JPH043014A

JPH043014A - Ｐｌｚｔ光シャッタアレーの電極形成方法

Info

Publication number: JPH043014A
Application number: JP10461790A
Authority: JP
Inventors: Masashi Tsukada; 塚田　昌司
Original assignee: Fujitsu General Ltd
Current assignee: Fujitsu General Ltd
Priority date: 1990-04-20
Filing date: 1990-04-20
Publication date: 1992-01-08

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】「産業上の利用分野」この発明はＰＬＺＴ　（透明なセラミック）の複屈折を
利用して平面デイスプレィや光シャッタ等の表示装置に
用いるＰＬＺＴ光シャッタアレーの電極形成方法に係り
、更に詳しくは各光シャッタの駆動電圧を有効に利用す
るようにした円−ＺＴ光シャッタアレーの′電極形成方
法に関するものである。

［従　来　例」近年、　ＰＺＴにＬａを添加した透明なセラミックのＰ
ＬＺＴ（ＰｂＯ，ＬａＯ，ＺｒＯ，、Ｔｉｅ）が光シャ
ッタやデイスプレィに用いられようとしている。このＰ
ＬＺＴを２次元光シヤツタや平面デイスプレィを表示装
置に用いる場合１例えば第１２図乃至第１５図に示され
る表面電極や溝型電極構造が採られる。

第１２図に示す表面電極の場合、　ＰＬＺＴ基板１上に
静動電極（信号系）２および共通電極（ＧＮＤ）３を形
成し、それら電極２，３間に電圧を印加することにより
、内部に電場を発生させ、その部分の偏光面を回転させ
ることにより光透過率を制御することができる。また、
第１４図に示されるように。

ＰＬＺＴ基板１内に電場をより有効に発生させるため、
そのＰＬＺＴ基板１の両面に駆動電極２および共通電極
３を形成することも考えられる。

これに対して、第】４図に示す溝型電極の場合、駆動電
極４と共通電極５との間に電圧を印加すると、上記表面
電極の場合より有効な電場を発生させることができ、開
動電圧の低下が望める。また。

第１５図に示されるように、上記表面電極と同様の目的
でＰＬＺＴ基板１の両面から駆動電極４および共通電極
５を形成することも考えられる。

Ｃ発明が解決しようとする課題］しかし、上記表面電極や溝型電極によるＰＬＺＴ基板に
は以下の欠点がある。

（１）光の透過方向に垂直な電場成分のみが透過率の制
御寄与するにもかかわらず、第１２図乃至第１５図の二
点鎖線に示されるように、ＰＬＺＴ基板１内に発生する
電場がどうしても彎曲するため、それら電極間に印加し
た電圧が有効に働いていないことになり、屏動電圧をよ
り低下させることが離しし１６（２）ＰＬＺＴ基板１に複数の光シャッタを形成した場
合、隣接光シャッタに電場が漏れ、クロストークか悪い
。

（３）ＰＬＺＴ基板１は、電歪特性を有しているため、
電圧印加により歪が生じ、しかもその歪が電極（＃＃電
極および共通電極）付近に集中し、光ｉ！−率の劣化を
招くだけなく、それら電極部分のＰＬＺＴ基板１内に亀
裂等の破損が発生する。

（４）その電極部分の歪が隣接光シャッタ領域にも及ぶ
ため、光漏れが発生する。

（５）その電圧印加による歪により、ＰＬＺＴ基板１内
に種々モートの振動が発生し、ときによっては振動音に
なる。

この発明は、第１６図に示されるように、駆動電極６お
よび共通電極７を光シャッタ８の両端面に形成すれば、
つまり電極６．７を縦型とし、各光シャッタを縦型とす
れば、各光シャッタ８において発生する電場が透過する
光の方向と直角になり（同図の二点鎖線に示す）、上記
（１）から（５）に示す欠点が解消することに着目して
なされたものであり、その目的はＰＬＺＴ基板を用いて
縦型電極を簡単な工程で作製することができ、駆動電極
の低下やクロストークの向上を図ることができるように
したＰＬＺＴ光シャッタアレーの電極形成方法を提供す
ることにある。

［課題を解決するための手段］上記目的を達成するために、この発明のＰＬＺＴ光シャ
ッタアレーの電極形成方法は、ＰＬＺＴ基板と透明な基
板とを透明接着剤で接着固定した後、このＰＬＺＴ基板
上に少なくともその透明接着剤に達する深さの溝を形成
し、この溝の内側全体に渡って導電膜を成膜するととも
に、その溝より深く、しかもその溝に直角方向の溝を形
成して各独立の光シャッタを得、上記溝に形成した導電
膜を上記独立のシャッタの電極としたことを要旨とする
。

また、この発明において、上記導電膜の成膜は、Ｊコ記
透明な基板に接着固定したＰＬＺＴ基板にリフトオフ可
能な樹脂を塗布した後、上記溝を形成するとともに、上
記ＰＬＺＴ基板の上面および溝の内側に渡って導電膜を
成膜し、その後上記リフトオフ可能な樹脂を剥離して得
るようにしたものである。

［作　　用］上記方法としたので、上記ＰＬＺＴ基板が複数に分割さ
れ、各独立した光シャッタが得られ、しかもそれら光シ
ャッタの両端面が上記溝に形成した金属膜により縦型の
電極となる。したがって、それら縦型の電極に電圧を印
加すると、各光シヤツタ内には直線の電場が発生するた
め、その電場部分の光透過率が良好なものとなる。

［実　　施　　例コ以ド、この発明の実施例を第１図乃至第１２図に基づい
て説明する。なお、図中、第１３図および第１６図と同
一部分および相当部分には同一符号を付し重複説明を省
略する。

第１図および第２図はこの発明のＰＬＺＴ光シャッタア
レーの電極形成方法により得たＰＬＺＴ光シャツタアレ
ー装置の概略的部分断面図および正面図を示しており、
　Ｉ）ＬＺＴの各光シャッタ８は独立に透明の接着剤９
で透明基板（例えばガラス板）１０に接着固定されてい
る。それら光シヤツタ８間に形成した溝１１は少なくと
も接着剤９に達する深さを有し、その内側全体に導電膜
（金属膜）１２が形成されている。また、その溝１１よ
り深く、それに直交するように溝１４が形成されており
、独立のシャッタ８が得られ、それら独立の光シャッタ
８の両端面は金属膜１２による縦型の電極（駆動電極、
共通電極）になっている。また、それら光シャッタ８と
ガラス板１０の間にはスペーサ１３が介在している。

次に、上記金属膜１２を縦型の電極とする独立の光シャ
ッタ８の作製工程を説明すると、まず第３図に示されて
いるように、ＰＬＺＴ基板１を接着剤９でガラス板１０
に接着固定する。接着剤９としては、透明で、ＰＬＺＴ
基板１の振動を吸収するために硬化後も柔軟性を有する
もの、好ましくはシリコン系ゴムを用いるとよい。また
、接着剤９の厚さは、その振動を十分に吸収可能であり
、かつ、その硬化時にＰＬＺＴ基板１に余分な応力が加
わらない程度にする。そのために、ＰＬＺＴ基板１とガ
ラス板１０との間には所定高さのスペーサ１３を設けて
いる。

続いて、第４図に示されているように、ガラス板１０に
接着固定したＰＬＺＴ基板１の表面にリフトオフβ■能
な樹脂、例えばポリイミド樹脂１５を塗布する。その後
、第５図に示されているように、塗布したポリイミド樹
脂１５の上から少なくとも接着剤９に達する深さの溝１
１をダイシングソーによって複数本平行に形成し、ＰＬ
ＺＴ基板１を完全に複数列に切断する。このとき、その
＄１１の深さは−ＰＬＺＴ基板１を完全に切断すればよ
いため、ガラス板１゜に達してもよい。

続いて、第６図および第７図に示されているように、丑
記ポリイミド樹脂１５および複数本の１ｌｌｌｌの内側
面に渡ってスパッタリング法によって金属膜１２を成膜
する。その後、第８図に示されているように、ＰＬＺＴ
基板１上に塗布したポリイミド樹脂１５を剥離液によっ
て除去すると、そのポリイミド樹脂１５の上に成膜した
金属膜１２が除去されることから、金属膜１２は溝１１
の内側のみとなる。

続いて、第８図の二点鎖線に示されているように、複数
本の並列の溝１１より深く、つまり溝１１番こ形成した
金属膜１２を完全に切断する程度に深く、かつ、その溝
１１と直角方向に溝１２をダイシングソーによって複数
本並列に形成する。この場合、上記溝１１．１２の間隔
は光シャッタ８の大きさに応じて変えればよい。それら
溝１１．１２により、第１図および第２図に示されてい
るように、独立した光シャッタ８が得られ、かつ、それ
ら光シャッタ８の両端面の金属膜１２が縦型の電極（駆
動電極、共通電極）となり、それら独立の光シャッタ８
は２次元配列されることになる。

第９図乃至第１１図はこの発明の変形実施例を示すＰＬ
ＺＴ光シャッタアレーの概略的部分側断固および正面図
である。なお１図中、第１図および第２図と同一および
相当部分には同一符号を付し重複説明を省略する。

第９図の場合、上記溝１１の金属膜１２、つまり縦型の
電極である駆動電極（信号系）Ａおよび共通電極（ＧＮ
Ｄ）　Ｂは交互に形成されており、１つの光シャッタ８
はその駆動電極Ａを２つの共通電極Ｂではさむように構
成されている。すなわち、光シャッタ８の電極は３極構
造になっており、隣接光シャッタ８への電場や歪等の漏
れをより防止することができる。

また、第１０図および第１１図の場合、隣接光シャッタ
８との間に溝１１に平行で、少なくとも接着剤９に達す
る溝（分離溝）１６を形成し、１つの光シャッタ８を駆
動電極Ａと共通電極Ｂで構成されており、隣接光シャッ
タへの電場や歪等の漏れを完全に防止することができる
。

このように、スパッタリング法、リフトオフ法による金
属膜１２の成膜およびダイシングソーによる切断等の通
常工程で、独立したＰＬＺＴの光シャッタ８を２次元に
配列し、それら光シャッタ８の電極（１＠動電極および
共通電極）を縦型にすることしたので、ＰＬＺＴ内に発
生する歪を一様にし、その破損を防止することができ、
しかもそれら電極間に発生する電場が光の透過方向と直
角にすることができるため、印加電圧を有効に利用でき
ることになり、より駆動電圧の低下を図ることができる
６さらに、光シャッタ８が独立形式になるため、隣接光
シャッタへの電場や歪等の漏れがなくなり。

クロストークの向上を図ることができる。

［発明の効果ｊ以上説明したように、この発明のＰＬＺＴ光シャッタア
レーの電極形成方法によれば、ＰＬＺＴ基板と透明な基
板とを透明接着剤で接着固定した後、このＰＬＺＴ基板
上に少なくともその透明接着剤に達する深さの溝を形成
し、この溝の内側全体に渡って導電膜を成膜するととも
に、その溝より深く、しかもその溝に直角方向の溝を形
成して各独立の光シャッタを得、上記溝に形成した導電
膜を上記独立のシャッタの電極としたので、各光シャッ
タに印加する駆動電圧の低下を図ることができ、しかも
隣接光シャッタへのクロストークの向上を図ることがで
きるので、平面デイスプレィや光シャッタ等の表示装置
として利用できるＰＬＺＴ光シャッタアレーが実現可能
となるという効果がある６

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はこの発明の一実施例を示し、　Ｐ
ＬＺＴ光シャッタアレーの電極形成方法が適用されるＰ
ＬＺＴ光シャッタアレーの概略的側断面図および正面図
、第３図乃至第８図は上記ＰＬＺＴ光シャッタアレーの
電極形成方法を説明するための工程図、第９図乃至第１
１図はこの発明の変形実施例を示し、ＰＬＺＴ光シャッ
タアレーの電極形成方法が適用されるＰＬＺＴ光シャッ
タアレーの概略的側断面図および正面図、第１２図乃至
第１５図はＰＬＺＴ光シャッタアレーの表面電極および
溝型電極を説明する図、第１６図はＰＬＺＴ光シャッタ
アレーの縦型電極を説明する図である。図中、■はＰＬＺＴの基板、８は光シャッタ、９は接着
剤（透明の）、１０はガラス板（透明基板）、１１゜１
４は溝、１２は金属膜（導電膜）、１３はスペーサ、１
５はポリイミド樹脂（リフトオフ可能な樹脂）、】６は
溝（分離溝）である。特許出願人　　株式会社　富士通ゼネラル代理人　弁理
士　　大　原　拓　也第４図］３］○ Ｏ第７図第１０図第１１図第８図第９図第１２図第１３図第１４図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ＰＬＺＴ基板と透明な基板とを透明接着剤で接着
固定した後、該ＰＬＺＴ基板上に少なくともその透明接
着剤に達する深さの溝を形成し、該溝の内側全体に渡っ
て導電膜を成膜するとともに、その溝より深く、しかも
その溝に直角方向の溝を形成して各独立の光シャッタを
得、前記溝に形成した導電膜を前記独立のシャッタの電
極としたことを特徴とするＰＬＺＴ光シャッタアレーの
電極形成方法。
（２）前記導電膜の成膜は、前記透明な基板に接着固定
したＰＬＺＴ基板にリフトオフ可能な樹脂を塗布した後
、前記溝を形成するとともに、前記ＰＬＺＴ基板の上面
および溝の内側に渡って導電膜を成膜し、その後前記リ
フトオフ可能な樹脂を剥離して得るようにした請求項（
１）記載のＰＬＺＴ光シャッタアレーの電極形成方法。
（３）前記透明な基板にＰＬＺＴ基板を接着固定する際
、それら間にスペーサを介在させるようにした請求項（
１）記載のＰＬＺＴ光シャッタアレーの電極形成方法。