーの電極形成方法を提供
することにある。
[課題を解決するための手段]
■−,記目的を達成す・るために、この発明のPLZT
光シャッタアレーの電極形成方法は、PLZT基板と仮
留め用基板とを可剥#iI能な接着剤で接着し、その円
−ZT基板にリフトオフ可能な樹脂を塗布した後、この
樹脂の面から少なくとも上記接着剤に達する溝を並列に
形成し、上記樹脂の面および溝内に渡って導電膜を形成
し、その後上記樹脂を除去してその樹脂面に形成した導
電膜を剥離し、それら溝と直角方向の溝を所定間隔で形
成し、て上記PLZT基板をマトリックス状に分割して
独立の光シャッタを形成し、しかる後その分割したPL
ZT基板に透明基板を透明接着剤で接着固定し、上記仮
留め用基板を剥離し、上記透明基板に各独立の光シャッ
タを貼り付け、かつ、上記溝に形成した膜をそれら光シ
ャッタの電極としたことを要旨とする。
光シャッタアレーの電極形成方法は、PLZT基板と仮
留め用基板とを可剥#iI能な接着剤で接着し、その円
−ZT基板にリフトオフ可能な樹脂を塗布した後、この
樹脂の面から少なくとも上記接着剤に達する溝を並列に
形成し、上記樹脂の面および溝内に渡って導電膜を形成
し、その後上記樹脂を除去してその樹脂面に形成した導
電膜を剥離し、それら溝と直角方向の溝を所定間隔で形
成し、て上記PLZT基板をマトリックス状に分割して
独立の光シャッタを形成し、しかる後その分割したPL
ZT基板に透明基板を透明接着剤で接着固定し、上記仮
留め用基板を剥離し、上記透明基板に各独立の光シャッ
タを貼り付け、かつ、上記溝に形成した膜をそれら光シ
ャッタの電極としたことを要旨とする。
[作 用コ
4〕記方法としたので、仮留め用基板に貼り付けたPL
ZTj+G板を分割して各独立の光シャッタをマトリッ
クス状に形成する。そして、その仮留め用基板に形成し
たまま、それら各独立した光シャッタを透明の接着剤で
透明基板に接着固定した後、その仮留め用基板を剥離し
たので、透明基板に貼り付けられた各光シャッタは独立
にマトリックス状になる。また、上記PLZT基板を分
割する溝に導電膜を成膜したので、各独立の光シャッタ
の両端はその成膜した導電膜による電極となる。さらに
、それら電極は縦型であるため、各光シヤツタ内部に発
生する電場は略直線状になり、各光シャッタに入射する
光と1@直角となる。
ZTj+G板を分割して各独立の光シャッタをマトリッ
クス状に形成する。そして、その仮留め用基板に形成し
たまま、それら各独立した光シャッタを透明の接着剤で
透明基板に接着固定した後、その仮留め用基板を剥離し
たので、透明基板に貼り付けられた各光シャッタは独立
にマトリックス状になる。また、上記PLZT基板を分
割する溝に導電膜を成膜したので、各独立の光シャッタ
の両端はその成膜した導電膜による電極となる。さらに
、それら電極は縦型であるため、各光シヤツタ内部に発
生する電場は略直線状になり、各光シャッタに入射する
光と1@直角となる。
[実 施 例]
以)、この発明の実施例を第1図乃至第9図に基ついて
説明する。なお、図中、第10図および第11図と同一
部分および相当部分には同一符号を付し重複説明を省略
する。
説明する。なお、図中、第10図および第11図と同一
部分および相当部分には同一符号を付し重複説明を省略
する。
第1図および第2図はこの発明のl’LZT光シャッタ
アレーの電極形成方法により得たPLZT光シャッタア
レー装置の概略的部分斜視図および側断面図を示してお
り、l)L Z T基板1をマトリックス状に分割して
得た各独立の各光シャッタ(画素)laが透明の接着剤
9で透明基板(例えばガラス板)10に接着固定されて
いる。それら光シャッタ1aの両端部には導電膜(金属
膜)11による縦型の電極(駆動電極、共通*極)が形
成されている。
アレーの電極形成方法により得たPLZT光シャッタア
レー装置の概略的部分斜視図および側断面図を示してお
り、l)L Z T基板1をマトリックス状に分割して
得た各独立の各光シャッタ(画素)laが透明の接着剤
9で透明基板(例えばガラス板)10に接着固定されて
いる。それら光シャッタ1aの両端部には導電膜(金属
膜)11による縦型の電極(駆動電極、共通*極)が形
成されている。
次に、上記金属膜11を縦型の電極とする独立の光シャ
ッタ1aの作製工程を説明すると、まず第3図に示され
ているように、PLZT基板1と仮留め用基板12とを
可剥11=I能な接着剤(あるいはワックス等)13で
接着固定した後、そのPLZT基板1にリフトオフ可能
な樹脂、例えばポリイミド樹脂14を塗布する。接着剤
9としては透明のもので、光硬化型や熱硬化型のものを
用いるとよい。
ッタ1aの作製工程を説明すると、まず第3図に示され
ているように、PLZT基板1と仮留め用基板12とを
可剥11=I能な接着剤(あるいはワックス等)13で
接着固定した後、そのPLZT基板1にリフトオフ可能
な樹脂、例えばポリイミド樹脂14を塗布する。接着剤
9としては透明のもので、光硬化型や熱硬化型のものを
用いるとよい。
続いて、第4図に示されているように、塗布したポリイ
ミド樹脂14のFから少なくとも接着剤9に達する深さ
の溝15をダイシングソーによって複数本平行に形成し
、PLZT基板1を完全に複数列に切断する。このとき
、その溝15の深さは、PLZT基板1を完全に切断す
ればよいため、仮留め用基板12に達してもよい。
ミド樹脂14のFから少なくとも接着剤9に達する深さ
の溝15をダイシングソーによって複数本平行に形成し
、PLZT基板1を完全に複数列に切断する。このとき
、その溝15の深さは、PLZT基板1を完全に切断す
ればよいため、仮留め用基板12に達してもよい。
続いて、第5図に示されているように、上記ポリイミド
樹脂14の面および溝15の内面に渡って真空蒸着やス
パッタリング法等によって金属膜11を成膜する。その
後、第6図および第7図に示されているように、塗布し
たポリイミド樹脂14を剥離液によって除去し、例えば
強アルカリ液に浸してポリイミド樹脂14を溶かすと、
そのポリイミド樹脂14のトに成膜した金属膜11が除
去され、金属膜11は溝15の内側のみとなる。
樹脂14の面および溝15の内面に渡って真空蒸着やス
パッタリング法等によって金属膜11を成膜する。その
後、第6図および第7図に示されているように、塗布し
たポリイミド樹脂14を剥離液によって除去し、例えば
強アルカリ液に浸してポリイミド樹脂14を溶かすと、
そのポリイミド樹脂14のトに成膜した金属膜11が除
去され、金属膜11は溝15の内側のみとなる。
続いて、第7図の二点鎖線に示されているように、4−
記溝15より深く、つまり溝15に形成した金属膜12
を完全に切断する程度に深く、かつ、その溝15と直角
の溝16をダイシングソーによって複数本並列に形成す
る。この場合、上記溝15.16の間隔は光シャッタ1
aの大きさに応じて変えればよい。すると、第8図に示
されているように、それら溝15.16により、各独立
した光シャッタ1aが仮留め用基板12にマトリックス
状に形成され、それら光シャッタ1aの両端面の金属膜
11が縦型の電極(駆動電極、共通電極)となる。
記溝15より深く、つまり溝15に形成した金属膜12
を完全に切断する程度に深く、かつ、その溝15と直角
の溝16をダイシングソーによって複数本並列に形成す
る。この場合、上記溝15.16の間隔は光シャッタ1
aの大きさに応じて変えればよい。すると、第8図に示
されているように、それら溝15.16により、各独立
した光シャッタ1aが仮留め用基板12にマトリックス
状に形成され、それら光シャッタ1aの両端面の金属膜
11が縦型の電極(駆動電極、共通電極)となる。
続いて、第9図に示されているように、各種−qの光シ
ャッタ1aのトに透明な接着剤9でガラス板10を接着
し、その後仮留め用基板12を一1!する。
ャッタ1aのトに透明な接着剤9でガラス板10を接着
し、その後仮留め用基板12を一1!する。
この場合、その接着剤を除去する剥離液を用いるとよい
。また、仮留め用基板I2をダイシングソー等によって
切断し、各独立の光シャッタ1aの面を研磨するように
してもよい。これにより、第1図および第2図に示され
ているように、ガラス板lOにはマトリックス状に独1
7シた光シャッタ1aが形成され、しかも各光シャッタ
1aの両端には金属膜11による縦型の電極が形成され
る。
。また、仮留め用基板I2をダイシングソー等によって
切断し、各独立の光シャッタ1aの面を研磨するように
してもよい。これにより、第1図および第2図に示され
ているように、ガラス板lOにはマトリックス状に独1
7シた光シャッタ1aが形成され、しかも各光シャッタ
1aの両端には金属膜11による縦型の電極が形成され
る。
このように、スパッタリング法、リフトオフ法による金
属膜11の成膜およびダイシングソーによる切断等の通
常工程で、独立したPLZTの光シャッタ1aを2次元
に配列し、それら光シャッタ1aの電極(駆動電極およ
び共通電極)を縦型としたので。
属膜11の成膜およびダイシングソーによる切断等の通
常工程で、独立したPLZTの光シャッタ1aを2次元
に配列し、それら光シャッタ1aの電極(駆動電極およ
び共通電極)を縦型としたので。
隣接光シャッタ1aへの電場、歪の漏れがなくなり、ク
ロストークを抑えることができ、またその歪による光漏
れや寿命の低トを改善することができる。さらに、各光
シャッタ↓aの電極が縦型であるため、それら電極間に
発生する′電場が光の透過方向と直角になり、印加電圧
を有効に利用できることができ、駆動電圧の低ドを図る
ことができる。
ロストークを抑えることができ、またその歪による光漏
れや寿命の低トを改善することができる。さらに、各光
シャッタ↓aの電極が縦型であるため、それら電極間に
発生する′電場が光の透過方向と直角になり、印加電圧
を有効に利用できることができ、駆動電圧の低ドを図る
ことができる。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明のPLZT光シャッタア
レーの電極形成方法によれば、PLZT基板と仮留め用
基板とを再剥離可能な接着剤で接着し、その円71r基
板にリフトオフg丁能な樹脂を塗布した後、二の樹脂の
面から少なくとも上記接着剤に達する溝を1猿列に形成
し、に記樹脂の面および溝内に渡って導電膜を形成し、
その後上記樹脂を除去してその樹脂布に形成した導電膜
を剥離し、それら溝と直角方向の溝を所定間隔で形成し
て上記用、ZT基扱をマトリックス状に分割して独立の
光シャッタを形成し、しかる後その分割したPLZT基
板に透明基板を透明接着剤で接着固定し、上記仮留め用
基板を剥離したので、透明基板には各独立の光シャッタ
がマトリックス状に配置され、かつ、上記溝に形成した
導電膜が光シャッタの電極(縦型)になるため、隣接シ
ャッタへの電場や歪が漏れることもなく、したがってク
ロストークを抑えることができ、しかも歪による光漏れ
や寿命の低ドを抑えることかでき、また光シャッタの電
極が縦型であることから、駆動電圧の低下を図ることが
でき、平面デイスプレィや光シャッタ等の表示装置とし
て用いるPLZT光シャッタアレーが実現可能となると
いう効果がある。
レーの電極形成方法によれば、PLZT基板と仮留め用
基板とを再剥離可能な接着剤で接着し、その円71r基
板にリフトオフg丁能な樹脂を塗布した後、二の樹脂の
面から少なくとも上記接着剤に達する溝を1猿列に形成
し、に記樹脂の面および溝内に渡って導電膜を形成し、
その後上記樹脂を除去してその樹脂布に形成した導電膜
を剥離し、それら溝と直角方向の溝を所定間隔で形成し
て上記用、ZT基扱をマトリックス状に分割して独立の
光シャッタを形成し、しかる後その分割したPLZT基
板に透明基板を透明接着剤で接着固定し、上記仮留め用
基板を剥離したので、透明基板には各独立の光シャッタ
がマトリックス状に配置され、かつ、上記溝に形成した
導電膜が光シャッタの電極(縦型)になるため、隣接シ
ャッタへの電場や歪が漏れることもなく、したがってク
ロストークを抑えることができ、しかも歪による光漏れ
や寿命の低ドを抑えることかでき、また光シャッタの電
極が縦型であることから、駆動電圧の低下を図ることが
でき、平面デイスプレィや光シャッタ等の表示装置とし
て用いるPLZT光シャッタアレーが実現可能となると
いう効果がある。
第1図および第2図はこの発明の一実施例を示し、 P
I、ZT光シャッタアレーの電極形成方法が適用される
PLZT光シャッタアレーの概略的部分斜視図および側
断面図、第3図乃至第9図は上記円、ZT光シャッタア
レーの電極形成方法を説明するための工程図、第10図
および第11図はPLZT光シャッタアレーの表面電極
および溝型電極を説明する図、第12図はPLZT光シ
ャッタアレーの縦型電極を説明する図である。 図中、1はPLZT基板、1aは光シャッタ(画素)、
9は接着剤(透明の)、10はガラス板(透明基板)、
11は導電膜(金属膜)、12は仮留め用基板、13は
接着剤、 14はポリイミド樹脂(リフトオフ可能なレ
ジスト等)、15.16は溝である。 特許出願人 株式会社富士通ゼネラル 代理人 弁理士 大 原 拓 也 第6図 9図 第11図 第12図
I、ZT光シャッタアレーの電極形成方法が適用される
PLZT光シャッタアレーの概略的部分斜視図および側
断面図、第3図乃至第9図は上記円、ZT光シャッタア
レーの電極形成方法を説明するための工程図、第10図
および第11図はPLZT光シャッタアレーの表面電極
および溝型電極を説明する図、第12図はPLZT光シ
ャッタアレーの縦型電極を説明する図である。 図中、1はPLZT基板、1aは光シャッタ(画素)、
9は接着剤(透明の)、10はガラス板(透明基板)、
11は導電膜(金属膜)、12は仮留め用基板、13は
接着剤、 14はポリイミド樹脂(リフトオフ可能なレ
ジスト等)、15.16は溝である。 特許出願人 株式会社富士通ゼネラル 代理人 弁理士 大 原 拓 也 第6図 9図 第11図 第12図
Claims (1)
- (1)PLZT基板と仮留め用基板とを再剥離可能な接
着剤で接着し、そのPLZT基板にリフトオフ可能な樹
脂を塗布した後、該樹脂の面から少なくとも前記接着剤
に達する溝を並列に形成し、前記樹脂の面および溝内に
渡って導電膜を形成し、その後前記樹脂を除去してその
樹脂面に形成した導電膜を剥離し、それら溝と直角方向
の溝を所定間隔で形成して前記PLZT基板をマトリッ
クス状に分割して独立の光シャッタを形成し、しかる後
その分割したPLZT基板に透明基板を透明接着剤で接
着固定し、前記仮留め用基板を剥離し、 前記透明基板に各独立の光シャッタを貼り付け、かつ、
前記溝に形成した膜をそれら光シャッタの電極としたこ
とを特徴とするPLZT光シャッタアレーの電極形成方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10462190A JPH043017A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | Plzt光シャッタアレーの電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10462190A JPH043017A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | Plzt光シャッタアレーの電極形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH043017A true JPH043017A (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=14385517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10462190A Pending JPH043017A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | Plzt光シャッタアレーの電極形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH043017A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6247663B1 (en) | 1998-09-02 | 2001-06-19 | Daiwa Seiko, Inc. | Reel for fishing |
US10436058B2 (en) | 2014-10-27 | 2019-10-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Turbine control unit comprising a thermal stress controller as a master controller |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP10462190A patent/JPH043017A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6247663B1 (en) | 1998-09-02 | 2001-06-19 | Daiwa Seiko, Inc. | Reel for fishing |
US10436058B2 (en) | 2014-10-27 | 2019-10-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Turbine control unit comprising a thermal stress controller as a master controller |
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