JPH04299881A - 量子細線レーザ及びその製造方法 - Google Patents
量子細線レーザ及びその製造方法Info
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- JPH04299881A JPH04299881A JP3064323A JP6432391A JPH04299881A JP H04299881 A JPH04299881 A JP H04299881A JP 3064323 A JP3064323 A JP 3064323A JP 6432391 A JP6432391 A JP 6432391A JP H04299881 A JPH04299881 A JP H04299881A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、駆動電流値やその温度
依存性が小さいことや、スペクトル線幅が狭いなど特性
が優れた半導体レーザを得るために二次元の量子化準位
を利用した電流注入型の量子細線レーザの作製方法に関
するものである。
依存性が小さいことや、スペクトル線幅が狭いなど特性
が優れた半導体レーザを得るために二次元の量子化準位
を利用した電流注入型の量子細線レーザの作製方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、一次元の量子化準位である階段状
のエネルギー準位を持つ量子井戸レーザが開発されてい
る。更に、次世代の量子効果レーザとして二次元の量子
化準位である線スペクトル状のエネルギー準位を持つ量
子細線レーザが開発されている。
のエネルギー準位を持つ量子井戸レーザが開発されてい
る。更に、次世代の量子効果レーザとして二次元の量子
化準位である線スペクトル状のエネルギー準位を持つ量
子細線レーザが開発されている。
【０００３】従来考案されている量子細線レーザの作製
方法を図７に示す（特開昭６４−２１９８６号公報参照
）。図において、（ａ）は作製したレーザの断面図、（
ｂ）はリッジ及びリッジ上の成長層の断面形状を示す図
である。７１はｎ−ＧａＡｓ基板、７２はｎ−ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層、７３はｎ−ＡｌＧａＡｓバリア層、７
４はＧａＡｓ量子井戸層、７５はｐ−ＡｌＧａＡｓバリ
ア層、７６は電流ブロック層、７７はｐ−ＡｌＧａＡｓ
クラッド層、７８はｐ−ＧａＡｓコンタクト層である。 図７（ｂ）に示す形状は、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層
７２に［１１０］方向にリッジを形成し、有機金属気相
エピタキシャル成長法（以下ＭＯＣＶＤ法）によりｎ−
ＡｌＧａＡｓバリア７３、ＧａＡｓ量子井戸層７４、ｐ
−ＡｌＧａＡｓバリア層７５、電流ブロック層７６、ｐ
−ＡｌＧａＡｓクラッド層７７、ｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層７８を順次成長させることにより、作製できる。こ
の構造の成長は、ＭＯＣＶＤ法特有の（１１１）Ｂ面（
図７の断面三角形状の斜辺に対応）上の成長速度が（１
００）面上に比べ著しく小さいという性質を利用してい
る。ＧａＡｓ量子井戸層７４は、ｎ−ＡｌＧａＡｓバリ
ア層７３、電流ブロック層７６、ｐ−ＡｌＧａＡｓバリ
ア層７５に囲まれ、また、ＧａＡｓ量子井戸層７４のバ
リア層７３側幅Ｗ２、バリア層７５側幅Ｗ１及び厚みｂ
はそれぞれ１９４Å，１２３Å，及び５０Åとなるよう
作製され、これらの値は電子のドブロイ波長程度に小さ
いため、このＧａＡｓ量子井戸層７４に量子細線が形成
される。
方法を図７に示す（特開昭６４−２１９８６号公報参照
）。図において、（ａ）は作製したレーザの断面図、（
ｂ）はリッジ及びリッジ上の成長層の断面形状を示す図
である。７１はｎ−ＧａＡｓ基板、７２はｎ−ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層、７３はｎ−ＡｌＧａＡｓバリア層、７
４はＧａＡｓ量子井戸層、７５はｐ−ＡｌＧａＡｓバリ
ア層、７６は電流ブロック層、７７はｐ−ＡｌＧａＡｓ
クラッド層、７８はｐ−ＧａＡｓコンタクト層である。 図７（ｂ）に示す形状は、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層
７２に［１１０］方向にリッジを形成し、有機金属気相
エピタキシャル成長法（以下ＭＯＣＶＤ法）によりｎ−
ＡｌＧａＡｓバリア７３、ＧａＡｓ量子井戸層７４、ｐ
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ト層７８を順次成長させることにより、作製できる。こ
の構造の成長は、ＭＯＣＶＤ法特有の（１１１）Ｂ面（
図７の断面三角形状の斜辺に対応）上の成長速度が（１
００）面上に比べ著しく小さいという性質を利用してい
る。ＧａＡｓ量子井戸層７４は、ｎ−ＡｌＧａＡｓバリ
ア層７３、電流ブロック層７６、ｐ−ＡｌＧａＡｓバリ
ア層７５に囲まれ、また、ＧａＡｓ量子井戸層７４のバ
リア層７３側幅Ｗ２、バリア層７５側幅Ｗ１及び厚みｂ
はそれぞれ１９４Å，１２３Å，及び５０Åとなるよう
作製され、これらの値は電子のドブロイ波長程度に小さ
いため、このＧａＡｓ量子井戸層７４に量子細線が形成
される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図７に示
した量子細線には課題がある。それは量子細線の形状寸
法の精度が不十分な事である。量子細線を十分に機能さ
せるためにはその量子化準位の絶対値を精度良く設定で
きることが必須であるが、このためには形状寸法をオン
グストロームオーダーで制御する必要がある。形状寸法
のうち、量子細線の厚さｄの精度は（１００）面上の成
長速度により決定される。半導体の成長速度はＭＯＣＶ
Ｄ法等のいち高性能成長方法によればオングストローム
オーダーの十分な精度で制御することができる。一方、
量子細線の幅Ｗ１，Ｗ２はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層
７２のリッジ幅ｌと高さｈｌにより決まるが、幅ｌの精
度は光または電子ビームリソグラフィーの精度により制
限される。リソグラフィーの精度は高々０．１μｍであ
るので、量子細線幅Ｗ１，Ｗ２の精度も高々０．１μｍ
に止どまり量子細線の準位の絶対値を再現性良く制御す
ることができない。
した量子細線には課題がある。それは量子細線の形状寸
法の精度が不十分な事である。量子細線を十分に機能さ
せるためにはその量子化準位の絶対値を精度良く設定で
きることが必須であるが、このためには形状寸法をオン
グストロームオーダーで制御する必要がある。形状寸法
のうち、量子細線の厚さｄの精度は（１００）面上の成
長速度により決定される。半導体の成長速度はＭＯＣＶ
Ｄ法等のいち高性能成長方法によればオングストローム
オーダーの十分な精度で制御することができる。一方、
量子細線の幅Ｗ１，Ｗ２はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層
７２のリッジ幅ｌと高さｈｌにより決まるが、幅ｌの精
度は光または電子ビームリソグラフィーの精度により制
限される。リソグラフィーの精度は高々０．１μｍであ
るので、量子細線幅Ｗ１，Ｗ２の精度も高々０．１μｍ
に止どまり量子細線の準位の絶対値を再現性良く制御す
ることができない。
【０００５】以上の課題により、二次元の量子化準位を
持つ量子細線レーザは作製が困難であった。本発明は、
上記の課題である量子細線の形状寸法精度を確保するた
めに厚さに加え、線幅もオングストロームオーダーで制
御性良く作製する方法を提供することを目的とする。
持つ量子細線レーザは作製が困難であった。本発明は、
上記の課題である量子細線の形状寸法精度を確保するた
めに厚さに加え、線幅もオングストロームオーダーで制
御性良く作製する方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上述する問題点
を解決するためになされたもので、基板上に形成され、
バリア層に挟まれた少なくとも１つの第１量子一井戸を
含む第１積層構造と、前記第１積層構造の積層断面に形
成され、前記第１量子井戸より禁制帯幅の大きい第１バ
リア層、前記第１量子井戸とほぼ同等な禁制帯幅の第２
量子井戸、及び前記第１，第２量子井戸より禁制帯幅の
大きい第２バリア層とを順次積層した第２積層構造と、
からなり、前記第１量子井戸と第２量子井戸の互いの近
傍領域の少なくともいずれか一方に電子閉じ込め領域を
有する量子細線レーザを提供するものである。
を解決するためになされたもので、基板上に形成され、
バリア層に挟まれた少なくとも１つの第１量子一井戸を
含む第１積層構造と、前記第１積層構造の積層断面に形
成され、前記第１量子井戸より禁制帯幅の大きい第１バ
リア層、前記第１量子井戸とほぼ同等な禁制帯幅の第２
量子井戸、及び前記第１，第２量子井戸より禁制帯幅の
大きい第２バリア層とを順次積層した第２積層構造と、
からなり、前記第１量子井戸と第２量子井戸の互いの近
傍領域の少なくともいずれか一方に電子閉じ込め領域を
有する量子細線レーザを提供するものである。
【０００７】
【作用】上述の如く、第１量子井戸を含む第１積層構造
の積層断面に第２量子井戸を含む第２積層構造を配置す
ることにより、層厚制御により量子細線の形状寸法を決
定することが可能となる。
の積層断面に第２量子井戸を含む第２積層構造を配置す
ることにより、層厚制御により量子細線の形状寸法を決
定することが可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、材料としてＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓを
例にとって本発明の実施例について詳細に説明する。
例にとって本発明の実施例について詳細に説明する。
【０００９】図１（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の実
施例による量子細線の基本構造である。図２（ａ）〜（
ｄ）は図１の構造を作製する手順を示しており、以下順
次説明する。まず、ｎ−ＧａＡｓ（００１）基板１０に
ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１１を積層し、次に誘電体
膜（ＳｉＯ２，ＳｉＮ等）１２を堆積させ、［１１０］
方向に長いストライプ状の開口部を作る（図２（ａ））
。この基板にＭＯＣＶＤ法を使って減圧にて６５０℃の
成長温度で、ｎ−ＡｌＸＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）
バリア層１３、ｕｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．
０５）第１量子井戸１４、半絶縁性（以下ＳＩ）Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）バリア層１５を順次積層
し、第１積層構造を形成する。このとき図２（ｂ）に示
すように、（１１１）Ｂ面垂直方向の成長速度が小さい
条件で成長すると三角形状の成長層断面が現れ三角形側
面には成長しない。次に、成長温度を８５０℃に上げて
、ｕｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）第１バリ
ア層１６、ｕｎ−ＧａＡｓ第２量子井戸１７、ｕｎ−Ａ
ｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）第２バリア層１８を
順次積層し、第２積層構造を形成する（図２（ｃ））。 ８５０℃の高温成長では、三角形の側面にも成長可能で
ある。 次に、リアクターの圧力を減圧から常圧とし６５０℃で
、ＳＩ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）１９、ｐ
−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）クラッド層２０
、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２１を順次積層する（図２
（ｄ））。リアクター圧力を常圧とすることで誘電体上
にも結晶（多結晶）成長させることができる。最後に、
ｐ側ｎ側電極（図示せず）を形成し、劈開等の手段によ
りキャビティーを形成することにより半導体レーザが作
製される。
施例による量子細線の基本構造である。図２（ａ）〜（
ｄ）は図１の構造を作製する手順を示しており、以下順
次説明する。まず、ｎ−ＧａＡｓ（００１）基板１０に
ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１１を積層し、次に誘電体
膜（ＳｉＯ２，ＳｉＮ等）１２を堆積させ、［１１０］
方向に長いストライプ状の開口部を作る（図２（ａ））
。この基板にＭＯＣＶＤ法を使って減圧にて６５０℃の
成長温度で、ｎ−ＡｌＸＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）
バリア層１３、ｕｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．
０５）第１量子井戸１４、半絶縁性（以下ＳＩ）Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）バリア層１５を順次積層
し、第１積層構造を形成する。このとき図２（ｂ）に示
すように、（１１１）Ｂ面垂直方向の成長速度が小さい
条件で成長すると三角形状の成長層断面が現れ三角形側
面には成長しない。次に、成長温度を８５０℃に上げて
、ｕｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）第１バリ
ア層１６、ｕｎ−ＧａＡｓ第２量子井戸１７、ｕｎ−Ａ
ｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）第２バリア層１８を
順次積層し、第２積層構造を形成する（図２（ｃ））。 ８５０℃の高温成長では、三角形の側面にも成長可能で
ある。 次に、リアクターの圧力を減圧から常圧とし６５０℃で
、ＳＩ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）１９、ｐ
−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）クラッド層２０
、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２１を順次積層する（図２
（ｄ））。リアクター圧力を常圧とすることで誘電体上
にも結晶（多結晶）成長させることができる。最後に、
ｐ側ｎ側電極（図示せず）を形成し、劈開等の手段によ
りキャビティーを形成することにより半導体レーザが作
製される。
【００１０】ここで、図１（ｂ）を用いて本発明の量子
細線構造の詳細を記す。ｕｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（
ｘ＝０．０５）第１量子井戸１４が３つのＡｌｘＧａ１
−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）バリア層１３、１５、１６に囲
まれている。更に、ｕｎ−ＧａＡｓ第２量子井戸１７が
第１量子井戸１４の近傍に付設している。第２量子井戸
１７における第１量子井戸１４との交差領域ａ，ｂ，ｃ
での電子の量子化準位エネルギーを計算によって求めた
。その結果によると、交差領域ａに比べ、交差領域ｂ，
ｃの量子化準位エネルギーが小さく、このために、ａ領
域に電子が閉じ込められることが分かった。以下、この
現象を物理的に説明する。ｂ，ｃ領域の電子が感じるバ
リアの高さはバリア層１３、１５、１６、１８、と第２
量子井戸１７とのエネルギー障壁となり、第２量子井戸
１７とバリア１３、１５、１６、１８の禁制帯幅により
量子化準位エネルギーが決まる。一方、ａ領域では、電
子は禁制帯幅の小さな第１量子井戸１４にも存在確率が
るので、全体としてその準位エネルギーはｂ，ｃ領域の
準位エネルギーよりも小さくなるのである。このために
、ａ領域にある電子は、ｂ，ｃ領域に出ることができず
、閉じ込められて量子細線が実現される。量子細線の準
位エネルギーは閉じ込められる量子細線の形状で決定さ
れるが、本発明の構造では第１量子井戸１４の層厚（井
戸幅）、第２量子井戸１７の層厚（井戸幅）及び第１バ
リア層１６の層厚、及びバリア層１３、第１量子井戸１
４、バリア層１５、第１バリア層１６、第２量子井戸１
７、第２バリア層１８の各層の禁制帯幅で一意的に決定
される。 これらの層の層厚精度、禁制帯幅精度は結晶成長の成長
速度精度、混晶比制御精度に依存するがＭＯＣＶＤ法等
の高性能装置では両者共に十分な精度となっている。従
って、本発明の量子細線の準位エネルギーは十分な精度
で作製することができる。
細線構造の詳細を記す。ｕｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（
ｘ＝０．０５）第１量子井戸１４が３つのＡｌｘＧａ１
−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）バリア層１３、１５、１６に囲
まれている。更に、ｕｎ−ＧａＡｓ第２量子井戸１７が
第１量子井戸１４の近傍に付設している。第２量子井戸
１７における第１量子井戸１４との交差領域ａ，ｂ，ｃ
での電子の量子化準位エネルギーを計算によって求めた
。その結果によると、交差領域ａに比べ、交差領域ｂ，
ｃの量子化準位エネルギーが小さく、このために、ａ領
域に電子が閉じ込められることが分かった。以下、この
現象を物理的に説明する。ｂ，ｃ領域の電子が感じるバ
リアの高さはバリア層１３、１５、１６、１８、と第２
量子井戸１７とのエネルギー障壁となり、第２量子井戸
１７とバリア１３、１５、１６、１８の禁制帯幅により
量子化準位エネルギーが決まる。一方、ａ領域では、電
子は禁制帯幅の小さな第１量子井戸１４にも存在確率が
るので、全体としてその準位エネルギーはｂ，ｃ領域の
準位エネルギーよりも小さくなるのである。このために
、ａ領域にある電子は、ｂ，ｃ領域に出ることができず
、閉じ込められて量子細線が実現される。量子細線の準
位エネルギーは閉じ込められる量子細線の形状で決定さ
れるが、本発明の構造では第１量子井戸１４の層厚（井
戸幅）、第２量子井戸１７の層厚（井戸幅）及び第１バ
リア層１６の層厚、及びバリア層１３、第１量子井戸１
４、バリア層１５、第１バリア層１６、第２量子井戸１
７、第２バリア層１８の各層の禁制帯幅で一意的に決定
される。 これらの層の層厚精度、禁制帯幅精度は結晶成長の成長
速度精度、混晶比制御精度に依存するがＭＯＣＶＤ法等
の高性能装置では両者共に十分な精度となっている。従
って、本発明の量子細線の準位エネルギーは十分な精度
で作製することができる。
【００１１】次に、電流狭窄機構について記す。半導体
レーザでは量子細線に電流を集中させることが肝要であ
る。本発明の構造では、半絶縁型のＡｌＧａＡｓ１５、
１９を配することによりｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１
０とｎ−ＡｌＧａＡｓバリア層１３を通して電流が量子
細線に集中して流すことができる。
レーザでは量子細線に電流を集中させることが肝要であ
る。本発明の構造では、半絶縁型のＡｌＧａＡｓ１５、
１９を配することによりｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１
０とｎ−ＡｌＧａＡｓバリア層１３を通して電流が量子
細線に集中して流すことができる。
【００１２】図３は本発明の第２の実施例を示す。本第
２の実施例では図１の如く誘電体膜１２によりストライ
プを形成する替わりにリッジ上の面方位依存成長を利用
して量子細線を形成する。図３に示すようにリッジ上に
おいても三角形状の断面となる構造を作製することがで
きる。以下、作製方法を記す。ｎ−ＧａＡｓ（００１）
基板３０にｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３１を積層し、
３１上に［１１０］方向に逆メサ状のリッジを形成する
。（１１１）Ｂ面の成長速度がほぼ零となる成長条件で
ｎ−ＡｌＧａＡｓバリア層３２、ｕｎ−ＡｌｘＧａ１−
ｘＡｓ（ｘ＝０．０５）第１量子井戸層３３、ＳＩ−Ａ
ｌＧａＡｓバリア層３４を順次成長する。このとき、（
１１１）Ｂ面には結晶成長は起こらないので、三角形状
の断面となるまで成長するとリッジ上では成長が停止す
る。次に、（１１１）Ｂ面にも結晶成長が起こる条件で
、ｎ−ＡｌＧａＡｓバリア層３５、ｕｎ−ＧａＡｓ第２
量子井戸層３６、ｐ−ＡｌＧａＡｓバリア層３７を順次
成長する。この過程において、（１１１）Ｂ面（三角形
の側面）上に第２量子井戸３６が形成される。次に連続
して、ＳＩ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３８、ｐ−ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層３９、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層４０
を積層する。量子細線構造が実現されることと、電流狭
窄機構は第１の実施例と同様である。
２の実施例では図１の如く誘電体膜１２によりストライ
プを形成する替わりにリッジ上の面方位依存成長を利用
して量子細線を形成する。図３に示すようにリッジ上に
おいても三角形状の断面となる構造を作製することがで
きる。以下、作製方法を記す。ｎ−ＧａＡｓ（００１）
基板３０にｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３１を積層し、
３１上に［１１０］方向に逆メサ状のリッジを形成する
。（１１１）Ｂ面の成長速度がほぼ零となる成長条件で
ｎ−ＡｌＧａＡｓバリア層３２、ｕｎ−ＡｌｘＧａ１−
ｘＡｓ（ｘ＝０．０５）第１量子井戸層３３、ＳＩ−Ａ
ｌＧａＡｓバリア層３４を順次成長する。このとき、（
１１１）Ｂ面には結晶成長は起こらないので、三角形状
の断面となるまで成長するとリッジ上では成長が停止す
る。次に、（１１１）Ｂ面にも結晶成長が起こる条件で
、ｎ−ＡｌＧａＡｓバリア層３５、ｕｎ−ＧａＡｓ第２
量子井戸層３６、ｐ−ＡｌＧａＡｓバリア層３７を順次
成長する。この過程において、（１１１）Ｂ面（三角形
の側面）上に第２量子井戸３６が形成される。次に連続
して、ＳＩ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３８、ｐ−ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層３９、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層４０
を積層する。量子細線構造が実現されることと、電流狭
窄機構は第１の実施例と同様である。
【００１３】上記第１、第２の実施例では、第１の量子
井戸（１４又は３３）の数を単一として示したが互いに
電子の相互作用のある距離（約数十Å内）に複数の量子
井戸を積層するマルチ量子井戸としてもよい。
井戸（１４又は３３）の数を単一として示したが互いに
電子の相互作用のある距離（約数十Å内）に複数の量子
井戸を積層するマルチ量子井戸としてもよい。
【００１４】図４は本発明による第３の実施例を示す（
但し、量子細線の詳細構造は第３図に同じであるので省
略した）。量子細線は単位体積値当たりの利得は大きい
が、体積が小さいので全利得は大きくない。このために
、量子細線を多数並列することが効果的である。図４で
は、図３に示したリッジ上の量子細線をレーザ共振器方
向に多数並列させ、しかもその周期をレーザ光の共振器
波長の半整数倍（ｍ＋１／２）として光の周期と利得の
周期を整合させることを行っている。このことによりレ
ーザ光の定在波のピーク位置と量子細線の位置を一致さ
せることができるので、レーザ光へ効率良く利得を付与
することができる。しかも、量子細線の周期的配置によ
り、屈折率と利得の周期的変調が実現されるので従来の
分布帰還型半導体レーザと同じ光増幅機構によってレー
ザ共振器を実現できる。
但し、量子細線の詳細構造は第３図に同じであるので省
略した）。量子細線は単位体積値当たりの利得は大きい
が、体積が小さいので全利得は大きくない。このために
、量子細線を多数並列することが効果的である。図４で
は、図３に示したリッジ上の量子細線をレーザ共振器方
向に多数並列させ、しかもその周期をレーザ光の共振器
波長の半整数倍（ｍ＋１／２）として光の周期と利得の
周期を整合させることを行っている。このことによりレ
ーザ光の定在波のピーク位置と量子細線の位置を一致さ
せることができるので、レーザ光へ効率良く利得を付与
することができる。しかも、量子細線の周期的配置によ
り、屈折率と利得の周期的変調が実現されるので従来の
分布帰還型半導体レーザと同じ光増幅機構によってレー
ザ共振器を実現できる。
【００１５】図５は本発明による第４の実施例を示す。
また、図６（ａ）〜（ｅ）は本第４の実施例を作製する
手順を示しており、以下順次説明する。まず、ｎ−Ｇａ
Ａｓ（００１）基板５０にｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層
５１、ｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）バリア
層５２、ｕｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．０５）
第１量子井戸群５３、ｐ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝
０．５）バリア層５４を積層する（図６（ａ））。次に
「１１０］方向にテラスをエッチングにより形成し、テ
ラス下段のｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５１上にＺｎを
拡散することによりｐ−ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層５５を
形成する（図６（ｂ）（ｃ））。次にテラス上面、側面
、下段面に均等層厚にｕｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ
＝０．５）バリア層５６、ｕｎ−ＧａＡｓ第２量子井戸
５７、ｕｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）バリ
ア層５８、ｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）５
９、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層６０を順次積層する（図
６（ｄ））。次に、テラスを外して、ｎ−ＡｌＧａＡｓ
クラッド層５９、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層６０にＺｎ
を６１に示した領域に拡散する（図６（ｅ））。電流は
ｎ−ＧａＡｓ基板５０とｎ−ＧａＡｓコンタクト層のＺ
ｎ拡散領域を通して第２量子井戸５７に注入される。こ
の第４の実施例では、第１の量子井戸として複数の量子
井戸群を積層しているので、全利得を大きくすることが
できる。
手順を示しており、以下順次説明する。まず、ｎ−Ｇａ
Ａｓ（００１）基板５０にｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層
５１、ｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）バリア
層５２、ｕｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．０５）
第１量子井戸群５３、ｐ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝
０．５）バリア層５４を積層する（図６（ａ））。次に
「１１０］方向にテラスをエッチングにより形成し、テ
ラス下段のｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５１上にＺｎを
拡散することによりｐ−ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層５５を
形成する（図６（ｂ）（ｃ））。次にテラス上面、側面
、下段面に均等層厚にｕｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ
＝０．５）バリア層５６、ｕｎ−ＧａＡｓ第２量子井戸
５７、ｕｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）バリ
ア層５８、ｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．５）５
９、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層６０を順次積層する（図
６（ｄ））。次に、テラスを外して、ｎ−ＡｌＧａＡｓ
クラッド層５９、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層６０にＺｎ
を６１に示した領域に拡散する（図６（ｅ））。電流は
ｎ−ＧａＡｓ基板５０とｎ−ＧａＡｓコンタクト層のＺ
ｎ拡散領域を通して第２量子井戸５７に注入される。こ
の第４の実施例では、第１の量子井戸として複数の量子
井戸群を積層しているので、全利得を大きくすることが
できる。
【００１６】以上の説明はＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系に
限って説明したが、ＧａＩｎＰＡｓ／ＩｎＰ系について
も材料種を置き換えることにより同様に作製できる。
限って説明したが、ＧａＩｎＰＡｓ／ＩｎＰ系について
も材料種を置き換えることにより同様に作製できる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により従来
作製が困難であった二次元の量子化準位をもつ電流注入
型の量子細線半導体レーザの作製が可能となり、従来の
一次元の量子化準位による量子井戸半導体レーザに比べ
、格段に特性の優れた半導体レーザが実現出来る利点が
ある。
作製が困難であった二次元の量子化準位をもつ電流注入
型の量子細線半導体レーザの作製が可能となり、従来の
一次元の量子化準位による量子井戸半導体レーザに比べ
、格段に特性の優れた半導体レーザが実現出来る利点が
ある。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための要部断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の第１の実施例の作製プロセスを説明す
るための要部断面図である。
るための要部断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を説明するための要部断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の第３の実施例を説明するための斜視図
である。
である。
【図５】本発明の第４の実施例を説明するための要部断
面図である。
面図である。
【図６】本発明の第４の実施例の作製プロセスを説明す
るための要部断面図である。
るための要部断面図である。
【図７】従来例を説明するための要部断面図である。
１０ ｎ−ＧａＡｓ基板
１１ ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層
１２ 誘電体膜
１３ ｎ−ＡｌＧａＡｓバリア層
１４ ｕｎ−ＡｌＧａＡｓ量子井戸
１５ ＳＩ−ＡｌＧａＡｓバリア層
１６ ｎ−ＡｌＧａＡｓバリア層
１７ ＧａＡｓ量子井戸
１８ ｐ−ＡｌＧａＡｓバリア層
１９ ＳＩ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２０ ｐ−Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層 ２１ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
ｌＧａＡｓクラッド層 ２１ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成され、バリア層に挟まれ
た少なくとも１つの第１量子井戸を含む第１積層構造と
、前記第一積層構造の積層断面に形成され、前記第１量
子井戸より禁制帯幅の大きい第１バリア層、前記第１量
子井戸とほぼ同等な禁制帯幅の第２量子井戸、及び前記
第１，第２量子井戸より禁制帯幅の大きい第２バリア層
とを順次積層した第２積層構造と、からなり前記第１量
子井戸と第２量子井戸の互いの近傍領域の少なくともい
ずれか一方に電子閉じ込め領域を有することと特徴とす
る量子細線レーザ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064323A JP2799372B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 量子細線レーザ及びその製造方法 |
| EP92302707A EP0507516B1 (en) | 1991-03-28 | 1992-03-27 | A quantum wire laser |
| US07/859,587 US5280493A (en) | 1991-03-28 | 1992-03-27 | Quantum wire laser |
| DE69205716T DE69205716T2 (de) | 1991-03-28 | 1992-03-27 | Quanten-Faden-Laser. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064323A JP2799372B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 量子細線レーザ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04299881A true JPH04299881A (ja) | 1992-10-23 |
| JP2799372B2 JP2799372B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=13254918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3064323A Expired - Fee Related JP2799372B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 量子細線レーザ及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5280493A (ja) |
| EP (1) | EP0507516B1 (ja) |
| JP (1) | JP2799372B2 (ja) |
| DE (1) | DE69205716T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07202349A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-08-04 | Korea Electron Telecommun | Ｍｂｅ材結晶成長の分子線回折を利用した量子細線レーザーダイオードの製造方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3257034B2 (ja) * | 1992-06-03 | 2002-02-18 | ソニー株式会社 | 化合物半導体装置とその製造方法 |
| JPH06132608A (ja) * | 1992-10-20 | 1994-05-13 | Sony Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| US5363394A (en) * | 1993-08-06 | 1994-11-08 | At&T Bell Laboratories | Quantum wire laser |
| EP0665578B1 (en) * | 1993-11-25 | 2002-02-20 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor structure and method of fabricating the same |
| US6039803A (en) * | 1996-06-28 | 2000-03-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Utilization of miscut substrates to improve relaxed graded silicon-germanium and germanium layers on silicon |
| JP3882539B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2007-02-21 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法、並びに画像表示装置 |
| KR100446615B1 (ko) | 2001-10-09 | 2004-09-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| DE10324264B4 (de) * | 2003-03-06 | 2007-01-18 | Universität Regensburg | Quantendrahtemitter mit Intersubbandübergängen |
| JP4613304B2 (ja) * | 2004-09-07 | 2011-01-19 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 量子ナノ構造半導体レーザ |
| JP2006190782A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61201492A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-06 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS62186584A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造法 |
| JPS62229990A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体発光素子の製造法 |
| JPS63175489A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH03169091A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | 量子細線の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60113488A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-19 | Nec Corp | １次元量子サイズ効果を有する素子の作製方法 |
| JPS613487A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-09 | Fujitsu Ltd | 量子細線レ−ザの作製方法 |
| JPS6421986A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Nippon Telegraph & Telephone | Manufacture of quantum fine line laser diode of current-injection type having buried structure |
| CA1315865C (en) * | 1988-02-09 | 1993-04-06 | Elyahou Kapon | Semiconductor super lattice heterostructure fabrication methods, structures and devices |
| JPH0268482A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-07 | Iseki & Co Ltd | 穀粒乾燥機の熱風発生装置 |
| JP2687495B2 (ja) * | 1988-10-28 | 1997-12-08 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| US5070510A (en) * | 1989-12-12 | 1991-12-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP3064323A patent/JP2799372B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-03-27 EP EP92302707A patent/EP0507516B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-27 US US07/859,587 patent/US5280493A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-27 DE DE69205716T patent/DE69205716T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61201492A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-06 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS62186584A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造法 |
| JPS62229990A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体発光素子の製造法 |
| JPS63175489A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH03169091A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | 量子細線の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07202349A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-08-04 | Korea Electron Telecommun | Ｍｂｅ材結晶成長の分子線回折を利用した量子細線レーザーダイオードの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69205716T2 (de) | 1996-05-02 |
| EP0507516A1 (en) | 1992-10-07 |
| US5280493A (en) | 1994-01-18 |
| JP2799372B2 (ja) | 1998-09-17 |
| DE69205716D1 (de) | 1995-12-07 |
| EP0507516B1 (en) | 1995-11-02 |
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