JPH04300202A - 酸化物を用いた超電導体及びその作製方法 - Google Patents
酸化物を用いた超電導体及びその作製方法Info
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- JPH04300202A JPH04300202A JP3066001A JP6600191A JPH04300202A JP H04300202 A JPH04300202 A JP H04300202A JP 3066001 A JP3066001 A JP 3066001A JP 6600191 A JP6600191 A JP 6600191A JP H04300202 A JPH04300202 A JP H04300202A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液体ヘリウムまた液体
窒素で冷却することによって超電導性を発現する酸化物
系超電導物質を用いることによって、液体ヘリウムまた
液体窒素で冷却することにより超電導電流を流すことを
可能にする超電導体及びそれらの製造方法に関する。
窒素で冷却することによって超電導性を発現する酸化物
系超電導物質を用いることによって、液体ヘリウムまた
液体窒素で冷却することにより超電導電流を流すことを
可能にする超電導体及びそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の酸化物系高温超電導物質は、第３
回国際超電導シンポジウム・プログラム＆アブストラク
ト １９９０年１１月６日−９日，第９３頁に記載の
如く、超電導物質に印加される磁場を大きくした場合に
は、ほとんど超電導電流が流れないという報告がなされ
ている。従って実際に超電導応用製品の作製が困難であ
った。
回国際超電導シンポジウム・プログラム＆アブストラク
ト １９９０年１１月６日−９日，第９３頁に記載の
如く、超電導物質に印加される磁場を大きくした場合に
は、ほとんど超電導電流が流れないという報告がなされ
ている。従って実際に超電導応用製品の作製が困難であ
った。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、磁場
中における超電導臨界電流密度を充分大きな値として確
保することについて配慮がなされておらず、僅かな磁場
が超電導物質に印加されただけで臨界電流密度が大きく
低下するという問題があった。
中における超電導臨界電流密度を充分大きな値として確
保することについて配慮がなされておらず、僅かな磁場
が超電導物質に印加されただけで臨界電流密度が大きく
低下するという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、酸化物系高温超電導物質
を用いた超電導体の臨界磁界を高め、磁場中においても
高い臨界電流密度を有する超電導体を提供することであ
る。
を用いた超電導体の臨界磁界を高め、磁場中においても
高い臨界電流密度を有する超電導体を提供することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、超電導体の
構成を、酸化物超電導物質のマトリックスの中に、その
超電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以上
の元素を別の元素で置換することによって得られるその
超電導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物質を導入す
ることにより達成される。
構成を、酸化物超電導物質のマトリックスの中に、その
超電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以上
の元素を別の元素で置換することによって得られるその
超電導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物質を導入す
ることにより達成される。
【０００６】第二種超電導体である酸化物系高温超電導
物質を適当な温度に冷却し、超電導状態にしたものを磁
場中に保持すると、量子化された磁束線が超電導物質中
に侵入する。この状態で超電導物質に電流を流すと磁束
線にローレンツ力が働いて、磁束線が超電導物質の中を
動くことになる。磁束線が動くことによるエネルギーの
損失に伴い超電導物質に電気抵抗が発生する。従って、
磁場中においてより高い超電導臨界電流密度を確保する
ためには、超電導部物質内部に侵入した磁束線が、電流
を流した状態においても動かないようにすることが必要
である。金属系及び金属間化合物系の超電導物質を用い
た従来の超電導線材においては、超電導物質のマトリッ
クスの内部に超電導性の弱い結晶粒界あるいは超電導で
はない析出物を導入し、この部分（ピニングセンター）
に量子化された磁束線をトラップして侵入した磁束線を
動かないようにして、磁場中においても実質上抵抗の発
生のない状態で電流を流せるようにした超電導体を作製
している。我々は酸化物系高温超電導物質を用いた磁場
中においても多くの超電導電流を流すことが可能である
超電導体の研究開発を行ってきて、酸化物超電導物質の
マトリックスの中に、その超電導物質を構成する元素の
うちの一種またはそれ以上の元素を別の元素で置換する
ことによって得られるその超電導物質と類似結晶構造を
持つ非超電導物質を導入した超電導体において、磁場中
においても多くの超電導電流を流すことが可能であるこ
とを見い出し本発明に至った。
物質を適当な温度に冷却し、超電導状態にしたものを磁
場中に保持すると、量子化された磁束線が超電導物質中
に侵入する。この状態で超電導物質に電流を流すと磁束
線にローレンツ力が働いて、磁束線が超電導物質の中を
動くことになる。磁束線が動くことによるエネルギーの
損失に伴い超電導物質に電気抵抗が発生する。従って、
磁場中においてより高い超電導臨界電流密度を確保する
ためには、超電導部物質内部に侵入した磁束線が、電流
を流した状態においても動かないようにすることが必要
である。金属系及び金属間化合物系の超電導物質を用い
た従来の超電導線材においては、超電導物質のマトリッ
クスの内部に超電導性の弱い結晶粒界あるいは超電導で
はない析出物を導入し、この部分（ピニングセンター）
に量子化された磁束線をトラップして侵入した磁束線を
動かないようにして、磁場中においても実質上抵抗の発
生のない状態で電流を流せるようにした超電導体を作製
している。我々は酸化物系高温超電導物質を用いた磁場
中においても多くの超電導電流を流すことが可能である
超電導体の研究開発を行ってきて、酸化物超電導物質の
マトリックスの中に、その超電導物質を構成する元素の
うちの一種またはそれ以上の元素を別の元素で置換する
ことによって得られるその超電導物質と類似結晶構造を
持つ非超電導物質を導入した超電導体において、磁場中
においても多くの超電導電流を流すことが可能であるこ
とを見い出し本発明に至った。
【０００７】超電導物質中に侵入した量子化された磁束
線をトラップして、電流を流した場合でも、磁束線が動
いて電気抵抗が発生しないように磁束線を固定化する働
きのある部分をピンニングセンターと呼ぶ。超電導物質
で構成されたマトリックス中に非超電導部分を導入する
と、該超電導物質が超電導状態に相転移する温度（以下
Ｔｃと略記する）以下の温度において、侵入した量子化
された磁束線にとっては非超電導部分はエネルギー的に
低い部分となり、磁束線はこの非超電導部分に優先的に
存在することになる。即ち超電導物質のマトリックス中
に非超電導部分を導入するとそれはすべてピニングセン
ターとなる可能性を持っている。しかしながら、ピンニ
ングセンターを形成している物質の種類、非超電導部分
の大きさ，形状，分布状態，非超電導部分同士の距離，
超電導物質と非超電導物質の界面の接合状態によって、
量子化された磁束線を固定する力（ピンニングホース）
は大きく違ってくる。
線をトラップして、電流を流した場合でも、磁束線が動
いて電気抵抗が発生しないように磁束線を固定化する働
きのある部分をピンニングセンターと呼ぶ。超電導物質
で構成されたマトリックス中に非超電導部分を導入する
と、該超電導物質が超電導状態に相転移する温度（以下
Ｔｃと略記する）以下の温度において、侵入した量子化
された磁束線にとっては非超電導部分はエネルギー的に
低い部分となり、磁束線はこの非超電導部分に優先的に
存在することになる。即ち超電導物質のマトリックス中
に非超電導部分を導入するとそれはすべてピニングセン
ターとなる可能性を持っている。しかしながら、ピンニ
ングセンターを形成している物質の種類、非超電導部分
の大きさ，形状，分布状態，非超電導部分同士の距離，
超電導物質と非超電導物質の界面の接合状態によって、
量子化された磁束線を固定する力（ピンニングホース）
は大きく違ってくる。
【０００８】我々は、種々の酸化物超電導物質に対して
、その超電導物質と組み合わせるのに最も適した（最も
ピンニングホースの大きい）物質の開発，ピンニングセ
ンターの大きさ，分散状態などに関して研究を行ってき
た。そしてその結果、超電導物質として使用する酸化物
超電導物質と格子定数ができるだけ近くかつ結晶構造が
同様である非超電導物質を、ピンニングセンターを形成
する物質として採用するときにピンニングホースのかな
り強い、即ち磁場中においても超電導臨界電流密度（以
下”磁場中Ｊｃ”と略記する）の高い超電導体を作製す
ることができることを発見するに至った。そしてこの時
、該超電導物質と該非超電導物質の他に、これらの物質
と超電導体を作製する温度において実質的に反応を起こ
さない金属を同時に含むような構成で超電導体を作製す
ると、磁場中Ｊｃの高い超電導体の作製が、プロセス的
に容易になる。金属部分は全体的に均一に分散している
ことが望ましく、その体積分率は５０％以下、好ましく
は２０％以下が望ましい。超電導体を構成する酸化物超
電導物質と非超電導物質の比率は、非超電導物質の割合
が小さすぎるとトータルとしてのピンニングホースが小
さくなりすぎて磁場中のＪｃは高くならない。また非超
電導物質の割合が多くなりすぎると相対的に超電導部分
の割合が少なくなりすぎることになり、Ｊｃは高くなら
ない。従って非超電導物質と超電導物質の構成比率には
適正な範囲が存在し、我々が検討した結果は、酸化物超
電導物質に対する非超電導物質の体積比率は０．０１
から１０であることが望ましく、好ましくは０．０１
から１であることが望ましい。多結晶体から成る酸化物
超電導物質を用いた超電導体に超電導電流を流す場合、
一般的には結晶粒界での超電導接合部分が、結晶粒子内
の超電導状態よりも超電導臨界電流密度（Ｊｃ）が低い
ので、非超電導物質は超電導物質の結晶粒界部分にある
よりも超電導物質の結晶粒子の内部に存在している方が
、超電導体のＪｃを高くするためには有利である。 超電導物質の結晶粒子の内部に析出させる非超電導物質
と超電導物質の比率は、非超電導物質の割合が小さすぎ
るとトータルとしてのピンニングホースが小さくなりす
ぎて磁場中のＪｃは高くならない。また非超電導物質の
割合が多くなりすぎると相対的に超電導部分の割合が少
なくなりすぎることになり、Ｊｃは高くならない。従っ
て非超電導物質と超電導物質の構成比率には適正な範囲
が存在し、我々が検討した結果は、酸化物超電導物質に
対する非超電導物質の体積比率は０．０１ から１０で
あることが望ましく、好ましくは０．０１ から１であ
ることが望ましい。超電導物質の結晶粒子の内部に析出
させる非超電導物質粒子の大きさは、小さすぎると量子
化された磁束線がエネルギーの谷間として感じることが
できず、ピンニングセンターとして働かない。また非超
電導物質粒子が大きくなりすぎるとエネルギーの谷間が
なだらかになりすぎて、ピンニングセンターとして働き
は悪くなりＪｃは高くならない。従って非超電導物質粒
子の大きさには適正な範囲が存在し、我々が検討した結
果は、非超電導物質の平均の粒子径として４オングスオ
ロームから１マイクロメートルであることが望ましく、
好ましくは４オングスオロームから０．５ マイクロメ
ートルであることが望ましい。また、超電導体中に侵入
した量子化された磁束線はお互いに相互作用を及ぼしあ
っているので、超電導体の中に存在するピンニングセン
ターの分布密度も磁場中のＪｃの値に大きな影響を与え
る。 我々が検討した結果は、非酸化物超電導物質の結晶粒子
の間の平均距離は３オングスオロームから１マイクロメ
ートルであることが望ましく、好ましくは３オングスオ
ロームから３０００オングストロームであることが望ま
しい。
、その超電導物質と組み合わせるのに最も適した（最も
ピンニングホースの大きい）物質の開発，ピンニングセ
ンターの大きさ，分散状態などに関して研究を行ってき
た。そしてその結果、超電導物質として使用する酸化物
超電導物質と格子定数ができるだけ近くかつ結晶構造が
同様である非超電導物質を、ピンニングセンターを形成
する物質として採用するときにピンニングホースのかな
り強い、即ち磁場中においても超電導臨界電流密度（以
下”磁場中Ｊｃ”と略記する）の高い超電導体を作製す
ることができることを発見するに至った。そしてこの時
、該超電導物質と該非超電導物質の他に、これらの物質
と超電導体を作製する温度において実質的に反応を起こ
さない金属を同時に含むような構成で超電導体を作製す
ると、磁場中Ｊｃの高い超電導体の作製が、プロセス的
に容易になる。金属部分は全体的に均一に分散している
ことが望ましく、その体積分率は５０％以下、好ましく
は２０％以下が望ましい。超電導体を構成する酸化物超
電導物質と非超電導物質の比率は、非超電導物質の割合
が小さすぎるとトータルとしてのピンニングホースが小
さくなりすぎて磁場中のＪｃは高くならない。また非超
電導物質の割合が多くなりすぎると相対的に超電導部分
の割合が少なくなりすぎることになり、Ｊｃは高くなら
ない。従って非超電導物質と超電導物質の構成比率には
適正な範囲が存在し、我々が検討した結果は、酸化物超
電導物質に対する非超電導物質の体積比率は０．０１
から１０であることが望ましく、好ましくは０．０１
から１であることが望ましい。多結晶体から成る酸化物
超電導物質を用いた超電導体に超電導電流を流す場合、
一般的には結晶粒界での超電導接合部分が、結晶粒子内
の超電導状態よりも超電導臨界電流密度（Ｊｃ）が低い
ので、非超電導物質は超電導物質の結晶粒界部分にある
よりも超電導物質の結晶粒子の内部に存在している方が
、超電導体のＪｃを高くするためには有利である。 超電導物質の結晶粒子の内部に析出させる非超電導物質
と超電導物質の比率は、非超電導物質の割合が小さすぎ
るとトータルとしてのピンニングホースが小さくなりす
ぎて磁場中のＪｃは高くならない。また非超電導物質の
割合が多くなりすぎると相対的に超電導部分の割合が少
なくなりすぎることになり、Ｊｃは高くならない。従っ
て非超電導物質と超電導物質の構成比率には適正な範囲
が存在し、我々が検討した結果は、酸化物超電導物質に
対する非超電導物質の体積比率は０．０１ から１０で
あることが望ましく、好ましくは０．０１ から１であ
ることが望ましい。超電導物質の結晶粒子の内部に析出
させる非超電導物質粒子の大きさは、小さすぎると量子
化された磁束線がエネルギーの谷間として感じることが
できず、ピンニングセンターとして働かない。また非超
電導物質粒子が大きくなりすぎるとエネルギーの谷間が
なだらかになりすぎて、ピンニングセンターとして働き
は悪くなりＪｃは高くならない。従って非超電導物質粒
子の大きさには適正な範囲が存在し、我々が検討した結
果は、非超電導物質の平均の粒子径として４オングスオ
ロームから１マイクロメートルであることが望ましく、
好ましくは４オングスオロームから０．５ マイクロメ
ートルであることが望ましい。また、超電導体中に侵入
した量子化された磁束線はお互いに相互作用を及ぼしあ
っているので、超電導体の中に存在するピンニングセン
ターの分布密度も磁場中のＪｃの値に大きな影響を与え
る。 我々が検討した結果は、非酸化物超電導物質の結晶粒子
の間の平均距離は３オングスオロームから１マイクロメ
ートルであることが望ましく、好ましくは３オングスオ
ロームから３０００オングストロームであることが望ま
しい。
【０００９】我々は、酸化物超電導物質を用いた超電導
体の磁場中のＪｃを高くする方法として、一般的に上記
のような技術を発明するに至った。検討した酸化物超電
導物質系はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系，Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−Ｏ系，Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系，Ｔｌ−Ｓ
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系，Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系
およびそれらの系より派生したと考えられるほとんどす
べての酸化物超電導物質についての検討を行った。その
結果、磁場中においてより高いＪｃの期待できる超電導
体を得るためには、（１）酸化物超電導物質としては（
Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＣａＣｕ
２Ｏ７＋Ｘ３（ここで、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ２
＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， −０．５＜Ｘ３＜
０．５ ）を選択し、ピンニングセンターとして用いる
非超電導物質としては該超電導物質を構成する元素のう
ちの一種またはそれ以上の元素を別の元素で置換するこ
とによって得られる該超電導物質と類似結晶構造を持つ
非超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）
Ｓｒ２ＬｎＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリウ
ムもしくは希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素
、−０．５＜Ｘ４＜０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ
２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｌｎ２ＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４（こ
こでＬｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から選
ばれる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）を選
択する組合わせ、（２）酸化物超電導物質としては（Ｔ
ｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ
３Ｏ９＋Ｘ３（ここで、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ２
＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， −０．５＜Ｘ３＜
０．５）を選択し、ピンニングセンターとして用いる非
超電導物質としては該超電導物質を構成する元素のうち
の一種またはそれ以上の元素を別の元素で置換すること
によって得られる該超電導物質と類似結晶構造を持つ非
超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓ
ｒ２ＬｎＣａＣｕ３Ｏ９＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリ
ウムもしくは希土類元素の中から選ばれる一種以上の元
素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−
Ｘ２ＰｂＸ１ ＢｉＸ２）ＬｎＳｒＣａ２Ｃｕ３Ｏ９＋
Ｘ４（ここでＬｎはイットリウムもしくは希土類元素の
中から選ばれる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．
５）を選択する組合わせ、（３）酸化物超電導物質とし
ては（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２Ｃ
ａ３Ｃｕ４Ｏ１１＋Ｘ３（ここで、０≦Ｘ１＜０．８，
０≦Ｘ２＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， −０．
５＜Ｘ３＜０．５ ）を選択し、ピンニングセンターと
して用いる非超電導物質としては該超電導物質を構成す
る元素のうちの一種またはそれ以上の元素を別の元素で
置換することによって得られる該超電導物質と類似結晶
構造を持つ非超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１
ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＬｎＣａ２Ｃｕ４Ｏ１１＋Ｘ４（ここ
でＬｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から選ば
れる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）または
（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）ＬｎＳｒＣａ
３Ｃｕ４Ｏ１１＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリウムもし
くは希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−０
．５＜Ｘ４＜０．５）を選択する組合わせ、（４）（１
）の場合において該超電導物質及び該非超電導物質に含
まれているＳｒ元素の一部あるいはすべてをＢａで置換
した物質を用いる組合わせ、（５）（２）の場合におい
て該超電導物質及び該非超電導物質に含まれているＳｒ
元素の一部あるいはすべてをＢａで置換した物質を用い
る組合わせ、（６）（３）の場合において該超電導物質
及び該非超電導物質に含まれているＳｒ元素の一部ある
いはすべてをＢａで置換した物質を用いる組合わせの６
つのケースが非常によいことを発見した。そしてこれら
のケースにおいても、実際に超電導体を作製する際のプ
ロセス上の容易さを考えると、Ｂｉ元素が入っていない
超電導体の方が好ましい。 またＴｌとＰｂの含有比率は、Ｘ１の値が０．３から０
．８である場合が超電導物質と非超電導物質のマッチン
グが最もよいらしく、Ｊｃ高い値が得られた。上記の６
つのケースに置いて作製した超電導体の超電導臨界電流
密度を７７Ｋの温度，１テスラーの磁場をかけた状態で
測定したところ、いずれのケースにおいても５０００Ａ
／ｃｍ２ 以上の値が得られた。
体の磁場中のＪｃを高くする方法として、一般的に上記
のような技術を発明するに至った。検討した酸化物超電
導物質系はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系，Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−Ｏ系，Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系，Ｔｌ−Ｓ
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系，Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系
およびそれらの系より派生したと考えられるほとんどす
べての酸化物超電導物質についての検討を行った。その
結果、磁場中においてより高いＪｃの期待できる超電導
体を得るためには、（１）酸化物超電導物質としては（
Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＣａＣｕ
２Ｏ７＋Ｘ３（ここで、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ２
＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， −０．５＜Ｘ３＜
０．５ ）を選択し、ピンニングセンターとして用いる
非超電導物質としては該超電導物質を構成する元素のう
ちの一種またはそれ以上の元素を別の元素で置換するこ
とによって得られる該超電導物質と類似結晶構造を持つ
非超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）
Ｓｒ２ＬｎＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリウ
ムもしくは希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素
、−０．５＜Ｘ４＜０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ
２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｌｎ２ＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４（こ
こでＬｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から選
ばれる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）を選
択する組合わせ、（２）酸化物超電導物質としては（Ｔ
ｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ
３Ｏ９＋Ｘ３（ここで、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ２
＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， −０．５＜Ｘ３＜
０．５）を選択し、ピンニングセンターとして用いる非
超電導物質としては該超電導物質を構成する元素のうち
の一種またはそれ以上の元素を別の元素で置換すること
によって得られる該超電導物質と類似結晶構造を持つ非
超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓ
ｒ２ＬｎＣａＣｕ３Ｏ９＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリ
ウムもしくは希土類元素の中から選ばれる一種以上の元
素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−
Ｘ２ＰｂＸ１ ＢｉＸ２）ＬｎＳｒＣａ２Ｃｕ３Ｏ９＋
Ｘ４（ここでＬｎはイットリウムもしくは希土類元素の
中から選ばれる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．
５）を選択する組合わせ、（３）酸化物超電導物質とし
ては（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２Ｃ
ａ３Ｃｕ４Ｏ１１＋Ｘ３（ここで、０≦Ｘ１＜０．８，
０≦Ｘ２＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， −０．
５＜Ｘ３＜０．５ ）を選択し、ピンニングセンターと
して用いる非超電導物質としては該超電導物質を構成す
る元素のうちの一種またはそれ以上の元素を別の元素で
置換することによって得られる該超電導物質と類似結晶
構造を持つ非超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１
ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＬｎＣａ２Ｃｕ４Ｏ１１＋Ｘ４（ここ
でＬｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から選ば
れる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）または
（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）ＬｎＳｒＣａ
３Ｃｕ４Ｏ１１＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリウムもし
くは希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−０
．５＜Ｘ４＜０．５）を選択する組合わせ、（４）（１
）の場合において該超電導物質及び該非超電導物質に含
まれているＳｒ元素の一部あるいはすべてをＢａで置換
した物質を用いる組合わせ、（５）（２）の場合におい
て該超電導物質及び該非超電導物質に含まれているＳｒ
元素の一部あるいはすべてをＢａで置換した物質を用い
る組合わせ、（６）（３）の場合において該超電導物質
及び該非超電導物質に含まれているＳｒ元素の一部ある
いはすべてをＢａで置換した物質を用いる組合わせの６
つのケースが非常によいことを発見した。そしてこれら
のケースにおいても、実際に超電導体を作製する際のプ
ロセス上の容易さを考えると、Ｂｉ元素が入っていない
超電導体の方が好ましい。 またＴｌとＰｂの含有比率は、Ｘ１の値が０．３から０
．８である場合が超電導物質と非超電導物質のマッチン
グが最もよいらしく、Ｊｃ高い値が得られた。上記の６
つのケースに置いて作製した超電導体の超電導臨界電流
密度を７７Ｋの温度，１テスラーの磁場をかけた状態で
測定したところ、いずれのケースにおいても５０００Ａ
／ｃｍ２ 以上の値が得られた。
【００１０】その次には、（７）酸化物超電導物質とし
ては（Ｃｕ１−Ｘ１ＰｂＸ１）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７＋
Ｘ２（ここで、０≦Ｘ１≦０．９， −０．５＜Ｘ２＜
０．５ ）を選択し、ピンニングセンターとして用いる
非超電導物質としては該超電導物質を構成する元素のう
ちの一種またはそれ以上の元素を別の元素で置換するこ
とによって得られる該超電導物質と類似結晶構造を持つ
非超電導物質（Ｃｕ１−Ｘ１ＰｂＸ１）Ｓｒ２ＬｎＣｕ
２Ｏ７＋Ｘ２（ここで、０≦Ｘ１≦０．９， −０．５
＜Ｘ２＜０．５，Ｌｎはイットリウムもしくは希土類元
素の中から選ばれる一種以上の元素）または（Ｃｕ１−
Ｘ１ＰｂＸ１）ＳｒＬｎＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ２（ここで
、０≦Ｘ１≦０．９， −０．５＜Ｘ２＜０．５， Ｌ
ｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から選ばれる
一種以上の元素）を選択する組合わせ、を選択したとき
がよいＪｃ値を与え、作製した超電導体の超電導臨界電
流密度を７７Ｋの温度，１テスラーの磁場をかけた状態
で測定したところ、３０００〜４０００Ａ／ｃｍ２程度
の値が得られた。
ては（Ｃｕ１−Ｘ１ＰｂＸ１）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７＋
Ｘ２（ここで、０≦Ｘ１≦０．９， −０．５＜Ｘ２＜
０．５ ）を選択し、ピンニングセンターとして用いる
非超電導物質としては該超電導物質を構成する元素のう
ちの一種またはそれ以上の元素を別の元素で置換するこ
とによって得られる該超電導物質と類似結晶構造を持つ
非超電導物質（Ｃｕ１−Ｘ１ＰｂＸ１）Ｓｒ２ＬｎＣｕ
２Ｏ７＋Ｘ２（ここで、０≦Ｘ１≦０．９， −０．５
＜Ｘ２＜０．５，Ｌｎはイットリウムもしくは希土類元
素の中から選ばれる一種以上の元素）または（Ｃｕ１−
Ｘ１ＰｂＸ１）ＳｒＬｎＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ２（ここで
、０≦Ｘ１≦０．９， −０．５＜Ｘ２＜０．５， Ｌ
ｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から選ばれる
一種以上の元素）を選択する組合わせ、を選択したとき
がよいＪｃ値を与え、作製した超電導体の超電導臨界電
流密度を７７Ｋの温度，１テスラーの磁場をかけた状態
で測定したところ、３０００〜４０００Ａ／ｃｍ２程度
の値が得られた。
【００１１】酸化物超電導物質としてその他の超電導物
質を用いた場合、例えば（８）酸化物超電導物質として
はＴｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ１０＋Ｘ（ここで、 −
０．５＜Ｘ＜０．５ ）を選択し、ピンニングセンター
として用いる非超電導物質としては該超電導物質を構成
する元素のうちの一種またはそれ以上の元素を別の元素
で置換することによって得られる該超電導物質と同じ結
晶構造を持つ非超電導物質Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＬｎＣｕ３
Ｏ１０＋Ｘ（ここで、−０．５＜Ｘ＜０．５， Ｌｎは
イットリウムもしくは希土類元素の中から選ばれる一種
以上の元素）を選択する組合わせ、（９）酸化物超電導
物質としてはＢｉ２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ１０＋Ｘ（こ
こで、 −０．５＜Ｘ＜０．５ ）を選択し、ピンニン
グセンターとして用いる非超電導物質としては該超電導
物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以上の元素
を別の元素で置換することによって得られる該超電導物
質と類似結晶構造を持つ非超電導物質Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ
ＬｎＣｕ３Ｏ１０＋Ｘ（ここで、−０．５＜Ｘ＜０．５
， Ｌｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から選
ばれる一種以上の元素）を選択する組合わせ、（１０）
酸化物超電導物質としてはＴｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８
＋Ｘ（ここで、 −０．５＜Ｘ＜０．５ ）を選択し、
ピンニングセンターとして用いる非超電導物質としては
該超電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以
上の元素を別の元素で置換することによって得られる該
超電導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物質Ｔｌ２Ｂ
ａ２ＬｎＣｕ２Ｏ８＋Ｘ（ここで、−０．５＜Ｘ＜０．
５， Ｌｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から
選ばれる一種以上の元素）を選択する組合わせ、（１１
）酸化物超電導物質としてはＢｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ
８＋Ｘ（ここで、−０．５＜Ｘ＜０．５ ）を選択し、
ピンニングセンターとして用いる非超電導物質としては
該超電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以
上の元素を別の元素で置換することによって得られる該
超電導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物質Ｂｉ２Ｓ
ｒ２ａＬｎＣｕ２Ｏ８＋Ｘ（ここで、 −０．５＜Ｘ＜
０．５， Ｌｎはイットリウムもしくは希土類元素の中
から選ばれる一種以上の元素）を選択する組合わせ、を
選択したときがよいＪｃ値を与え、作製した超電導体の
超電導臨界電流密度を７７Ｋの温度，１テスラーの磁場
をかけた状態で測定したところ、１０００〜２０００Ａ
／ｃｍ２ 程度の値が得られた。
質を用いた場合、例えば（８）酸化物超電導物質として
はＴｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ１０＋Ｘ（ここで、 −
０．５＜Ｘ＜０．５ ）を選択し、ピンニングセンター
として用いる非超電導物質としては該超電導物質を構成
する元素のうちの一種またはそれ以上の元素を別の元素
で置換することによって得られる該超電導物質と同じ結
晶構造を持つ非超電導物質Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＬｎＣｕ３
Ｏ１０＋Ｘ（ここで、−０．５＜Ｘ＜０．５， Ｌｎは
イットリウムもしくは希土類元素の中から選ばれる一種
以上の元素）を選択する組合わせ、（９）酸化物超電導
物質としてはＢｉ２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ１０＋Ｘ（こ
こで、 −０．５＜Ｘ＜０．５ ）を選択し、ピンニン
グセンターとして用いる非超電導物質としては該超電導
物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以上の元素
を別の元素で置換することによって得られる該超電導物
質と類似結晶構造を持つ非超電導物質Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ
ＬｎＣｕ３Ｏ１０＋Ｘ（ここで、−０．５＜Ｘ＜０．５
， Ｌｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から選
ばれる一種以上の元素）を選択する組合わせ、（１０）
酸化物超電導物質としてはＴｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８
＋Ｘ（ここで、 −０．５＜Ｘ＜０．５ ）を選択し、
ピンニングセンターとして用いる非超電導物質としては
該超電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以
上の元素を別の元素で置換することによって得られる該
超電導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物質Ｔｌ２Ｂ
ａ２ＬｎＣｕ２Ｏ８＋Ｘ（ここで、−０．５＜Ｘ＜０．
５， Ｌｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から
選ばれる一種以上の元素）を選択する組合わせ、（１１
）酸化物超電導物質としてはＢｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ
８＋Ｘ（ここで、−０．５＜Ｘ＜０．５ ）を選択し、
ピンニングセンターとして用いる非超電導物質としては
該超電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以
上の元素を別の元素で置換することによって得られる該
超電導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物質Ｂｉ２Ｓ
ｒ２ａＬｎＣｕ２Ｏ８＋Ｘ（ここで、 −０．５＜Ｘ＜
０．５， Ｌｎはイットリウムもしくは希土類元素の中
から選ばれる一種以上の元素）を選択する組合わせ、を
選択したときがよいＪｃ値を与え、作製した超電導体の
超電導臨界電流密度を７７Ｋの温度，１テスラーの磁場
をかけた状態で測定したところ、１０００〜２０００Ａ
／ｃｍ２ 程度の値が得られた。
【００１２】超電導体の臨界温度が最も高いのはケ−ス
（８）であるが、磁場中Ｊｃの値としては、ケース（１
）からケース（７）の超電導体の方が臨界温度が低いに
もかかわらず高い値を示す。これはケース（１）からケ
ース（７）の超電導物質とケース（８）からケース（１
１）の超電導物質の結晶構造の違いによるのではないか
と考えられる。（８）からケース（１１）の超電導物質
は結晶構造中にＴｌ−Ｏ、或いはＢｉ−Ｏの平面が２つ
かさなったような部分があるが、ケース（１）からケー
ス（７）の超電導物質の結晶構造中にはＴｌ−Ｏ，（Ｔ
ｌ，Ｂｉ）−Ｏ，（Ｔｌ，Ｐｂ）−Ｏ，（Ｔｌ，Ｐｂ，
Ｂｉ）−Ｏの平面は一つしか含まれていない。このよう
な結晶構造の違いから、該超電導体を構成する該超電導
物質と該非超電導物質の間のマッチングに違いが生じ、
それがピンニング力の違いを生んで、磁場中でＪｃの違
いとなっているのだと考えられる。従って、ケース（１
）からケース（７）の超電導物質と同じような結晶構造
を持つ超電導物質を用いて、本発明と同様の超電導体の
構成を実現してやることによっても高い磁場中Ｊｃを持
つ超電導体が得られるものと考えられる。
（８）であるが、磁場中Ｊｃの値としては、ケース（１
）からケース（７）の超電導体の方が臨界温度が低いに
もかかわらず高い値を示す。これはケース（１）からケ
ース（７）の超電導物質とケース（８）からケース（１
１）の超電導物質の結晶構造の違いによるのではないか
と考えられる。（８）からケース（１１）の超電導物質
は結晶構造中にＴｌ−Ｏ、或いはＢｉ−Ｏの平面が２つ
かさなったような部分があるが、ケース（１）からケー
ス（７）の超電導物質の結晶構造中にはＴｌ−Ｏ，（Ｔ
ｌ，Ｂｉ）−Ｏ，（Ｔｌ，Ｐｂ）−Ｏ，（Ｔｌ，Ｐｂ，
Ｂｉ）−Ｏの平面は一つしか含まれていない。このよう
な結晶構造の違いから、該超電導体を構成する該超電導
物質と該非超電導物質の間のマッチングに違いが生じ、
それがピンニング力の違いを生んで、磁場中でＪｃの違
いとなっているのだと考えられる。従って、ケース（１
）からケース（７）の超電導物質と同じような結晶構造
を持つ超電導物質を用いて、本発明と同様の超電導体の
構成を実現してやることによっても高い磁場中Ｊｃを持
つ超電導体が得られるものと考えられる。
【００１３】以上のべてきた超電導体を作製する工程に
おいては、ピンニングセンターを均一に分散させるため
にも少なくとも一度は液相成分が生成するような温度領
域に超電導体を至らしめる工程を含めることが望ましい
。また超電導物質及び非超電導物質の結晶粒子の界面か
ら有害な物質が取り除く為にも、少なくとも一度は液相
が生成し始める温度よりも５０度低い温度以上でかつ成
分がすべて液相になる温度以下の温度範囲で熱処理する
工程を含むことが望ましい。
おいては、ピンニングセンターを均一に分散させるため
にも少なくとも一度は液相成分が生成するような温度領
域に超電導体を至らしめる工程を含めることが望ましい
。また超電導物質及び非超電導物質の結晶粒子の界面か
ら有害な物質が取り除く為にも、少なくとも一度は液相
が生成し始める温度よりも５０度低い温度以上でかつ成
分がすべて液相になる温度以下の温度範囲で熱処理する
工程を含むことが望ましい。
【００１４】以上述べてきた超電導体の内部にさらに別
の非超電導物質をピンニングセンターとして析出させる
ことによって更に磁場中におけるＪｃの値を向上させる
ことができる。この時に用いる物質の備えているべき条
件としては、超電導体の構成を構成する酸化物超電導物
質及びその超電導物質を構成する元素のうちの一種また
はそれ以上の元素を別の元素で置換することによって得
られるその超電導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物
質と、超電導体を作製する工程において、実質的に反応
を起こさない非超電導物質であることが要求され、基本
的にはこの条件さえ満たせばどのような物質でもピンニ
ングセンターとして機能する。ただし用いる酸化物超電
導物質とこの非超電導物質との間の相性によってピンニ
ングホースは異なってくる。我々は多くの非超電導物質
（非超電導物質（Ｇ））を、酸化物超電導物質のマトリ
ックスの中にその超電導物質を構成する元素のうちの一
種またはそれ以上の元素を別の元素で置換することによ
って得られるその超電導物質と類似結晶構造を持つ非超
電導物質（非超電導物質（Ａ））を導入した様な構成で
ある超電導体の内部に導入して、どのような非超電導物
質が更なるピンニングセンターの形成用物質として適し
ているかを検討した。その結果、非超電導物質（Ｇ）と
しては、該酸化物超電導物質或いは該非超電導物質（Ａ
）を構成している元素のみからなる物質がよいことがわ
かった。特に、ＣａＯ，ＳｒＯ，Ｃａ２ＣｕＯ３，Ｃａ
２ＰｂＯ４，ＢａＰｂＯ３，ＢｉＢａＯ３が好ましかっ
た。これらの非超電導物質（Ｇ）を超電導体の内部に導
入するプロセスとしては、酸化物超電導物質の粒子或い
は、酸化物超電導物質とその超電導物質を構成する元素
のうちの一種またはそれ以上の元素を別の元素で置換す
ることによって得られるその超電導物質と類似結晶構造
を持つ非超電導物質とから構成されている超電導体（超
電導体（Ｂ）の粒子と、非超電導物質（Ｇ）の粒子を共
存させた後、該酸化物超電導物質あるいは該超電導体（
Ｂ）の結晶粒子を大きく成長させて、結果的に非超電導
物質（Ｇ）が酸化物超電導物質の結晶粒子の内部に存在
するような状態を実現する製造プロセス（図１を参照の
こと）が有効である。また、例えば Ｔｌ０．５Ｐｂ０
．５Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ９を含んだ超電導体を９００
度程度の温度で加熱するして、Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５Ｓ
ｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ９ → Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５Ｓｒ
２ＣａＣｕ２Ｏ７ ＋ ＣａＯ ＋ ＣｕＯの様な分解
反応を起こさせて、超電導物質の結晶粒子の内部に非超
電導性の物質を析出させてピンニングセンターを形成し
、磁場中Ｊｃを向上させる方法も有効である。
の非超電導物質をピンニングセンターとして析出させる
ことによって更に磁場中におけるＪｃの値を向上させる
ことができる。この時に用いる物質の備えているべき条
件としては、超電導体の構成を構成する酸化物超電導物
質及びその超電導物質を構成する元素のうちの一種また
はそれ以上の元素を別の元素で置換することによって得
られるその超電導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物
質と、超電導体を作製する工程において、実質的に反応
を起こさない非超電導物質であることが要求され、基本
的にはこの条件さえ満たせばどのような物質でもピンニ
ングセンターとして機能する。ただし用いる酸化物超電
導物質とこの非超電導物質との間の相性によってピンニ
ングホースは異なってくる。我々は多くの非超電導物質
（非超電導物質（Ｇ））を、酸化物超電導物質のマトリ
ックスの中にその超電導物質を構成する元素のうちの一
種またはそれ以上の元素を別の元素で置換することによ
って得られるその超電導物質と類似結晶構造を持つ非超
電導物質（非超電導物質（Ａ））を導入した様な構成で
ある超電導体の内部に導入して、どのような非超電導物
質が更なるピンニングセンターの形成用物質として適し
ているかを検討した。その結果、非超電導物質（Ｇ）と
しては、該酸化物超電導物質或いは該非超電導物質（Ａ
）を構成している元素のみからなる物質がよいことがわ
かった。特に、ＣａＯ，ＳｒＯ，Ｃａ２ＣｕＯ３，Ｃａ
２ＰｂＯ４，ＢａＰｂＯ３，ＢｉＢａＯ３が好ましかっ
た。これらの非超電導物質（Ｇ）を超電導体の内部に導
入するプロセスとしては、酸化物超電導物質の粒子或い
は、酸化物超電導物質とその超電導物質を構成する元素
のうちの一種またはそれ以上の元素を別の元素で置換す
ることによって得られるその超電導物質と類似結晶構造
を持つ非超電導物質とから構成されている超電導体（超
電導体（Ｂ）の粒子と、非超電導物質（Ｇ）の粒子を共
存させた後、該酸化物超電導物質あるいは該超電導体（
Ｂ）の結晶粒子を大きく成長させて、結果的に非超電導
物質（Ｇ）が酸化物超電導物質の結晶粒子の内部に存在
するような状態を実現する製造プロセス（図１を参照の
こと）が有効である。また、例えば Ｔｌ０．５Ｐｂ０
．５Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ９を含んだ超電導体を９００
度程度の温度で加熱するして、Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５Ｓ
ｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ９ → Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５Ｓｒ
２ＣａＣｕ２Ｏ７ ＋ ＣａＯ ＋ ＣｕＯの様な分解
反応を起こさせて、超電導物質の結晶粒子の内部に非超
電導性の物質を析出させてピンニングセンターを形成し
、磁場中Ｊｃを向上させる方法も有効である。
【００１５】また本発明に記載の超電導体を作製する工
程において、前記の酸化物超電導物質や非超電導物質（
Ａ）を一度アモルファス状態にした後、熱処理してそれ
らの物質を結晶化させて超電導体を作製するような方法
をとると、超電導物質からなる結晶粒子同士の接合状態
がよくなり、特性のよい超電導体を得ることができる。 アモルファス状態を実現する方法としては、液相状態か
ら急激に冷却する方法（急冷法），スパッタリング法，
レーザー蒸着法，電子ビーム蒸着法，蒸着法，溶射法，
化学気相蒸着法などの方法によって検討を行ったが、い
ずれの方法においても充分な結果が得られた。
程において、前記の酸化物超電導物質や非超電導物質（
Ａ）を一度アモルファス状態にした後、熱処理してそれ
らの物質を結晶化させて超電導体を作製するような方法
をとると、超電導物質からなる結晶粒子同士の接合状態
がよくなり、特性のよい超電導体を得ることができる。 アモルファス状態を実現する方法としては、液相状態か
ら急激に冷却する方法（急冷法），スパッタリング法，
レーザー蒸着法，電子ビーム蒸着法，蒸着法，溶射法，
化学気相蒸着法などの方法によって検討を行ったが、い
ずれの方法においても充分な結果が得られた。
【００１６】本発明の超電導体は、現状で超電導体を利
用している或いは利用できると考えられているすべての
超電導利用機器に適用が可能である。また、本発明の超
電導体の作製方法は、酸化物超電導体を利用した超電導
線材の作製にもそのまま適用が可能である。
用している或いは利用できると考えられているすべての
超電導利用機器に適用が可能である。また、本発明の超
電導体の作製方法は、酸化物超電導体を利用した超電導
線材の作製にもそのまま適用が可能である。
【００１７】本発明の超電導体を用いた応用製品の一つ
として、超電導線材がある。その構成として最も一般的
には、常電導性被覆内部に、超電導体が存在したものが
ある。この時、超電導体を形成している結晶粒子の結晶
軸の方向はできる限り揃っていることが望ましい。その
理由は、本発明において用いる酸化物超電導物質の性質
として、結晶のａｂ面内方向には超電導電流が流れやす
く、それ以外の方向には流れにくいという異方性があり
、そのため、より多くの超電導電流を流すためには、結
晶の方位を揃えることが望ましい。また、これらの線材
を作製する際には、超電導体粒子が十分に接合している
必要がある。そのためには、６００℃以上の加熱温度が
必要である。しかし、１３００℃以上の高温では、超電
導物質が分解するので、それ以外の温度でなければなら
ない。
として、超電導線材がある。その構成として最も一般的
には、常電導性被覆内部に、超電導体が存在したものが
ある。この時、超電導体を形成している結晶粒子の結晶
軸の方向はできる限り揃っていることが望ましい。その
理由は、本発明において用いる酸化物超電導物質の性質
として、結晶のａｂ面内方向には超電導電流が流れやす
く、それ以外の方向には流れにくいという異方性があり
、そのため、より多くの超電導電流を流すためには、結
晶の方位を揃えることが望ましい。また、これらの線材
を作製する際には、超電導体粒子が十分に接合している
必要がある。そのためには、６００℃以上の加熱温度が
必要である。しかし、１３００℃以上の高温では、超電
導物質が分解するので、それ以外の温度でなければなら
ない。
【００１８】
【作用】酸化物超電導物質を用いた超電導体の磁場中に
おける超電導臨界電流密度Ｊｃの値を向上させる為には
、超電導体に侵入する量子化された磁束線が動ないよう
に固定する働きに優れたピンニングセンターを導入する
ことが必要であることは既に述べた。
おける超電導臨界電流密度Ｊｃの値を向上させる為には
、超電導体に侵入する量子化された磁束線が動ないよう
に固定する働きに優れたピンニングセンターを導入する
ことが必要であることは既に述べた。
【００１９】本発明の超電導体は、超電導物質として採
用した酸化物超電導物質を構成する元素のうちの一種ま
たはそれ以上の元素を別の元素で置換することによって
得られる該超電導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物
質を、ピンニングセンターとして超電導物質のマトリッ
クスの内部に存在させるため、超電導物質とピンニング
センターの界面に歪などがなく、また整合性が非常によ
く、従ってピンニング力の強い超電導体がえられる。
用した酸化物超電導物質を構成する元素のうちの一種ま
たはそれ以上の元素を別の元素で置換することによって
得られる該超電導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物
質を、ピンニングセンターとして超電導物質のマトリッ
クスの内部に存在させるため、超電導物質とピンニング
センターの界面に歪などがなく、また整合性が非常によ
く、従ってピンニング力の強い超電導体がえられる。
【００２０】ピンニングセンターの部分は超電導性を有
さないので、ピンニングセンターとして超電導体に含ま
れる非超電導物質の割合が多すぎては実質的な超電導電
流パスが減少し、ピン止め力は強いがト−タルとしては
Ｊｃの低い超電導体となってしまう。従って超電導体に
導入するピンニングセンターの量には適当な範囲があり
、酸化物超電導に対するピンニングセンターの割合は、
体積比率で０．０１ から１０でなければならない。
さないので、ピンニングセンターとして超電導体に含ま
れる非超電導物質の割合が多すぎては実質的な超電導電
流パスが減少し、ピン止め力は強いがト−タルとしては
Ｊｃの低い超電導体となってしまう。従って超電導体に
導入するピンニングセンターの量には適当な範囲があり
、酸化物超電導に対するピンニングセンターの割合は、
体積比率で０．０１ から１０でなければならない。
【００２１】超電導体の内部に侵入した磁束線は量子化
され非常に細いものになっている。その径は超電導体の
コヒーレンス長さと同じオーダーである。従ってピンニ
ングセンターの大きさは超電導体のコヒーレンス長さ程
度の大きさが最も効果的である。一般に、酸化物超電導
物質のコヒーレンス長さは数オングストロームから数十
オングストロームである。従ってピンニングセンターと
して超電導体の内部に存在させる非超電導物質粒子の大
きさはこの程度である時、ピンニングセンターとしては
最もむだがなく効果的に働く。実際的には量子化された
磁束線は何本か纏まってピンニングセンターに入ること
もできるので、ピンニングセンターとして超電導体の内
部に存在させる非超電導物質粒子の大きさは数オングス
トロームから数千オングストロームの範囲にあることが
良いと考えられ、実験をして検討したところ４オングス
トロームから１マイクロメートルの範囲にあることが望
ましいことがわかった。また超電導体の内部に侵入した
量子化された磁束線はお互いに反発しあうように相互作
用をおよぼしあているので、超電導体の中に存在するピ
ンニングセンターの分布密度も磁場中のＪｃの値に大き
な影響を与える。我々が検討した結果は、非酸化物超電
導物質の結晶粒子の間の平均距離は３オングスオローム
から１マイクロメートルであることが望ましく、好まし
くは３オングスオロームから３０００オングストローム
であることが望ましい。
され非常に細いものになっている。その径は超電導体の
コヒーレンス長さと同じオーダーである。従ってピンニ
ングセンターの大きさは超電導体のコヒーレンス長さ程
度の大きさが最も効果的である。一般に、酸化物超電導
物質のコヒーレンス長さは数オングストロームから数十
オングストロームである。従ってピンニングセンターと
して超電導体の内部に存在させる非超電導物質粒子の大
きさはこの程度である時、ピンニングセンターとしては
最もむだがなく効果的に働く。実際的には量子化された
磁束線は何本か纏まってピンニングセンターに入ること
もできるので、ピンニングセンターとして超電導体の内
部に存在させる非超電導物質粒子の大きさは数オングス
トロームから数千オングストロームの範囲にあることが
良いと考えられ、実験をして検討したところ４オングス
トロームから１マイクロメートルの範囲にあることが望
ましいことがわかった。また超電導体の内部に侵入した
量子化された磁束線はお互いに反発しあうように相互作
用をおよぼしあているので、超電導体の中に存在するピ
ンニングセンターの分布密度も磁場中のＪｃの値に大き
な影響を与える。我々が検討した結果は、非酸化物超電
導物質の結晶粒子の間の平均距離は３オングスオローム
から１マイクロメートルであることが望ましく、好まし
くは３オングスオロームから３０００オングストローム
であることが望ましい。
【００２２】本発明に記載の超電導体の製造方法におい
て、液相成分が共存するような状態で熱処理を行ってい
るが、液相が共存する状態であると原子の拡散が速くな
るので超電導体を構成する各物質の結晶性，結晶粒界の
接合性が良くなる。
て、液相成分が共存するような状態で熱処理を行ってい
るが、液相が共存する状態であると原子の拡散が速くな
るので超電導体を構成する各物質の結晶性，結晶粒界の
接合性が良くなる。
【００２３】本発明に記載の超電導物質，非超電導物質
及びその他の物質の組成は、厳密にこの値だけに限られ
るものではない。実際には、これらの酸化物には若干の
組成不定性があり各構成元素の含有比率が、十数パ−セ
ントから５０パ−セント程度までずれることもある。従
って、本発明において記載している物質の組成が若干異
なっていても、その結晶構造が基本的に同じであれば、
本発明に記載の物質と同じものであると考えられる。
及びその他の物質の組成は、厳密にこの値だけに限られ
るものではない。実際には、これらの酸化物には若干の
組成不定性があり各構成元素の含有比率が、十数パ−セ
ントから５０パ−セント程度までずれることもある。従
って、本発明において記載している物質の組成が若干異
なっていても、その結晶構造が基本的に同じであれば、
本発明に記載の物質と同じものであると考えられる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００２５】［実施例１］出発原料としては、純度９９
％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯ
，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物超電導物質
を作製した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：
Ｃａ：Ｃｕ の原子比率が２：１：２になるように混合
し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末を
めのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ
：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が０．５：０．５：２：１：２
となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯ を混合する。乳鉢で
よく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのデ
ィスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにい
れて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出
来上がった焼結体の粉末Ｘ線回折測定を実行し、結果を
リートベルト法で解析したところ、図１に示すような結
晶構造を有する超電導物質が９０％以上含まれているこ
とが確認された。この焼結体の超電導臨界温度を直流４
端子法で測定したところ９５Ｋで電気抵抗がゼロになる
ことが確認できた。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料の
７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒ
ステリシスの大きさから焼結体を構成している（Ｔｌ０
．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内部
を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印加
磁場が１テスラーのときＪｃ＝９００Ａ／ｃｍ２であっ
た。
％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯ
，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物超電導物質
を作製した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：
Ｃａ：Ｃｕ の原子比率が２：１：２になるように混合
し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末を
めのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ
：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が０．５：０．５：２：１：２
となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯ を混合する。乳鉢で
よく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのデ
ィスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにい
れて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出
来上がった焼結体の粉末Ｘ線回折測定を実行し、結果を
リートベルト法で解析したところ、図１に示すような結
晶構造を有する超電導物質が９０％以上含まれているこ
とが確認された。この焼結体の超電導臨界温度を直流４
端子法で測定したところ９５Ｋで電気抵抗がゼロになる
ことが確認できた。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料の
７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒ
ステリシスの大きさから焼結体を構成している（Ｔｌ０
．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内部
を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印加
磁場が１テスラーのときＪｃ＝９００Ａ／ｃｍ２であっ
た。
【００２６】次に酸化物超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０
．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原子をＳｍで置換し
た非超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣ
ｕ２Ｏ７を合成する。ＳｒＯ，Ｓｍ２Ｏ３，ＣｕＯをそ
れぞれＳｒ：Ｓｍ：Ｃｕ の原子比率が２：１：２にな
るように混合し、９００℃で２０時間大気中で焼成する
。この粉末をめのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ
：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が０．５：０．５
：２：１：２となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合す
る。乳鉢でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ
２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナ
るつぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を
行った。出来上がった焼結体の粉末Ｘ線回折測定を実行
し、結果をリートベルト法で解析したところ、図２に示
すような結晶構造を有する超電導物質が９０％以上含ま
れていることが確認された。この焼結体の電気抵抗を温
度を変えながらを直流４端子法で測定したところ３００
Ｋ付近での電気抵抗の値は１０２ｏｈｍ・ｃｍ 程度で
あり、その温度依存性は半導体的なものであって、４．
２Ｋまで測定したがその範囲で超電導になることはなか
った。
．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原子をＳｍで置換し
た非超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣ
ｕ２Ｏ７を合成する。ＳｒＯ，Ｓｍ２Ｏ３，ＣｕＯをそ
れぞれＳｒ：Ｓｍ：Ｃｕ の原子比率が２：１：２にな
るように混合し、９００℃で２０時間大気中で焼成する
。この粉末をめのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ
：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が０．５：０．５
：２：１：２となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合す
る。乳鉢でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ
２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナ
るつぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を
行った。出来上がった焼結体の粉末Ｘ線回折測定を実行
し、結果をリートベルト法で解析したところ、図２に示
すような結晶構造を有する超電導物質が９０％以上含ま
れていることが確認された。この焼結体の電気抵抗を温
度を変えながらを直流４端子法で測定したところ３００
Ｋ付近での電気抵抗の値は１０２ｏｈｍ・ｃｍ 程度で
あり、その温度依存性は半導体的なものであって、４．
２Ｋまで測定したがその範囲で超電導になることはなか
った。
【００２７】次に、めのう乳鉢で十分に粉砕した（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の粉末と（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７の粉末を、
（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７：（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７のモル比が
９：１となるように混ぜ、乳鉢で十分に混合し、直径２
０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付
いたアルミナるつぼにいれて９００℃の温度で大気中５
時間の焼成を行った。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回
折分析したところ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ
Ｃｕ２Ｏ７と（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ
２Ｏ７が含まれており、それ以外の物質は少ししか含ま
れていないことが確認された。この焼結体の超電導臨界
温度を直流４端子法で測定したところ９５Ｋで電気抵抗
がゼロになることが確認できた。 またＶＳＭ装置でこの焼結体試料の７７ＫにおけるＢ−
Ｈカーブの測定をおこなった。結果を図３に示す。その
ヒステリシスの大きさから焼結体を構成している（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内
部を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印
加磁場が１テスラーのときＪｃ＝１２０００Ａ／ｃｍ２
であった。このことより、酸化物超電導物質（Ｔｌ０
．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７に対して（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７は非常に有効
なピンニングセンターとなることがわかる。
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の粉末と（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７の粉末を、
（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７：（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７のモル比が
９：１となるように混ぜ、乳鉢で十分に混合し、直径２
０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付
いたアルミナるつぼにいれて９００℃の温度で大気中５
時間の焼成を行った。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回
折分析したところ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ
Ｃｕ２Ｏ７と（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ
２Ｏ７が含まれており、それ以外の物質は少ししか含ま
れていないことが確認された。この焼結体の超電導臨界
温度を直流４端子法で測定したところ９５Ｋで電気抵抗
がゼロになることが確認できた。 またＶＳＭ装置でこの焼結体試料の７７ＫにおけるＢ−
Ｈカーブの測定をおこなった。結果を図３に示す。その
ヒステリシスの大きさから焼結体を構成している（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内
部を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印
加磁場が１テスラーのときＪｃ＝１２０００Ａ／ｃｍ２
であった。このことより、酸化物超電導物質（Ｔｌ０
．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７に対して（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７は非常に有効
なピンニングセンターとなることがわかる。
【００２８】次にこの焼結体を再び粉砕して、この粉末
を外径６ｍｍ，内径４ｍｍの金パイプに充填し、外径０
．５ｍｍまで線引きした後、厚さ０．１ｍｍまで圧延し
た。これを３０ｍｍの試験片として切り出し、９５０℃
の温度で大気中で１０時間熱処理した。
を外径６ｍｍ，内径４ｍｍの金パイプに充填し、外径０
．５ｍｍまで線引きした後、厚さ０．１ｍｍまで圧延し
た。これを３０ｍｍの試験片として切り出し、９５０℃
の温度で大気中で１０時間熱処理した。
【００２９】７７Ｋの温度で１テスラーの磁場中でのこ
の試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定したところ
、Ｊｃ＝１００００Ａ／ｃｍ２ であった。この超電導
線材の試料片の断面を研磨し、走査型電子顕微鏡によっ
て試料内部の組織を観察したところ、白い部分と黒い部
分の２つの領域が存在することが分かった。白い部分を
ＥＤＸで分析したところ、この部分の組成はＴｌ：Ｐｂ
：Ｓｒ：Ｃａ：Ｓｍ：Ｃｕ＝０．４６：０．５３：１．
９：０．３：０．８：２．０ であった。走査型電子顕
微鏡の電子ビームのエネルギーが数ミクロン程度広がる
ことを考えれば、この白い部分はＣａを含んでいない図
２に示した結晶構造を有する非超電導性の物質であると
考えられる。一方、黒い部分をＥＤＸ で分析したとこ
ろ、この部分の組成はＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｓｍ：
Ｃｕ＝０．４３：０．４９：１．９：１．０： ０．０
：２．０であった。この色の暗い部分はＳｍを含んでい
ない図１に示した結晶構造を有する超電導物質であると
考えられる。このように図１に示した結晶構造を有する
超電導物質に、図２に示したような超電導物質と同じ結
晶構造を持つ非超電導物質を組み合わせることによって
、磁場中においても高いＪｃを持つ超電導体の作製が可
能になることがわかる。
の試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定したところ
、Ｊｃ＝１００００Ａ／ｃｍ２ であった。この超電導
線材の試料片の断面を研磨し、走査型電子顕微鏡によっ
て試料内部の組織を観察したところ、白い部分と黒い部
分の２つの領域が存在することが分かった。白い部分を
ＥＤＸで分析したところ、この部分の組成はＴｌ：Ｐｂ
：Ｓｒ：Ｃａ：Ｓｍ：Ｃｕ＝０．４６：０．５３：１．
９：０．３：０．８：２．０ であった。走査型電子顕
微鏡の電子ビームのエネルギーが数ミクロン程度広がる
ことを考えれば、この白い部分はＣａを含んでいない図
２に示した結晶構造を有する非超電導性の物質であると
考えられる。一方、黒い部分をＥＤＸ で分析したとこ
ろ、この部分の組成はＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｓｍ：
Ｃｕ＝０．４３：０．４９：１．９：１．０： ０．０
：２．０であった。この色の暗い部分はＳｍを含んでい
ない図１に示した結晶構造を有する超電導物質であると
考えられる。このように図１に示した結晶構造を有する
超電導物質に、図２に示したような超電導物質と同じ結
晶構造を持つ非超電導物質を組み合わせることによって
、磁場中においても高いＪｃを持つ超電導体の作製が可
能になることがわかる。
【００３０】［実施例２］出発原料としては、純度９９
％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯ
，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物超電導物質
を作製した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：
Ｃａ：Ｃｕ の原子比率が２：１：２になるように混合
し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末を
めのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ
：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が０．５：０．５：２：１：２
となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯ を混合する。乳鉢で
よく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのデ
ィスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにい
れて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出
来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７ができており
、それ以外の物質はできていないことが確認された。 この焼結体の超電導臨界温度を直流４端子法で測定した
ところ９５Ｋで電気抵抗がゼロになることが確認できた
。またＶＳＭ 装置でこの焼結体試料の７７Ｋにおける
Ｂ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒステリシスの大
きさから焼結体を構成している（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５
）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内部を流れる超電導
臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印加磁場が１テスラ
ーのときＪｃ＝９００Ａ／ｃｍ２であった。
％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯ
，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物超電導物質
を作製した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：
Ｃａ：Ｃｕ の原子比率が２：１：２になるように混合
し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末を
めのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ
：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が０．５：０．５：２：１：２
となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯ を混合する。乳鉢で
よく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのデ
ィスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにい
れて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出
来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７ができており
、それ以外の物質はできていないことが確認された。 この焼結体の超電導臨界温度を直流４端子法で測定した
ところ９５Ｋで電気抵抗がゼロになることが確認できた
。またＶＳＭ 装置でこの焼結体試料の７７Ｋにおける
Ｂ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒステリシスの大
きさから焼結体を構成している（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５
）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内部を流れる超電導
臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印加磁場が１テスラ
ーのときＪｃ＝９００Ａ／ｃｍ２であった。
【００３１】次に酸化物超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０
．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原子をＳｍで置換し
た非超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣ
ｕ２Ｏ７を合成する。ＳｒＯ，Ｓｍ２Ｏ３，ＣｕＯをそ
れぞれＳｒ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が２：１：２になる
ように混合し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。 この粉末をめのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：
Ｐｂ：Ｓｒ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が０．５：０．５：
２：１：２となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯ を混合す
る。乳鉢でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ
２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナ
るつぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を
行った。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したと
ころ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７が
できており、それ以外の物質はできていないことが確認
された。この焼結体の電気抵抗を温度を変えながらを直
流４端子法で測定したところ３００Ｋ付近での電気抵抗
の値は１０２ｏｈｍ・ｃｍ 程度であり、その温度依存
性は半導体的なものであって、４．２Ｋまで測定したが
その範囲で超電導になることはなかった。
．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原子をＳｍで置換し
た非超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣ
ｕ２Ｏ７を合成する。ＳｒＯ，Ｓｍ２Ｏ３，ＣｕＯをそ
れぞれＳｒ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が２：１：２になる
ように混合し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。 この粉末をめのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：
Ｐｂ：Ｓｒ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が０．５：０．５：
２：１：２となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯ を混合す
る。乳鉢でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ
２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナ
るつぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を
行った。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したと
ころ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７が
できており、それ以外の物質はできていないことが確認
された。この焼結体の電気抵抗を温度を変えながらを直
流４端子法で測定したところ３００Ｋ付近での電気抵抗
の値は１０２ｏｈｍ・ｃｍ 程度であり、その温度依存
性は半導体的なものであって、４．２Ｋまで測定したが
その範囲で超電導になることはなかった。
【００３２】次に、めのう乳鉢で十分に粉砕した（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の粉末と（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７の粉末を、
（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７：（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７のモル比が
９：１となるように混ぜ、乳鉢で十分に混合し、直径２
０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付
いたアルミナるつぼにいれて１０５０℃の温度で大気中
１時間の焼成を行ない、ひきつずいて温度を９００℃に
下げてその温度で５時間焼成した。出来上がった焼結体
を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５
）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７と（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓ
ｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７が含まれており、それ以外の物質は
できていないことが確認された。 またこの焼結体の断面を走査型電子顕微鏡で観察したと
ころ一度液相が生成した後が見られた。この焼結体の超
電導臨界温度を直流４端子法で測定したところ９５Ｋで
電気抵抗がゼロになることが確認できた。またＶＳＭ
装置でこの焼結体試料の７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの
測定をおこない、そのヒステリの大きさから焼結体を構
成している（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２
Ｏ７の結晶粒子内部を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを
求めたところ、印加磁場が１テスラーのときＪｃ＝１４
０００Ａ／ｃｍ２であった。このことより、酸化物超電
導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７
に対して（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ
７は非常に有効なピンニングセンターとなることがわか
る。また超電導体を作成する工程において液相成分が生
成する温度で熱処理することは磁場中高Ｊｃ超電導体を
得るために有効であることが分かる。
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の粉末と（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７の粉末を、
（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７：（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７のモル比が
９：１となるように混ぜ、乳鉢で十分に混合し、直径２
０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付
いたアルミナるつぼにいれて１０５０℃の温度で大気中
１時間の焼成を行ない、ひきつずいて温度を９００℃に
下げてその温度で５時間焼成した。出来上がった焼結体
を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５
）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７と（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓ
ｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７が含まれており、それ以外の物質は
できていないことが確認された。 またこの焼結体の断面を走査型電子顕微鏡で観察したと
ころ一度液相が生成した後が見られた。この焼結体の超
電導臨界温度を直流４端子法で測定したところ９５Ｋで
電気抵抗がゼロになることが確認できた。またＶＳＭ
装置でこの焼結体試料の７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの
測定をおこない、そのヒステリの大きさから焼結体を構
成している（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２
Ｏ７の結晶粒子内部を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを
求めたところ、印加磁場が１テスラーのときＪｃ＝１４
０００Ａ／ｃｍ２であった。このことより、酸化物超電
導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７
に対して（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ
７は非常に有効なピンニングセンターとなることがわか
る。また超電導体を作成する工程において液相成分が生
成する温度で熱処理することは磁場中高Ｊｃ超電導体を
得るために有効であることが分かる。
【００３３】次にこの焼結体を再び粉砕して、この粉末
を外径６ｍｍ，内径４ｍｍの金パイプに充填し、外径０
．５ｍｍまで線引きした後、厚さ０．１ｍｍまで圧延し
た。これを３０ｍｍの試験片として切り出し、９５０℃
の温度で大気中で１０時間熱処理した。
を外径６ｍｍ，内径４ｍｍの金パイプに充填し、外径０
．５ｍｍまで線引きした後、厚さ０．１ｍｍまで圧延し
た。これを３０ｍｍの試験片として切り出し、９５０℃
の温度で大気中で１０時間熱処理した。
【００３４】７７Ｋの温度で１テスラーの磁場中でのこ
の試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定したところ
、Ｊｃ＝１２０００Ａ／ｃｍ２であった。
の試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定したところ
、Ｊｃ＝１２０００Ａ／ｃｍ２であった。
【００３５】［実施例３］出発原料としては、純度９９
％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯ
，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物超電導物質
を作製した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：
Ｃａ：Ｃｕ の原子比率が２：１：２になるように混合
し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末を
めのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ
：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が０．５：０．５：２：１：２
となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯ を混合する。乳鉢で
よく混合した後の粉末蓋の付いたアルミナるつぼにいれ
て１１００℃の温度で大気中で３０分保持して粉末を溶
融状態に至らしめた後、液体窒素の中に投入して急冷し
た。得られた塊を粉砕して、直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍ
のディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼ
にいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った
。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（
Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７ができて
おり、それ以外の物質はできていないことが確認された
。この焼結体の超電導臨界温度を直流４端子法で測定し
たところ９６Ｋで電気抵抗がゼロになることが確認でき
た。またＶＳＭ 装置でこの焼結体試料の７７Ｋにおけ
るＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒステリシスの
大きさから焼結体を構成している（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．
５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内部を流れる超電
導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印加磁場が１テス
ラーのときＪｃ＝１０００Ａ／ｃｍ２であった。
％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯ
，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物超電導物質
を作製した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：
Ｃａ：Ｃｕ の原子比率が２：１：２になるように混合
し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末を
めのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ
：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が０．５：０．５：２：１：２
となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯ を混合する。乳鉢で
よく混合した後の粉末蓋の付いたアルミナるつぼにいれ
て１１００℃の温度で大気中で３０分保持して粉末を溶
融状態に至らしめた後、液体窒素の中に投入して急冷し
た。得られた塊を粉砕して、直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍ
のディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼ
にいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った
。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（
Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７ができて
おり、それ以外の物質はできていないことが確認された
。この焼結体の超電導臨界温度を直流４端子法で測定し
たところ９６Ｋで電気抵抗がゼロになることが確認でき
た。またＶＳＭ 装置でこの焼結体試料の７７Ｋにおけ
るＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒステリシスの
大きさから焼結体を構成している（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．
５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内部を流れる超電
導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印加磁場が１テス
ラーのときＪｃ＝１０００Ａ／ｃｍ２であった。
【００３６】次に酸化物超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０
．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原子をＳｍで置換し
た非超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣ
ｕ２Ｏ７を合成する。
．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原子をＳｍで置換し
た非超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣ
ｕ２Ｏ７を合成する。
【００３７】ＳｒＯ，Ｓｍ２Ｏ３，ＣｕＯをそれぞれＳ
ｒ：Ｓｍ：Ｃｕ の原子比率が２：１：２になるように
混合し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉
末をめのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：
Ｓｒ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が０．５：０．５：２：１
：２ となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合する。乳
鉢でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍ
のディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼ
にいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った
。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（
Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７ができて
おり、それ以外の物質はできていないことが確認された
。この焼結体の電気抵抗を温度を変えながらを直流４端
子法で測定したところ３００Ｋ付近での電気抵抗の値は
１０２ｏｈｍ・ｃｍ程度であり、その温度依存性は半導
体的なものであって、４．２Ｋまで測定したがその範囲
で超電導になることはなかった。
ｒ：Ｓｍ：Ｃｕ の原子比率が２：１：２になるように
混合し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉
末をめのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：
Ｓｒ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が０．５：０．５：２：１
：２ となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合する。乳
鉢でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍ
のディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼ
にいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った
。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（
Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７ができて
おり、それ以外の物質はできていないことが確認された
。この焼結体の電気抵抗を温度を変えながらを直流４端
子法で測定したところ３００Ｋ付近での電気抵抗の値は
１０２ｏｈｍ・ｃｍ程度であり、その温度依存性は半導
体的なものであって、４．２Ｋまで測定したがその範囲
で超電導になることはなかった。
【００３８】次に、めのう乳鉢で十分に粉砕した（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の粉末と（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７の粉末を、
（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７：（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７のモル比が
９：１となるように混ぜ、乳鉢で十分に混合し、直径２
０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付
いたアルミナるつぼにいれて９００℃の温度で大気中５
時間の焼成を行った。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回
折分析したところ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ
Ｃｕ２Ｏ７と（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ
２Ｏ７が含まれており、それ以外の物質はできていない
ことが確認された。この焼結体の超電導臨界温度を直流
４端子法で測定したところ９５Ｋで電気抵抗がゼロにな
ることが確認できた。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料
の７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、その
ヒステリシスの大きさから焼結体を構成している（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内
部を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印
加磁場が１テスラーのときＪｃ＝１３０００Ａ／ｃｍ２
であった。このことより、酸化物超電導物質（Ｔｌ０
．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７に対して（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７は非常に有効
なピンニングセンターとなることがわかる。また一度ア
モルファス状態を経た物をしようすることが、高Ｊｃ超
電導体を作成するのに有利であることがわかる。
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の粉末と（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７の粉末を、
（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７：（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７のモル比が
９：１となるように混ぜ、乳鉢で十分に混合し、直径２
０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付
いたアルミナるつぼにいれて９００℃の温度で大気中５
時間の焼成を行った。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回
折分析したところ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ
Ｃｕ２Ｏ７と（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ
２Ｏ７が含まれており、それ以外の物質はできていない
ことが確認された。この焼結体の超電導臨界温度を直流
４端子法で測定したところ９５Ｋで電気抵抗がゼロにな
ることが確認できた。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料
の７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、その
ヒステリシスの大きさから焼結体を構成している（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内
部を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印
加磁場が１テスラーのときＪｃ＝１３０００Ａ／ｃｍ２
であった。このことより、酸化物超電導物質（Ｔｌ０
．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７に対して（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７は非常に有効
なピンニングセンターとなることがわかる。また一度ア
モルファス状態を経た物をしようすることが、高Ｊｃ超
電導体を作成するのに有利であることがわかる。
【００３９】次にこの焼結体を再び粉砕して、この粉末
を外径６ｍｍ，内径４ｍｍの金パイプに充填し、外径０
．５ｍｍまで線引きした後、厚さ０．１ｍｍまで圧延し
た。これを３０ｍｍの試験片として切り出し、９５０℃
の温度で大気中で１０時間熱処理した。
を外径６ｍｍ，内径４ｍｍの金パイプに充填し、外径０
．５ｍｍまで線引きした後、厚さ０．１ｍｍまで圧延し
た。これを３０ｍｍの試験片として切り出し、９５０℃
の温度で大気中で１０時間熱処理した。
【００４０】７７Ｋの温度で１テスラーの磁場中でのこ
の試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定したところ
、Ｊｃ＝１２０００Ａ／ｃｍ２ であった。また長いま
まの圧延後の線材をコイルに巻いて、その後９５０℃の
温度で大気中で１０時間熱処理した。このコイルを液体
窒素の中に入れて電流を流したところ、線材が超電導状
態を保ったままで１．０ テスラーの磁場を発生するこ
とができた。
の試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定したところ
、Ｊｃ＝１２０００Ａ／ｃｍ２ であった。また長いま
まの圧延後の線材をコイルに巻いて、その後９５０℃の
温度で大気中で１０時間熱処理した。このコイルを液体
窒素の中に入れて電流を流したところ、線材が超電導状
態を保ったままで１．０ テスラーの磁場を発生するこ
とができた。
【００４１】［実施例４］出発原料としては、純度９９
％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯ
，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物超電導物質
を作製した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：
Ｃａ：Ｃｕ の原子比率が２：２：３になるように混合
し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末を
めのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ
：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が０．５：０．５：２：２：３
となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯ を混合する。乳鉢で
よく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのデ
ィスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにい
れて８５０℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出
来上がった焼結体の粉末Ｘ線回折測定を実行し、結果を
リートベルト法で解析したところ、図４に示すような結
晶構造を有する超電導物質が９０％以上含まれているこ
とが確認された。この焼結体の超電導臨界温度を直流４
端子法で測定したところ１１３Ｋで電気抵抗がゼロにな
ることが確認できた。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料
の７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、その
ヒステリシスの大きさから焼結体を構成している（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内
部を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印
加磁場が１テスラーのときＪｃ＝１０００Ａ／ｃｍ２で
あった。
％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯ
，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物超電導物質
を作製した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：
Ｃａ：Ｃｕ の原子比率が２：２：３になるように混合
し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末を
めのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ
：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が０．５：０．５：２：２：３
となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯ を混合する。乳鉢で
よく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのデ
ィスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにい
れて８５０℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出
来上がった焼結体の粉末Ｘ線回折測定を実行し、結果を
リートベルト法で解析したところ、図４に示すような結
晶構造を有する超電導物質が９０％以上含まれているこ
とが確認された。この焼結体の超電導臨界温度を直流４
端子法で測定したところ１１３Ｋで電気抵抗がゼロにな
ることが確認できた。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料
の７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、その
ヒステリシスの大きさから焼結体を構成している（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内
部を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印
加磁場が１テスラーのときＪｃ＝１０００Ａ／ｃｍ２で
あった。
【００４２】次に酸化物超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０
．５）Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ９ のＣａ原子をＳｍで置
換した非超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃ
ａＳｍＣｕ３Ｏ９を合成する。
．５）Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ９ のＣａ原子をＳｍで置
換した非超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃ
ａＳｍＣｕ３Ｏ９を合成する。
【００４３】ＳｒＯ，ＣａＯ，Ｓｍ２Ｏ３，ＣｕＯ を
それぞれＳｒ：Ｃａ：Ｓｍ：Ｃｕ の原子比率が２：１
：１：３になるように混合し、９００℃で２０時間大気
中で焼成する。この粉末をめのう乳鉢で粉砕し、得られ
た粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比
率が０．５：０．５：２：１：１：３となるようにＴｌ
２Ｏ３とＰｂＯを混合する。乳鉢でよく混合した後の粉
末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型
し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれて９００℃の温度
で大気中５時間の焼成を行った。出来上がった焼結体の
粉末Ｘ線回折測定を実行し、結果をリートベルト法で解
析したところ、図５に示すような結晶構造を有する超電
導物質が９０％以上含まれていることが確認された。こ
の焼結体の電気抵抗を温度を変えながらを直流４端子法
で測定したところ３００Ｋ付近での電気抵抗の値は１０
２ｏｈｍ・ｃｍ程度であり、その温度依存性は半導体的
なものであって、４．２Ｋ まで測定したがその範囲で
超電導になることはなった。
それぞれＳｒ：Ｃａ：Ｓｍ：Ｃｕ の原子比率が２：１
：１：３になるように混合し、９００℃で２０時間大気
中で焼成する。この粉末をめのう乳鉢で粉砕し、得られ
た粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比
率が０．５：０．５：２：１：１：３となるようにＴｌ
２Ｏ３とＰｂＯを混合する。乳鉢でよく混合した後の粉
末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型
し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれて９００℃の温度
で大気中５時間の焼成を行った。出来上がった焼結体の
粉末Ｘ線回折測定を実行し、結果をリートベルト法で解
析したところ、図５に示すような結晶構造を有する超電
導物質が９０％以上含まれていることが確認された。こ
の焼結体の電気抵抗を温度を変えながらを直流４端子法
で測定したところ３００Ｋ付近での電気抵抗の値は１０
２ｏｈｍ・ｃｍ程度であり、その温度依存性は半導体的
なものであって、４．２Ｋ まで測定したがその範囲で
超電導になることはなった。
【００４４】次に、めのう乳鉢で十分に粉砕した（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ９の粉末と（
Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＳｍＣｕ３Ｏ９の粉
末を、（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ
９：（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＳｍＣｕ３Ｏ
９ のモル比が９：１となるように混ぜ、乳鉢で十分に
混合し、直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉
成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれて９００℃の
温度で大気中５時間の焼成を行った。出来上がった焼結
体を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．
５）Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ９と（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５
）Ｓｒ２ＣａＳｍＣｕ３Ｏ９が含まれており、それ以外
の物質はできていないことが確認された。この焼結体の
超電導臨界温度を直流４端子法で測定したところ１１０
Ｋで電気抵抗がゼロになることが確認できた。またＶＳ
Ｍ装置でこの焼結体試料の７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブ
の測定をおこない、そのヒステリシスの大きさから焼結
体を構成している結晶粒子内部を流れる超電導臨界電流
密度Ｊｃを求めたところ、印加磁場が１テスラーのとき
Ｊｃ＝１５０００Ａ／ｃｍ２であった。このことより、
酸化物超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ
２Ｃｕ３Ｏ９に対して（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２
ＣａＳｍＣｕ３Ｏ９は非常に有効なピンニングセンター
となることがわかる。
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ９の粉末と（
Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＳｍＣｕ３Ｏ９の粉
末を、（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ
９：（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＳｍＣｕ３Ｏ
９ のモル比が９：１となるように混ぜ、乳鉢で十分に
混合し、直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉
成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれて９００℃の
温度で大気中５時間の焼成を行った。出来上がった焼結
体を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．
５）Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ９と（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５
）Ｓｒ２ＣａＳｍＣｕ３Ｏ９が含まれており、それ以外
の物質はできていないことが確認された。この焼結体の
超電導臨界温度を直流４端子法で測定したところ１１０
Ｋで電気抵抗がゼロになることが確認できた。またＶＳ
Ｍ装置でこの焼結体試料の７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブ
の測定をおこない、そのヒステリシスの大きさから焼結
体を構成している結晶粒子内部を流れる超電導臨界電流
密度Ｊｃを求めたところ、印加磁場が１テスラーのとき
Ｊｃ＝１５０００Ａ／ｃｍ２であった。このことより、
酸化物超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ
２Ｃｕ３Ｏ９に対して（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２
ＣａＳｍＣｕ３Ｏ９は非常に有効なピンニングセンター
となることがわかる。
【００４５】次にこの焼結体を再び粉砕して、この粉末
を外径６ｍｍ，内径４ｍｍの金パイプに充填し、外径０
．５ｍｍまで線引きした後、厚さ０．１ｍｍまで圧延し
た。これを３０ｍｍの試験片として切り出し、９５０℃
の温度で大気中で１０時間熱処理した。
を外径６ｍｍ，内径４ｍｍの金パイプに充填し、外径０
．５ｍｍまで線引きした後、厚さ０．１ｍｍまで圧延し
た。これを３０ｍｍの試験片として切り出し、９５０℃
の温度で大気中で１０時間熱処理した。
【００４６】７７Ｋの温度で１テスラーの磁場中でのこ
の試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定したところ
、Ｊｃ＝１４０００Ａ／ｃｍ２であった。
の試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定したところ
、Ｊｃ＝１４０００Ａ／ｃｍ２であった。
【００４７】［実施例５］出発原料としては、純度９９
％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯ
，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物超電導物質
を作製した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：
Ｃａ：Ｃｕの原子比率が２：３：４になるように混合し
、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末をめ
のう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ：
Ｃａ：Ｃｕの原子比率が ０．５：０．５：２：３：４
となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合する。乳鉢でよ
く混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディ
スク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれ
て８５０℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出来
上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔｌ０
．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ３Ｃｕ４Ｏ１１ができてお
り、それ以外の物質はできていないことが確認された。 この焼結体の超電導臨界温度を直流４端子法で測定した
ところ１１０Ｋで電気抵抗がゼロになることが確認でき
た。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料の７７Ｋにおける
Ｂ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒステリシスの大
きさから焼結体を構成している（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５
）Ｓｒ２Ｃａ３Ｃｕ４Ｏ１１の結晶粒子内部を流れる超
電導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印加磁場が１テ
スラーのときＪｃ＝９００Ａ／ｃｍ２であった。
％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯ
，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物超電導物質
を作製した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：
Ｃａ：Ｃｕの原子比率が２：３：４になるように混合し
、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末をめ
のう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ：
Ｃａ：Ｃｕの原子比率が ０．５：０．５：２：３：４
となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合する。乳鉢でよ
く混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディ
スク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれ
て８５０℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出来
上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔｌ０
．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ３Ｃｕ４Ｏ１１ができてお
り、それ以外の物質はできていないことが確認された。 この焼結体の超電導臨界温度を直流４端子法で測定した
ところ１１０Ｋで電気抵抗がゼロになることが確認でき
た。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料の７７Ｋにおける
Ｂ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒステリシスの大
きさから焼結体を構成している（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５
）Ｓｒ２Ｃａ３Ｃｕ４Ｏ１１の結晶粒子内部を流れる超
電導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印加磁場が１テ
スラーのときＪｃ＝９００Ａ／ｃｍ２であった。
【００４８】次に酸化物超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０
．５）Ｓｒ２Ｃａ３Ｃｕ４Ｏ１１のＣａ原子をＳｍで置
換した非超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃ
ａ２ＳｍＣｕ４Ｏ１１を合成する。
．５）Ｓｒ２Ｃａ３Ｃｕ４Ｏ１１のＣａ原子をＳｍで置
換した非超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃ
ａ２ＳｍＣｕ４Ｏ１１を合成する。
【００４９】ＳｒＯ，ＣａＯ，Ｓｍ２Ｏ３，ＣｕＯ を
それぞれＳｒ：Ｃａ：Ｓｍ：Ｃｕ の原子比率が２：２
：１：４になるように混合し、９００℃で２０時間大気
中で焼成する。この粉末をめのう乳鉢で粉砕し、得られ
た粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比
率が０．５：０．５：２：２：１：４となるようにＴｌ
２Ｏ３とＰｂＯを混合する。乳鉢でよく混合した後の粉
末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型
し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれて９００℃の温度
で大気中５時間の焼成を行った。出来上がった焼結体を
粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）
Ｓｒ２Ｃａ２ＳｍＣｕ４Ｏ１１ができており、それ以外
の物質はできていないことが確認された。この焼結体の
電気抵抗を温度を変えながらを直流４端子法で測定した
ところ３００Ｋ付近での電気抵抗の値は１０２ｏｈｍ・
ｃｍ 程度であり、その温度依存性は半導体的なもので
あって、４．２Ｋ まで測定したがその範囲で超電導に
なることはなった。
それぞれＳｒ：Ｃａ：Ｓｍ：Ｃｕ の原子比率が２：２
：１：４になるように混合し、９００℃で２０時間大気
中で焼成する。この粉末をめのう乳鉢で粉砕し、得られ
た粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比
率が０．５：０．５：２：２：１：４となるようにＴｌ
２Ｏ３とＰｂＯを混合する。乳鉢でよく混合した後の粉
末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型
し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれて９００℃の温度
で大気中５時間の焼成を行った。出来上がった焼結体を
粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）
Ｓｒ２Ｃａ２ＳｍＣｕ４Ｏ１１ができており、それ以外
の物質はできていないことが確認された。この焼結体の
電気抵抗を温度を変えながらを直流４端子法で測定した
ところ３００Ｋ付近での電気抵抗の値は１０２ｏｈｍ・
ｃｍ 程度であり、その温度依存性は半導体的なもので
あって、４．２Ｋ まで測定したがその範囲で超電導に
なることはなった。
【００５０】次に、めのう乳鉢で十分に粉砕した（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ３Ｃｕ４Ｏ１１の粉末と
（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ２ＳｍＣｕ４Ｏ１
１の粉末を、（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ３Ｃ
ｕ４Ｏ１１：（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ２Ｓ
ｍＣｕ４Ｏ１１ のモル比が９：１となるように混ぜ、
乳鉢で十分に混合し、直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディ
スク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれ
て８５０℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出来
上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔｌ０
．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ３Ｃｕ４Ｏ１１の粉末と（
Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ２ＳｍＣｕ４Ｏ１１
が含まれており、それ以外の物質はできていないことが
確認された。この焼結体の超電導臨界温度を直流４端子
法で測定したところ１０５Ｋで電気抵抗がゼロになるこ
とが確認できた。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料の７
７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒス
テリシスの大きさから焼結体を構成している結晶粒子内
部を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印
加磁場が１テスラーのときＪｃ＝１１０００Ａ／ｃｍ２
であった。このことより、酸化物超電導物質（Ｔｌ０
．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ３Ｃｕ４Ｏ１１に対して（
Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ２ＳｍＣｕ４Ｏ１１
は非常に有効なピンニングセンターとなること９がわか
る。
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ３Ｃｕ４Ｏ１１の粉末と
（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ２ＳｍＣｕ４Ｏ１
１の粉末を、（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ３Ｃ
ｕ４Ｏ１１：（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ２Ｓ
ｍＣｕ４Ｏ１１ のモル比が９：１となるように混ぜ、
乳鉢で十分に混合し、直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディ
スク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれ
て８５０℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出来
上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔｌ０
．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ３Ｃｕ４Ｏ１１の粉末と（
Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ２ＳｍＣｕ４Ｏ１１
が含まれており、それ以外の物質はできていないことが
確認された。この焼結体の超電導臨界温度を直流４端子
法で測定したところ１０５Ｋで電気抵抗がゼロになるこ
とが確認できた。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料の７
７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒス
テリシスの大きさから焼結体を構成している結晶粒子内
部を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印
加磁場が１テスラーのときＪｃ＝１１０００Ａ／ｃｍ２
であった。このことより、酸化物超電導物質（Ｔｌ０
．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ３Ｃｕ４Ｏ１１に対して（
Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ２ＳｍＣｕ４Ｏ１１
は非常に有効なピンニングセンターとなること９がわか
る。
【００５１】次にこの焼結体を再び粉砕して、この粉末
を外径６ｍｍ，内径４ｍｍの金パイプに充填し、外径０
．５ｍｍまで線引きした後、厚さ０．１ｍｍまで圧延し
た。これを３０ｍｍの試験片として切り出し、９００℃
の温度で大気中で１０時間熱処理した。
を外径６ｍｍ，内径４ｍｍの金パイプに充填し、外径０
．５ｍｍまで線引きした後、厚さ０．１ｍｍまで圧延し
た。これを３０ｍｍの試験片として切り出し、９００℃
の温度で大気中で１０時間熱処理した。
【００５２】７７Ｋの温度で１テスラーの磁場中でのこ
の試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定したところ
、Ｊｃ＝１１０００Ａ／ｃｍ２であった。
の試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定したところ
、Ｊｃ＝１１０００Ａ／ｃｍ２であった。
【００５３】［実施例６］出発原料としては、純度９９
％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯ
，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物超電導物質
を作製した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：
Ｃａ：Ｃｕ の原子比率が２：２：３になるように混合
し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末を
めのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ
：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が ０．５：０．５：２：２：
３となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合する。乳鉢で
よく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのデ
ィスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにい
れて８５０℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出
来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ９ができてお
り、それ以外の物質はできていないことが確認された。 この焼結体の超電導臨界温度を直流４端子法で測定した
ところ１１３Ｋで電気抵抗がゼロになることが確認でき
た。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料の７７Ｋにおける
Ｂ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒステリシスの大
きさから焼結体を構成している（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５
）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７ の結晶粒子内部を流れる超電
導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印加磁場が１テス
ラーのときＪｃ＝１０００Ａ／ｃｍ２であった。次に、
この焼結体を９５０℃の温度で大気中１時間の焼成を行
った後、室温まで冷却した。この焼結体を粉末Ｘ線回折
分析したところ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣ
ｕ２Ｏ７とＣａＯとＣｕＯが含まれており、それ以外に
も少しの異相成分が確認された。この焼結体の断面を走
査型電子顕微鏡で観察したところ、平均粒径３０マイク
ロメートル程度の（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ
Ｃｕ２Ｏ７の結晶粒子の内部と外部に平均粒径が数マイ
クロメートルのＣａＯやＣｕＯの結晶粒子が析出してい
る状態が観察された。この焼結体の超電導臨界温度を直
流４端子法で測定したところ９４Ｋで電気抵抗がゼロに
なることが確認できた。またＶＳＭ装置でこの焼結体試
料の７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そ
のヒステリシスの大きさから焼結体を構成している結晶
粒子内部を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを求めたとこ
ろ、印加磁場が１テスラーのときＪｃ＝８０００Ａ／ｃ
ｍ２ であった。このことより、ある酸化物超電導物質
を別の酸化物超電導体と非超電導性の物質に分解させる
ことによって有効なピンニングセンターの形成が可能で
あることがわかる。
％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯ
，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物超電導物質
を作製した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：
Ｃａ：Ｃｕ の原子比率が２：２：３になるように混合
し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末を
めのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ
：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が ０．５：０．５：２：２：
３となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合する。乳鉢で
よく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのデ
ィスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにい
れて８５０℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出
来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ９ができてお
り、それ以外の物質はできていないことが確認された。 この焼結体の超電導臨界温度を直流４端子法で測定した
ところ１１３Ｋで電気抵抗がゼロになることが確認でき
た。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料の７７Ｋにおける
Ｂ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒステリシスの大
きさから焼結体を構成している（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５
）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７ の結晶粒子内部を流れる超電
導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印加磁場が１テス
ラーのときＪｃ＝１０００Ａ／ｃｍ２であった。次に、
この焼結体を９５０℃の温度で大気中１時間の焼成を行
った後、室温まで冷却した。この焼結体を粉末Ｘ線回折
分析したところ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣ
ｕ２Ｏ７とＣａＯとＣｕＯが含まれており、それ以外に
も少しの異相成分が確認された。この焼結体の断面を走
査型電子顕微鏡で観察したところ、平均粒径３０マイク
ロメートル程度の（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｃａ
Ｃｕ２Ｏ７の結晶粒子の内部と外部に平均粒径が数マイ
クロメートルのＣａＯやＣｕＯの結晶粒子が析出してい
る状態が観察された。この焼結体の超電導臨界温度を直
流４端子法で測定したところ９４Ｋで電気抵抗がゼロに
なることが確認できた。またＶＳＭ装置でこの焼結体試
料の７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そ
のヒステリシスの大きさから焼結体を構成している結晶
粒子内部を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを求めたとこ
ろ、印加磁場が１テスラーのときＪｃ＝８０００Ａ／ｃ
ｍ２ であった。このことより、ある酸化物超電導物質
を別の酸化物超電導体と非超電導性の物質に分解させる
ことによって有効なピンニングセンターの形成が可能で
あることがわかる。
【００５４】次にこの焼結体を再び粉砕して、この粉末
を外径６ｍｍ，内径４ｍｍの金パイプに充填し、外径０
．５ｍｍまで線引きした後、厚さ０．１ｍｍまで圧延し
た。これを３０ｍｍの試験片として切り出し、９００℃
の温度で大気中で１０時間熱処理した。
を外径６ｍｍ，内径４ｍｍの金パイプに充填し、外径０
．５ｍｍまで線引きした後、厚さ０．１ｍｍまで圧延し
た。これを３０ｍｍの試験片として切り出し、９００℃
の温度で大気中で１０時間熱処理した。
【００５５】７７Ｋの温度で１テスラーの磁場中でのこ
の試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定したところ
、Ｊｃ＝７０００Ａ／ｃｍ２ であった。また長いまま
の圧延後の線材をコイルに巻いて、その後９００℃の温
度で大気中で１０時間熱処理した。このコイルを液体窒
素の中に入れて電流を流したところ、線材が超電導状態
を保ったままで０．５ テスラーの磁場を発生すること
ができた。
の試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定したところ
、Ｊｃ＝７０００Ａ／ｃｍ２ であった。また長いまま
の圧延後の線材をコイルに巻いて、その後９００℃の温
度で大気中で１０時間熱処理した。このコイルを液体窒
素の中に入れて電流を流したところ、線材が超電導状態
を保ったままで０．５ テスラーの磁場を発生すること
ができた。
【００５６】［実施例７］出発原料としては、純度以上
のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯ，Ｓｍ
２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物超電導物質を作製
した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：Ｃａ：
Ｃｕ の原子比率が２：１：２になるように混合し、９
００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末をめのう
乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ
：Ｃｕの原子比率が０．４：０．６：２：１：２となる
ようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯ を混合する。乳鉢でよく混
合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク
状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれて９
００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出来上が
った焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔｌ０．４
Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７ができており、それ
以外の物質はできていないことが確認された。この焼結
体の超電導臨界温度を直流４端子法で測定したところ９
３Ｋで電気抵抗がゼロになることが確認できた。またＶ
ＳＭ 装置でこの焼結体試料の７７ＫにおけるＢ−Ｈカ
ーブの測定をおこない、そのヒステリシスの大きさから
焼結体を構成している（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２
ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内部を流れる超電導臨界電流
密度Ｊｃを求めたところ、印加磁場が１テスラーのとき
Ｊｃ＝９００Ａ／ｃｍ２であった。
のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯ，Ｓｍ
２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物超電導物質を作製
した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：Ｃａ：
Ｃｕ の原子比率が２：１：２になるように混合し、９
００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末をめのう
乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ
：Ｃｕの原子比率が０．４：０．６：２：１：２となる
ようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯ を混合する。乳鉢でよく混
合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク
状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれて９
００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出来上が
った焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔｌ０．４
Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７ができており、それ
以外の物質はできていないことが確認された。この焼結
体の超電導臨界温度を直流４端子法で測定したところ９
３Ｋで電気抵抗がゼロになることが確認できた。またＶ
ＳＭ 装置でこの焼結体試料の７７ＫにおけるＢ−Ｈカ
ーブの測定をおこない、そのヒステリシスの大きさから
焼結体を構成している（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２
ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内部を流れる超電導臨界電流
密度Ｊｃを求めたところ、印加磁場が１テスラーのとき
Ｊｃ＝９００Ａ／ｃｍ２であった。
【００５７】次に酸化物超電導物質（Ｔｌ０．４Ｐｂ０
．６）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原子をＳｍで置換し
た非超電導物質（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＳｍＣ
ｕ２Ｏ７を合成する。ＳｒＯ，Ｓｍ２Ｏ３，ＣｕＯをそ
れぞれＳｒ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が２：１：２になる
ように混合し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。 この粉末をめのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：
Ｐｂ：Ｓｒ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が ０．４：０．６
：２：１：２となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合す
る。乳鉢でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ
２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナ
るつぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を
行った。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したと
ころ（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７が
できており、それ以外の物質はできていないことが確認
された。この焼結体の電気抵抗を温度を変えながらを直
流４端子法で測定したところ３００Ｋ付近での電気抵抗
の値は１０２ｏｈｍ・ｃｍ程度であり、その温度依存性
は半導体的なものであって、４．２Ｋまで測定したがそ
の範囲で超電導になることはなった。
．６）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原子をＳｍで置換し
た非超電導物質（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＳｍＣ
ｕ２Ｏ７を合成する。ＳｒＯ，Ｓｍ２Ｏ３，ＣｕＯをそ
れぞれＳｒ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が２：１：２になる
ように混合し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。 この粉末をめのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：
Ｐｂ：Ｓｒ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が ０．４：０．６
：２：１：２となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合す
る。乳鉢でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ
２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナ
るつぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を
行った。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したと
ころ（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７が
できており、それ以外の物質はできていないことが確認
された。この焼結体の電気抵抗を温度を変えながらを直
流４端子法で測定したところ３００Ｋ付近での電気抵抗
の値は１０２ｏｈｍ・ｃｍ程度であり、その温度依存性
は半導体的なものであって、４．２Ｋまで測定したがそ
の範囲で超電導になることはなった。
【００５８】次に、めのう乳鉢で十分に粉砕した（Ｔｌ
０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の粉末と（Ｔ
ｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７の粉末を、
（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７：（Ｔ
ｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７のモル比が
９：１となるように混ぜ、乳鉢で十分に混合し、直径２
０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付
いたアルミナるつぼにいれて９００℃の温度で大気中５
時間の焼成を行った。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回
折分析したところ（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２Ｃａ
Ｃｕ２Ｏ７と（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＳｍＣｕ
２Ｏ７が含まれており、それ以外の物質はできていない
ことが確認された。この焼結体の超電導臨界温度を直流
４端子法で測定したところ９５Ｋで電気抵抗がゼロにな
ることが確認できた。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料
の７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、その
ヒステリシスの大きさから焼結体を構成している（Ｔｌ
０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内
部を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印
加磁場が１テスラーのときＪｃ＝１１０００Ａ／ｃｍ２
であった。このことより、酸化物超電導物質（Ｔｌ０
．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７に対して（Ｔｌ
０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７は非常に有効
なピンニングセンターとなることがわかる。 次にこ
の焼結体を粉砕して、それに平均粒径が２マイクロメー
トル程度であるＣａＯの粉末を、体積比にして１０分の
１にあたる分量を混合し、直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍの
ディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼに
いれて１０５０℃の温度で大気中１０分間の焼成を行な
い、ひきつずいて温度を９００℃に下げてその温度で５
時間焼成した。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析
したところ（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＣａＣｕ２
Ｏ７と（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７
とＣａＯが含まれており、それ以外の物質はわずかしか
できていないことが確認された。またこの焼結体の断面
を走査型電子顕微鏡で観察したところ一度液相が生成し
た後が見られた。この焼結体の超電導臨界温度を直流４
端子法で測定したところ９０Ｋで電気抵抗がゼロになる
ことが確認できた。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料の
７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒ
ステリシスの大きさから焼結体を構成しているの結晶粒
子内部を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ
、印加磁場が１テスラーのときＪｃ＝１３０００Ａ／ｃ
ｍ２であった。このことより、ＣａＯ粒子は更なるピン
ニングセンターとして有効に働いていることがわかる。
０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の粉末と（Ｔ
ｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７の粉末を、
（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７：（Ｔ
ｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７のモル比が
９：１となるように混ぜ、乳鉢で十分に混合し、直径２
０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付
いたアルミナるつぼにいれて９００℃の温度で大気中５
時間の焼成を行った。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回
折分析したところ（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２Ｃａ
Ｃｕ２Ｏ７と（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＳｍＣｕ
２Ｏ７が含まれており、それ以外の物質はできていない
ことが確認された。この焼結体の超電導臨界温度を直流
４端子法で測定したところ９５Ｋで電気抵抗がゼロにな
ることが確認できた。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料
の７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、その
ヒステリシスの大きさから焼結体を構成している（Ｔｌ
０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内
部を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ、印
加磁場が１テスラーのときＪｃ＝１１０００Ａ／ｃｍ２
であった。このことより、酸化物超電導物質（Ｔｌ０
．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７に対して（Ｔｌ
０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７は非常に有効
なピンニングセンターとなることがわかる。 次にこ
の焼結体を粉砕して、それに平均粒径が２マイクロメー
トル程度であるＣａＯの粉末を、体積比にして１０分の
１にあたる分量を混合し、直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍの
ディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼに
いれて１０５０℃の温度で大気中１０分間の焼成を行な
い、ひきつずいて温度を９００℃に下げてその温度で５
時間焼成した。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析
したところ（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＣａＣｕ２
Ｏ７と（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７
とＣａＯが含まれており、それ以外の物質はわずかしか
できていないことが確認された。またこの焼結体の断面
を走査型電子顕微鏡で観察したところ一度液相が生成し
た後が見られた。この焼結体の超電導臨界温度を直流４
端子法で測定したところ９０Ｋで電気抵抗がゼロになる
ことが確認できた。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料の
７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒ
ステリシスの大きさから焼結体を構成しているの結晶粒
子内部を流れる超電導臨界電流密度Ｊｃを求めたところ
、印加磁場が１テスラーのときＪｃ＝１３０００Ａ／ｃ
ｍ２であった。このことより、ＣａＯ粒子は更なるピン
ニングセンターとして有効に働いていることがわかる。
【００５９】次にこの焼結体を再び粉砕して、この粉末
を外径６ｍｍ，内径４ｍｍの金パイプに充填し、外径０
．５ｍｍまで線引きした後、厚さ０．１ｍｍまで圧延し
た。これを３０ｍｍの試験片として切り出し、１０５０
℃の温度で大気中１０分間の焼成を行ない、ひきつずい
て温度を９００℃に下げてその温度で５時間焼成した。 ７７Ｋの温度で１テスラーの磁場中でのこの試料の臨界
電流密度を直流４端子法で測定したところ、Ｊｃ＝１３
０００Ａ／ｃｍ２であった。
を外径６ｍｍ，内径４ｍｍの金パイプに充填し、外径０
．５ｍｍまで線引きした後、厚さ０．１ｍｍまで圧延し
た。これを３０ｍｍの試験片として切り出し、１０５０
℃の温度で大気中１０分間の焼成を行ない、ひきつずい
て温度を９００℃に下げてその温度で５時間焼成した。 ７７Ｋの温度で１テスラーの磁場中でのこの試料の臨界
電流密度を直流４端子法で測定したところ、Ｊｃ＝１３
０００Ａ／ｃｍ２であった。
【００６０】［実施例８］実施例７におけるＣａＯの代
わりにＳｒＯを用いて、それ以外は実施例７と同様に線
材試料作成した。７７Ｋの温度で１テスラーの磁場中で
のこの試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定したと
ころ、Ｊｃ＝１２０００Ａ／ｃｍ２ であった。
わりにＳｒＯを用いて、それ以外は実施例７と同様に線
材試料作成した。７７Ｋの温度で１テスラーの磁場中で
のこの試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定したと
ころ、Ｊｃ＝１２０００Ａ／ｃｍ２ であった。
【００６１】［実施例９］実施例７におけるＣａＯの代
わりにＣａ２ＣｕＯ３を用いて、それ以外は実施例７と
同様に線材試料作成した。７７Ｋの温度で１テスラーの
磁場中でのこの試料の臨界電流密度を直流４端子法で測
定したところ、Ｊｃ＝１４０００Ａ／ｃｍ２ であった
。
わりにＣａ２ＣｕＯ３を用いて、それ以外は実施例７と
同様に線材試料作成した。７７Ｋの温度で１テスラーの
磁場中でのこの試料の臨界電流密度を直流４端子法で測
定したところ、Ｊｃ＝１４０００Ａ／ｃｍ２ であった
。
【００６２】［実施例１０］実施例７におけるＣａＯの
代わりにＣａ２ＰｂＯ４ を用いて、それ以外は実施例
７と同様に線材試料作成した。７７Ｋの温度で１テスラ
ーの磁場中でのこの試料の臨界電流密度を直流４端子法
で測定したところ、Ｊｃ＝１２０００Ａ／ｃｍ２ であ
った。 ［実施例１１］実施例７におけるＣａＯの代わりにＢａ
ＰｂＯ３ を用いて、それ以外は実施例７と同様に線材
試料作成した。７７Ｋの温度で１テスラーの磁場中での
この試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定したとこ
ろ、Ｊｃ＝１３０００Ａ／ｃｍ２ であった。
代わりにＣａ２ＰｂＯ４ を用いて、それ以外は実施例
７と同様に線材試料作成した。７７Ｋの温度で１テスラ
ーの磁場中でのこの試料の臨界電流密度を直流４端子法
で測定したところ、Ｊｃ＝１２０００Ａ／ｃｍ２ であ
った。 ［実施例１１］実施例７におけるＣａＯの代わりにＢａ
ＰｂＯ３ を用いて、それ以外は実施例７と同様に線材
試料作成した。７７Ｋの温度で１テスラーの磁場中での
この試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定したとこ
ろ、Ｊｃ＝１３０００Ａ／ｃｍ２ であった。
【００６３】［実施例１２］実施例７におけるＣａＯの
代わりにＢａＢｉＯ３を用いて、それ以外は実施例７と
同様に線材試料作成した。７７Ｋの温度で１テスラーの
磁場中でのこの試料の臨界電流密度を直流４端子法で測
定したところ、Ｊｃ＝１２０００Ａ／ｃｍ２ であった
。
代わりにＢａＢｉＯ３を用いて、それ以外は実施例７と
同様に線材試料作成した。７７Ｋの温度で１テスラーの
磁場中でのこの試料の臨界電流密度を直流４端子法で測
定したところ、Ｊｃ＝１２０００Ａ／ｃｍ２ であった
。
【００６４】［実施例１３］実施例７におけるＣａＯの
代わりにＺｒＯ２ を用いて、それ以外は実施例７と同
様に線材試料作成した。７７Ｋの温度で１テスラーの磁
場中でのこの試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定
したところ、Ｊｃ＝１３０００Ａ／ｃｍ２ であった。
代わりにＺｒＯ２ を用いて、それ以外は実施例７と同
様に線材試料作成した。７７Ｋの温度で１テスラーの磁
場中でのこの試料の臨界電流密度を直流４端子法で測定
したところ、Ｊｃ＝１３０００Ａ／ｃｍ２ であった。
【００６５】［実施例１４］出発原料としては、純度９
９％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，Ｃｕ
Ｏ，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物超電導物
質を作製した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ
：Ｃａ：Ｃｕ の原子比率が２：１：２になるように混
合し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末
をめのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓ
ｒ：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が ０．５：０．５：２：１
：２となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合する。乳鉢
でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍの
ディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼに
いれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。 出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７ができてお
り、それ以外の物質はできていないことが確認された。 この焼結体の超電導臨界温度を直流４端子法で測定した
ところ９５Ｋで電気抵抗がゼロになることが確認できた
。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料の７７ＫにおけるＢ
−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒステリシスの大き
さから焼結体を構成している（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）
Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内部を流れる超電導臨
界電流密度Ｊｃを求めたところ、印加磁場が１テスラー
のときＪｃ＝９００Ａ／ｃｍ２であった。
９％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，Ｃｕ
Ｏ，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物超電導物
質を作製した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ
：Ｃａ：Ｃｕ の原子比率が２：１：２になるように混
合し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末
をめのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓ
ｒ：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が ０．５：０．５：２：１
：２となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合する。乳鉢
でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍの
ディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼに
いれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。 出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７ができてお
り、それ以外の物質はできていないことが確認された。 この焼結体の超電導臨界温度を直流４端子法で測定した
ところ９５Ｋで電気抵抗がゼロになることが確認できた
。またＶＳＭ装置でこの焼結体試料の７７ＫにおけるＢ
−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒステリシスの大き
さから焼結体を構成している（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）
Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の結晶粒子内部を流れる超電導臨
界電流密度Ｊｃを求めたところ、印加磁場が１テスラー
のときＪｃ＝９００Ａ／ｃｍ２であった。
【００６６】次に酸化物超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０
．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原子をＳｍで置換し
た非超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣ
ｕ２Ｏ７を合成する。ＳｒＯ，Ｓｍ２Ｏ３，ＣｕＯをそ
れぞれＳｒ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が２：１：２になる
ように混合し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。 この粉末をめのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：
Ｐｂ：Ｓｒ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が ０．５：０．５
：２：１：２となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合す
る。乳鉢でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ
２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナ
るつぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を
行った。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したと
ころ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７が
できており、それ以外の物質はできていないことが確認
された。この焼結体の電気抵抗を温度を変えながらを直
流４端子法で測定したところ３００Ｋ付近での電気抵抗
の値は１０２ｏｈｍ・ｃｍ程度であり、その温度依存性
は半導体的なものであって、４．２Ｋまで測定したがそ
の範囲で超電導になることはなった。
．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原子をＳｍで置換し
た非超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣ
ｕ２Ｏ７を合成する。ＳｒＯ，Ｓｍ２Ｏ３，ＣｕＯをそ
れぞれＳｒ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が２：１：２になる
ように混合し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。 この粉末をめのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：
Ｐｂ：Ｓｒ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が ０．５：０．５
：２：１：２となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合す
る。乳鉢でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ
２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナ
るつぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を
行った。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したと
ころ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７が
できており、それ以外の物質はできていないことが確認
された。この焼結体の電気抵抗を温度を変えながらを直
流４端子法で測定したところ３００Ｋ付近での電気抵抗
の値は１０２ｏｈｍ・ｃｍ程度であり、その温度依存性
は半導体的なものであって、４．２Ｋまで測定したがそ
の範囲で超電導になることはなった。
【００６７】次に、めのう乳鉢で十分に粉砕した（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の粉末と（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７の粉末を、
（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７：（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７のモル比を
いろいろな値（ここでは１：Ｘとした時のＸの値を変化
させた）として混ぜ、乳鉢で十分に混合し、直径２０ｍ
ｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いた
アルミナるつぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間
の焼成を行った。出来上がった焼結体の超電導臨界温度
を直流４端子法で測定して電気抵抗がゼロになった温度
をＴｃとして、またＶＳＭ装置でこれらの焼結体試料の
７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒ
ステリシスの大きさから焼結体を構成している結晶粒子
内部を流れる超電導臨界電流密度の値を求めた。印加磁
場が１テスラーのとき超電導臨界電流密度の値を求めＪ
ｃとして、表１にまとめた。この表１より、酸化物超電
導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７
に対して（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ
７は非常に有効なピンニングセンターとなることがわか
る。また（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ
７に対する（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２
Ｏ７の割合には適正な範囲があることがわかる。
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の粉末と（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７の粉末を、
（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７：（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７のモル比を
いろいろな値（ここでは１：Ｘとした時のＸの値を変化
させた）として混ぜ、乳鉢で十分に混合し、直径２０ｍ
ｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いた
アルミナるつぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間
の焼成を行った。出来上がった焼結体の超電導臨界温度
を直流４端子法で測定して電気抵抗がゼロになった温度
をＴｃとして、またＶＳＭ装置でこれらの焼結体試料の
７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒ
ステリシスの大きさから焼結体を構成している結晶粒子
内部を流れる超電導臨界電流密度の値を求めた。印加磁
場が１テスラーのとき超電導臨界電流密度の値を求めＪ
ｃとして、表１にまとめた。この表１より、酸化物超電
導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７
に対して（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ
７は非常に有効なピンニングセンターとなることがわか
る。また（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ
７に対する（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２
Ｏ７の割合には適正な範囲があることがわかる。
【００６８】
【表１】
【００６９】［実施例１５］出発原料としては、純度９
９％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，Ｃｕ
Ｏそして希土類元素の酸化物を用いた。まず最初に酸化
物超電導物質を実施例１と同様の方法で作製した。
９％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，Ｃｕ
Ｏそして希土類元素の酸化物を用いた。まず最初に酸化
物超電導物質を実施例１と同様の方法で作製した。
【００７０】次に酸化物超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０
．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原子を希土類元素で
置換した非超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２
ＬｎＣｕ２Ｏ７（Ｌｎは希土類元素）を合成する。Ｓｒ
Ｏ，希土類酸化物，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：Ｌｎ：Ｃｕ
の原子比率が２：１：２になるように混合し、９００℃
で２０時間大気中で焼成する。この粉末をめのう乳鉢で
粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｌｎ：Ｃｕ
の原子比率が ０．５：０．５：２：１：２となるよう
にＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合する。乳鉢でよく混合した
後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧
粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれて９００℃
の温度で大気中５時間の焼成を行った。出来上がった焼
結体を粉末Ｘ線回折分析したところいずれの試料におい
ても９０％以上は（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｌｎ
Ｃｕ２Ｏ７ができていることが確認された。これらの焼
結体の電気抵抗を温度を変えながらを直流４端子法で測
定したところいずれも３００Ｋ付近での電気抵抗の値は
１０２ｏｈｍ・ｃｍ 程度であり、その温度依存性は半
導体的なものであって、４．２Ｋ まで測定したがその
範囲で超電導になるものはなった。
．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原子を希土類元素で
置換した非超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２
ＬｎＣｕ２Ｏ７（Ｌｎは希土類元素）を合成する。Ｓｒ
Ｏ，希土類酸化物，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：Ｌｎ：Ｃｕ
の原子比率が２：１：２になるように混合し、９００℃
で２０時間大気中で焼成する。この粉末をめのう乳鉢で
粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｌｎ：Ｃｕ
の原子比率が ０．５：０．５：２：１：２となるよう
にＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合する。乳鉢でよく混合した
後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧
粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれて９００℃
の温度で大気中５時間の焼成を行った。出来上がった焼
結体を粉末Ｘ線回折分析したところいずれの試料におい
ても９０％以上は（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２Ｌｎ
Ｃｕ２Ｏ７ができていることが確認された。これらの焼
結体の電気抵抗を温度を変えながらを直流４端子法で測
定したところいずれも３００Ｋ付近での電気抵抗の値は
１０２ｏｈｍ・ｃｍ 程度であり、その温度依存性は半
導体的なものであって、４．２Ｋ まで測定したがその
範囲で超電導になるものはなった。
【００７１】次に、めのう乳鉢で十分に粉砕した（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の粉末と（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＬｎＣｕ２Ｏ７の粉末を、
（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７：（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＬｎＣｕ２Ｏ７のモル比が
９：１になるように混ぜ、乳鉢で十分に混合し、直径２
０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付
いたアルミナるつぼにいれて９００℃の温度で大気中５
時間の焼成を行った。出来上がった焼結体の超電導臨界
温度を直流４端子法で測定して電気抵抗がゼロになった
温度をＴｃとして、またＶＳＭ装置でこれらの焼結体試
料の７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そ
のヒステリシスの大きさから焼結体を構成している結晶
粒子内部を流れる超電導臨界電流密度の値を求めた。印
加磁場が１テスラーのとき超電導臨界電流密度の値を求
めＪｃとして、表２にまとめた。この表２より、酸化物
超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２
Ｏ７に対して（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＬｎＣｕ
２Ｏ７は非常に有効なピンニングセンターとなることが
わかる。また希土類元素によってそれほど顕著な差がな
いことがわかる。
０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の粉末と（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＬｎＣｕ２Ｏ７の粉末を、
（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７：（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＬｎＣｕ２Ｏ７のモル比が
９：１になるように混ぜ、乳鉢で十分に混合し、直径２
０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付
いたアルミナるつぼにいれて９００℃の温度で大気中５
時間の焼成を行った。出来上がった焼結体の超電導臨界
温度を直流４端子法で測定して電気抵抗がゼロになった
温度をＴｃとして、またＶＳＭ装置でこれらの焼結体試
料の７７ＫにおけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そ
のヒステリシスの大きさから焼結体を構成している結晶
粒子内部を流れる超電導臨界電流密度の値を求めた。印
加磁場が１テスラーのとき超電導臨界電流密度の値を求
めＪｃとして、表２にまとめた。この表２より、酸化物
超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＣａＣｕ２
Ｏ７に対して（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）Ｓｒ２ＬｎＣｕ
２Ｏ７は非常に有効なピンニングセンターとなることが
わかる。また希土類元素によってそれほど顕著な差がな
いことがわかる。
【００７２】
【表２】
【００７３】［実施例１６］出発原料としては、純度９
９％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，Ｃｕ
Ｏ，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初にさまざまなＴｌ
とＰｂの含有比率の酸化物超電導物質を作製した。
９％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，Ｃｕ
Ｏ，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初にさまざまなＴｌ
とＰｂの含有比率の酸化物超電導物質を作製した。
【００７４】ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：
Ｃａ：Ｃｕ の原子比率が２：１：２になるように混合
し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末を
めのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ
：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が（１−Ｘ）：Ｘ：２：１：２
となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合する（ここでＸ
の値をさまざまに変えることによって、ＴｌとＰｂの含
有比率の異なった超電導物質を作製する）。乳鉢でよく
混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディス
ク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれて
９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。
Ｃａ：Ｃｕ の原子比率が２：１：２になるように混合
し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末を
めのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ
：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が（１−Ｘ）：Ｘ：２：１：２
となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合する（ここでＸ
の値をさまざまに変えることによって、ＴｌとＰｂの含
有比率の異なった超電導物質を作製する）。乳鉢でよく
混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディス
ク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれて
９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。
【００７５】次に酸化物超電導物質（Ｔｌ１−ＸＰｂＸ
）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原子をＬａで置換した非
超電導物質（Ｔｌ１−ＸＰｂＸ）Ｓｒ２ＬａＣｕ２Ｏ７
を合成する。ＳｒＯ，Ｌａ２Ｏ３，ＣｕＯをそれぞれＳ
ｒ：Ｌａ：Ｃｕの原子比率が２：１：２になるように混
合し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末
をめのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓ
ｒ：Ｌａ：Ｃｕの原子比率が１−Ｘ：Ｘ：２：１：２と
なるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯ を混合する。乳鉢でよ
く混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディ
スク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれ
て９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出来
上がった焼結体の電気抵抗を温度を変えながらを直流４
端子法で測定したところいずれも３００ Ｋ付近での電
気抵抗の値は１０２ｏｈｍ・ｃｍ 程度であり、その温
度依存性は半導体的なものであって、４．２Ｋ まで測
定したがその範囲で超電導になるものはなった。
）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原子をＬａで置換した非
超電導物質（Ｔｌ１−ＸＰｂＸ）Ｓｒ２ＬａＣｕ２Ｏ７
を合成する。ＳｒＯ，Ｌａ２Ｏ３，ＣｕＯをそれぞれＳ
ｒ：Ｌａ：Ｃｕの原子比率が２：１：２になるように混
合し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末
をめのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓ
ｒ：Ｌａ：Ｃｕの原子比率が１−Ｘ：Ｘ：２：１：２と
なるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯ を混合する。乳鉢でよ
く混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディ
スク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれ
て９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出来
上がった焼結体の電気抵抗を温度を変えながらを直流４
端子法で測定したところいずれも３００ Ｋ付近での電
気抵抗の値は１０２ｏｈｍ・ｃｍ 程度であり、その温
度依存性は半導体的なものであって、４．２Ｋ まで測
定したがその範囲で超電導になるものはなった。
【００７６】次に、めのう乳鉢で十分に粉砕した（Ｔｌ
１−ＸＰｂＸ）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の粉末と（Ｔｌ１
−ＸＰｂＸ）Ｓｒ２ＬａＣｕ２Ｏ７の粉末を、（Ｔｌ１
−ＸＰｂＸ）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７：（Ｔｌ１−ＸＰｂ
Ｘ）Ｓｒ２ＬａＣｕ２Ｏ７のモル比が９：１になるよう
に混ぜ、乳鉢で十分に混合し、直径２０ｍｍ，厚さ２ｍ
ｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつ
ぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行っ
た。出来上がった焼結体の超電導臨界温度を直流４端子
法で測定して電気抵抗がゼロになった温度をＴｃとして
、またＶＳＭ装置でこれらの焼結体試料の７７Ｋにおけ
るＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒステリシスの
大きさから焼結体を構成している結晶粒子内部を流れる
超電導臨界電流密度の値を求めた。 印加磁場が１テスラーのとき超電導臨界電流密度の値を
求めＪｃとして、表３にまとめた。この表３より、酸化
物超電導物質（Ｔｌ１−ＸＰｂＸ）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ
７に対して（Ｔｌ１−ＸＰｂＸ）Ｓｒ２ＬａＣｕ２Ｏ７
は非常に有効なピンニングセンターとなることがわかる
。またＴｌとＰｂの含有比率によって超電導体としての
性能に違いが生じ、Ｘの値には適正な範囲があることが
わかる。
１−ＸＰｂＸ）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の粉末と（Ｔｌ１
−ＸＰｂＸ）Ｓｒ２ＬａＣｕ２Ｏ７の粉末を、（Ｔｌ１
−ＸＰｂＸ）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７：（Ｔｌ１−ＸＰｂ
Ｘ）Ｓｒ２ＬａＣｕ２Ｏ７のモル比が９：１になるよう
に混ぜ、乳鉢で十分に混合し、直径２０ｍｍ，厚さ２ｍ
ｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつ
ぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行っ
た。出来上がった焼結体の超電導臨界温度を直流４端子
法で測定して電気抵抗がゼロになった温度をＴｃとして
、またＶＳＭ装置でこれらの焼結体試料の７７Ｋにおけ
るＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒステリシスの
大きさから焼結体を構成している結晶粒子内部を流れる
超電導臨界電流密度の値を求めた。 印加磁場が１テスラーのとき超電導臨界電流密度の値を
求めＪｃとして、表３にまとめた。この表３より、酸化
物超電導物質（Ｔｌ１−ＸＰｂＸ）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ
７に対して（Ｔｌ１−ＸＰｂＸ）Ｓｒ２ＬａＣｕ２Ｏ７
は非常に有効なピンニングセンターとなることがわかる
。またＴｌとＰｂの含有比率によって超電導体としての
性能に違いが生じ、Ｘの値には適正な範囲があることが
わかる。
【００７７】
【表３】
【００７８】［実施例１７］出発原料としては、純度９
９％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＳｒＯ，
ＣａＯ，ＣｕＯ，Ｌａ２Ｏ３ を用いた。まず最初にさ
まざまなＴｌとＰｂとＢｉの含有比率の酸化物超電導物
質を作製した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ
：Ｃａ：Ｃｕ の原子比率が２：１：２になるように混
合し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末
をめのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｂ
ｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が０．４：（０．６−
Ｘ）：Ｘ：２：１：２となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯ
とＢｉ２Ｏ３を混合する（ここでＸの値をさまざまに変
えることによって、ＴｌとＰｂとＢｉの含有比率の異な
った超電導物質を作製する）。乳鉢でよく混合した後の
粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成
型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれて９００℃の温
度で大気中５時間の焼成を行った。
９％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＳｒＯ，
ＣａＯ，ＣｕＯ，Ｌａ２Ｏ３ を用いた。まず最初にさ
まざまなＴｌとＰｂとＢｉの含有比率の酸化物超電導物
質を作製した。ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯをそれぞれＳｒ
：Ｃａ：Ｃｕ の原子比率が２：１：２になるように混
合し、９００℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末
をめのう乳鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｂ
ｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が０．４：（０．６−
Ｘ）：Ｘ：２：１：２となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯ
とＢｉ２Ｏ３を混合する（ここでＸの値をさまざまに変
えることによって、ＴｌとＰｂとＢｉの含有比率の異な
った超電導物質を作製する）。乳鉢でよく混合した後の
粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク状に圧粉成
型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれて９００℃の温
度で大気中５時間の焼成を行った。
【００７９】次に酸化物超電導物質（Ｔｌ０．４Ｐｂ０
．６−ＸＢｉＸ）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原子をＬ
ａで置換した非超電導物質（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６−Ｘ
ＢｉＸ）Ｓｒ２ＬａＣｕ２Ｏ７を合成する。ＳｒＯ，Ｌ
ａ２Ｏ３，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：Ｌａ：Ｃｕの原子比
率が２：１：２になるように混合し、９００℃で２０時
間大気中で焼成する。この粉末をめのう乳鉢で粉砕し、
得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｂｉ：Ｓｒ：Ｌａ：Ｃｕの
原子比率が０．４：（０．６−Ｘ）：Ｘ：２：１：２と
なるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯとＢｉ２Ｏ３ を混合す
る。乳鉢でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ
２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナ
るつぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を
行った。出来上がった焼結体の電気抵抗を温度を変えな
がらを直流４端子法で測定したところいずれも３００Ｋ
付近での電気抵抗の値は１０２ｏｈｍ・ｃｍ 程度であ
り、その温度依存性は半導体的なものであって、４．２
Ｋ まで測定したがその範囲で超電導になるものはなっ
た。
．６−ＸＢｉＸ）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原子をＬ
ａで置換した非超電導物質（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６−Ｘ
ＢｉＸ）Ｓｒ２ＬａＣｕ２Ｏ７を合成する。ＳｒＯ，Ｌ
ａ２Ｏ３，ＣｕＯをそれぞれＳｒ：Ｌａ：Ｃｕの原子比
率が２：１：２になるように混合し、９００℃で２０時
間大気中で焼成する。この粉末をめのう乳鉢で粉砕し、
得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｂｉ：Ｓｒ：Ｌａ：Ｃｕの
原子比率が０．４：（０．６−Ｘ）：Ｘ：２：１：２と
なるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯとＢｉ２Ｏ３ を混合す
る。乳鉢でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ
２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナ
るつぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を
行った。出来上がった焼結体の電気抵抗を温度を変えな
がらを直流４端子法で測定したところいずれも３００Ｋ
付近での電気抵抗の値は１０２ｏｈｍ・ｃｍ 程度であ
り、その温度依存性は半導体的なものであって、４．２
Ｋ まで測定したがその範囲で超電導になるものはなっ
た。
【００８０】次に、めのう乳鉢で十分に粉砕した（Ｔｌ
０．４Ｐｂ０．６−ＸＢｉＸ）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の
粉末と（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６−ＸＢｉＸ）Ｓｒ２Ｌａ
Ｃｕ２Ｏ７の粉末を、（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６−ＸＢｉ
Ｘ）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７：（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６−
ＸＢｉＸ）Ｓｒ２ＬａＣｕ２Ｏ７のモル比が９：１にな
るように混ぜ、乳鉢で十分に混合し、直径２０ｍｍ，厚
さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミ
ナるつぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成
を行った。出来上がった焼結体の超電導臨界温度を直流
４端子法で測定して電気抵抗がゼロになった温度をＴｃ
として、またＶＳＭ装置でこれらの焼結体試料の７７Ｋ
におけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒステリ
シスの大きさから焼結体を構成している結晶粒子内部を
流れる超電導臨界電流密度の値を求めた。印加磁場が１
テスラーのとき超電導臨界電流密度の値を求めＪｃとし
て、表４にまとめた。この表４より、酸化物超電導物質
（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６−ＸＢｉＸ）Ｓｒ２ＣａＣｕ２
Ｏ７に対して（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６−ＸＢｉＸ）Ｓｒ
２ＬａＣｕ２Ｏ７は非常に有効なピンニングセンターと
なることがわかる。またＴｌとＰｂとＢｉ の含有比率
によって超電導体としての性能に違いが生じ、Ｘの値に
は適正な範囲があることがわかる。
０．４Ｐｂ０．６−ＸＢｉＸ）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７の
粉末と（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６−ＸＢｉＸ）Ｓｒ２Ｌａ
Ｃｕ２Ｏ７の粉末を、（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６−ＸＢｉ
Ｘ）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７：（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６−
ＸＢｉＸ）Ｓｒ２ＬａＣｕ２Ｏ７のモル比が９：１にな
るように混ぜ、乳鉢で十分に混合し、直径２０ｍｍ，厚
さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミ
ナるつぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成
を行った。出来上がった焼結体の超電導臨界温度を直流
４端子法で測定して電気抵抗がゼロになった温度をＴｃ
として、またＶＳＭ装置でこれらの焼結体試料の７７Ｋ
におけるＢ−Ｈカーブの測定をおこない、そのヒステリ
シスの大きさから焼結体を構成している結晶粒子内部を
流れる超電導臨界電流密度の値を求めた。印加磁場が１
テスラーのとき超電導臨界電流密度の値を求めＪｃとし
て、表４にまとめた。この表４より、酸化物超電導物質
（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６−ＸＢｉＸ）Ｓｒ２ＣａＣｕ２
Ｏ７に対して（Ｔｌ０．４Ｐｂ０．６−ＸＢｉＸ）Ｓｒ
２ＬａＣｕ２Ｏ７は非常に有効なピンニングセンターと
なることがわかる。またＴｌとＰｂとＢｉ の含有比率
によって超電導体としての性能に違いが生じ、Ｘの値に
は適正な範囲があることがわかる。
【００８１】
【表４】
【００８２】［実施例１８］出発原料としては、純度９
９％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，Ｃａ
Ｏ，ＣｕＯ，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物
超電導物質を作製した。ＳｒＯ，ＢａＯ，ＣａＯ，Ｃｕ
Ｏ をそれぞれＳｒ：Ｂａ：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が
２（１−Ｘ）：２Ｘ：１：２になるように混合し、９０
０℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末をめのう乳
鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｂａ：
Ｃａ：Ｃｕの原子比率が０．５：０．５：２（１−Ｘ）
：２Ｘ：１：２となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合
する。乳鉢でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚
さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミ
ナるつぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成
を行った。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析した
ところ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）
２ＣａＣｕ２Ｏ７が大部分であり（９０％以上）、それ
以外の物質はあまりできていないことが確認された。
９％以上のＴｌ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，Ｃａ
Ｏ，ＣｕＯ，Ｓｍ２Ｏ３ を用いた。まず最初に酸化物
超電導物質を作製した。ＳｒＯ，ＢａＯ，ＣａＯ，Ｃｕ
Ｏ をそれぞれＳｒ：Ｂａ：Ｃａ：Ｃｕの原子比率が
２（１−Ｘ）：２Ｘ：１：２になるように混合し、９０
０℃で２０時間大気中で焼成する。この粉末をめのう乳
鉢で粉砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｂａ：
Ｃａ：Ｃｕの原子比率が０．５：０．５：２（１−Ｘ）
：２Ｘ：１：２となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合
する。乳鉢でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚
さ２ｍｍのディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミ
ナるつぼにいれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成
を行った。出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析した
ところ（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）
２ＣａＣｕ２Ｏ７が大部分であり（９０％以上）、それ
以外の物質はあまりできていないことが確認された。
【００８３】次に酸化物超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０
．５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原
子をＳｍで置換した非超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．
５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）２ＳｍＣｕ２Ｏ７ を合成す
る。
．５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）２ＣａＣｕ２Ｏ７のＣａ原
子をＳｍで置換した非超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．
５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）２ＳｍＣｕ２Ｏ７ を合成す
る。
【００８４】ＳｒＯ，ＢａＯ，Ｓｍ２Ｏ３，ＣｕＯをそ
れぞれＳｒ：ＢａＯ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が ２（１
−Ｘ）：２Ｘ：１：２になるように混合し、９００℃で
２０時間大気中で焼成する。この粉末をめのう乳鉢で粉
砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｓｍ：Ｃｕの
原子比率が ０．５：０．５：２（１−Ｘ）：２Ｘ：１
：２となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合する。乳鉢
でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍの
ディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼに
いれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。 出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）２ＳｍＣｕ
２Ｏ７ができており、それ以外の物質はできていないこ
とが確認された。この焼結体の電気抵抗を温度を変えな
がらを直流４端子法で測定したところ３００Ｋ付近での
電気抵抗の値は１０２ｏｈｍ・ｃｍ 程度であり、その
温度依存性は半導体的なものであって、４．２Ｋ まで
測定したがその範囲で超電導になることはなった。
れぞれＳｒ：ＢａＯ：Ｓｍ：Ｃｕの原子比率が ２（１
−Ｘ）：２Ｘ：１：２になるように混合し、９００℃で
２０時間大気中で焼成する。この粉末をめのう乳鉢で粉
砕し、得られた粉末にＴｌ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｓｍ：Ｃｕの
原子比率が ０．５：０．５：２（１−Ｘ）：２Ｘ：１
：２となるようにＴｌ２Ｏ３とＰｂＯを混合する。乳鉢
でよく混合した後の粉末を直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍの
ディスク状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼに
いれて９００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。 出来上がった焼結体を粉末Ｘ線回折分析したところ（Ｔ
ｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）２ＳｍＣｕ
２Ｏ７ができており、それ以外の物質はできていないこ
とが確認された。この焼結体の電気抵抗を温度を変えな
がらを直流４端子法で測定したところ３００Ｋ付近での
電気抵抗の値は１０２ｏｈｍ・ｃｍ 程度であり、その
温度依存性は半導体的なものであって、４．２Ｋ まで
測定したがその範囲で超電導になることはなった。
【００８５】次に、めのう乳鉢で十分に粉砕した（Ｔｌ
０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）２ＣａＣｕ２
Ｏ７の粉末と（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ１−ＸＢ
ａＸ）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７の粉末を、（Ｔｌ０．５Ｐ
ｂ０．５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７
：（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）２Ｓ
ｍＣｕ２Ｏ７のモル比が９：１になるように混ぜ、乳鉢
で十分に混合し、直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク
状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれて９
００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出来上が
った焼結体の超電導臨界温度を直流４端子法で測定して
電気抵抗がゼロになった温度をＴｃとして、またＶＳＭ
装置でこれらの焼結体試料の７７ＫにおけるＢ−Ｈカー
ブの測定をおこない、そのヒステリシスの大きさから焼
結体を構成している結晶粒子内部を流れる超電導臨界電
流密度の値を求めた。印加磁場が１テスラーのとき超電
導臨界電流密度の値を求めＪｃとして、表５にまとめた
。この表５より、酸化物超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０
．５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）２ＣａＣｕ２Ｏ７に対して
（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）２Ｓｍ
Ｃｕ２Ｏ７は非常に有効なピンニングセンターとなるこ
とがわかる。また超電導体の磁場中Ｊｃの値はＳｒとＢ
ａの含有比率に鈍感であることがわかる。
０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）２ＣａＣｕ２
Ｏ７の粉末と（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ１−ＸＢ
ａＸ）Ｓｒ２ＳｍＣｕ２Ｏ７の粉末を、（Ｔｌ０．５Ｐ
ｂ０．５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７
：（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）２Ｓ
ｍＣｕ２Ｏ７のモル比が９：１になるように混ぜ、乳鉢
で十分に混合し、直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのディスク
状に圧粉成型し、蓋の付いたアルミナるつぼにいれて９
００℃の温度で大気中５時間の焼成を行った。出来上が
った焼結体の超電導臨界温度を直流４端子法で測定して
電気抵抗がゼロになった温度をＴｃとして、またＶＳＭ
装置でこれらの焼結体試料の７７ＫにおけるＢ−Ｈカー
ブの測定をおこない、そのヒステリシスの大きさから焼
結体を構成している結晶粒子内部を流れる超電導臨界電
流密度の値を求めた。印加磁場が１テスラーのとき超電
導臨界電流密度の値を求めＪｃとして、表５にまとめた
。この表５より、酸化物超電導物質（Ｔｌ０．５Ｐｂ０
．５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）２ＣａＣｕ２Ｏ７に対して
（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）２Ｓｍ
Ｃｕ２Ｏ７は非常に有効なピンニングセンターとなるこ
とがわかる。また超電導体の磁場中Ｊｃの値はＳｒとＢ
ａの含有比率に鈍感であることがわかる。
【００８６】
【表５】
【００８７】［実施例１９］実施例２作製した超電導体
の焼結体を液体窒素で冷却して超電導状態にし、市販の
サマリウム・コバルト磁石の上に浮上させて３０ｇのお
もりを乗せたところ、浮上高さは約５ｍｍであり、今後
搬送システムやベアリングへの応用が充分可能であるこ
とをうかがわせた。
の焼結体を液体窒素で冷却して超電導状態にし、市販の
サマリウム・コバルト磁石の上に浮上させて３０ｇのお
もりを乗せたところ、浮上高さは約５ｍｍであり、今後
搬送システムやベアリングへの応用が充分可能であるこ
とをうかがわせた。
【００８８】［実施例２０］本発明による超電導線材の
構成を図７に示す。本発明は超電導体１に金−５重量％
パラジウム合金被覆材２を施した扁平形状を有する。該
被覆材２は、実質的に超電導体と反応しない金属であれ
ば、いずれの物質でもよく、金，銀，パラジウム，銅−
アルミニウム合金，ニッケルなどが好ましい。
構成を図７に示す。本発明は超電導体１に金−５重量％
パラジウム合金被覆材２を施した扁平形状を有する。該
被覆材２は、実質的に超電導体と反応しない金属であれ
ば、いずれの物質でもよく、金，銀，パラジウム，銅−
アルミニウム合金，ニッケルなどが好ましい。
【００８９】実施例１８で作製した超電導体の焼結体試
料を粉砕し、外径６ｍｍ，内径５ｍｍ，長さ１００ｍｍ
の金−５重量％パラジウム合金パイプに充填封入後、ド
ロ−ベンチで外径１ｍｍまで線引き加工した。この線材
を更に冷間圧延機によって圧延加工を施し、幅３ｍｍ，
厚さ０．２ｍｍ の扁平断面構造の線材を得た。この線
材を長さ２５０ｍｍで切りだし、空気中９５０℃の温度
で３０分保持し、一部分融解させた後、液体窒素中にク
エンチ急冷した後、８８０℃で２０時間空気中で熱処理
した。この試料１テスラー中、７７Ｋでの臨界電流密度
を直流４端子法で測定したところ、１１０００Ａ／ｃｍ
２ であった。電子顕微鏡観察により超電導体部分の結
晶の向きを調べたところ、約５０％程度の結晶のＣ軸が
、厚さ方向を向いていた。
料を粉砕し、外径６ｍｍ，内径５ｍｍ，長さ１００ｍｍ
の金−５重量％パラジウム合金パイプに充填封入後、ド
ロ−ベンチで外径１ｍｍまで線引き加工した。この線材
を更に冷間圧延機によって圧延加工を施し、幅３ｍｍ，
厚さ０．２ｍｍ の扁平断面構造の線材を得た。この線
材を長さ２５０ｍｍで切りだし、空気中９５０℃の温度
で３０分保持し、一部分融解させた後、液体窒素中にク
エンチ急冷した後、８８０℃で２０時間空気中で熱処理
した。この試料１テスラー中、７７Ｋでの臨界電流密度
を直流４端子法で測定したところ、１１０００Ａ／ｃｍ
２ であった。電子顕微鏡観察により超電導体部分の結
晶の向きを調べたところ、約５０％程度の結晶のＣ軸が
、厚さ方向を向いていた。
【００９０】
【発明の効果】本発明によれば、液体ヘリウムによる冷
却は勿論、液体窒素による冷却によって運転される、高
磁界中においても高い超電導臨界電流密度を有する酸化
物超電導物質を用いた超電導体，超電導線材，超電導マ
グネットが得られる。
却は勿論、液体窒素による冷却によって運転される、高
磁界中においても高い超電導臨界電流密度を有する酸化
物超電導物質を用いた超電導体，超電導線材，超電導マ
グネットが得られる。
【図１】本発明を説明するための実施例１で作製した超
電導物質の結晶構造を表す模式図。
電導物質の結晶構造を表す模式図。
【図２】本発明を説明するための実施例１で作製した非
超電導物質の結晶構造を表す模式図。
超電導物質の結晶構造を表す模式図。
【図３】本発明を説明するための実施例１で作製した超
電導体の磁場中における超電導臨界電流密度Ｊｃを評価
するために測定した磁化ヒステリシス曲線。
電導体の磁場中における超電導臨界電流密度Ｊｃを評価
するために測定した磁化ヒステリシス曲線。
【図４】本発明を説明するための実施例４で作製した超
電導物質の結晶構造を表す模式図。
電導物質の結晶構造を表す模式図。
【図５】本発明を説明するための実施例４で作製した非
超電導物質の結晶構造を表す模式図。
超電導物質の結晶構造を表す模式図。
【図６】本発明による超電導線材の構成図。
１…Ｔｌ原子もしくはＰｂ原子、２…Ｓｒ原子、３…Ｃ
ａ原子、４…Ｃｕ原子、５…酸素原子、６…Ｓｍ原子、
７…超電導体結晶、８…Ａｕ−５％Ｐｄ被覆材、９…結
晶粒界。
ａ原子、４…Ｃｕ原子、５…酸素原子、６…Ｓｍ原子、
７…超電導体結晶、８…Ａｕ−５％Ｐｄ被覆材、９…結
晶粒界。
Claims (46)
- 【請求項１】酸化物超電導物質と、該超電導物質を構成
する元素のうちの一種またはそれ以上の元素を別の元素
で置換することによって得られる該超電導物質と類似の
結晶構造を持つ非超電導物質を含むことを特徴とする超
電導体。 - 【請求項２】酸化物超電導物質と、該超電導物質を構成
する元素のうちの一種またはそれ以上の元素を別の元素
で置換することによって得られる該超電導物質と類似の
結晶構造を持つ非超電導物質と、金属部分とを含むこと
を特徴とする超電導体。 - 【請求項３】酸化物超電導物質と、該超電導物質を構成
する元素のうちの一種またはそれ以上の元素を別の元素
で置換することによって得られる該超電導物質と類似結
晶構造を持つ非超電導物質を含み、該酸化物超電導物質
に対する該非超電導物質物質の体積比率が０．０１ か
ら１０であることを特徴とする超電導体。 - 【請求項４】酸化物超電導物質と、該超電導物質を構成
する元素のうちの一種またはそれ以上の元素を別の元素
で置換することによって得られる該超電導物質と類似結
晶構造を持つ非超電導物質と、金属部分とを含み、かつ
該酸化物超電導物質に対する該非超電導物質の体積比率
が０．０１ から１０であることを特徴とする超電導体
。 - 【請求項５】酸化物超電導物質の結晶粒の内部に、該超
電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以上の
元素を別の元素で置換することによって得られる該超電
導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物質を析出させる
ことによって磁場中においても高い超電導臨界電流密度
が得られるようにしたことを特徴とする超電導体。 - 【請求項６】酸化物超電導物質の結晶粒の内部に、該超
電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以上の
元素を別の元素で置換することによって得られる該超電
導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物質を、該酸化物
超電導物質に対する該非超電導物質の体積比率が０．０
１ から１０であるように析出させることによって磁場
中においても高い超電導臨界電流密度が得られるように
したことを特徴とする超電導体。 - 【請求項７】酸化物超電導物質の結晶粒の内部に、該超
電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以上の
元素を別の元素で置換することによって得られる該超電
導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物質を、該非超電
導物質物質の結晶粒子の平均粒子径が３オングストロ−
ムから１ミクロンであるように析出させることによって
、磁場中においても高い超電導臨界電流密度が得られる
ようにしたことを特徴とする超電導体。 - 【請求項８】酸化物超電導物質の結晶粒の内部に、該超
電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以上の
元素を別の元素で置換することによって得られる該超電
導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物質を、該非超電
導物質の結晶粒子間の平均距離が３オングストロ−ムか
ら３０００オングストロ−ムであるように析出させるこ
とによって、磁場中においても高い超電導臨界電流密度
が得られるようにしたことを特徴とする超電導体。 - 【請求項９】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２Ｐ
ｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ３（ここで
、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ２＜０．５， ０≦Ｘ１
＋Ｘ２＜１， −０．５＜Ｘ３＜０．５ ）と、該超電
導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以上の元
素を別の元素で置換することによって得られる該超電導
物質と類似結晶構造を持つ非超電物質（Ｔｌ１−Ｘ１−
Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＬｎＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４（
ここでＬｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から
選ばれる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）ま
たは（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）ＬｎＳｒ
ＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリウムもし
くは希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−０
．５＜Ｘ４＜０．５）のどちらか一方あるいは両方を含
むことを特徴とする超電導体。 - 【請求項１０】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ３（ここ
で、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ２＜０．５， ０≦Ｘ
１＋Ｘ２＜１， −０．５＜Ｘ３＜０．５ ）と、該超
電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以上の
元素を別の元素で置換することによって得られる該超電
導物質と類似結晶構造を持つ非超電物質（Ｔｌ１−Ｘ１
−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＬｎＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４
（ここでＬｎはイットリウムもしくは希土類元素の中か
ら選ばれる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）
または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）ＬｎＳ
ｒＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリウムも
しくは希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−
０．５＜Ｘ４＜０．５）のどちらか一方あるいは両方と
、金属部分とを含むことを特徴とする超電導体。 - 【請求項１１】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ３（ここ
で、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ２＜０．５， ０≦Ｘ
１＋Ｘ２＜１， −０．５＜Ｘ３＜０．５ ）と、該超
電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以上の
元素を別の元素で置換することによって得られる該超電
導物質と類似結晶構造を持つ非超電物質（Ｔｌ１−Ｘ１
−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＬｎＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４
（ここでＬｎはイットリウムもしくは希土類元素の中か
ら選ばれる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）
または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）ＬｎＳ
ｒＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリウムも
しくは希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−
０．５＜Ｘ４＜０．５）のどちらか一方あるいは両方を
含み、該酸化物超電導物質に対する該物質の体積比率が
０．０１ から１０であることを特徴とする超電導体。 - 【請求項１２】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ３（ここ
で、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ２＜０．５， ０≦Ｘ
１＋Ｘ２＜１， −０．５＜Ｘ３＜０．５ ）と、該超
電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以上の
元素を別の元素で置換することによって得られる該超電
導物質と類似結晶構造を持つ非超電物質（Ｔｌ１−Ｘ１
−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＬｎＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４
（ここでＬｎはイットリウムもしくは希土類元素の中か
ら選ばれる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）
または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）ＬｎＳ
ｒＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリウムも
しくは希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−
０．５＜Ｘ４＜０．５）のどちらか一方あるいは両方と
、金属部分とを含み、かつ該酸化物超電導物質に対する
該物質の体積比率が０．０１ から１０であることを特
徴とする超電導体。 - 【請求項１３】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ３（ここ
で、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ２＜０．５， ０≦Ｘ
１＋Ｘ２＜１， −０．５＜Ｘ３＜０．５ ）の結晶粒
の内部に、該超電導物質を構成する元素のうちの一種ま
たはそれ以上の元素を別の元素で置換することによって
得られる該超電導物質と類似結晶構造を持つ非超電物質
（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＬｎＣ
ｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリウムもしくは希
土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−０．５＜
Ｘ４＜０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１Ｂ
ｉＸ２）ＬｎＳｒＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎは
イットリウムもしくは希土類元素の中から選ばれる一種
以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）のどちらか一方
あるいは両方を析出させることによって磁場中において
も高い超電導臨界電流密度が得られるようにしたことを
特徴とする超電導体。 - 【請求項１４】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ３（ここ
で、０＜Ｘ１＜０．８， ０＜Ｘ２＜０．５， ０≦Ｘ
１＋Ｘ２＜１， −０．５＜Ｘ３＜０．５ ）の結晶粒
の内部に、該超電導物質を構成する元素のうちの一種ま
たはそれ以上の元素を別の元素で置換することによって
得られる該超電導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物
質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２Ｌｎ
Ｃｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリウムもしくは
希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−０．５
＜Ｘ４＜０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１
ＢｉＸ２）ＬｎＳｒＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎ
はイットリウムもしくは希土類元素の中から選ばれる一
種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）のどちらか一
方あるいは両方を、該酸化物超電導物質に対する該物質
の体積比率が０．０１ から１０であるように析出させ
ることによって磁場中においても高い超電導臨界電流密
度が得られるようにしたことを特徴とする超電導体。 - 【請求項１５】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ３（ここ
で、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ２＜０．５， ０≦Ｘ
１＋Ｘ２＜１， −０．５＜Ｘ３＜０．５ ）の結晶粒
の内部に、該超電導物質を構成する元素のうちの一種ま
たはそれ以上の元素を別の元素で置換することによって
得られる該超電導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物
質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２Ｌｎ
Ｃｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリウムもしくは
希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−０．５
＜Ｘ４＜０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１
ＢｉＸ２）ＬｎＳｒＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎ
はイットリウムもしくは希土類元素の中から選ばれる一
種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）のどちらか一
方あるいは両方を、該物質の結晶粒子の平均粒子径が４
オングストロームから１ミクロンであるように析出させ
ることによって、磁場中においても高い超電導臨界電流
密度が得られるようにしたことを特徴とする超電導体。 - 【請求項１６】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ３（ここ
で、０＜Ｘ１＜０．８， ０＜Ｘ２＜０．５， ０≦Ｘ
１＋Ｘ２＜１， −０．５＜Ｘ３＜０．５ ）の結晶粒
の内部に、該超電導物質を構成する元素のうちの一種ま
たはそれ以上の元素を別の元素で置換することによって
得られる該超電導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物
質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２Ｌｎ
Ｃｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリウムもしくは
希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−０．５
＜Ｘ４＜０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１
ＢｉＸ２）ＬｎＳｒＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎ
はイットリウムもしくは希土類元素の中から選ばれる一
種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）のどちらか一
方あるいは両方を、該物質の結晶粒子間の平均距離が３
オングストロ−ムから３０００オングストロ−ムである
ように析出させることによって、磁場中においても高い
超電導臨界電流密度が得られるようにしたことを特徴と
する超電導体。 - 【請求項１７】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＣａＣ
ｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここで、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ
２＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， ０＜Ｘ３≦１，
−０．５＜Ｘ４＜０．５ ）と、該超電導物質を構成
する元素のうちの一種またはそれ以上の元素を別の元素
で置換することによって得られる該超電導物質と類似結
晶構造を持つ非超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ
１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＬｎＣｕ２Ｏ
７＋Ｘ５（ここでＬｎはイットリウムもしくは希土類元
素の中から選ばれる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ５＜
０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２
）ＬｎＳｒＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ５（ここでＬｎはイット
リウムもしくは希土類元素の中から選ばれる一種以上の
元素、−０．５＜Ｘ５＜０．５）のどちらか一方あるい
は両方を、同時に含むことを特徴とする超電導体。 - 【請求項１８】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＣａＣ
ｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここで、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ
２＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， ０＜Ｘ３≦１，
−０．５＜Ｘ４＜０．５ ）と、該超電導物質を構成
する元素のうちの一種またはそれ以上の元素を別の元素
で置換することによって得られる該超電導物質と類似結
晶構造を持つ非超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ
１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＬｎＣｕ２Ｏ
７＋Ｘ５（ここでＬｎはイットリウムもしくは希土類元
素の中から選ばれる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ５＜
０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２
）ＬｎＳｒＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ５（ここでＬｎはイット
リウムもしくは希土類元素の中から選ばれる一種以上の
元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）のどちらか一方あるい
は両方と、金属部分とを含むことを特徴とする超電導体
。 - 【請求項１９】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＣａＣ
ｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここで、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ
２＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， ０＜Ｘ３≦１，
−０．５＜Ｘ４＜０．５ ）と、該超電導物質を構成
する元素のうちの一種またはそれ以上の元素を別の元素
で置換することによって得られる該超電導物質と類似結
晶構造を持つ非超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ
１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＬｎＣｕ２Ｏ
７＋Ｘ５（ここでＬｎはイットリウムもしくは希土類元
素の中から選ばれる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ５＜
０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２
）ＬｎＳｒＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ５（ここでＬｎはイット
リウムもしくは希土類元素の中から選ばれる一種以上の
元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）のどちらか一方あるい
は両方を含み、該酸化物超電導物質に対する該物質の体
積比率が０．０１ から１０であることを特徴とする超
電導体。 - 【請求項２０】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＣａＣ
ｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここで、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ
２＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， ０＜Ｘ３≦１，
−０．５＜Ｘ４＜０．５ ）と、該超電導物質を構成
する元素のうちの一種またはそれ以上の元素を別の元素
で置換することによって得られる該超電導物質と類似結
晶構造を持つ非超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ
１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＬｎＣｕ２Ｏ
７＋Ｘ５（ここでＬｎはイットリウムもしくは希土類元
素の中から選ばれる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ５＜
０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２
）ＬｎＳｒＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ５（ここでＬｎはイット
リウムもしくは希土類元素の中から選ばれる一種以上の
元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）のどちらか一方あるい
は両方と、金属部分とを含み、かつ該酸化物超電導物質
に対する該物質の体積比率が０．０１ から１０である
ことを特徴とする超電導体。 - 【請求項２１】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＣａＣ
ｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここで、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ
２＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， ０＜Ｘ３≦１，
−０．５＜Ｘ４＜０．５ ）の結晶粒の内部に、該超
電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以上の
元素を別の元素で置換することによって得られる該超電
導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ
１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）
２ＬｎＣｕ２Ｏ７＋Ｘ５（ここでＬｎはイットリウムも
しくは希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−
０．５＜Ｘ５＜０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２Ｐ
ｂＸ１ＢｉＸ２）ＬｎＳｒＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ５（ここ
でＬｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から選ば
れる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）のどち
らか一方あるいは両方を析出させることによって磁場中
においても高い超電導臨界電流密度が得られるようにし
たことを特徴とする超電導体。 - 【請求項２２】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＣａＣ
ｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここで、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ
２＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， ０＜Ｘ３≦１，
−０．５＜Ｘ４＜０．５ ）の結晶粒の内部に、該超
電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以上の
元素を別の元素で置換することによって得られる該超電
導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ
１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）
２ＬｎＣｕ２Ｏ７＋Ｘ５（ここでＬｎはイットリウムも
しくは希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−
０．５＜Ｘ５＜０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２Ｐ
ｂＸ１ＢｉＸ２）ＬｎＳｒＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ５（ここ
でＬｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から選ば
れる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）のどち
らか一方あるいは両方を、該酸化物超電導物質に対する
該物質の体積比率が０．０１ から１０であるように析
出させることによって磁場中においても高い超電導臨界
電流密度が得られるようにしたことを特徴とする超電導
体。 - 【請求項２３】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＣａＣ
ｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここで、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ
２＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， ０＜Ｘ３≦１，
−０．５＜Ｘ４＜０．５ ）の結晶粒の内部に、該超
電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以上の
元素を別の元素で置換することによって得られる該超電
導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ
１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）
２ＬｎＣｕ２Ｏ７＋Ｘ５（ここでＬｎはイットリウムも
しくは希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−
０．５＜Ｘ５＜０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２Ｐ
ｂＸ１ＢｉＸ２）ＬｎＳｒＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ５（ここ
でＬｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から選ば
れる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）のどち
らか一方あるいは両方を、該物質の結晶粒子の平均粒子
径が４オングストロームから１ミクロンであるように析
出させることによって、磁場中においても高い超電導臨
界電流密度が得られるようにしたことを特徴とする超電
導体。 - 【請求項２４】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＣａＣ
ｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここで、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ
２＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， ０＜Ｘ３≦１，
−０．５＜Ｘ４＜０．５ ）の結晶粒の内部に、該超
電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以上の
元素を別の元素で置換することによって得られる該超電
導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ
１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）
２ＬｎＣｕ２Ｏ７＋Ｘ５（ここでＬｎはイットリウムも
しくは希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−
０．５＜Ｘ５＜０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２Ｐ
ｂＸ１ＢｉＸ２）ＬｎＳｒＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ５（ここ
でＬｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から選ば
れる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）のどち
らか一方あるいは両方を、該物質の結晶粒子間の平均距
離が３オングストロームから３０００オングストローム
であるように析出させることによって、磁場中において
も高い超電導臨界電流密度が得られるようにしたことを
特徴とする超電導体。 - 【請求項２５】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＣａＣ
ｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここで、０．３＜Ｘ１＜０．８， ０
≦Ｘ２＜０．０５，， ０＜Ｘ３≦０．５， −０．５
＜Ｘ４＜０．５ ）と、該超電導物質を構成する元素の
うちの一種またはそれ以上の元素を別の元素で置換する
ことによって得られる該超電導物質と類似結晶構造を持
つ非超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２
）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＬｎＣｕ２Ｏ７＋Ｘ５（
ここでＬｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から
選ばれる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ５＜０．５）ま
たは（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）ＬｎＳｒ
ＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ５（ここでＬｎはイットリウムもし
くは希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−０
．５＜Ｘ５＜０．５）のどちらか一方あるいは両方を、
該酸化物超電導物質に対する該物質の体積比率が０．０
１ から１０であるように析出させることによって磁場
中においても高い超電導臨界電流密度が得られるように
したことを特徴とする超電導体。 - 【請求項２６】少なくとも、酸化物超電導物質（Ｔｌ１
−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７
＋Ｘ３（ここで、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ２＜０．
５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， −０．５＜Ｘ３＜０．５
）と、該超電導物質を構成する元素のうちの一種また
はそれ以上の元素を別の元素で置換することによって得
られる該超電導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物質
（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＬｎＣ
ｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリウムもしくは希
土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−０．５＜
Ｘ４＜０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１Ｂ
ｉＸ２）Ｌｎ２ＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎはイ
ットリウムもしくは希土類元素の中から選ばれる一種以
上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）のどちらか一方あ
るいは両方を、同時に含む超電導体において、７０Ｋ以
上のある温度で超電導転移を示し、７０Ｋ，１テスラー
以上の磁場中において超電導臨界電流密度が５０００Ａ
／ｃｍ２ 以上であることを特徴とする超電導体。 - 【請求項２７】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＣａＣ
ｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここで、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ
２＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， ０＜Ｘ３≦１，
−０．５＜Ｘ４＜０．５ ）の結晶粒の内部に、該超
電導物質を構成する元素のうちの一種またはそれ以上の
元素を別の元素で置換することによって得られる該超電
導物質と同じ結晶構造を持つ物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＬｎＣ
ｕ２Ｏ７＋Ｘ５（ここでＬｎはイットリウムもしくは希
土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−０．５＜
Ｘ５＜０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１Ｂ
ｉＸ２）Ｌｎ２ＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ５（ここでＬｎは組
成式が（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２
ＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ３（ここで、０≦Ｘ１＜０．８，
０≦Ｘ２＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， −０．５
＜Ｘ３＜０．５ ）のどちらか一方あるいは両方を、同
時に含む超電導体において、７０Ｋ以上のある温度で超
電導転移を示し、７０Ｋ，１テスラー以上の磁場中にお
いて超電導臨界電流密度が５０００Ａ／ｃｍ２ 以上で
あることを特徴とする超電導体。 - 【請求項２８】請求項１ないし請求項２５記載の該超電
導物質及び物質が、とくにＸ２がゼロであることを特徴
とする超電導体。 - 【請求項２９】請求項１ないし請求項２５記載の該超電
導物質及び物質が、とくにＸ１が０．３から０．８であ
りかつＸ２がゼロであることを特徴とする超電導体。 - 【請求項３０】酸化物超電導物質（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２
ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ３（ここ
で、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ２＜０．５， ０≦Ｘ
１＋Ｘ２＜１， −０．５＜Ｘ３＜０．５ ）で構成さ
れる結晶粒子の内部に平均粒径が１０マイクロメートル
以下のＣａＯ粒子，ＳｒＯ粒子，Ｃａ２ＣｕＯ３粒子，
Ｃａ２ＰｂＯ３粒子，ＢａＰｂＯ３粒子，ＢａＢｉＯ３
粒子のうちの一種またはそれ以上の粒子を分散させるこ
とによって、磁場中においてより高い超電導臨界電流密
度が得られるようにしたことを特徴とする超電導体。 - 【請求項３１】請求項１ないし請求項２９において、該
超電導体の内部に平均粒径が１０マイクロメートル以下
のＣａＯ粒子，ＳｒＯ粒子，Ｃａ２ＣｕＯ３粒子，Ｃａ
２ＰｂＯ４粒子，ＢａＰｂＯ３粒子，ＢａＢｉＯ３粒子
のうちの一種またはそれ以上の粒子を析出させることに
よって、磁場中においてより高い超電導臨界電流密度が
得られるようにしたことを特徴とする超電導体。 - 【請求項３２】請求項１ないし請求項２９において、該
超電導体の内部に該超電導物質と実質的に反応しない物
質の粒子を析出させることによって、磁場中においてよ
り高い超電導臨界電流密度が得られるようにしたことを
特徴とする超電導体。 - 【請求項３３】請求項９ないし請求項１６、及び請求項
２６ないし請求項２９において、該酸化物超電導物質の
組成が（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２
Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ９＋Ｘ３（ここで、０≦Ｘ１＜０．８，
０≦Ｘ２＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， −０．
５＜Ｘ３＜０．５ ）であり、該非超電導物質の組成が
（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＬｎＣ
ａＣｕ３Ｏ９＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリウムもしく
は希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−０．
５＜Ｘ４＜０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ
１ＢｉＸ２）ＬｎＳｒＣａ２Ｃｕ３Ｏ９＋Ｘ４（ここで
Ｌｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から選ばれ
る一種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）であるこ
とを特徴とする超電導体。 - 【請求項３４】請求項１７ないし請求項２５及び請求項
２９において、該酸化物超電導物質の組成が（Ｔｌ１−
Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３
）２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ９＋Ｘ４（ここで、０≦Ｘ１＜０．
８， ０≦Ｘ２＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， ０
＜Ｘ３≦１， −０．５＜Ｘ４＜０．５ ）であり、該
非超電導物質の組成が（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１Ｂ
ｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＬｎＣａＣｕ３Ｏ
９＋Ｘ５（ここでＬｎはイットリウムもしくは希土類元
素の中から選ばれる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ５＜
０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２
）ＬｎＳｒＣａ２Ｃｕ３Ｏ９＋Ｘ５（ここでＬｎはイッ
トリウムもしくは希土類元素の中から選ばれる一種以上
の元素、−０．５＜Ｘ５＜０．５）であることを特徴と
する超電導体。 - 【請求項３５】請求項９ないし請求項１６において、該
酸化物超電導物質の組成が（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ
１ＢｉＸ２）Ｓｒ２Ｃａ３Ｃｕ４Ｏ１１＋Ｘ３（ここで
、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ２＜０．５， ０≦Ｘ１
＋Ｘ２＜１， −０．５＜Ｘ３＜０．５ ）であり、該
非超電導物質の組成が（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１Ｂ
ｉＸ２）Ｓｒ２ＬｎＣａ２Ｃｕ４Ｏ１１＋Ｘ４（ここで
Ｌｎはイットリウムもしくは希土類元素の中から選ばれ
る一種以上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）または（
Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）ＬｎＳｒＣａ３
Ｃｕ４Ｏ１１＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリウムもしく
は希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−０．
５＜Ｘ４＜０．５）であることを特徴とする超電導体。 - 【請求項３６】請求項１７ないし請求項２５において、
該酸化物超電導物質の組成が（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２Ｐｂ
Ｘ１ＢｉＸ２）（Ｓｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２Ｃａ３Ｃｕ
４Ｏ１１＋Ｘ４（ここで、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ
２＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， ０＜Ｘ３≦１，
−０．５＜Ｘ４＜０．５ ）であり、該非超電導物質
の組成が（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）（Ｓ
ｒ１−Ｘ３ＢａＸ３）２ＬｎＣａ２Ｃｕ４Ｏ１１＋Ｘ５
（ここでＬｎはイットリウムもしくは希土類元素の中か
ら選ばれる一種以上の元素、−０．５＜Ｘ５＜０．５）
または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）ＬｎＳ
ｒＣａ３Ｃｕ４Ｏ１１＋Ｘ５（ここでＬｎはイットリウ
ムもしくは希土類元素の中から選ばれる一種以上の元素
、−０．５＜Ｘ５＜０．５）であることを特徴とする超
電導体。 - 【請求項３７】酸化物超電導物質を用いた超電導体を作
製する工程において、超電導物質を５０％以上の体積率
で含んだ粒子の外部に非超電導物質のみからなる結晶粒
子を配置する第一の工程と、その後に該超電導物質を含
んだ粒子を成長させることによって超電導物質を含んだ
該粒子同士が接する粒界の数を減少せしめ結果的に超電
導物質の結晶粒子の内部に非超電導物質が取り込まれた
状態を実現する第二の工程を含むことを特徴とした超電
導体の製造方法。 - 【請求項３８】請求項３５記載の超電導体の製造方法に
おいて、第２の工程のなかに超電導体を構成する物質の
一部分が液相に変化し始める温度以上の温度領域に少な
くとも一度保持する熱処理操作を含んでいることを特徴
とする超電導体の製造方法。 - 【請求項３９】少なくとも、酸化物超電導物質（Ｔｌ１
−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７
＋Ｘ３（ここで、０≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ２＜０．
５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＜１， −０．５＜Ｘ３＜０．５
）と、該超電導物質を構成する元素のうちの一種また
はそれ以上の元素を別の元素で置換することによって得
られる該超電導物質と類似結晶構造を持つ非超電導物質
（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＬｎＣ
ｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎはイットリウムもしくは希
土類元素の中から選ばれる一種以上の元素、−０．５＜
Ｘ４＜０．５）または（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１Ｂ
ｉＸ２）Ｌｎ２ＣａＣｕ２Ｏ７＋Ｘ４（ここでＬｎはイ
ットリウムもしくは希土類元素の中から選ばれる一種以
上の元素、−０．５＜Ｘ４＜０．５）のどちらか一方あ
るいは両方を同時に含み、７０Ｋ以上のある温度領域で
超電導状態になり、７０Ｋにおける超電導臨界電流密度
が１テスラー以上の磁場中において５０００Ａ／ｃｍ２
以上であることを特徴とする超電導体を製造する工程
において、該超電導物質及び該非超電導物質と反応を起
こさない金属成分を液相成分として共存させることによ
って、該超電導物質の結晶粒子同士の接合性を向上させ
ることを特徴とする超電導物質及び超電導体の製造方法
。 - 【請求項４０】請求項９ないし請求項３６に記載の超電
導物質或いは超電導体を作製する工程において、少なく
とも１度は液相が生成する温度以上の温度に至らしめる
工程を含むことを特徴とする超電導物質及び超電導体の
製造方法。 - 【請求項４１】請求項９ないし請求項３６に記載の超電
導物質或いは超電導体を作製する工程において、少なく
とも１度は、液相が生成する温度以上の温度に至らしめ
る工程を含むと、少なくとも１度は、液相が生成する温
度より５０度低い温度以上、液相が生成する温度以下の
温度範囲で熱処理することを特徴とする超電導物質及び
超電導体の製造方法。 - 【請求項４２】請求項９ないし請求項３６に記載の超電
導物質或いは超電導体を作製する工程において、該超電
導物質及び該非超電導物質を構成する元素がランダムに
並んだ状態即ちアモルファス状態を一度作製し、その後
超電導体を構成するべき物質を結晶化させる熱処理を実
行する工程を含むことを特徴とする超電導体の製造方法
。 - 【請求項４３】組成が（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１Ｂ
ｉＸ２）Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ９＋Ｘ３（ここで、０≦
Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ２＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２
＜１， −０．５＜Ｘ３＜０．５ ）である酸化物超電
導物質を含んだ超電導体を、該超電導物質が（Ｔｌ１−
Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１ＢｉＸ２）Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ７＋
Ｘ３と非超電導性の酸化物に分解する温度に保持するこ
とによって、該超電導物質の結晶粒子内部に非超電導性
の部分を分散させることによって、７０Ｋの温度、１テ
スラー以上の磁場中においても５０００Ａ／ｃｍ２ 以
上の超電導臨界電流密度を確保することを可能にした超
電導体の製造方法。 - 【請求項４４】組成が（Ｔｌ１−Ｘ１−Ｘ２ＰｂＸ１Ｂ
ｉＸ２）Ｓｒ２Ｃａ３Ｃｕ４Ｏ１１＋Ｘ３（ここで、０
≦Ｘ１＜０．８， ０≦Ｘ２＜０．５， ０≦Ｘ１＋Ｘ
２＜１， −０．５＜Ｘ３＜０．５ ）である酸化物超
電導物質を含んだ超電導体を、該超電導物質が別の酸化
物超電導物質と非超電導性の酸化物に分解する温度に保
持することによって、該超電導物質の結晶粒子内部に非
超電導性の部分を分散させることによって、７０Ｋの温
度、１テスラー以上の磁場中においても５０００Ａ／ｃ
ｍ２ 以上の超電導臨界電流密度を確保することを可能
にした超電導体の製造方法。 - 【請求項４５】請求項１ないし請求項３６に記載の該超
電導体もしくは該超電導物質が、長尺の常電導性被膜内
部に密に充填された構成であることを特徴とする超電導
線材。 - 【請求項４６】請求項１ないし請求項３６に記載の該超
電導体もしくは該超電導物質が、長尺の常電導性被膜内
部に密に充填された構成であり、該超電導体もしくは該
超電導物質を構成する物質の結晶粒子の結晶軸が、ある
特定方向に５０％以上の確率で向いていることを特徴と
する超電導線材。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3066001A JPH04300202A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 酸化物を用いた超電導体及びその作製方法 |
| DE69227274T DE69227274T2 (de) | 1991-03-29 | 1992-03-23 | Supraleitender Gegenstand und Verfahren zur Herstellung diesen supraleitenden Gegenstand |
| EP92302462A EP0511734B1 (en) | 1991-03-29 | 1992-03-23 | A superconductive body and a method of forming such a superconductive body |
| US07/858,711 US5462922A (en) | 1991-03-29 | 1992-03-27 | Superconductive material, a superconductive body, and a method of forming such a superconductive material or body |
| KR1019920005054A KR970007312B1 (ko) | 1991-03-29 | 1992-03-27 | 초전도물질, 초전도체 및 이러한 초전도체 물질 또는 초전도체의 형성방법 |
| US08/450,996 US5648322A (en) | 1991-03-29 | 1995-05-25 | Tl-based superconductive material, a superconductive body, and a method of forming such a superconductive material or body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3066001A JPH04300202A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 酸化物を用いた超電導体及びその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04300202A true JPH04300202A (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=13303278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3066001A Pending JPH04300202A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 酸化物を用いた超電導体及びその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04300202A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0597441A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 高温酸化物超伝導体 |
| JPH07122128A (ja) * | 1993-10-21 | 1995-05-12 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ｔｌ系酸化物超電導線材およびその製法 |
| EP0612113A3 (en) * | 1993-01-27 | 1996-03-06 | Hitachi Ltd | Composite superconductor. |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3066001A patent/JPH04300202A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0597441A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 高温酸化物超伝導体 |
| EP0612113A3 (en) * | 1993-01-27 | 1996-03-06 | Hitachi Ltd | Composite superconductor. |
| US5502029A (en) * | 1993-01-27 | 1996-03-26 | Hitachi, Ltd. | Laminated super conductor oxide with strontium, calcium, copper and at least one of thallium, lead, and bismuth |
| JPH07122128A (ja) * | 1993-10-21 | 1995-05-12 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ｔｌ系酸化物超電導線材およびその製法 |
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