JPH02144843A - 試料冷却型イオンビーム薄膜作製装置 - Google Patents
試料冷却型イオンビーム薄膜作製装置Info
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- JPH02144843A JPH02144843A JP29935188A JP29935188A JPH02144843A JP H02144843 A JPH02144843 A JP H02144843A JP 29935188 A JP29935188 A JP 29935188A JP 29935188 A JP29935188 A JP 29935188A JP H02144843 A JPH02144843 A JP H02144843A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子顕微鏡観察用の試料を作製するイオンビ
ーム薄膜作製装置に関し、詳しくはイオンによる試料の
損傷を少なくするために試料冷却装置を付加した試料冷
却型イオンビーム薄膜作製装置に関する。
ーム薄膜作製装置に関し、詳しくはイオンによる試料の
損傷を少なくするために試料冷却装置を付加した試料冷
却型イオンビーム薄膜作製装置に関する。
透過型電子顕微鏡で試料を観察する場合には、試料が厚
いと電子ビームが透過せず観察できなくなる。そこで、
イオンビーム薄膜作製装置を用いて電子顕微鏡で観察で
きる厚さの薄膜試料が作製される。この薄膜試料の作製
では、まず、研磨紙を用いた研磨装置により粗削りをし
、次に研磨盤により研磨して表面の滑らかな１００μｍ
程度の厚さのものにする。しかる後、その中央部を機械
的にえぐって２０〜３０μｍ程度の厚さの凹部をつくり
、この凹部にアルゴンイオン等によるイオンビームを入
射角度ｌＯ°〜２０°で試料の上下両面から照射し、電
子顕微鏡で観察できる厚さまで薄くしている。
いと電子ビームが透過せず観察できなくなる。そこで、
イオンビーム薄膜作製装置を用いて電子顕微鏡で観察で
きる厚さの薄膜試料が作製される。この薄膜試料の作製
では、まず、研磨紙を用いた研磨装置により粗削りをし
、次に研磨盤により研磨して表面の滑らかな１００μｍ
程度の厚さのものにする。しかる後、その中央部を機械
的にえぐって２０〜３０μｍ程度の厚さの凹部をつくり
、この凹部にアルゴンイオン等によるイオンビームを入
射角度ｌＯ°〜２０°で試料の上下両面から照射し、電
子顕微鏡で観察できる厚さまで薄くしている。
さらに、このイオンミーリングによる薄膜化を均一にす
るためには、試料を１０ｒｐｍ程度の速度で回転させる
ようにしている。このようにして試料の観察部でへオー
ダの厚さが得られるまでイオンミーリングが行われる。
るためには、試料を１０ｒｐｍ程度の速度で回転させる
ようにしている。このようにして試料の観察部でへオー
ダの厚さが得られるまでイオンミーリングが行われる。
ところがイオンビームを試料に照射すると試料によって
は、試料にダメージを与えるという問題がある。そこで
、従来よりこのようなイオンビーム薄膜作製カ！では、
試料冷却装置が付加されている。
は、試料にダメージを与えるという問題がある。そこで
、従来よりこのようなイオンビーム薄膜作製カ！では、
試料冷却装置が付加されている。
第４図は試料冷却型イオンビーム薄農作１１装置の従来
例を示す図、第５図は試料保持例を示す図である。図中
、３１と４３は試料、３２は真空チャンバー、３３は回
転伝達機構、３４は液体窒素デユワ、３５は回転シャフ
ト、３６は熱伝導体、３７は真空シール、４１と４２は
試料保持板、４４はネジ、４５はＣリングを示す。
例を示す図、第５図は試料保持例を示す図である。図中
、３１と４３は試料、３２は真空チャンバー、３３は回
転伝達機構、３４は液体窒素デユワ、３５は回転シャフ
ト、３６は熱伝導体、３７は真空シール、４１と４２は
試料保持板、４４はネジ、４５はＣリングを示す。
従来の試料冷却型イオンビーム薄膜作１１１装置では、
第４図に示すように大気中におかれた液体窒素デユワ３
４に熱伝導体３６を浸し、この熱伝導体３６を回転シャ
フト３５に接続している。そして、回転シャツＩ・３５
を回転可能に支持１〜、真空シール３７を通して真空チ
ャンバー３２内に回転シャフト３５を導入することによ
って、真空チャンバー３２内にある試料３１を冷却する
とともに、回転シャフト３５に傘ｍ車からなる回転伝達
機構３３を取り付１ｊ、回転させながらミーリングを行
えるように構成している。
第４図に示すように大気中におかれた液体窒素デユワ３
４に熱伝導体３６を浸し、この熱伝導体３６を回転シャ
フト３５に接続している。そして、回転シャツＩ・３５
を回転可能に支持１〜、真空シール３７を通して真空チ
ャンバー３２内に回転シャフト３５を導入することによ
って、真空チャンバー３２内にある試料３１を冷却する
とともに、回転シャフト３５に傘ｍ車からなる回転伝達
機構３３を取り付１ｊ、回転させながらミーリングを行
えるように構成している。
また、試料保持については、第５図（ａ）に示すように
試料４３を試料保持板４１と４２で挟持し、ネジ４４で
止めることにより試料４３を試料ホルダの溝に押さえる
方法、又は同図ら）に示すようにネジ止めでなくＣ’Ｊ
ング４５で試料４３を試料ホルダの溝に押さえる方法が
採用されている。
試料４３を試料保持板４１と４２で挟持し、ネジ４４で
止めることにより試料４３を試料ホルダの溝に押さえる
方法、又は同図ら）に示すようにネジ止めでなくＣ’Ｊ
ング４５で試料４３を試料ホルダの溝に押さえる方法が
採用されている。
ところで、通常使用する試料冷却型イオンビーム薄膜作
製装置のイオン銃においては、加速電圧を３−５ｋＶと
し、試料のイオンによる損傷な少なくするだめの配慮を
しているが、あまり、電圧を低くするとミーリング速度
が極端に低下してしまい、試料の仕上がりに長時間を要
するという問題がある。そのため、イオンビームに対し
て弱い試料については、低温にしてイオンミーリングを
行う必要がある。しかし、このような装置では、真空シ
ール部分がリークしやすく、したがって熱効率が悪くな
るという問題がある。
製装置のイオン銃においては、加速電圧を３−５ｋＶと
し、試料のイオンによる損傷な少なくするだめの配慮を
しているが、あまり、電圧を低くするとミーリング速度
が極端に低下してしまい、試料の仕上がりに長時間を要
するという問題がある。そのため、イオンビームに対し
て弱い試料については、低温にしてイオンミーリングを
行う必要がある。しかし、このような装置では、真空シ
ール部分がリークしやすく、したがって熱効率が悪くな
るという問題がある。
また、ネジ止めで試料を押さえる方法又はＣＩＪソング
試料を押さえる方法による試料の保持では、いずれも脆
い試料を挟持するのに不向きであり、試料が破損ｊ−や
ずいという問題がある。特に、試料を押さえる方法に使
用されるＣ ＩＪソング、リング状のワイヤの両端を手
で摘むように加工されているため、太めのバネを用いる
と跳ねたり試料を破損したりする。そこで、細めのバネ
を用いると第６図に示すようにリング４７の端４６を手
で摘んだとき上方向（矢印Ｔの方向）に撓みが生じ、試
料ホルダの溝に入れにくくなるという問題もある。
試料を押さえる方法による試料の保持では、いずれも脆
い試料を挟持するのに不向きであり、試料が破損ｊ−や
ずいという問題がある。特に、試料を押さえる方法に使
用されるＣ ＩＪソング、リング状のワイヤの両端を手
で摘むように加工されているため、太めのバネを用いる
と跳ねたり試料を破損したりする。そこで、細めのバネ
を用いると第６図に示すようにリング４７の端４６を手
で摘んだとき上方向（矢印Ｔの方向）に撓みが生じ、試
料ホルダの溝に入れにくくなるという問題もある。
本発明は、上記の課題を解決するものであって、真空シ
ール部分のリークを少なくし試料の冷却効率を高めると
ともに、試料の損傷をなくし簡便に試料を保持すること
ができる試料冷却型イオンビーム薄膜作１Ｉｌｌ装置を
提供することを目的とするものである。
ール部分のリークを少なくし試料の冷却効率を高めると
ともに、試料の損傷をなくし簡便に試料を保持すること
ができる試料冷却型イオンビーム薄膜作１Ｉｌｌ装置を
提供することを目的とするものである。
そのために本発明は、試料冷却装置を有しイオンビーム
を試料に照射して薄膜試料を作製する試料冷却型イオン
ビーム薄膜作製装置において、試料ホルダにベア １Ｊ
ングを介して冷却用のベースを結合し、該ベースに冷却
用の熱伝導体を接続するとともに、冷釦用のベースと傾
斜台との間に熱絶縁性部材を配置したことを特徴とする
ものであり、さらには、熱絶縁性部材を介して試料ホル
ダと試料ホルダの回転シャフトとを連結し、試料を熱伝
導体製の保持板で挟持して、両端を結合し摘み部を有す
るリング状バネで試料および熱伝導体製の保持板を押ざ
え付けるようにしたことを特徴とするものである。
を試料に照射して薄膜試料を作製する試料冷却型イオン
ビーム薄膜作製装置において、試料ホルダにベア １Ｊ
ングを介して冷却用のベースを結合し、該ベースに冷却
用の熱伝導体を接続するとともに、冷釦用のベースと傾
斜台との間に熱絶縁性部材を配置したことを特徴とする
ものであり、さらには、熱絶縁性部材を介して試料ホル
ダと試料ホルダの回転シャフトとを連結し、試料を熱伝
導体製の保持板で挟持して、両端を結合し摘み部を有す
るリング状バネで試料および熱伝導体製の保持板を押ざ
え付けるようにしたことを特徴とするものである。
本発明の試料冷却型イオンビーム薄膜作製装置では、試
料ホルダにベアリングを介して冷却用のベースを結合し
、該ベースに冷却用の熱伝導体を接続するとともに、冷
却用のベースと傾斜台との間に熱絶縁性部材を配置する
ので、ベースからベアリングを介して試料ホルダを効率
よく冷却することができる。さらに、熱絶縁性部材を介
して試料ホルダと試料ホルダの回転シャフトとを連結す
るので、外部との断熱も効率よく行うことができる。ま
た、試料を熱伝導体製の保持板で挟持して、両端を結合
し摘み部を有するリング状バネで試料および熱伝導体製
の保持板を押さえ付けるので、リング状バネの撓みが生
じず、細めのリング状バネでも着脱を容易に行うことが
でき、試料の損傷を防ぐことができる。
料ホルダにベアリングを介して冷却用のベースを結合し
、該ベースに冷却用の熱伝導体を接続するとともに、冷
却用のベースと傾斜台との間に熱絶縁性部材を配置する
ので、ベースからベアリングを介して試料ホルダを効率
よく冷却することができる。さらに、熱絶縁性部材を介
して試料ホルダと試料ホルダの回転シャフトとを連結す
るので、外部との断熱も効率よく行うことができる。ま
た、試料を熱伝導体製の保持板で挟持して、両端を結合
し摘み部を有するリング状バネで試料および熱伝導体製
の保持板を押さえ付けるので、リング状バネの撓みが生
じず、細めのリング状バネでも着脱を容易に行うことが
でき、試料の損傷を防ぐことができる。
以下、図面を参照しつつ実施例を説明する。
第１図は本発明に係る試料冷却型イオンビーム薄膜作製
装置の１実施例を示す図である。図中、１は試料ホルダ
、２は熱伝導体、３はベアリング、４は冷却用ベース、
５は溝、６はカップリング、７はベース、８は回転シャ
フト、９は傾斜台を示す。
装置の１実施例を示す図である。図中、１は試料ホルダ
、２は熱伝導体、３はベアリング、４は冷却用ベース、
５は溝、６はカップリング、７はベース、８は回転シャ
フト、９は傾斜台を示す。
第１図において、試料ホルダ１は、その下端部がカップ
リング６の溝５に嵌め込まれるようになった鍔状部へを
有するものであり、ベース４にベアリング３で回転自在
に支持されている。そして、ベース４に熱伝導体（以下
、熱伝導度の高い部材をいう）を使い、カップリング６
とベース７に熱絶縁体を使うことによって、カップリン
グ６とベース７で熱絶縁をし、熱伝導体のベース４に熱
伝導体２を結合している。熱伝導体２は、例えば液体窒
素デユワに浸した熱伝導棒から導かれるもの（図示省略
）であり、ベース４からベアリング３、試料ホルダ１を
通して試料を冷却するように構成されている。カップリ
ング６は、溝５で試料ホルダ１と連結し、螺合により回
転シャフト８と連結することによって、試料ホルダ１と
回転シャフト８との熱絶縁を行うようにしている。なお
、同図（ｂ）は試料ホルダを上部から見た図である。
リング６の溝５に嵌め込まれるようになった鍔状部へを
有するものであり、ベース４にベアリング３で回転自在
に支持されている。そして、ベース４に熱伝導体（以下
、熱伝導度の高い部材をいう）を使い、カップリング６
とベース７に熱絶縁体を使うことによって、カップリン
グ６とベース７で熱絶縁をし、熱伝導体のベース４に熱
伝導体２を結合している。熱伝導体２は、例えば液体窒
素デユワに浸した熱伝導棒から導かれるもの（図示省略
）であり、ベース４からベアリング３、試料ホルダ１を
通して試料を冷却するように構成されている。カップリ
ング６は、溝５で試料ホルダ１と連結し、螺合により回
転シャフト８と連結することによって、試料ホルダ１と
回転シャフト８との熱絶縁を行うようにしている。なお
、同図（ｂ）は試料ホルダを上部から見た図である。
上記の構成により、外部から回転シャフト８を矢印Ｃの
方向に回転させることにより試料ホルダ１を回転させる
ことができ、傾斜台９全体を矢印りの方向に回転させる
ことにより試料の傾き（イオンビームの照射角度）を変
えることができる。
方向に回転させることにより試料ホルダ１を回転させる
ことができ、傾斜台９全体を矢印りの方向に回転させる
ことにより試料の傾き（イオンビームの照射角度）を変
えることができる。
第２（！Ｉは全体の構成概要を示す図であり、１１は真
空チャンバー、１２はデユワ、１３は熱伝導体、１４は
試料ホルダ、１５は真空ポンプ、１６は熱伝導帯を示す
。
空チャンバー、１２はデユワ、１３は熱伝導体、１４は
試料ホルダ、１５は真空ポンプ、１６は熱伝導帯を示す
。
本発明に係る試料冷却型イオンビーム薄膜作製装置は、
第２図に示すように真空チャンバー１１の中に第１図に
示す試料ホルダ１４を収納し、真空チャンバー１１の外
に配置した液体窒素デユワ１２から熱伝導棒１３、可撓
性の熱伝導帯１６を通して試料ホルダ１４の冷却が行わ
れる。
第２図に示すように真空チャンバー１１の中に第１図に
示す試料ホルダ１４を収納し、真空チャンバー１１の外
に配置した液体窒素デユワ１２から熱伝導棒１３、可撓
性の熱伝導帯１６を通して試料ホルダ１４の冷却が行わ
れる。
第３図は試料保持部の構成例を示す図であり、２１．２
１′と２１′は押さえバネ、２２は固着部、２２′はつ
まみ、２２′は蝶番、２゛３．２４．２６は試料保持板
、２５は試料を示す。
１′と２１′は押さえバネ、２２は固着部、２２′はつ
まみ、２２′は蝶番、２゛３．２４．２６は試料保持板
、２５は試料を示す。
第１図に示す試料ホルダでは、図示の上部から試料保持
板と押さえバネを使って試料が保持されるが、その細部
を示したのが第３図である。本発明では、この第３図に
示すような両端を連結した押さえバネ２１．２１’、２
１’を使って試料が保持される。押さえバネ２１は、そ
の両端が溶接又は圧着された固着部２２を有するもので
あり、押さえバネ２１′は、固着部２２の下側につまみ
２２′を有するものであり、押さえバネ２１′は、両端
を蝶番２２′で連結したものである。このように両端を
連結した構成を採用することによって、つまみ２２′或
いはこの部分に相当する位置で押さえバネ２１．２１’
、２１’を内径側に圧縮して試料ホルダの溝への着脱を
行っても、押さえバネ２１，２１’、２１’にそりが生
じない。したがって、細めのバネを用いても試料ホルダ
の溝への着脱を容易に行うことができる。
板と押さえバネを使って試料が保持されるが、その細部
を示したのが第３図である。本発明では、この第３図に
示すような両端を連結した押さえバネ２１．２１’、２
１’を使って試料が保持される。押さえバネ２１は、そ
の両端が溶接又は圧着された固着部２２を有するもので
あり、押さえバネ２１′は、固着部２２の下側につまみ
２２′を有するものであり、押さえバネ２１′は、両端
を蝶番２２′で連結したものである。このように両端を
連結した構成を採用することによって、つまみ２２′或
いはこの部分に相当する位置で押さえバネ２１．２１’
、２１’を内径側に圧縮して試料ホルダの溝への着脱を
行っても、押さえバネ２１，２１’、２１’にそりが生
じない。したがって、細めのバネを用いても試料ホルダ
の溝への着脱を容易に行うことができる。
試料保持では、中心に試料２５より僅かに小さい孔を有
する薄板の試料保持板２４．２６、これらの孔より大き
い孔を有する薄板の試料保持板２３を使い、試料保持板
２４．２６の孔部で試料２５を挟持し、これらの上から
押さえバネ２１．２１′或いは２１′を使って押ざえ付
（プる。なお、押さえバネ２１，２ビ、２１′、試料保
持板２３．２４．２６はいずれも熱伝導体が使用される
ことは勿論である。
する薄板の試料保持板２４．２６、これらの孔より大き
い孔を有する薄板の試料保持板２３を使い、試料保持板
２４．２６の孔部で試料２５を挟持し、これらの上から
押さえバネ２１．２１′或いは２１′を使って押ざえ付
（プる。なお、押さえバネ２１，２ビ、２１′、試料保
持板２３．２４．２６はいずれも熱伝導体が使用される
ことは勿論である。
本発明は、上記の実施例に限定されるものではなく、種
々の変形が可能である。上記の実施例では、試料ホルダ
からべ了リングを通して熱伝導体のベースに熱的に接続
し、このベースを冷却することによって、試料を冷却す
るように構成１．だが、さらに冷却効率を高めようとす
る場合には、第１図において、試料ホルダ１とベース４
との隙間Ｂに沿ってリング状に熱伝導体を嵌め込むよう
に１７でもよい。また、第３図に示す試料の保持では、
３枚の試料保持板を用いたが、２枚にしてもよいことは
いうまでもない。
々の変形が可能である。上記の実施例では、試料ホルダ
からべ了リングを通して熱伝導体のベースに熱的に接続
し、このベースを冷却することによって、試料を冷却す
るように構成１．だが、さらに冷却効率を高めようとす
る場合には、第１図において、試料ホルダ１とベース４
との隙間Ｂに沿ってリング状に熱伝導体を嵌め込むよう
に１７でもよい。また、第３図に示す試料の保持では、
３枚の試料保持板を用いたが、２枚にしてもよいことは
いうまでもない。
〔発明の効果］
以−にの説明から明らかなように、本発゛明によれば、
試料ホルダと外部１との間に熱絶縁体を配ｆｆ１Ｌで外
部との断熱を図りつつ、試料ホルダ側を熱伝導体により
液体窒素デユワと接続するので、真空シール部分のリー
クを少なく；２て試料の冷却を効率よく行うことができ
、イオンビーム照射による発熱で試料がダメージを受け
るのを防ぐことができる。したがって、ミーリング速度
を上げることができ、薄膜試料の作製時間の短縮を図る
こさができる。また、試料の保持に用いる押さえバネと
（２て両端を連結（７たものを用いるので、内径側に圧
縮して試料ホルダへの着脱を行う際にも、撓ろがなくな
り着脱が容易になり、試料の損傷を防ぐこともできる。
試料ホルダと外部１との間に熱絶縁体を配ｆｆ１Ｌで外
部との断熱を図りつつ、試料ホルダ側を熱伝導体により
液体窒素デユワと接続するので、真空シール部分のリー
クを少なく；２て試料の冷却を効率よく行うことができ
、イオンビーム照射による発熱で試料がダメージを受け
るのを防ぐことができる。したがって、ミーリング速度
を上げることができ、薄膜試料の作製時間の短縮を図る
こさができる。また、試料の保持に用いる押さえバネと
（２て両端を連結（７たものを用いるので、内径側に圧
縮して試料ホルダへの着脱を行う際にも、撓ろがなくな
り着脱が容易になり、試料の損傷を防ぐこともできる。
第１図は本発明に係る試料冷却型イオンビーム薄膜作製
装置の１実施例を示す図、第２図は全体のｗｔ成概要を
示す図、第３図は試料保持部の構成例を示す図、第４図
は試料冷却型イオンビーム薄膜作Ｉｌ装ｄｏ）従来例を
示す図、第５図は試料保持例を示す図、第６図は押さえ
バネの撓みを説明するだめの図である。 ｌ・・・試料ホルダ、２・・・熱伝導体、３・・・ベア
リング、４・・・冷却用ベース、５・・・溝、６・・・
カップリング、７・・・ベース、８・・・回転シャフト
、９・・・傾斜台。 第１図 出 願 人 株式会社 応用技術研究所代理人 弁理
士 阿 部 龍 吉（外５名）第２図 １５】１空、１＼゛〉フ゛ 第３図 第４図 第５図 第６図
装置の１実施例を示す図、第２図は全体のｗｔ成概要を
示す図、第３図は試料保持部の構成例を示す図、第４図
は試料冷却型イオンビーム薄膜作Ｉｌ装ｄｏ）従来例を
示す図、第５図は試料保持例を示す図、第６図は押さえ
バネの撓みを説明するだめの図である。 ｌ・・・試料ホルダ、２・・・熱伝導体、３・・・ベア
リング、４・・・冷却用ベース、５・・・溝、６・・・
カップリング、７・・・ベース、８・・・回転シャフト
、９・・・傾斜台。 第１図 出 願 人 株式会社 応用技術研究所代理人 弁理
士 阿 部 龍 吉（外５名）第２図 １５】１空、１＼゛〉フ゛ 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (3)
- （１）試料冷却装置を有しイオンビームを試料に照射し
て薄膜試料を作製する試料冷却型イオンビーム薄膜作製
装置において、試料ホルダにベアリングを介して冷却用
のベースを結合し、該ベースに冷却用の熱伝導体を接続
するとともに、冷却用のベースと傾斜台との間に熱絶縁
性部材を配置したことを特徴とする試料冷却型イオンビ
ーム薄膜作製装置。 - （２）熱絶縁性部材を介して試料ホルダと試料ホルダの
回転シャフトとを連結したことを特徴とする請求項１記
載の試料冷却型イオンビーム薄膜作製装置。 - （３）試料を熱伝導体製の保持板で挟持して、両端を結
合し摘み部を有するリング状バネで試料および熱伝導体
製の保持板を押さえ付けるようにしたことを特徴とする
請求項１記載の試料冷却型イオンビーム薄膜作製装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29935188A JPH02144843A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 試料冷却型イオンビーム薄膜作製装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29935188A JPH02144843A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 試料冷却型イオンビーム薄膜作製装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02144843A true JPH02144843A (ja) | 1990-06-04 |
Family
ID=17871431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29935188A Pending JPH02144843A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 試料冷却型イオンビーム薄膜作製装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02144843A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5210424A (en) * | 1990-12-20 | 1993-05-11 | Siemens Nixdorf Informationssysteme Ag | Cooling means for components in a vacuum chamber |
| JP2014153362A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Fei Co | 試料調製ステージ |
| WO2019162693A1 (en) * | 2018-02-26 | 2019-08-29 | Quorum Technologies Ltd | Rotatable stage |
-
1988
- 1988-11-25 JP JP29935188A patent/JPH02144843A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5210424A (en) * | 1990-12-20 | 1993-05-11 | Siemens Nixdorf Informationssysteme Ag | Cooling means for components in a vacuum chamber |
| JP2014153362A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Fei Co | 試料調製ステージ |
| WO2019162693A1 (en) * | 2018-02-26 | 2019-08-29 | Quorum Technologies Ltd | Rotatable stage |
| US20200411276A1 (en) * | 2018-02-26 | 2020-12-31 | Quorum Technologies Ltd | Rotatable stage |
| JP2021516441A (ja) * | 2018-02-26 | 2021-07-01 | クオラム テクノロジーズ リミテッドＱｕｏｒｕｍ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｌｔｄ | 回動可能なステージ |
| US11810750B2 (en) | 2018-02-26 | 2023-11-07 | Quorum Technologies Ltd. | Rotatable stage |
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