JPH04295017A - 自立形ペロブスカイト型タンタル酸鉛スカンジウム薄膜の製造方法 - Google Patents
自立形ペロブスカイト型タンタル酸鉛スカンジウム薄膜の製造方法Info
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- C01P2004/00—Particle morphology
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- C01P2004/84—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases one phase coated with the other
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は自立形タンタル酸鉛スカン
ジウム（ｌｅａｄ ｓｃａｎｄｉｕｍ ｔａｎｔａ
ｌａｔｅ）薄膜の製造方法に関する。
ジウム（ｌｅａｄ ｓｃａｎｄｉｕｍ ｔａｎｔａ
ｌａｔｅ）薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術及びその課題】セラミック誘導熱検出器を製
造する場合、材料を非常に薄くスライスしなければなら
ないことが多い。従来、これは難しく時間のかかるラッ
ピング／研磨法によって行われていた。薄膜セラミック
法に代わる方法を開発するために、最近開発されたこれ
らセラミックの金属有機前駆体を利用する方法が広く使
用されている。これら方法では、金属有機化学的蒸着法
（ＭＯＣＶＤ）により金属有機溶液から薄膜を析出・堆
積させている。これら方法ではいずれも厚みが０．１μ
ｍ未満のセラミック薄膜を制御しながら析出・堆積して
いる。
造する場合、材料を非常に薄くスライスしなければなら
ないことが多い。従来、これは難しく時間のかかるラッ
ピング／研磨法によって行われていた。薄膜セラミック
法に代わる方法を開発するために、最近開発されたこれ
らセラミックの金属有機前駆体を利用する方法が広く使
用されている。これら方法では、金属有機化学的蒸着法
（ＭＯＣＶＤ）により金属有機溶液から薄膜を析出・堆
積させている。これら方法ではいずれも厚みが０．１μ
ｍ未満のセラミック薄膜を制御しながら析出・堆積して
いる。
【０００３】これら方法はチタン酸鉛等の材料や、好ま
しくはＰｂ（Ｓｃ１／２Ｔａ１／２）Ｏ３（ＰＳＴ）を
については結果がよい。この蒸着法の詳細はＰＣＴ／Ｇ
Ｂ８９／００３９５号明細書に記載されている。
しくはＰｂ（Ｓｃ１／２Ｔａ１／２）Ｏ３（ＰＳＴ）を
については結果がよい。この蒸着法の詳細はＰＣＴ／Ｇ
Ｂ８９／００３９５号明細書に記載されている。
【０００４】自立形ＰＳＴ薄膜の製造については、適当
な基体材料が利用できないため、従来は行われていなか
った。一方、サファイヤやガドリニウムガリウムガーネ
ット（ＧＧＧ）−いずれも膨張係数がＰＳＴ（６．５ｐ
ｐｍ／Ｋ）に極めて近い−等の基体にはＰＳＴ薄膜を簡
単に成長させることができることはわかっている。とこ
ろが、いずれの基体も剥離が難しいため、デバイス製造
には向いていない。
な基体材料が利用できないため、従来は行われていなか
った。一方、サファイヤやガドリニウムガリウムガーネ
ット（ＧＧＧ）−いずれも膨張係数がＰＳＴ（６．５ｐ
ｐｍ／Ｋ）に極めて近い−等の基体にはＰＳＴ薄膜を簡
単に成長させることができることはわかっている。とこ
ろが、いずれの基体も剥離が難しいため、デバイス製造
には向いていない。
【０００５】本発明の目的はペロブスカイト型自立形Ｐ
ＳＴ薄膜の製造方法を提供することにある。
ＳＴ薄膜の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題の解決手段】すなわち、本発明はサファイヤ又は
ガドリニウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）基体に堆積
した酸化マグネシウム層にタンタル酸鉛スカンジウムの
膜を形成し、次に該酸化マグネシウム層をエッチングし
て該基体から該タンタル酸鉛スカンジウム膜を剥離する
ことからなる自立形ペロブスカイト型タンタル酸鉛スカ
ンジウム薄膜を製造する方法を提供するものである。
ガドリニウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）基体に堆積
した酸化マグネシウム層にタンタル酸鉛スカンジウムの
膜を形成し、次に該酸化マグネシウム層をエッチングし
て該基体から該タンタル酸鉛スカンジウム膜を剥離する
ことからなる自立形ペロブスカイト型タンタル酸鉛スカ
ンジウム薄膜を製造する方法を提供するものである。
【０００７】一つの実施例では、ＭｇＯターゲットから
サファイヤ基体上へのスパッタリングにより厚みが１μ
ｍのＭｇＯ膜を形成する。次に、ＰｂＯ層を介在させて
ＳｃＴａＯ４層を堆積することによりＰＳＴ膜を形成す
る。ＰｂＺｒＯ３スペーサー粉を存在させた状態で９０
０℃、所定の時間−膜厚みにより変わる−上記層を加熱
すると、ＰＳＴ膜が生成する。ＭｇＯ／サファイヤ担持
ＰＳＴ膜を次に、この基体から自立形薄膜としてＰＳＴ
層が剥離するまで燐酸に浸漬する。あるいは、ＭｇＯ膜
を塩酸によりエッチングしてもよい。
サファイヤ基体上へのスパッタリングにより厚みが１μ
ｍのＭｇＯ膜を形成する。次に、ＰｂＯ層を介在させて
ＳｃＴａＯ４層を堆積することによりＰＳＴ膜を形成す
る。ＰｂＺｒＯ３スペーサー粉を存在させた状態で９０
０℃、所定の時間−膜厚みにより変わる−上記層を加熱
すると、ＰＳＴ膜が生成する。ＭｇＯ／サファイヤ担持
ＰＳＴ膜を次に、この基体から自立形薄膜としてＰＳＴ
層が剥離するまで燐酸に浸漬する。あるいは、ＭｇＯ膜
を塩酸によりエッチングしてもよい。
【０００８】
【実施例】本発明を以下実施例により説明するが、ここ
ではサファイヤ基体上に堆積したＭｇＯ層にタンタル酸
鉛スカンジウム膜を形成する。
ではサファイヤ基体上に堆積したＭｇＯ層にタンタル酸
鉛スカンジウム膜を形成する。
【０００９】２−メトキシエタノール溶液中において前
駆体としてスカンジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネー
トＳｃ（ａｃａｃ）３及びタンタルエトキシドＴａ（Ｏ
Ｅｔ）５を使用して、溶液からＳｃＴａＯ４を堆積させ
る。まづ、１２０℃でＳｃ（ａｃａｃ）３溶液を形成し
、これを９０℃に冷却し、Ｔａ（ＯＥｔ）５を加え、１
２０℃で錯体化し、得られた溶液を冷却し、そしてサフ
ァイヤ基体に堆積したＭｇＯ層にこれをスピンコーティ
ングし、その後ＳｃＴａＯ４層を４００〜５００℃で乾
燥することによってＳｃＴａＯ４層を形成する。この操
作を繰り返すと、より厚い層を得ることができる。酢酸
鉛の２−メトキシエタノール脱水溶液をＳｃＴａＯ４層
上にスピンコーティングしてから、４００〜５００℃で
乾燥して、酸化鉛（ＰｂＯ）層をＳｃＴａＯ４層間に介
在させる。最後に、基体をこれら層と共に鉛富化雰囲気
で焼成して、多結晶ＰＳＴ膜を形成する。
駆体としてスカンジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネー
トＳｃ（ａｃａｃ）３及びタンタルエトキシドＴａ（Ｏ
Ｅｔ）５を使用して、溶液からＳｃＴａＯ４を堆積させ
る。まづ、１２０℃でＳｃ（ａｃａｃ）３溶液を形成し
、これを９０℃に冷却し、Ｔａ（ＯＥｔ）５を加え、１
２０℃で錯体化し、得られた溶液を冷却し、そしてサフ
ァイヤ基体に堆積したＭｇＯ層にこれをスピンコーティ
ングし、その後ＳｃＴａＯ４層を４００〜５００℃で乾
燥することによってＳｃＴａＯ４層を形成する。この操
作を繰り返すと、より厚い層を得ることができる。酢酸
鉛の２−メトキシエタノール脱水溶液をＳｃＴａＯ４層
上にスピンコーティングしてから、４００〜５００℃で
乾燥して、酸化鉛（ＰｂＯ）層をＳｃＴａＯ４層間に介
在させる。最後に、基体をこれら層と共に鉛富化雰囲気
で焼成して、多結晶ＰＳＴ膜を形成する。
【００１０】この薄膜堆積法は溶液法に限らない。とい
うのは、揮発性前駆体を使用するＭＯＣＶＤ（金属有機
化学的蒸着）やセラミックターゲットを使用するレーザ
ー融除（ｌａｓｅｒ ａｂｌａｔｉｏｎ）法を使用し
ても、ＰＳＴを堆積・付着できることが既にわかってい
るからである。
うのは、揮発性前駆体を使用するＭＯＣＶＤ（金属有機
化学的蒸着）やセラミックターゲットを使用するレーザ
ー融除（ｌａｓｅｒ ａｂｌａｔｉｏｎ）法を使用し
ても、ＰＳＴを堆積・付着できることが既にわかってい
るからである。
【００１１】別な実施例では、サファイヤ基体に上にＥ
−ビーム蒸発によりＭｇＯ層を堆積・付着する。
−ビーム蒸発によりＭｇＯ層を堆積・付着する。
【００１２】上記堆積・蒸着法の細部は公知なので、こ
こでは説明しなかった。
こでは説明しなかった。
Claims (9)
- 【請求項１】 サファイヤ又はガドリニウムガリウム
ガーネット（ＧＧＧ）基体に堆積した酸化マグネシウム
層にタンタル酸鉛スカンジウムの膜を形成し、そして該
酸化マグネシウム層をエッチングして該基体から該タン
タル酸鉛スカンジウム膜を剥離することからなる自立形
ペロブスカイト型タンタル酸鉛スカンジウム薄膜を製造
する方法。 - 【請求項２】 ＭｇＯターゲットからのスパッタリン
グにより該ＭｇＯ層を堆積・付着させる請求項第１項に
記載の方法。 - 【請求項３】 Ｅ−ビーム蒸発により該ＭｇＯ層を堆
積・付着させる請求項第１項に記載の方法。 - 【請求項４】 燐酸又は塩酸により該ＭｇＯ層をエッ
チングする請求項第１〜３項のいずれか１項に記載の方
法。。 - 【請求項５】 該ＭｇＯ層の厚みが≦１μｍである請
求項第１〜４項のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項６】 酸化鉛層を介在させたタンタル酸スカ
ンジウムの層を堆積・付着させ、次に該層を鉛富化雰囲
気で加熱して、該ＭｇＯ層上に多結晶タンタル酸鉛スカ
ンジウム膜を形成する請求項第１〜５項のいずれか１項
に記載の方法。 - 【請求項７】 前駆体としてのスカンジウム（ＩＩＩ
）アセチルアセトネート及びタンタルエトキシドのメト
キシエタノール溶液から該タンタル酸スカンジウム層を
形成する請求項第６項に記載の方法。 - 【請求項８】酢酸鉛の２−メトキシエタノール溶液から
該酸化鉛層を形成する請求項第６項又は第７項に記載の
方法。 - 【請求項９】 該タンタル酸鉛スカンジウム膜を金属
有機化学的蒸着（ＭＯＣＶＤ）法により形成する請求項
第１〜５項のいずれか１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9025547.2 | 1990-11-23 | ||
| GB9025547A GB2250029A (en) | 1990-11-23 | 1990-11-23 | Perovskite lead scandium tantalate film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04295017A true JPH04295017A (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=10685906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3332770A Pending JPH04295017A (ja) | 1990-11-23 | 1991-11-22 | 自立形ペロブスカイト型タンタル酸鉛スカンジウム薄膜の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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