JPH043016A - Plzt光シャッタアレーの電極形成方法 - Google Patents
Plzt光シャッタアレーの電極形成方法Info
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- JPH043016A JPH043016A JP10461990A JP10461990A JPH043016A JP H043016 A JPH043016 A JP H043016A JP 10461990 A JP10461990 A JP 10461990A JP 10461990 A JP10461990 A JP 10461990A JP H043016 A JPH043016 A JP H043016A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はPLZT(透明なセラミック)の複屈折を利
用して平面デイスプレィや光シャッタ等の表示装置に用
いるPLZT光シャッタアレーの電極形成方法に係り、
更に詳しくは各光シャッタの屏動電圧を有効に利用する
ようにしたPLZT光シャッタアレーの電極形成方法に
関するものである。
用して平面デイスプレィや光シャッタ等の表示装置に用
いるPLZT光シャッタアレーの電極形成方法に係り、
更に詳しくは各光シャッタの屏動電圧を有効に利用する
ようにしたPLZT光シャッタアレーの電極形成方法に
関するものである。
[従 来 例]
近年、PZTにLaを添加した透明なセラミックのPL
ZT(PbO,LaO,ZrO2,Tie)は、第7図
に示す構成にすと、光シャッタやデイスプレィに用いる
ことが可能である。すなわち、PLZT基板1に駆動電
極2および共通電極(GND) 3を形成し、そのPL
ZT基板1の両側にそれぞれ偏光子4と検光子5とを配
置し、それら電極2,3に電圧を印加すると、そのPL
ZT基板1内に電場が発生し、この電場で偏光面を回転
させることにより上記偏光子3側からの入射光を透過制
御することができるからである。
ZT(PbO,LaO,ZrO2,Tie)は、第7図
に示す構成にすと、光シャッタやデイスプレィに用いる
ことが可能である。すなわち、PLZT基板1に駆動電
極2および共通電極(GND) 3を形成し、そのPL
ZT基板1の両側にそれぞれ偏光子4と検光子5とを配
置し、それら電極2,3に電圧を印加すると、そのPL
ZT基板1内に電場が発生し、この電場で偏光面を回転
させることにより上記偏光子3側からの入射光を透過制
御することができるからである。
このようにして、PLZTの電気光学効果を利用し、空
間変調素子やパネルデイスプレィが考えられ。
間変調素子やパネルデイスプレィが考えられ。
例えば第8図に示されるように、 PLZT基板1を光
シヤツタアレーとした場合の光学系を考えると、光源6
の前方にPLZT基板1を配置し、このPLZT基板1
に光学系レンズ7を配置し、PLZT基板1の各画素1
aを表示画像に応じて制御することにより。
シヤツタアレーとした場合の光学系を考えると、光源6
の前方にPLZT基板1を配置し、このPLZT基板1
に光学系レンズ7を配置し、PLZT基板1の各画素1
aを表示画像に応じて制御することにより。
任意の画像を得ることが可能である。
しかし、PLZT基板1の中央部にある画素1aと端部
(周辺部)にある画素1aとでは入射光の角度が異なる
ため、それら画素1aを制御する駆動電圧が同じである
と、十分な輝度の画像を得ることが困難である。
(周辺部)にある画素1aとでは入射光の角度が異なる
ため、それら画素1aを制御する駆動電圧が同じである
と、十分な輝度の画像を得ることが困難である。
そこで、第9図に示されるように、PLZT基板1を彎
曲とし、各画素1aに入射する光の角度が略直角になる
ようにすることが考えられる。
曲とし、各画素1aに入射する光の角度が略直角になる
ようにすることが考えられる。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記PLZT基板1がセラミックスであ
るため、そのPLZT基板1に彎曲をもたせて加工する
ことが困難である。また、彎曲したPLZT基板1を得
ることができたとしても、そのPLZT基板1−)=、
に各画素1aを駆動するための電極や配線パターン等を
バターニングする必要があるが、例えば通常のホトリソ
グラフィ工程によってその電極や配線パターン等、特に
微細なパターンをバターニングすることが極めて困難で
ある。
るため、そのPLZT基板1に彎曲をもたせて加工する
ことが困難である。また、彎曲したPLZT基板1を得
ることができたとしても、そのPLZT基板1−)=、
に各画素1aを駆動するための電極や配線パターン等を
バターニングする必要があるが、例えば通常のホトリソ
グラフィ工程によってその電極や配線パターン等、特に
微細なパターンをバターニングすることが極めて困難で
ある。
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その目
的はPLZT基板の各画素を彎曲状に配置できるように
したPLZT光シャッタアレーの電極形成方法を提供す
ることにある。
的はPLZT基板の各画素を彎曲状に配置できるように
したPLZT光シャッタアレーの電極形成方法を提供す
ることにある。
[課題を解決するための手段]
1記目的を達成するために5この発明の光シヤツタアレ
ーの電極形成方法は、PLZT基板の一方の面には所定
間隔でランド電極を形成しており、上記PLZT基板に
接着する柔軟な透明基板(フレキシブルフィルム)には
上記ランド電極に接続するバンプおよびその接続電極を
外部に引き出すための配線パターンを形成しており、上
記PLZT基板と柔軟な透明基板とを透明接着剤で接着
固定した後。
ーの電極形成方法は、PLZT基板の一方の面には所定
間隔でランド電極を形成しており、上記PLZT基板に
接着する柔軟な透明基板(フレキシブルフィルム)には
上記ランド電極に接続するバンプおよびその接続電極を
外部に引き出すための配線パターンを形成しており、上
記PLZT基板と柔軟な透明基板とを透明接着剤で接着
固定した後。
この接着したPLZT基板上にリフトオフ可能な樹脂を
塗布し、そのリフトオフ可能な樹脂の上から上記ランド
電極に対応し、少なくとも接着剤に達する深さの第1の
溝およびこの第1の溝より深く、それに平行な第2の溝
を複数本並列に形成し、その後上記リフトオフ可能な樹
脂および第1の溝。
塗布し、そのリフトオフ可能な樹脂の上から上記ランド
電極に対応し、少なくとも接着剤に達する深さの第1の
溝およびこの第1の溝より深く、それに平行な第2の溝
を複数本並列に形成し、その後上記リフトオフ可能な樹
脂および第1の溝。
第2の溝の内に渡って導電膜を成膜し、そのリフトオフ
可能な樹脂を剥離して上記第1および第2の溝の内側の
みに導電膜を成膜し、しかる後上記第1および第2の溝
に直角で、かつ、第1の溝と第2の溝との中間の深さの
第3の溝を複数本並列に形成し、上記PLZT基板を複
数に分割して独立側索を得、上記第1および第2の溝に
形成した導電膜をL記独立の画素の電極とし、上記透明
基板を折り曲げた際、上記独立の画素がその折り曲げに
沿うようにしたことを要旨とする。
可能な樹脂を剥離して上記第1および第2の溝の内側の
みに導電膜を成膜し、しかる後上記第1および第2の溝
に直角で、かつ、第1の溝と第2の溝との中間の深さの
第3の溝を複数本並列に形成し、上記PLZT基板を複
数に分割して独立側索を得、上記第1および第2の溝に
形成した導電膜をL記独立の画素の電極とし、上記透明
基板を折り曲げた際、上記独立の画素がその折り曲げに
沿うようにしたことを要旨とする。
[作 用コ
上記方法としたので、柔軟な透明基板に接着固定された
PLZT基板がマトリックス状に分割されるため、その
透明基板には各独立した画素が形成される。すなわち、
上記透明基板を自在に折り曲げ可能であり、しかも各独
立の画素はその折り曲げに沿うことになり、例えばその
透明基板を彎曲すれば、光源からの光が各独立の画素に
直角に入射し、各画素の透過光の輝度が良好になる。
PLZT基板がマトリックス状に分割されるため、その
透明基板には各独立した画素が形成される。すなわち、
上記透明基板を自在に折り曲げ可能であり、しかも各独
立の画素はその折り曲げに沿うことになり、例えばその
透明基板を彎曲すれば、光源からの光が各独立の画素に
直角に入射し、各画素の透過光の輝度が良好になる。
また、第1および第2の溝に形成した導電膜がそれら独
立の画素の電極となり、しかもその電極は縦型である。
立の画素の電極となり、しかもその電極は縦型である。
しかって、各独立の画素の電極間に電圧を印加すると、
内部に発生する電場が直線状になるため、各画素の電極
の印加電圧(Wi動電圧)を低下させることが可能にな
り、しかも隣接画素のクロストークや歪等の漏れを防止
することにもなる。
内部に発生する電場が直線状になるため、各画素の電極
の印加電圧(Wi動電圧)を低下させることが可能にな
り、しかも隣接画素のクロストークや歪等の漏れを防止
することにもなる。
[実 施 例]
以下、この発明の実施例を第1図乃至第6図に基づいて
説明する。
説明する。
第1図および第2図はこの発明の電極形成方法により得
たPLZT光シャッタアレーの概略的部分断面図および
正面図を示しており、PLZT基板1の各画素8は透明
の接着剤9で独立に柔軟な透明基板(フレキシブルフィ
ルム)10に接着しており、各画J!8はそのフレキシ
ブルフィルムIOの形状に沿っている。それら各画素8
は、少なくとも接着剤9に達する深さで、ランド電極1
2に接続する金属膜11を形成した第1の溝13.その
第1の溝13より深く、平行で内側に金属膜11を形成
した第2の溝14および第1および第2の溝13.14
に直角で、それらの中間の深さの第3の溝(分割溝:第
1図の二点鎖線に示す)15により、マトリックス状に
分割されている。そして、各独立の画素8は、第1の溝
13に形成された金属膜11による電極(駆動電極)、
第2の溝14に形成された金属膜11による電極(共通
電極)を有し、しかもそれら電極は縦型になっている。
たPLZT光シャッタアレーの概略的部分断面図および
正面図を示しており、PLZT基板1の各画素8は透明
の接着剤9で独立に柔軟な透明基板(フレキシブルフィ
ルム)10に接着しており、各画J!8はそのフレキシ
ブルフィルムIOの形状に沿っている。それら各画素8
は、少なくとも接着剤9に達する深さで、ランド電極1
2に接続する金属膜11を形成した第1の溝13.その
第1の溝13より深く、平行で内側に金属膜11を形成
した第2の溝14および第1および第2の溝13.14
に直角で、それらの中間の深さの第3の溝(分割溝:第
1図の二点鎖線に示す)15により、マトリックス状に
分割されている。そして、各独立の画素8は、第1の溝
13に形成された金属膜11による電極(駆動電極)、
第2の溝14に形成された金属膜11による電極(共通
電極)を有し、しかもそれら電極は縦型になっている。
この場合、各独立の画素8の電極は3極構造になってい
る。
る。
一方、PLZT基板1に貼り合わせたフレキシブルフィ
ルムlOは、上記ランド電極12と対向する位置にバン
ブ16、および金属あるいはITO(、[nduim
Tin0xide)等により、電極を含み、当該バンブ
16を介して第1の溝12の駆動電極を外部に引き出す
ための配線パターン(信号ライン)17を有しており、
その貼り合わせた際、上記ランド電極12とバンブ16
とが接続し、上記ランド電極12に接続している第1の
溝13の駆動電極が外部に引き出しi7能になっている
。
ルムlOは、上記ランド電極12と対向する位置にバン
ブ16、および金属あるいはITO(、[nduim
Tin0xide)等により、電極を含み、当該バンブ
16を介して第1の溝12の駆動電極を外部に引き出す
ための配線パターン(信号ライン)17を有しており、
その貼り合わせた際、上記ランド電極12とバンブ16
とが接続し、上記ランド電極12に接続している第1の
溝13の駆動電極が外部に引き出しi7能になっている
。
次に、−1−記金属膜11を電極とする画素8の作製工
程を説明すると、まず第3図に示されているように、
PLZT基板1の一方の面に所定間隔でランド電極12
を形成する。そのランド電極12の形成面に接着するフ
レキシブルフィルム10には一1二記ランド電極12と
対向してバンブ16を形成するとともに。
程を説明すると、まず第3図に示されているように、
PLZT基板1の一方の面に所定間隔でランド電極12
を形成する。そのランド電極12の形成面に接着するフ
レキシブルフィルム10には一1二記ランド電極12と
対向してバンブ16を形成するとともに。
そのランド電極12を外部に引き出す配線パターン17
を形成する。その後、上記PLZT基板1とフレキシブ
ルフィルムlOとを接着剤9で接着固定し、さらにPL
ZT基板1の他方の面にリフトオフ可能な樹脂、レジス
ト等の高分子膜18を塗布する。接着剤9としては、透
明で、PLZT基板1の振動を吸収するために硬化後も
柔軟性を有するもの、好ましくはシリコン系ゴムを用い
るとよい。なお、上記高分子膜18はPLZT基板1と
フレキシブルフィルム10とを接着固定する前であって
もよい。
を形成する。その後、上記PLZT基板1とフレキシブ
ルフィルムlOとを接着剤9で接着固定し、さらにPL
ZT基板1の他方の面にリフトオフ可能な樹脂、レジス
ト等の高分子膜18を塗布する。接着剤9としては、透
明で、PLZT基板1の振動を吸収するために硬化後も
柔軟性を有するもの、好ましくはシリコン系ゴムを用い
るとよい。なお、上記高分子膜18はPLZT基板1と
フレキシブルフィルム10とを接着固定する前であって
もよい。
続いて、第4図に示されているように、塗布した高分子
膜18の丘から少なくとも接着剤9に達し、かつ、ラン
ド電極12に達する第1の溝13をダイシングソーによ
って複数本平行に形成する。さらに、同じダイシングソ
ーによって、その第1の溝13の間に、それより深い第
2の溝14を複数本形成する。
膜18の丘から少なくとも接着剤9に達し、かつ、ラン
ド電極12に達する第1の溝13をダイシングソーによ
って複数本平行に形成する。さらに、同じダイシングソ
ーによって、その第1の溝13の間に、それより深い第
2の溝14を複数本形成する。
なお、その第1および第2の溝13.14の間隔は画素
8の大きさに応じて変えればよい。
8の大きさに応じて変えればよい。
続いて、第5図および第6図に示されているように、上
記高分子s18の面および第1および第2の溝13.1
4の内側に渡ってスパッタリング法によって金属1I1
11を成膜する。その後、第6図に示されているように
、PLZT基板1の高分子膜18を剥離液によって除去
すると、その高分子膜18の上に成膜した金属膜11が
除去され、第1および第2の溝13の内側の面のみに金
属膜11が残る。
記高分子s18の面および第1および第2の溝13.1
4の内側に渡ってスパッタリング法によって金属1I1
11を成膜する。その後、第6図に示されているように
、PLZT基板1の高分子膜18を剥離液によって除去
すると、その高分子膜18の上に成膜した金属膜11が
除去され、第1および第2の溝13の内側の面のみに金
属膜11が残る。
続いて、第6図の二点鎖線に示されているように、上記
PLZT基板1の上から第1の溝13より深く、かつ、
第2の溝14より浅く、それら第1および第2の溝13
.14と直交するように、ダイシングソーによって第3
の溝15を複数本並列に形成する。すると、PLZT基
板1がマトリックス状に分割され、各独立の画素8が得
られる。それら独立の画素8の両端にある第1および第
2の溝13.14の金属膜11が電極となり、しかもそ
の電極は縦型となる。
PLZT基板1の上から第1の溝13より深く、かつ、
第2の溝14より浅く、それら第1および第2の溝13
.14と直交するように、ダイシングソーによって第3
の溝15を複数本並列に形成する。すると、PLZT基
板1がマトリックス状に分割され、各独立の画素8が得
られる。それら独立の画素8の両端にある第1および第
2の溝13.14の金属膜11が電極となり、しかもそ
の電極は縦型となる。
すなわち、第1図および第2図に示されているように、
フレキシブルフィルム10には各独立した画素8が2次
元配列される。また、フレキシブルフィルムIOを自在
に曲げることができ、2次元に配列されている各画素8
はそのフレキシブルフィルム10に沿うことになる。
フレキシブルフィルム10には各独立した画素8が2次
元配列される。また、フレキシブルフィルムIOを自在
に曲げることができ、2次元に配列されている各画素8
はそのフレキシブルフィルム10に沿うことになる。
このように、ダイシンクソーによる切断、スパッタリン
グ法およびリフトオフ法による金属膜の成膜等の通常工
程で、独立したl)L Z Tの画素8をフレキシブル
フィルム(柔軟な透明基板)10に2次元に配列し、ま
たそれら画素8の電極(駆動電極および共通電極)を縦
型とだので、各画素8の配置をフレキシブルフィルムの
形状にしたがって変えることができ、そのフレキシブル
フィルム10を彎曲にすれると、各画素8がその彎曲に
沿うことになり、例えば第9図の構成とした場合、光源
からの光が各画素8に略直角に入射するようになるため
、十分な輝度の画像を得ることができ、PLZTのデイ
スプレィの実現が=iJ能となる。
グ法およびリフトオフ法による金属膜の成膜等の通常工
程で、独立したl)L Z Tの画素8をフレキシブル
フィルム(柔軟な透明基板)10に2次元に配列し、ま
たそれら画素8の電極(駆動電極および共通電極)を縦
型とだので、各画素8の配置をフレキシブルフィルムの
形状にしたがって変えることができ、そのフレキシブル
フィルム10を彎曲にすれると、各画素8がその彎曲に
沿うことになり、例えば第9図の構成とした場合、光源
からの光が各画素8に略直角に入射するようになるため
、十分な輝度の画像を得ることができ、PLZTのデイ
スプレィの実現が=iJ能となる。
また、各画素8を独立とし、かつ、それら画素8の電極
を縦型にしたので、PLZT内に発生する歪を一様にし
、その破損を防止することができ、しかもそれら電極間
に発生する電場が光の透過方向と直角にすることができ
るため、印加電圧を有効に利用できることになり、より
駆動電圧の低下を図ることができる。さらに、各画素8
が独立形式になるため、隣接画素8への電場の漏れがな
くなり、タロストークの向上を図ることができる。
を縦型にしたので、PLZT内に発生する歪を一様にし
、その破損を防止することができ、しかもそれら電極間
に発生する電場が光の透過方向と直角にすることができ
るため、印加電圧を有効に利用できることになり、より
駆動電圧の低下を図ることができる。さらに、各画素8
が独立形式になるため、隣接画素8への電場の漏れがな
くなり、タロストークの向上を図ることができる。
[発明の効果]
以上説明したように、この発明のPLZT光シャッタア
レーの電極形成方法によれば、PLZT基板の一方の面
には所定間隔でランド電極を形成しており、このPLZ
T基板に接着する柔軟な透明基板にはそのランド電極と
対向する位置にバンプを形成するとともに、このバンプ
を介して上記ランド電極を外部に引き出す配線パターン
を形成しており、上記PLZT基板と柔軟な透明基板と
の接着固定固定した後、そのP L Z T基板の他方
面に少なくとも上記ランド電極に達する溝を複数本並列
に形成するとともに、それら溝に金属膜を成膜するとと
もに、それら溝に直角方向の溝を複数本並列に形成し、
上記PLZT基板をマトリックス状に分割して独立画素
を得、かつ、上記溝に形成した金属膜をその独立の画素
の電極とし、上記柔軟な透明基板を自在に折り曲げた際
、それら独立の画素がその折り曲げに沿うようにしたの
で、柔軟な透明基板を任意の形状にすることができ、か
つ、各画素をその形状に沿わせることができるため、例
えばその各画素を彎曲状に沿わせることにより、光源か
らの光を各画素に略直角に入射させることができ、十分
な輝度が得られるようになり、PLZTによるデイスプ
レィの実現が可能であるという効果大なるものがある。
レーの電極形成方法によれば、PLZT基板の一方の面
には所定間隔でランド電極を形成しており、このPLZ
T基板に接着する柔軟な透明基板にはそのランド電極と
対向する位置にバンプを形成するとともに、このバンプ
を介して上記ランド電極を外部に引き出す配線パターン
を形成しており、上記PLZT基板と柔軟な透明基板と
の接着固定固定した後、そのP L Z T基板の他方
面に少なくとも上記ランド電極に達する溝を複数本並列
に形成するとともに、それら溝に金属膜を成膜するとと
もに、それら溝に直角方向の溝を複数本並列に形成し、
上記PLZT基板をマトリックス状に分割して独立画素
を得、かつ、上記溝に形成した金属膜をその独立の画素
の電極とし、上記柔軟な透明基板を自在に折り曲げた際
、それら独立の画素がその折り曲げに沿うようにしたの
で、柔軟な透明基板を任意の形状にすることができ、か
つ、各画素をその形状に沿わせることができるため、例
えばその各画素を彎曲状に沿わせることにより、光源か
らの光を各画素に略直角に入射させることができ、十分
な輝度が得られるようになり、PLZTによるデイスプ
レィの実現が可能であるという効果大なるものがある。
また、この発明によれば、各独立の画素の電極を縦型
としたので、その電極に印加する即動電圧の低下を図る
ことができ、しかも隣接画素へのクロストークの向上を
図ることができるという効果がある。
としたので、その電極に印加する即動電圧の低下を図る
ことができ、しかも隣接画素へのクロストークの向上を
図ることができるという効果がある。
第1図および第2図はこの発明の一実施例を示し、PL
ZT光シャッタアレーの電極形成方法が適用されるPL
ZT光シャッタアレーの概略的側断面図および正面図、
第3図乃至第6図は上記PLZT光シャッタアレーの電
極形成方法を説明するための工程図、第7図はPLZT
の光透過原理を説明する図、第8図および第9図はPL
ZTを表示装置に用いた場合の概略的構成図である。 図中、1はP L Z ’r基板、8は画素、9は接着
剤(透明の)、10は透明基板(柔軟な;フレキシブル
フィルム)、11は導電膜(金属膜)、12はランド電
極、13は第1の溝(N動電極)、14は第2の溝(共
通電極)、15は第3の溝(分割溝)、16はバンプ、
17は配線パターン(電極を含む)、18は高分子膜(
リフトオフ可能なレジスト等)である。 特許出願人 株式会社 富士通セネラル代理人 弁理
士 大 原 拓 也 第 図 第2図 第 図 ≠−1画素 1画素−m−4 第3図 第4図 第 図 第8図
ZT光シャッタアレーの電極形成方法が適用されるPL
ZT光シャッタアレーの概略的側断面図および正面図、
第3図乃至第6図は上記PLZT光シャッタアレーの電
極形成方法を説明するための工程図、第7図はPLZT
の光透過原理を説明する図、第8図および第9図はPL
ZTを表示装置に用いた場合の概略的構成図である。 図中、1はP L Z ’r基板、8は画素、9は接着
剤(透明の)、10は透明基板(柔軟な;フレキシブル
フィルム)、11は導電膜(金属膜)、12はランド電
極、13は第1の溝(N動電極)、14は第2の溝(共
通電極)、15は第3の溝(分割溝)、16はバンプ、
17は配線パターン(電極を含む)、18は高分子膜(
リフトオフ可能なレジスト等)である。 特許出願人 株式会社 富士通セネラル代理人 弁理
士 大 原 拓 也 第 図 第2図 第 図 ≠−1画素 1画素−m−4 第3図 第4図 第 図 第8図
Claims (2)
- (1)PLZT基板の一方の面には所定間隔でランド電
極を形成しており、前記PLZT基板に接着する柔軟な
透明基板には前記ランド電極に接続するバンプおよびそ
の接続電極を外部に引き出すための配線パターンを形成
しており、 前記PLZT基板と柔軟な透明基板とを透明接着剤で接
着固定した後、該接着したPLZT基板上にリフトオフ
可能な樹脂を塗布し、そのリフトオフ可能な樹脂の上か
ら前記ランド電極に対応し、少なくとも接着剤に達する
深さの第1の溝および該第1の溝より深く、それに平行
な第2の溝を複数本並列に形成し、その後前記リフトオ
フ可能な樹脂および第1の溝、第2の溝の内に渡って導
電膜を成膜し、そのリフトオフ可能な樹脂を剥離して前
記第1および第2の溝の内側のみに導電膜を成膜し、し
かる後前記第1および第2の溝に直角で、かつ、第1の
溝と第2の溝との中間の深さの第3の溝を複数本並列に
形成し、前記PLZT基板を複数に分割して独立画素を
得、前記第1および第2の溝に形成した導電膜を前記独
立の画素の電極とし、前記透明基板を折り曲げた際、前
記独立の画素がその折り曲げに沿うようにしたことを特
徴とするPLZT光シャッタアレーの電極形成方法。 - (2)前記柔軟な透明基板はフレキシブルフィルムであ
る請求項(1)記載のPLZT光シャッタアレーの電極
形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10461990A JP2504279B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | Plzt光シャッタアレ―の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10461990A JP2504279B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | Plzt光シャッタアレ―の電極形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH043016A true JPH043016A (ja) | 1992-01-08 |
JP2504279B2 JP2504279B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=14385459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10461990A Expired - Lifetime JP2504279B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | Plzt光シャッタアレ―の電極形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2504279B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5586374A (en) * | 1994-12-14 | 1996-12-24 | Nishida; Shoichi | Clasp mechanism |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP10461990A patent/JP2504279B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5586374A (en) * | 1994-12-14 | 1996-12-24 | Nishida; Shoichi | Clasp mechanism |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2504279B2 (ja) | 1996-06-05 |
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