JP2504278B2 - Plzt光シャッタアレ―の電極形成方法 - Google Patents

Plzt光シャッタアレ―の電極形成方法

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JP2504278B2
JP2504278B2 JP10461890A JP10461890A JP2504278B2 JP 2504278 B2 JP2504278 B2 JP 2504278B2 JP 10461890 A JP10461890 A JP 10461890A JP 10461890 A JP10461890 A JP 10461890A JP 2504278 B2 JP2504278 B2 JP 2504278B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明はPLZT(透明なセラミック)の複屈折を利用
して平面ディスプレイや光シャッタ等の表示装置に用い
るPLZT光シャッタアレーの電極形成方法に係り、更に詳
しくは各光シャッタの駆動電圧を有効に利用するように
したPLZT光シャッタアレーの電極形成方法に関すもので
ある。
[従 来 例] 近年、PZTにLaを添加した透明なセラミックのPLZT(P
bO,LaO,ZrO2,TiO)が光シャッタやディスプレイに用い
られようとしている。このPLZTを2次元光シャッタや平
面ディスプレイを表示装置に用いる場合、例えば第7図
乃至第10図に示す表面電極や溝型電極の構造が採られ
る。
第7図に示す表面電極の場合、PLZT基板1上に駆動電
極2および共通電極(例えばGND)3を形成し、それら
電極間に電圧を印加することにより、内部に電場を発生
させ、その部分のへ偏光面を回転させることにより光透
過率を制御することができる。また、第8図に示される
ように、PLZT基板1内に電場をより有効に発生させるた
め、そのPLZT基板1の両面に駆動電極2および共通電極
3を形成することも考えられる。
これに対して、第9図に示す溝型電極の場合、駆動電
極4と共通電極5との間に電圧を印加をすると、上記表
面電極の場合より有効な電場を発生させることができ、
駆動電圧の低下が望める。また、第10図に示されている
ように、上記表面電極と同様の目的でPLZT基板1の両面
から駆動電極4および共通電極5を形成することも考え
られる。
[発明が解決しようとする課題] しかし、上記表面電極や溝型電極によるPLZT基板には
以下の欠点がある。
(1)光の透過方向に垂直な電場成分のみが透過率の制
御寄与するにもかかわらず、第7図乃至第10図の二点鎖
線に示されるように、PLZT基板1内に発生する電場がど
うしても彎曲するため、それら電極間に印加した電圧が
有効に働いていないことになり、駆動電圧をより低下さ
せることが難しい。
(2)PLZT基板1の複数の画素を形成した場合、隣接画
素に電場が漏れ、クロストークが悪い。
(3)PLZT基板1は、電歪特性を有しているため、電圧
印加により歪が生じ、しかもその歪が電極(駆動電極お
よび共通電極)付近に集中し、光透過率の劣化を招くだ
けでなく、それら電極部分のPLZT基板1内に亀裂等の破
損が発生する。
(4)その電極部分の破損が隣接画素領域にも及ぶた
め、光漏れが発生する。
(5)その電圧印加による歪により、PLZT基板1内に種
々モードの振動が発生し、ときによっては振動音にな
る。
この発明は、第11図に示されるように、駆動電極6お
よび共通電極7を独立の縦型電極とすれば、各PLZT8に
おいて発生する電場が透過する光の方向と直角になり
(同図の二点鎖線に示す)、上記(1)から(5)に示
す欠点が解消することに着目してなされたものであり、
その目的はPLZT基板を用いて縦型電極を簡単な工程で作
製するごとができ、駆動電極の低下やクロストークの向
上を図ることができるようにしたPLZT光シャッタアレー
の電極形成方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するために、この発明のPLZT光シャッ
タアレーの電極形成方法は、PLZT基板の片面には所定間
隔でランド電極を形成しており、そのPLZT基板に接着す
る透明基板にはそのランド電極と対向する位置にバンプ
を形成するとともに、このバンプを介して上記ランド電
極を外部に引き出すための配線パターンを形成してお
り、上記PLZT基板と透明基板とを透明な接着剤で接着固
定した後、上記PLZT基板上から少なくとも上記ランド電
極に達する深さの溝を形成した後、その溝に導電膜を成
膜するとともに、その溝に直角の溝を形成し、上記PLZT
基板をマトリックス状に分割して独立画素を得、かつ、
上記溝に形成した導電膜上記独立画素の電極としたこと
を要旨とする。
また、この発明のPLZT光シャッタアレーの電極形成方
法は、PLZT基板の一方の面には所定間隔でランド電極を
形成しており、そのPLZT基板に透明な接着剤で接着する
透明基板には上記ランド電極に対向する位置にバンプを
形成するとともに、このバンプを介して上記ランド電極
を外部に引き出すための配線パターンを形成しており、
上記PLZT基板と透明な基板とを透明接着剤で接着固定し
た後、この接着したPLZT基板にリフトオフ可能な樹脂を
塗布するとともに、そのリフトオフ可能な樹脂の上から
少なくとも上記ランド電極に達する深さの第1の溝およ
びこの第1の溝より深く、かつ、平行な第2の溝を形成
し、その後上記リフトオフ可能な樹脂の塗布面および第
1、第2の溝の内に渡って導電膜を成膜し、その後リフ
トオフ可能な樹脂を剥離し、上記第1および第2の溝に
直角で、かつ、第1の溝と第2の溝との中間の深さの第
3の溝を形成し、上記PLZT基板を複数の独立画素にする
とともに、上記第1および第2の溝に残った金属膜を上
記独立画素の電極としたものである。
[作用] 上記方法としたので、PLZT基板が複数に分割され、独
立の画素が複数個得られ、かつ、それら画素の両端は第
1および第2の溝に形成した金属膜により縦型の電極と
なる。また、第1の溝に形成した金属膜がランド電極に
接続しており、そのランド電極がバンプを介して記録パ
ターンに接続されるので、各独立画素の電極をその配線
パターンを介して外部に引き出すことができる。さら
に、各独立画素を駆動した際、それら独立画素の電極が
縦型であるため、内部に発生する電場が直線状になり、
各独立画素の電極間に印加する電圧を低くすることがで
き、しかも隣接画素のクロストークや歪等の漏れを防止
することができる。
[実 施 例] 以下、この発明の実施例を第1図乃至第6図に基づい
て説明する。
第1図および第2図はこの発明の電極形成方法により
得たPLZT光シャッタアレーの概略的部分断面図および正
面図を示しており、PLZT基板(第7図乃至第10図と同
じ)1の各画素8aは透明の接着剤9で独立に透明基板
(例えばガラス板)10と接着固定している。それら各画
素8aは、少なくとも接着剤9に達する深さで、ランド電
極12に接続する金属膜(導電膜)11を形成した第1の溝
13、その第1の溝14より深く、平行で内側に金属膜(導
電膜)11を成膜した第2の溝14および第1および第2の
溝13,14に直角で、それらの中間の深さの第3の溝(分
割溝;第1図の二点鎖線に示す)15により、マトリック
ス状に分割されている。そして、各独立の画素8aは、第
1の溝13に形成された金属膜11による電極(駆動電
極)、第2の溝14に形成された金属膜11による電極(共
通電極)を有し、しかもそれら電極は縦型になってい
る。
一方、PLZT基板1に貼り合わせたガラス板10は、上記
第1の溝13に形成された金属膜11と接続するランド電極
12と対向する位置にバンプ16、金属あるいはITO(Indui
m Tin Oxide)等による電極を含み、当該バンプ16を介
して駆動電極を外部に引き出す配線パターン(信号ライ
ン)17を有しており、その貼り合わせた際、上記ランド
電極12とバンプ16とが接続し、上記ランド電極12に接続
している金属膜11を外部に引き出すことができるように
なっている。この場合、各独立の画素8aは、第1および
第2の溝13,14に形成した金属膜11による3極の電極構
造を有している。
次に、上記第1および第2の溝13,14に形成した金属
膜11を電極とする独立の画素8aの作製工程を説明する
と、まず第3図に示されているように、PLZT基板1の一
方の面に所定間隔でランド電極12を形成し、かつ、その
他方の面にリフトオフ可能な樹脂、例えばレジスト等の
高分子膜18を塗布する。一方、そのランド電極12の形成
面に接着するガラス板10に上記ランド電極12と対向する
位置にバンプ16を形成するとともに、そのランド電極12
を外部に引き出す配線パターン17を形成する。その後、
第4図に示されているように、上記PLZT基板1とガラス
板10とを接着剤9で接着固定する。接着剤9としては、
透明で、PLZT基板1の振動を吸収するために硬化後も柔
軟性を有するもの、好ましくはシリコン系ゴムを用いる
とよい。また、接着剤9の厚さは、その振動を十分に吸
収可能であり、かつ、その硬化時にPLZT基板1に余分な
応力が加わらない程度にする。なお、上記高分子膜18は
PLZT基板1とガラス板10とを接着固定した後であっても
よい。
続いて、第4図に示されているように、塗布した高分
子膜18の上から少なくとも接着剤9に達し、かつ、ラン
ド電極12に達する第1の溝13をダイシングソーによって
複数本水平に形成する。さらに、同じダイジングソーに
よって、その第1の溝13に平行で、それより深い第2の
溝14を複数本形成する。なお、その第1および第2の溝
13,14の間隔は画素8aの大きさに応じて変えればよい。
続いて、第5図および第6図に示されているように、
上記高分子膜18の面および第1および第2の溝13,14の
内側に渡ってスパッタリング法によって金属膜11を成膜
する。その後、第6図および第9図に示されているよう
に、PLZT基板1上に塗布した高分子膜18を剥離液によっ
て除去すると、その高分子膜18の上に成膜した金属膜11
が除去されることから、金属膜11は第1および第2の溝
13の内側の面のみとなる。
続いて、第6図の二点鎖線に示されているように、ダ
イシングソーによって上記第1の溝13より深く、第2の
溝4より浅く、つまりそれらの中間の深さでそれらに直
交する第3の溝15を複数本並列に形成する。すると、PL
ZT基板1がマトリックス状に分割されるため、各独立の
画素8aを得ることができ、しかも各独立の画素8aには第
1および第2の溝13,14に形成した金属膜11による縦型
の電極が形成される。したがって、第1図および第2図
に示されているように、PLZT基板1は縦型の電極を有す
る独立の画素8aを2次元配列したものとなる。
このように、ダイシングソーによる切断、スパッタリ
ング法およびリフトオフ法による金属膜の成膜等の通常
工程で、独立したPLZTの画素8aを2次元に配列し、また
それら画素8aの電極(駆動電極および共通電極)を縦型
にすることしたので、PLZT内に発生する歪を一様にし、
その破損を防止することができ、しかもそれら電極間に
発生する電場が光の透過方向と直角にすることができる
ため、印加電圧を有効に利用できることになり、より駆
動電圧の低下を図ることができる。さらに、各画素8aが
独立形式になるため、隣接画素8aへの電極の漏れがなく
なり、クロストークの向上を図ることができる。
[発明の効果] 以上説明したように、この発明のPLZT光シャッタアレ
ーの電極形成方法によれば、PLZT基板の片面には所定間
隔でランド電極を形成しており、そのPLZT基板に接着す
る透明基板にはそのランド電極と対向する位置にバンプ
を形成するとともに、このバンプを介して上記ランド電
極を外部に引き出すための配線パターンを形成してお
り、上記PLZT基板と透明基板とを透明な接着剤で接着固
定した後、上記PLZT基板上から少なくとも上記ランド電
極に達する深さの溝を形成し、かつ、その溝に導電膜を
成膜し、その後その溝に直角の溝を形成し、上記PLZT基
板をマトリックス状に分割して各独立画素を得、かつ、
上記溝に形成した導電膜をそれら独立画素の電極とした
ので、各画素の電極が縦型になるため、その電極間に印
加する駆動電極の低下を図ることができ、しかも隣接画
素へのクロストークの向上を図ることができるので、平
面ディスプレイや光シャッタ等の表示装置としてのPLZT
光シャッタアレーが実現可能となるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図はこの発明の一実施例を示し、PLZT
光シャッタアレーの電極形成方法が適用されるPLZT光シ
ャッタアレーの概略的側断面図および正面図、第3図乃
至第6図は上記PLZT光シャッタアレーの電極形成方法を
説明するための工程図、第7図乃至第10図はPLZT光シャ
ッタアレーの表面電極および溝型電極を説明する図、第
11図はPLZT光シャッタアレーの縦型電極を説明する図で
ある。 図中、1はPLZT基板、8aは画素、9は接着剤(透明
の)、10は透明基板(ガラス板)、11は導電膜(金属
膜)、12はランド電極、13は第1の溝(駆動電極)、14
は第2の溝(共通電極)、15は第3の溝(分割溝)、16
はバンプ、17は配線パターン(電極を含む)、18は高分
子膜(リフトオフ可能なレジスト膜等)である。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】PLZT基板の片面には所定間隔でランド電極
    を形成しており、そのPLZT基板に接着する透明基板には
    そのランド電極と対向する位置にバンプを形成するとと
    もに、該バンプを介して前記ランド電極を外部に引き出
    すための配線パターンを形成しており、 前記PLZT基板と透明基板とを透明な接着剤で接着固定し
    た後、前記PLZT基板上から少なくとも前記ランド電極に
    達する深さの溝を形成した後、その溝に導電膜を成膜す
    るとともに、その溝に直角の溝を形成し、前記PLZT基板
    をマトリックス状に分割して独立画素を得、かつ、前記
    溝に形成した導電膜を前記独立画素の電極としたことを
    特徴とするPLZT光シャッタアレーの電極形成方法。
  2. 【請求項2】PLZT基板の一方の面には所定間隔でランド
    電極を形成しており、そのPLZT基板に透明な接着剤で接
    着する透明基板には前記ランド電極に対向する位置にバ
    ンプを形成するとともに、該バンプを介して前記ランド
    電極を外部に引き出すための配線パターンを形成してお
    り、 前記PLZT基板と透明な基板とを透明接着剤で接着固定し
    た後、該接着したPLZT基板にリフトオフ可能な樹脂を塗
    布するとともに、そのリフトオフ可能な樹脂の上から少
    なくとも前記ランド電極に達する深さの第1の溝および
    該第1の溝より深く、かつ、平行な第2の溝を形成し、
    その後前記リフトオフ可能な樹脂の塗布面および第1、
    第2の溝の内に渡って導電膜を成膜し、その後リフトオ
    フ可能な樹脂を剥離し、前記第1および第2の溝に直角
    で、かつ、第1の溝と第2の溝との中間の深さの第3の
    溝を形成し、 前記PLZT基板を複数の独立画素にするとともに、前記第
    1および第2の溝に残った金属膜を前記独立画素の電極
    としたことを特徴とするPLZT光シャッタアレーの電極形
    成方法。
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