JPH04298115A - フリップフロップ回路 - Google Patents
フリップフロップ回路Info
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- JPH04298115A JPH04298115A JP3062803A JP6280391A JPH04298115A JP H04298115 A JPH04298115 A JP H04298115A JP 3062803 A JP3062803 A JP 3062803A JP 6280391 A JP6280391 A JP 6280391A JP H04298115 A JPH04298115 A JP H04298115A
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- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 8
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract description 11
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路に用い
る低消費電力のフリップフロップ回路に関する。
る低消費電力のフリップフロップ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のエッジトリガー方式D型フリップ
フロップ(以下FFと記す)を図5に示す。図5におい
て、39,40,43,44,46と47はNOT論理
素子、38,41,42と45はスイッチ素子である。 図6(a)はタイミングチャート、図6(b)は消費電
力を示す。以下に、図5と図6を参照してD型FFの動
作原理を説明する。
フロップ(以下FFと記す)を図5に示す。図5におい
て、39,40,43,44,46と47はNOT論理
素子、38,41,42と45はスイッチ素子である。 図6(a)はタイミングチャート、図6(b)は消費電
力を示す。以下に、図5と図6を参照してD型FFの動
作原理を説明する。
【0003】図5において、D型FFの回路は前段のマ
スタ・ラッチと後段のスレーブ・ラッチで構成される。 また、スイッチ38,41,42と45はCLK入力に
より制御される。CLK入力が”L”の時、マスタ・ラ
ッチは透過状態、スレーブ・ラッチは保持状態になる。 CLK入力が”H”の時、マスタ・ラッチは保持状態、
スレーブ・ラッチは透過状態になる。従って、CLK入
力が”L”から”H”に遷移する立上がりエッジで、D
入力の状態がQ出力に伝搬し、D入力の反転状態がQ_
出力に伝搬する。
スタ・ラッチと後段のスレーブ・ラッチで構成される。 また、スイッチ38,41,42と45はCLK入力に
より制御される。CLK入力が”L”の時、マスタ・ラ
ッチは透過状態、スレーブ・ラッチは保持状態になる。 CLK入力が”H”の時、マスタ・ラッチは保持状態、
スレーブ・ラッチは透過状態になる。従って、CLK入
力が”L”から”H”に遷移する立上がりエッジで、D
入力の状態がQ出力に伝搬し、D入力の反転状態がQ_
出力に伝搬する。
【0004】図6(a)は、D型FFの動作をタイミン
グチャートで図示したものである。図6(b)は、図6
(a)のタイミングチャートに対応する消費電力と平均
消費電力を図示したものである。
グチャートで図示したものである。図6(b)は、図6
(a)のタイミングチャートに対応する消費電力と平均
消費電力を図示したものである。
【0005】
【発明が解決しようとる課題】従来のエッジトリガー方
式のD型FFは、図6から明らかなようにD入力とQ出
力が同一状態である場合の消費電力が全体の消費電力に
占める割合が大きく、このため平均消費電力が大きいと
いう問題があった。
式のD型FFは、図6から明らかなようにD入力とQ出
力が同一状態である場合の消費電力が全体の消費電力に
占める割合が大きく、このため平均消費電力が大きいと
いう問題があった。
【0006】本発明は、消費電力が非常に小さく、高集
積化に適したフリップフロップ回路を提供することを目
的とする。
積化に適したフリップフロップ回路を提供することを目
的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のフリップフロッ
プ回路は、エッジトリガー方式D型フリップフロップに
おいて、フリップフロップのD入力とQ出力又はQ_出
力の状態を監視し、一致又は不一致の情報を出力する状
態監視回路と、この状態監視回路の出力によりCLK入
力のフリップフロップ内部への伝搬を制御するクロック
制御回路とを備えたものである。
プ回路は、エッジトリガー方式D型フリップフロップに
おいて、フリップフロップのD入力とQ出力又はQ_出
力の状態を監視し、一致又は不一致の情報を出力する状
態監視回路と、この状態監視回路の出力によりCLK入
力のフリップフロップ内部への伝搬を制御するクロック
制御回路とを備えたものである。
【0008】
【作用】本発明は、上述の回路構成により、エッジトリ
ガー方式D型FFのD入力とQ出力が同一状態である場
合のCLK入力の変化による消費電力を減少させる。
ガー方式D型FFのD入力とQ出力が同一状態である場
合のCLK入力の変化による消費電力を減少させる。
【0009】
【実施例】本発明のフリップフロップ回路の実施例を図
1,図2,図3の回路図、図4(a)のタイミングチャ
ートの図、図4(b)の消費電力の図を参照して説明す
る。
1,図2,図3の回路図、図4(a)のタイミングチャ
ートの図、図4(b)の消費電力の図を参照して説明す
る。
【0010】本発明のフリップフロップ回路は、その基
本部分で一般のエッジトリガー方式D型FFと同じであ
る。しかし、図1に示す様に、Q出力に、ゲートがD入
力により制御される第1NMOS Tr11の入力を接
続し、Q_出力に、ゲートがD入力により制御される第
2NMOS Tr10の入力を接続し、第1NMOST
r11の出力と第2NMOS Tr10の出力を接続し
たものを出力とする状態監視回路50を備え、状態監視
回路50の出力を、CLK入力と入力が接続したNAN
D素子12よりなるクロック制御回路51の他の入力に
接続する点で従来のものと異なる。
本部分で一般のエッジトリガー方式D型FFと同じであ
る。しかし、図1に示す様に、Q出力に、ゲートがD入
力により制御される第1NMOS Tr11の入力を接
続し、Q_出力に、ゲートがD入力により制御される第
2NMOS Tr10の入力を接続し、第1NMOST
r11の出力と第2NMOS Tr10の出力を接続し
たものを出力とする状態監視回路50を備え、状態監視
回路50の出力を、CLK入力と入力が接続したNAN
D素子12よりなるクロック制御回路51の他の入力に
接続する点で従来のものと異なる。
【0011】また、図2に示す様に、D入力に、ゲート
がQ_出力により制御される第1NMOS Tr23の
入力を接続し、D入力の反転信号D_に、ゲートがQ出
力により制御される第2NMOS Tr24の入力を接
続し、第1NMOS Tr23の出力と第2NMOS
24の出力を接続したものを出力とする状態監視回路5
0を備え、状態監視回路50の出力を、CLK入力と入
力が接続したNAND素子25よりなるクロック制御回
路51の他の入力に接続する点で従来のものと異なる。
がQ_出力により制御される第1NMOS Tr23の
入力を接続し、D入力の反転信号D_に、ゲートがQ出
力により制御される第2NMOS Tr24の入力を接
続し、第1NMOS Tr23の出力と第2NMOS
24の出力を接続したものを出力とする状態監視回路5
0を備え、状態監視回路50の出力を、CLK入力と入
力が接続したNAND素子25よりなるクロック制御回
路51の他の入力に接続する点で従来のものと異なる。
【0012】また、図3に示す様に、EXOR素子35
を備え、EXOR素子35の一方の入力を、D入力に接
続し、EXOR素子35の他方の入力を、Q出力に接続
し、EXOR素子35の出力を出力とする状態監視回路
50を備え、状態監視回路50の出力を、CLK入力と
入力が接続したNAND素子36よりなるクロック制御
回路51の他の入力に接続する点で従来のものと異なる
。
を備え、EXOR素子35の一方の入力を、D入力に接
続し、EXOR素子35の他方の入力を、Q出力に接続
し、EXOR素子35の出力を出力とする状態監視回路
50を備え、状態監視回路50の出力を、CLK入力と
入力が接続したNAND素子36よりなるクロック制御
回路51の他の入力に接続する点で従来のものと異なる
。
【0013】ところで、従来のフリップフロップ回路で
は、D入力とQ出力が同一状態である場合の消費電力が
全体の消費電力に占める割合が大きく、このため平均消
費電力が大きいという問題があった。従って、D入力と
Q出力が同一状態である場合の消費電力を0にすること
ができれば、消費電力の大幅な低減が可能になる。本発
明は、この点に注目したものである。
は、D入力とQ出力が同一状態である場合の消費電力が
全体の消費電力に占める割合が大きく、このため平均消
費電力が大きいという問題があった。従って、D入力と
Q出力が同一状態である場合の消費電力を0にすること
ができれば、消費電力の大幅な低減が可能になる。本発
明は、この点に注目したものである。
【0014】図1において、D型のFFの回路は前段の
マスタ・ラッチと後段のスレーブ・ラッチで構成される
。また、スイッチ4,5は内部信号CKにより制御され
、スイッチ1,8は内部信号CK_により制御される。 状態監視回路50の出力P1が”H”の時、図1の回路
は従来のエッジトリガー方式D型FFと同一の動作をす
る。即ち、CLK入力が”L”から”H”に遷移する立
上がりエッジで、D入力の状態がQ出力に伝搬し、D入
力の反転状態がQ_出力に伝搬する。P1の状態は、D
入力とQ出力及びQ_出力で決まる。D入力=”L”,
Q出力=”L”の時、第1NMOS Tr11はON,
第2NMOS Tr10はOFFし、P1は”L”にな
る。D入力=”L”, Q出力=”H”の時、第1NM
OS Tr11はON,第2NMOS Tr10はOF
Fし、P1は”H”になる。D入力=”H”, Q出力
=”L”の時、第1NMOS Tr11はOFF,第2
NMOS Tr10はONし、P1は”H”になる。D
入力=”H”,Q出力=”H”の時、第1NMOS T
r11はOFF,第2NMOS Tr10はONし、P
1は”L”になる。即ち、状態監視回路50の出力P1
はDとQの排他的論理和になる。
マスタ・ラッチと後段のスレーブ・ラッチで構成される
。また、スイッチ4,5は内部信号CKにより制御され
、スイッチ1,8は内部信号CK_により制御される。 状態監視回路50の出力P1が”H”の時、図1の回路
は従来のエッジトリガー方式D型FFと同一の動作をす
る。即ち、CLK入力が”L”から”H”に遷移する立
上がりエッジで、D入力の状態がQ出力に伝搬し、D入
力の反転状態がQ_出力に伝搬する。P1の状態は、D
入力とQ出力及びQ_出力で決まる。D入力=”L”,
Q出力=”L”の時、第1NMOS Tr11はON,
第2NMOS Tr10はOFFし、P1は”L”にな
る。D入力=”L”, Q出力=”H”の時、第1NM
OS Tr11はON,第2NMOS Tr10はOF
Fし、P1は”H”になる。D入力=”H”, Q出力
=”L”の時、第1NMOS Tr11はOFF,第2
NMOS Tr10はONし、P1は”H”になる。D
入力=”H”,Q出力=”H”の時、第1NMOS T
r11はOFF,第2NMOS Tr10はONし、P
1は”L”になる。即ち、状態監視回路50の出力P1
はDとQの排他的論理和になる。
【0015】図4(a)のタイミングチャートにおいて
、t0の時、入力D=”L”,出力Q=”H”でP1は
”H”になる。t0→t1の時、入力CLKの変化はク
ロック制御回路51のNAND12を伝搬し、NAND
素子12の出力CK_は”H”から”L”に変化する。 また、NOT素子13の出力CKは”L”から”H”に
変化する。CKとCK_の変化により、D入力の状態”
L”がQ出力に伝搬し、D入力の反転状態”H”がQ_
出力に伝搬する。 Q出力が”H”から”L”に変化したことによりP1は
”L”になる。さらに、P1が”L”になることにより
CK_は”L”から”H”になる。結果的にCK_は、
”H”→”L”→”H”と変化するが、”L”の期間は
、CK_とCKの変化によりD入力の状態がQ出力に伝
搬する時間と、Q出力の状態が第1MOS Tr11を
通じてP1に伝搬する時間と、P1の状態がNAND素
子12の出力CK_に伝搬する時間を合計したものにな
る。また上記の説明で明らかなように、CK_の”L”
→”H”の変化はQ出力及びQ_出力の変化によって起
こるため、フリッププロップは安定した動作をする。
、t0の時、入力D=”L”,出力Q=”H”でP1は
”H”になる。t0→t1の時、入力CLKの変化はク
ロック制御回路51のNAND12を伝搬し、NAND
素子12の出力CK_は”H”から”L”に変化する。 また、NOT素子13の出力CKは”L”から”H”に
変化する。CKとCK_の変化により、D入力の状態”
L”がQ出力に伝搬し、D入力の反転状態”H”がQ_
出力に伝搬する。 Q出力が”H”から”L”に変化したことによりP1は
”L”になる。さらに、P1が”L”になることにより
CK_は”L”から”H”になる。結果的にCK_は、
”H”→”L”→”H”と変化するが、”L”の期間は
、CK_とCKの変化によりD入力の状態がQ出力に伝
搬する時間と、Q出力の状態が第1MOS Tr11を
通じてP1に伝搬する時間と、P1の状態がNAND素
子12の出力CK_に伝搬する時間を合計したものにな
る。また上記の説明で明らかなように、CK_の”L”
→”H”の変化はQ出力及びQ_出力の変化によって起
こるため、フリッププロップは安定した動作をする。
【0016】t1の時、D入力=”H”,Q出力=”L
”で、P1は”L”である。NAND素子12の出力C
K_は”H”であり、CLK入力の変化は伝搬しない。
”で、P1は”L”である。NAND素子12の出力C
K_は”H”であり、CLK入力の変化は伝搬しない。
【0017】t1→t2の時、入力D=”H”,出力Q
=”L”で、P1は”H”である。入力CLKの変化は
NAND素子12を伝搬し、NAND素子12の出力C
K_は”H”から”L”に変化する。また、NOT素子
13の出力CKは”L”から”H”に変化する。CKと
CK_の変化により、D入力の状態”H”がQ出力に伝
搬し、D入力の反転状態”L”がQ_出力に伝搬する。 Q出力が”L”から”H”に変化したことによりP1は
”L”になる。さらに、P1が”L”になることにより
CK_は”L”から”H”になる。結果的に、CK_は
”H”→”L”→”H”と変化する。t0→t1の時と
同様に、フリップフロップは安定した動作をする。
=”L”で、P1は”H”である。入力CLKの変化は
NAND素子12を伝搬し、NAND素子12の出力C
K_は”H”から”L”に変化する。また、NOT素子
13の出力CKは”L”から”H”に変化する。CKと
CK_の変化により、D入力の状態”H”がQ出力に伝
搬し、D入力の反転状態”L”がQ_出力に伝搬する。 Q出力が”L”から”H”に変化したことによりP1は
”L”になる。さらに、P1が”L”になることにより
CK_は”L”から”H”になる。結果的に、CK_は
”H”→”L”→”H”と変化する。t0→t1の時と
同様に、フリップフロップは安定した動作をする。
【0018】t2の時、D入力=”H”,Q出力=”H
”でP1は”L”である。NAND素子12の出力CK
_は”H”であり、CLK入力の変化は伝搬しない。即
ち、図1のフリップフロップ回路は、基本動作は従来の
回路と同じであるが、D入力とQ出力が同一状態の場合
は、入力CLKの変化はNAND素子12によりフリッ
プフロップの内部に伝搬しない。
”でP1は”L”である。NAND素子12の出力CK
_は”H”であり、CLK入力の変化は伝搬しない。即
ち、図1のフリップフロップ回路は、基本動作は従来の
回路と同じであるが、D入力とQ出力が同一状態の場合
は、入力CLKの変化はNAND素子12によりフリッ
プフロップの内部に伝搬しない。
【0019】スタティック動作のCMOS論理回路の場
合、全体の消費電流は、論理素子がスイッチングする時
の負荷容量を充電または放電する電流と電源からアース
への貫通電流である。従って、図1のフリップフロップ
回路は、D入力とQ出力が同一状態の場合、消費電力が
0になる。また、D入力とQ出力が異なる状態の場合の
消費電力は、従来の回路と比較すると増加するが、NO
T素子9による消費電力のみであり小さい。
合、全体の消費電流は、論理素子がスイッチングする時
の負荷容量を充電または放電する電流と電源からアース
への貫通電流である。従って、図1のフリップフロップ
回路は、D入力とQ出力が同一状態の場合、消費電力が
0になる。また、D入力とQ出力が異なる状態の場合の
消費電力は、従来の回路と比較すると増加するが、NO
T素子9による消費電力のみであり小さい。
【0020】ところで、従来の回路において、CLK入
力が”L”→”H”→”L”又は”H”→”L”→”H
”と変化したことによる消費電力を50μW、Q出力が
”L”→”H”→”L”又は”H”→”L”→”H”と
変化したことによる消費電力を25μWとすると、図6
のタイミングチャートの場合の消費電力は、50×8+
25=425μWとなる。図6(b)は、この様子を図
示している。一方、本発明の回路において、CLK入力
が”L”→”H”→”L”又は”H”→”L”→”H”
と変化したことによる消費電力を50μW、Q出力が”
L”→”H”→”L”又は”H”→”L”→”H”と変
化したことによる消費電力を、50μWとすると、図6
のタイミングチャートの場合の消費電力は、50×2+
50=150μWとなる。図4(b)は、この様子を図
示している。即ち、CLK入力の周波数(以下fCLK
と記す)=D入力の周波数(以下fdと記す)×8の場
合、(本発明の回路の消費電力)/(従来の回路の消費
電力)(以下Prと記す)=0.35(150/425
)となる。同様に、fCLK=fd×4の場合はPr=
0.67(150/225)となり、fCLK=fd×
2の場合はPr=1.20(150/125)となる。 仮にある論理回路のフリップフロップの1/3がfCL
K=fd×8で動作し、1/3がfCLK=fd×4で
動作し、残りの1/3のフリップフロップがfCLK=
fd×2で動作する場合、Pr=0.74となり、消費
電力は低減する。また、fCLK=fd×8とfCLK
=fd×4の部分にのみ選択的に本発明の回路を用い、
fCLK=fd×2の場合は従来の回路を用いるとする
と、Pr=0.67となり、消費電力はさらに低減する
。以上は、図1の回路の説明であるが、図2,図3の場
合も同様である。
力が”L”→”H”→”L”又は”H”→”L”→”H
”と変化したことによる消費電力を50μW、Q出力が
”L”→”H”→”L”又は”H”→”L”→”H”と
変化したことによる消費電力を25μWとすると、図6
のタイミングチャートの場合の消費電力は、50×8+
25=425μWとなる。図6(b)は、この様子を図
示している。一方、本発明の回路において、CLK入力
が”L”→”H”→”L”又は”H”→”L”→”H”
と変化したことによる消費電力を50μW、Q出力が”
L”→”H”→”L”又は”H”→”L”→”H”と変
化したことによる消費電力を、50μWとすると、図6
のタイミングチャートの場合の消費電力は、50×2+
50=150μWとなる。図4(b)は、この様子を図
示している。即ち、CLK入力の周波数(以下fCLK
と記す)=D入力の周波数(以下fdと記す)×8の場
合、(本発明の回路の消費電力)/(従来の回路の消費
電力)(以下Prと記す)=0.35(150/425
)となる。同様に、fCLK=fd×4の場合はPr=
0.67(150/225)となり、fCLK=fd×
2の場合はPr=1.20(150/125)となる。 仮にある論理回路のフリップフロップの1/3がfCL
K=fd×8で動作し、1/3がfCLK=fd×4で
動作し、残りの1/3のフリップフロップがfCLK=
fd×2で動作する場合、Pr=0.74となり、消費
電力は低減する。また、fCLK=fd×8とfCLK
=fd×4の部分にのみ選択的に本発明の回路を用い、
fCLK=fd×2の場合は従来の回路を用いるとする
と、Pr=0.67となり、消費電力はさらに低減する
。以上は、図1の回路の説明であるが、図2,図3の場
合も同様である。
【0021】ところで、本実施例の構成(図1の回路図
)は従来の図6の回路と比較すると、トランジスタ数で
6個の増加であるが、トランジスタのファンアウトが小
さいため、トランジスタのサイズを小さくでき、集積回
路にした場合の面積の増加は小さい。D入力と同時に、
その反転状態であるD_も入力として存在する場合、ト
ランジスタ数は4個の増加であり、さらに面積の増加は
小さくなる。また、従来のフリップフロップ回路と入力
及び出力端子が同一であり、かつ入力及び出力端子から
見た場合の動作が同一であるため、極めて実用性が高い
という特徴を持つ。
)は従来の図6の回路と比較すると、トランジスタ数で
6個の増加であるが、トランジスタのファンアウトが小
さいため、トランジスタのサイズを小さくでき、集積回
路にした場合の面積の増加は小さい。D入力と同時に、
その反転状態であるD_も入力として存在する場合、ト
ランジスタ数は4個の増加であり、さらに面積の増加は
小さくなる。また、従来のフリップフロップ回路と入力
及び出力端子が同一であり、かつ入力及び出力端子から
見た場合の動作が同一であるため、極めて実用性が高い
という特徴を持つ。
【0022】なお、本実施例では、クロック制御回路と
してNAND素子を用いたが、AND素子を用いること
もできる。さらに、状態監視回路の出力の極性が本実施
例と逆の場合は、NOR素子又はOR素子を用いること
ができる。さらに、本実施例では、状態監視回路の第一
MOS Trと第二MOS TrはNMOS Trを用
いたが、PMOS Trを用いることができることは言
うまでもない。
してNAND素子を用いたが、AND素子を用いること
もできる。さらに、状態監視回路の出力の極性が本実施
例と逆の場合は、NOR素子又はOR素子を用いること
ができる。さらに、本実施例では、状態監視回路の第一
MOS Trと第二MOS TrはNMOS Trを用
いたが、PMOS Trを用いることができることは言
うまでもない。
【0023】
【発明の効果】本発明のフリップフロップ回路によれば
、D入力とQ出力の状態が同一の場合の消費電力を0に
でき、ひいては平均消費電力を低減させ、かつ安定した
スタティック動作が可能で、チップ面積の小さいフリッ
プフロップを構成することができるという効果が奏され
る。
、D入力とQ出力の状態が同一の場合の消費電力を0に
でき、ひいては平均消費電力を低減させ、かつ安定した
スタティック動作が可能で、チップ面積の小さいフリッ
プフロップを構成することができるという効果が奏され
る。
【図1】本発明のフリップフロップ回路の回路図である
。
。
【図2】本発明のフリップフロップ回路の回路図である
。
。
【図3】本発明のフリップフロップ回路の回路図である
。
。
【図4】本発明の回路の動作説明図である。
【図5】従来のフリップフロップ回路の回路図である。
【図6】従来のフリップフロップ回路の動作説明図であ
る。
る。
1,4,5,8 スイッチ素子
2,3,6,7,9 NOT素子
10,11 エンハンスメント型NMOS Tr12
NAND素子 13 NOT素子 50 状態監視回路 51 クロック制御回路
NAND素子 13 NOT素子 50 状態監視回路 51 クロック制御回路
Claims (4)
- 【請求項1】エッジトリガー方式D型フリップフロップ
において、フリップフロップのD入力とQ出力又はQ_
出力の状態を監視し、一致又は不一致の情報を出力する
状態監視回路と、この状態監視回路の出力によりCLK
入力のフリップフロップ内部への伝搬を制御するクロッ
ク制御回路とを備えたフリップフロップ回路。 - 【請求項2】請求項1において、状態監視回路は、フリ
ップフロップのQ出力に、ゲートがフリップフロップの
D入力により制御される第1電界効果形トランジスタの
入力を接続し、フリップフロップのQ_出力に、ゲート
がフリップフロップのD入力により制御される第2電界
効果形トランジスタの入力を接続し、前記第1電界効果
形トランジスタの出力と前記第2電界効果形トランジス
タの出力を接続したものを出力とすることを特徴とする
フリップフロップ回路。 - 【請求項3】請求項1において、状態監視回路は、フリ
ップフロップのD入力に、ゲートがフリップフロップの
Q_出力又はQ出力により制御される第1電界効果形ト
ランジスタの入力を接続し、フリップフロップのD入力
の反転信号D_に、ゲートがフリップフロップのQ出力
又はQ_出力により制御される第2電界効果形トランジ
スタの入力を接続し、前記第1電界効果形トランジスタ
の出力と前記第2電界効果形トランジスタの出力を接続
したものを出力とすることを特徴とするフリップフロッ
プ回路。 - 【請求項4】請求項1において、状態監視回路は、EX
OR素子又はEXNOR素子を備え、前記EXOR素子
又はEXNOR素子の一方の入力を、フリップフロップ
のD入力に接続し、前記EXOR素子又はEXNORの
他方の入力を、フリップフロップのQ出力又はQ_出力
に接続し、前記EXOR素子又はEXNORの出力を出
力とすることを特徴とするフリップフロップ回路。
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JPH0815252B2 JPH0815252B2 (ja) | 1996-02-14 |
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ID=13210863
Family Applications (1)
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JP3062803A Expired - Fee Related JPH0815252B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | フリップフロップ回路 |
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- 1991-03-27 JP JP3062803A patent/JPH0815252B2/ja not_active Expired - Fee Related
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