JPH04294042A - 真空室内のデバイス冷却装置 - Google Patents
真空室内のデバイス冷却装置Info
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- JPH04294042A JPH04294042A JP3353479A JP35347991A JPH04294042A JP H04294042 A JPH04294042 A JP H04294042A JP 3353479 A JP3353479 A JP 3353479A JP 35347991 A JP35347991 A JP 35347991A JP H04294042 A JPH04294042 A JP H04294042A
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームまたはイオ
ンビームによって機能試験を行うために真空室内に配置
されたデバイスの冷却装置に関する。
ンビームによって機能試験を行うために真空室内に配置
されたデバイスの冷却装置に関する。
【0002】
【従来の技術】電子ビーム測定装置、走査形電子顕微鏡
または集束形イオンビーム装置において、電子デバイス
は排気された試験室内で内部解析のために電気的に駆動
される。
または集束形イオンビーム装置において、電子デバイス
は排気された試験室内で内部解析のために電気的に駆動
される。
【0003】かかる電子ビーム測定装置はシュルムベル
ガー社の説明書“テクノロジー IDS 4000
インテグレーテッド ダイアグノスティク シ
ステム(Technologie IDS 400
0 Integrated Diagnostic
Sysrem)”(1988年8月発行)に記載さ
れており、この電子ビーム測定装置を用いることによっ
て、集積回路またはプリント板における欠陥を迅速かつ
精密に検出することができる。
ガー社の説明書“テクノロジー IDS 4000
インテグレーテッド ダイアグノスティク シ
ステム(Technologie IDS 400
0 Integrated Diagnostic
Sysrem)”(1988年8月発行)に記載さ
れており、この電子ビーム測定装置を用いることによっ
て、集積回路またはプリント板における欠陥を迅速かつ
精密に検出することができる。
【0004】その電子ビーム測定装置の基本構成は図3
に示されている。電子ビームを生成する垂直に配置され
たオプトエレクトロニク・カラム8は収納フレーム9に
保持されている。この収納フレーム9はXY水平平面に
おいてカラム8を移動させる調整装置7を含んでいる。 装置全体は作業板10によって覆われている作業場所の
一部分を構成するキャビネット内に配置されている。被
試験体4は作業板10から突出するカバーフード2を介
してアクセス可能である真空室12の内部に配置されて
いる。カバーフードの上側内面には被試験体4を収納す
るためのホルダー5が取付けられており、このホルダー
5の個々の接触子は接続ピン3にてカバーフード2の外
面上へ気密に案内されている。オプトエレクトロニク・
カラムはベロー13によって気密に真空室12内へ気密
に突出している。
に示されている。電子ビームを生成する垂直に配置され
たオプトエレクトロニク・カラム8は収納フレーム9に
保持されている。この収納フレーム9はXY水平平面に
おいてカラム8を移動させる調整装置7を含んでいる。 装置全体は作業板10によって覆われている作業場所の
一部分を構成するキャビネット内に配置されている。被
試験体4は作業板10から突出するカバーフード2を介
してアクセス可能である真空室12の内部に配置されて
いる。カバーフードの上側内面には被試験体4を収納す
るためのホルダー5が取付けられており、このホルダー
5の個々の接触子は接続ピン3にてカバーフード2の外
面上へ気密に案内されている。オプトエレクトロニク・
カラムはベロー13によって気密に真空室12内へ気密
に突出している。
【0005】電力損失によって発生する熱は真空室から
熱伝導によってのみ排出され得る。特に、40ワットま
での損失電力を有するバイポーラスイッチング回路の場
合には、障壁層と周囲との間に可成りの温度差が生じ、
この温度がチップ温度の制御を困難にする。
熱伝導によってのみ排出され得る。特に、40ワットま
での損失電力を有するバイポーラスイッチング回路の場
合には、障壁層と周囲との間に可成りの温度差が生じ、
この温度がチップ温度の制御を困難にする。
【0006】図4の解決手段は前記説明書に記載されて
いる解決手段を示すが、この図4の解決手段は真空室1
2内において被試験体4とオプトエレクトロニク・カラ
ム8との間に据付けられた液冷式金属ブロック14を有
する。冷却液体は真空室12からホース15、16を介
して外部へ導かれる。
いる解決手段を示すが、この図4の解決手段は真空室1
2内において被試験体4とオプトエレクトロニク・カラ
ム8との間に据付けられた液冷式金属ブロック14を有
する。冷却液体は真空室12からホース15、16を介
して外部へ導かれる。
【0007】熱排出は能動チップ面の横に位置するハウ
ジング材料を介して行われる。それによってプラスチッ
クハウジングを有する部品に対して特に発生する前記問
題の他に、この解決手段の熱伝達抵抗は比較的高い。T
AB(Tape Automatic Bondi
ng)マウント式部品にとってはこの解決手段は全く実
現できない。この解決手段の欠点はさらに液体の通流す
る管体を真空室内へ導入することが必要である点である
。
ジング材料を介して行われる。それによってプラスチッ
クハウジングを有する部品に対して特に発生する前記問
題の他に、この解決手段の熱伝達抵抗は比較的高い。T
AB(Tape Automatic Bondi
ng)マウント式部品にとってはこの解決手段は全く実
現できない。この解決手段の欠点はさらに液体の通流す
る管体を真空室内へ導入することが必要である点である
。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上述
した欠点が回避されるような冷却装置を提供することに
ある。
した欠点が回避されるような冷却装置を提供することに
ある。
【0009】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明は、柱状に形成された冷却体が真空室
の上側に設けられた密封開口部を通って真空室内へ挿入
され、デバイスの背面に直接接触する。
るために、本発明は、柱状に形成された冷却体が真空室
の上側に設けられた密封開口部を通って真空室内へ挿入
され、デバイスの背面に直接接触する。
【0010】本発明の一構成によれば、冷却体は真空室
の外部において冷却フィンと結合され、この冷却フィン
は真空室のカバーフード上に固定される。冷却フィンに
おける熱排出は冷却フィンに供給される温度制御された
冷却空気によって行われ、温度制御の実際値は冷却体内
の孔を通ってデバイスの被冷却面の直ぐ傍に設けられた
温度調節器によって生成される。
の外部において冷却フィンと結合され、この冷却フィン
は真空室のカバーフード上に固定される。冷却フィンに
おける熱排出は冷却フィンに供給される温度制御された
冷却空気によって行われ、温度制御の実際値は冷却体内
の孔を通ってデバイスの被冷却面の直ぐ傍に設けられた
温度調節器によって生成される。
【0011】真空室に対する冷却体の密封は、上側およ
び下側に形成された溝内にシール部材が嵌め込まれてい
る電気絶縁性リングによって行われる。
び下側に形成された溝内にシール部材が嵌め込まれてい
る電気絶縁性リングによって行われる。
【0012】本発明の他の構成によれば、冷却体はデバ
イスとの接触面が高さおよび傾きを調整可能である。
イスとの接触面が高さおよび傾きを調整可能である。
【0013】その場合、冷却体の端面の調整が玉継手を
介して行われることは有利である。冷却体の高さ調整は
冷却体の内部に設置された弾性結合部材によって確実に
行われる。
介して行われることは有利である。冷却体の高さ調整は
冷却体の内部に設置された弾性結合部材によって確実に
行われる。
【0014】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
【0015】図1は本発明の一実施例を示し、温度制御
された冷却体を備えた電子ビーム測定装置の要部を示す
概略図である。図1において、電子ビーム測定装置のカ
バーフード2にはその上側に開口部が設けられ、この開
口部を通して、冷却柱として形成された冷却体14が真
空室12の内部へ突出している。冷却体14の冷却フィ
ン16は真空室12の外部に位置し、冷却体14に強固
に結合されている。冷却フィン16上には温度制御され
た冷却空気19が吹き付けられる。温度制御のための実
際値は温度センサ15によって作られる。温度センサ1
5は冷却体14内の孔を通ってデバイス4の冷却面22
に1mm以下まで近付けられる。信号供給は冷却柱の側
方にずらして行われる。
された冷却体を備えた電子ビーム測定装置の要部を示す
概略図である。図1において、電子ビーム測定装置のカ
バーフード2にはその上側に開口部が設けられ、この開
口部を通して、冷却柱として形成された冷却体14が真
空室12の内部へ突出している。冷却体14の冷却フィ
ン16は真空室12の外部に位置し、冷却体14に強固
に結合されている。冷却フィン16上には温度制御され
た冷却空気19が吹き付けられる。温度制御のための実
際値は温度センサ15によって作られる。温度センサ1
5は冷却体14内の孔を通ってデバイス4の冷却面22
に1mm以下まで近付けられる。信号供給は冷却柱の側
方にずらして行われる。
【0016】真空室12に対する密封は電気絶縁性リン
グ17とこのリング17の溝20内に適宜に嵌め込まれ
たシール部材18とによって行われる。シール部材を配
設することによって、真空室12を排気した際シールリ
ング18が強く押圧されるようになる。このような解決
手段の他の利点は構成物の熱慣性が小さくなることで、
それによって温度依存性の欠陥を検出するために高速の
温度変化を可能にする。
グ17とこのリング17の溝20内に適宜に嵌め込まれ
たシール部材18とによって行われる。シール部材を配
設することによって、真空室12を排気した際シールリ
ング18が強く押圧されるようになる。このような解決
手段の他の利点は構成物の熱慣性が小さくなることで、
それによって温度依存性の欠陥を検出するために高速の
温度変化を可能にする。
【0017】図2は本発明の他の実施例を示し、高さ調
整および傾き調整可能な冷却体を備えた電子ビーム測定
装置の要部を示す概略図である。図2において、冷却柱
は傾きおよび高さに応じて調整され得る。この調整は冷
却体14の下側に取付けられている玉継手23によって
行われる。それによって、冷却体14の端面21はデバ
イス4の接触面22の姿勢に整合させられ得る。冷却体
14の内部に弾性結合部材24を設置することによって
、冷却柱とデバイス4との間の種々の高さに自動的に整
合させることができる。真空室12に対する密封は同様
に電気絶縁性リング17とシール部材18とによって行
われる。その場合、電気絶縁性リング17の高さによっ
て補助的に大雑把な高さ調整が行われ得る。。上述した
冷却装置は例えばプリント板の如き他の被試験体におい
ても適宜に整合して使用され得る。
整および傾き調整可能な冷却体を備えた電子ビーム測定
装置の要部を示す概略図である。図2において、冷却柱
は傾きおよび高さに応じて調整され得る。この調整は冷
却体14の下側に取付けられている玉継手23によって
行われる。それによって、冷却体14の端面21はデバ
イス4の接触面22の姿勢に整合させられ得る。冷却体
14の内部に弾性結合部材24を設置することによって
、冷却柱とデバイス4との間の種々の高さに自動的に整
合させることができる。真空室12に対する密封は同様
に電気絶縁性リング17とシール部材18とによって行
われる。その場合、電気絶縁性リング17の高さによっ
て補助的に大雑把な高さ調整が行われ得る。。上述した
冷却装置は例えばプリント板の如き他の被試験体におい
ても適宜に整合して使用され得る。
【0018】
【発明の効果】本発明によれば、大きな接触面が得られ
、かつ能動チップ面と冷却体との間隔が小さくなり、こ
のことによって熱伝達抵抗が小さくなる。
、かつ能動チップ面と冷却体との間隔が小さくなり、こ
のことによって熱伝達抵抗が小さくなる。
【図1】温度制御された冷却体を備えた本発明による電
子ビーム測定装置の要部を示す概略図である。
子ビーム測定装置の要部を示す概略図である。
【図2】高さ調整および傾き調整可能な冷却体を備えた
本発明による電子ビーム測定装置の要部を示す概略図で
ある。
本発明による電子ビーム測定装置の要部を示す概略図で
ある。
【図3】電子ビーム測定装置の基本構成を示す概略図で
ある。
ある。
【図4】公知の電子ビーム測定装置の要部を示す概略図
である。
である。
2 カバーフード
4 デバイス
8 オプトエレクトロニク・カラム
12 真空室
14 冷却体
15 温度センサ
16 冷却フィン
17 電気絶縁性リング
18 シール部材
19 冷却空気
20 溝
21 端面
22 接触面
23 玉継手
24 弾性結合部材
Claims (8)
- 【請求項1】 電子ビームまたはイオンビームによっ
て機能試験を行うために真空室内に配置されたデバイス
の冷却装置において、柱状に形成された冷却体(14)
が真空室(12)の上側に設けられた密封開口部を通っ
て前記真空室内へ挿入され、前記デバイス(4)の背面
と直接接触することを特徴とする真空室内のデバイス冷
却装置。 - 【請求項2】 冷却体(14)は真空室(12)の外
部において冷却フィン(16)に結合され、この冷却フ
ィン(16)は前記真空室(12)のカバーフード(2
)上に固定されていることを特徴とする請求項1記載の
真空室内のデバイス冷却装置。 - 【請求項3】 冷却フィン(16)における熱排出は
この冷却フィンに吹き付けられる温度制御された冷却空
気(19)によって行われることを特徴とする請求項1
または2記載の真空室内のデバイス冷却装置。 - 【請求項4】 温度調節の実際値は冷却体(14)内
の孔を通って前記デバイス(4)の被冷却面の直ぐ傍に
設けられた温度調節器(15)によって作成されること
を特徴とする請求項3記載の真空室内のデバイス冷却装
置。 - 【請求項5】 真空室(12)に対する冷却体(14
)の密封は、上側および下側に形成された溝(20)内
にシール部材(18)が嵌め込まれている電気絶縁性リ
ング(17)によって行われることを特徴とする請求項
1ないし4の1つに記載の真空室内のデバイス冷却装置
。 - 【請求項6】 冷却体はデバイス(4)との接触面が
高さおよび傾きを調整可能であることを特徴とする請求
項1ないし5の1つに記載の真空室内のデバイス冷却装
置。 - 【請求項7】 冷却体(14)の端面(21)の傾き
調整は玉継手(23)を介して行われることを特徴とす
る請求項6記載の真空室内のデバイス冷却装置。 - 【請求項8】 冷却体(14)の高さ調整は冷却体(
14)の内部に設置された弾性結合部材(24)によっ
て行われることを特徴とする請求項6記載の真空室内の
デバイス冷却装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4041029A DE4041029C1 (en) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | Component cooler for vacuum chamber - has stamper-like heat sink inserted in sealed opening and directly contacting base of component |
DE4041029.3 | 1990-12-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04294042A true JPH04294042A (ja) | 1992-10-19 |
Family
ID=6420934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3353479A Pending JPH04294042A (ja) | 1990-12-20 | 1991-12-17 | 真空室内のデバイス冷却装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5210424A (ja) |
EP (1) | EP0492218B1 (ja) |
JP (1) | JPH04294042A (ja) |
AT (1) | ATE113411T1 (ja) |
DE (2) | DE4041029C1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6477047B1 (en) * | 2000-11-30 | 2002-11-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Temperature sensor mounting for accurate measurement and durability |
US9735083B1 (en) | 2016-04-18 | 2017-08-15 | International Business Machines Corporation | Adjustable heat sink fin spacing |
CN116583095B (zh) * | 2023-07-12 | 2023-09-26 | 武汉科能电气有限公司 | 一种电缆接头局部放电试验设备 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52123862A (en) * | 1976-04-12 | 1977-10-18 | Hitachi Ltd | Sample cooler of electron beam observation equipment |
JPS63117442A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Nec Corp | 電子ビ−ム測定装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1656117U (de) * | 1953-03-16 | 1953-05-21 | Leitz Ernst Gmbh | Objekttraeger fuer elektronen- oder ionenmikroskope. |
DE1226228B (de) * | 1959-07-24 | 1966-10-06 | Max Planck Gesellschaft | Bewegbarer Praeparattisch fuer einen Korpus-kularstrahlapparat, insbesondere Elektronen-mikroskop oder Elektronenbeugungsgeraet |
US3761709A (en) * | 1971-03-16 | 1973-09-25 | Jeol Ltd | Method and apparatus for observing biological specimens using a scanning electron microscope |
JPS6060060A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-06 | 株式会社日立製作所 | 鉄道車両の扉開閉装置 |
JPH02144843A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-04 | Oyo Gijutsu Kenkyusho:Kk | 試料冷却型イオンビーム薄膜作製装置 |
JPH02311702A (ja) * | 1989-05-29 | 1990-12-27 | Olympus Optical Co Ltd | 走査型トンネル顕微鏡装置 |
-
1990
- 1990-12-20 DE DE4041029A patent/DE4041029C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-12-06 AT AT91120970T patent/ATE113411T1/de not_active IP Right Cessation
- 1991-12-06 EP EP91120970A patent/EP0492218B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-12-06 DE DE59103354T patent/DE59103354D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-12 US US07/805,637 patent/US5210424A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-17 JP JP3353479A patent/JPH04294042A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52123862A (en) * | 1976-04-12 | 1977-10-18 | Hitachi Ltd | Sample cooler of electron beam observation equipment |
JPS63117442A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Nec Corp | 電子ビ−ム測定装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0492218B1 (de) | 1994-10-26 |
DE59103354D1 (de) | 1994-12-01 |
DE4041029C1 (en) | 1992-02-06 |
US5210424A (en) | 1993-05-11 |
ATE113411T1 (de) | 1994-11-15 |
EP0492218A1 (de) | 1992-07-01 |
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