JPH0528946A - ビームテスタ用温度調節装置 - Google Patents
ビームテスタ用温度調節装置Info
- Publication number
- JPH0528946A JPH0528946A JP3206579A JP20657991A JPH0528946A JP H0528946 A JPH0528946 A JP H0528946A JP 3206579 A JP3206579 A JP 3206579A JP 20657991 A JP20657991 A JP 20657991A JP H0528946 A JPH0528946 A JP H0528946A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block
- temperature
- cooling
- beam tester
- cooling block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 電子ビームテスタのストロボ走査型電子顕微
鏡の試料室１に、銅または銀からなる冷却ブロック５を
設け、この冷却ブロック５の上面に、測定を行なう半導
体集積回路３の回路基板２を配置し、かつ冷却ブロック
５内に電圧制御電源７により制御されるペルチェ素子６
を組み込むとともに、フロリナートまたは液体窒素から
なる冷却用液体の循環するパイプ１０を配置して、回路
基板２の温度制御を行なう。 【効果】 消費電力の大きな半導体集積回路を、非常に
容易に温度制御、特に冷却することができる。
鏡の試料室１に、銅または銀からなる冷却ブロック５を
設け、この冷却ブロック５の上面に、測定を行なう半導
体集積回路３の回路基板２を配置し、かつ冷却ブロック
５内に電圧制御電源７により制御されるペルチェ素子６
を組み込むとともに、フロリナートまたは液体窒素から
なる冷却用液体の循環するパイプ１０を配置して、回路
基板２の温度制御を行なう。 【効果】 消費電力の大きな半導体集積回路を、非常に
容易に温度制御、特に冷却することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ビームテスタ用の温度
調節装置に関し、特に試料室内にペルチェ素子を配置し
た温度調節装置に関する。
調節装置に関し、特に試料室内にペルチェ素子を配置し
た温度調節装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の電子ビームテスタ用温度
調節装置は、図１１に示すごとく、電子ビームテスタの
ＳＥＭ（ストロボ走査型電子顕微鏡）試料室２５の内部
には、回路基板２６の上に、測定を行なう半導体集積回
路２７とそのソケット２８が取り付けられており、これ
らは銅製の冷却ブロック２９上に取り付けてある。そし
て、冷却ブロック２９には、フロリナート等の温度調節
用液体の循環するパイプ３０が配設してある。温度調節
用液体は、ＳＥＭ試料室２５の外部に設けられた熱交換
器３１で冷却され、または、ヒータ３２によって加熱さ
れ、これにより冷却ブロック２９上の半導体集積回路２
７の温度調節を行なっていた。なお、図１１において、
３４は電子銃、３５は電子ビーム、３６はストロボシャ
ッタ、３７はレンズを示す。
調節装置は、図１１に示すごとく、電子ビームテスタの
ＳＥＭ（ストロボ走査型電子顕微鏡）試料室２５の内部
には、回路基板２６の上に、測定を行なう半導体集積回
路２７とそのソケット２８が取り付けられており、これ
らは銅製の冷却ブロック２９上に取り付けてある。そし
て、冷却ブロック２９には、フロリナート等の温度調節
用液体の循環するパイプ３０が配設してある。温度調節
用液体は、ＳＥＭ試料室２５の外部に設けられた熱交換
器３１で冷却され、または、ヒータ３２によって加熱さ
れ、これにより冷却ブロック２９上の半導体集積回路２
７の温度調節を行なっていた。なお、図１１において、
３４は電子銃、３５は電子ビーム、３６はストロボシャ
ッタ、３７はレンズを示す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の電子ビームテスタ用温度調節装置は、測定を行
なう半導体集積回路２７の消費電力が大きくなると、フ
ロリナート等の温度調節用液体を循環させ、ＳＥＭ試料
室２５外部の熱交換器３１だけで温度調節を行なうこと
は非常に困難であるとともに、また、冷却ブロック２９
内の熱伝導率による温度差が大きくなって、半導体集積
回路２７の温度制御、特に冷却を十分行なえないという
問題があった。
た従来の電子ビームテスタ用温度調節装置は、測定を行
なう半導体集積回路２７の消費電力が大きくなると、フ
ロリナート等の温度調節用液体を循環させ、ＳＥＭ試料
室２５外部の熱交換器３１だけで温度調節を行なうこと
は非常に困難であるとともに、また、冷却ブロック２９
内の熱伝導率による温度差が大きくなって、半導体集積
回路２７の温度制御、特に冷却を十分行なえないという
問題があった。
【０００４】本発明は上記問題点にかんがみてなされた
もので、測定を行なう半導体集積回路２７の消費電力が
大きくなっても十分な冷却を行なえるようにし、半導体
集積回路の良好な温度制御を可能としたビームテスタ用
温度調節装置の提供を目的とする。
もので、測定を行なう半導体集積回路２７の消費電力が
大きくなっても十分な冷却を行なえるようにし、半導体
集積回路の良好な温度制御を可能としたビームテスタ用
温度調節装置の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のビームテスタ用温度調節装置は、ビームテスタ
の試料室内に冷却ブロックを設け、この冷却ブロックの
上面に、測定を行なう半導体集積回路の回路基板を配置
し、かつ冷却ブロック内にペルチェ素子を組み込むとと
もに、冷却用液体のパイプを配置した構成としてあり、
また場合によっては、ビームテスタの試料室内に、ペル
チェ素子と冷却用液体のパイプを配置し、上記ペルチェ
素子の上部に、測定を行なう半導体集積回路の回路基板
を載置した構成としてある。
本発明のビームテスタ用温度調節装置は、ビームテスタ
の試料室内に冷却ブロックを設け、この冷却ブロックの
上面に、測定を行なう半導体集積回路の回路基板を配置
し、かつ冷却ブロック内にペルチェ素子を組み込むとと
もに、冷却用液体のパイプを配置した構成としてあり、
また場合によっては、ビームテスタの試料室内に、ペル
チェ素子と冷却用液体のパイプを配置し、上記ペルチェ
素子の上部に、測定を行なう半導体集積回路の回路基板
を載置した構成としてある。
【０００６】
【作用】測定を行なう半導体集積回路から生じる熱を、
ペルチェ素子及びパイプ内を循環する冷却用液体によっ
て多量に吸収し、大電力を消費する半導体集積回路の冷
却を行なう。
ペルチェ素子及びパイプ内を循環する冷却用液体によっ
て多量に吸収し、大電力を消費する半導体集積回路の冷
却を行なう。
【０００７】
【実施例】次に、本発明を半導体集積回路の温度制御装
置に適用した実施例について図面を参照して説明する。
図１は本発明の第一実施例の断面図であり、電子ビーム
テスタのストロボＳＥＭ（ストロボ走査型電子顕微鏡）
の試料室１の内部には、回路基板２の上に、測定を行な
う半導体集積回路３、及び半導体集積回路３のソケット
４を取付けてある。また、回路基板２の下に冷却ブロッ
ク５を取付け、冷却ブロック５の上面を回路基板２の底
面と接触させる。冷却ブロック５の内部にはペルチェ素
子６を組み込み、このペルチェ素子６はＳＥＭ試料室１
の外部の電圧制御電源７に接続し、冷却ブロック５の温
度を制御する。
置に適用した実施例について図面を参照して説明する。
図１は本発明の第一実施例の断面図であり、電子ビーム
テスタのストロボＳＥＭ（ストロボ走査型電子顕微鏡）
の試料室１の内部には、回路基板２の上に、測定を行な
う半導体集積回路３、及び半導体集積回路３のソケット
４を取付けてある。また、回路基板２の下に冷却ブロッ
ク５を取付け、冷却ブロック５の上面を回路基板２の底
面と接触させる。冷却ブロック５の内部にはペルチェ素
子６を組み込み、このペルチェ素子６はＳＥＭ試料室１
の外部の電圧制御電源７に接続し、冷却ブロック５の温
度を制御する。
【０００８】冷却ブロック５には、熱伝導性の良い銅ま
たは銀を用いる。特に、銅よりも熱伝導性の良い銀を用
いると、冷却ブロック５の上面とペルチェ素子６との温
度差を小さくすることができる。そして、ペルチェ素子
６の裏面をフロリナート等の水よりも凝固点が低く沸点
の高い冷却用の液体により冷却を行なうべく、冷却ブロ
ック５からＳＥＭ試料室１の外部に設けられた熱交換器
９までゴム製のパイプ１０を用いて接続し、このパイプ
１０の中にフロリナート等の液体を循環させる。冷却用
の液体としては、液体窒素等の沸点が水の凝固点よりも
低く凝固点が水よりも低い液体を用いることもできる。
液体窒素等を用いると冷却ブロック５を非常に低い温度
まで冷却することができる。電子ビームテスタは、電子
銃１１からでた電子ビーム１２をストロボシャッタ１３
及びレンズ１４を通して測定を行なう半導体集積回路３
に当てて発生した二次電子を検出した電圧測定を行な
う。
たは銀を用いる。特に、銅よりも熱伝導性の良い銀を用
いると、冷却ブロック５の上面とペルチェ素子６との温
度差を小さくすることができる。そして、ペルチェ素子
６の裏面をフロリナート等の水よりも凝固点が低く沸点
の高い冷却用の液体により冷却を行なうべく、冷却ブロ
ック５からＳＥＭ試料室１の外部に設けられた熱交換器
９までゴム製のパイプ１０を用いて接続し、このパイプ
１０の中にフロリナート等の液体を循環させる。冷却用
の液体としては、液体窒素等の沸点が水の凝固点よりも
低く凝固点が水よりも低い液体を用いることもできる。
液体窒素等を用いると冷却ブロック５を非常に低い温度
まで冷却することができる。電子ビームテスタは、電子
銃１１からでた電子ビーム１２をストロボシャッタ１３
及びレンズ１４を通して測定を行なう半導体集積回路３
に当てて発生した二次電子を検出した電圧測定を行な
う。
【０００９】図２は本発明の第二実施例の断面図であ
る。本実施例装置は、半導体集積回路３及び回路基板２
をサイズの異なるものに交換しても、冷却ブロック５が
回路基板２の底面と確実に接触するようにするため、冷
却ブロック５の下部に、冷却ブロック５を上下動させる
駆動手段１５を設けた構成としてある。他は第一実施例
のものと同様の構成としてある。
る。本実施例装置は、半導体集積回路３及び回路基板２
をサイズの異なるものに交換しても、冷却ブロック５が
回路基板２の底面と確実に接触するようにするため、冷
却ブロック５の下部に、冷却ブロック５を上下動させる
駆動手段１５を設けた構成としてある。他は第一実施例
のものと同様の構成としてある。
【００１０】図３（ａ），（ｂ）は本発明の第三実施例
の断面図である。本実施例装置は、電圧制御電源７を、
図３（ａ）に示すように正方向に電圧印加することによ
り冷却ブロック５の上面温度を下げ、また、図３（ｂ）
に示すように逆方向に電圧印加することにより冷却ブロ
ック５の上面温度を上げることによって温度制御を可能
ならしめる構成としてある。他は第一または第二実施例
のいずれかと同様の構成としてある。
の断面図である。本実施例装置は、電圧制御電源７を、
図３（ａ）に示すように正方向に電圧印加することによ
り冷却ブロック５の上面温度を下げ、また、図３（ｂ）
に示すように逆方向に電圧印加することにより冷却ブロ
ック５の上面温度を上げることによって温度制御を可能
ならしめる構成としてある。他は第一または第二実施例
のいずれかと同様の構成としてある。
【００１１】図４は本発明の第四実施例の断面図であ
る。本実施例装置は、回路基板２の中央部に開孔部２ａ
を形成し、この開孔部２ａに冷却ブロック５を貫通させ
て、冷却ブロック５を直接半導体集積回路３の底面と接
触させることにより、半導体集積回路３の温度制御（冷
却）効果を高める構成としてある。他は第一，第二また
は第三実施例のうちの一つと同様の構成としてある。
る。本実施例装置は、回路基板２の中央部に開孔部２ａ
を形成し、この開孔部２ａに冷却ブロック５を貫通させ
て、冷却ブロック５を直接半導体集積回路３の底面と接
触させることにより、半導体集積回路３の温度制御（冷
却）効果を高める構成としてある。他は第一，第二また
は第三実施例のうちの一つと同様の構成としてある。
【００１２】図５は本発明の第五実施例の断面図であ
る。本実施例装置は、ソケット４の内部に温度センサ１
６を設け、半導体集積回路３に接触させた状態で温度を
モニターし、このモニター結果を電圧制御電源に送って
ペルチェ素子６の電圧制御を行ない、冷却ブロック５の
温度を設定温度に制御する構成としてある。他は第一〜
第四実施例のうちの一つと同様の構成としてある。
る。本実施例装置は、ソケット４の内部に温度センサ１
６を設け、半導体集積回路３に接触させた状態で温度を
モニターし、このモニター結果を電圧制御電源に送って
ペルチェ素子６の電圧制御を行ない、冷却ブロック５の
温度を設定温度に制御する構成としてある。他は第一〜
第四実施例のうちの一つと同様の構成としてある。
【００１３】図６は本発明の第六実施例の断面図であ
る。本実施例装置は、ソケット４の内部と冷却ブロック
５の内部に温度センサ１６を設け、これら温度センサ１
６により半導体集積回路３と冷却ブロック５の温度をモ
ニターし、このモニター結果を電圧制御電源に送ってペ
ルチェ素子６の電圧制御を行ない、冷却ブロック５の温
度を設定温度に制御する構成としてある。他は第一〜第
四実施例のうちの一つと同様の構成としてある。
る。本実施例装置は、ソケット４の内部と冷却ブロック
５の内部に温度センサ１６を設け、これら温度センサ１
６により半導体集積回路３と冷却ブロック５の温度をモ
ニターし、このモニター結果を電圧制御電源に送ってペ
ルチェ素子６の電圧制御を行ない、冷却ブロック５の温
度を設定温度に制御する構成としてある。他は第一〜第
四実施例のうちの一つと同様の構成としてある。
【００１４】図７は本発明の第七実施例の断面図であ
る。本実施例装置は、冷却ブロック５の内部にヒータ１
７を配設し、冷却された冷却ブロック５をヒータ１７に
より迅速に常温まで戻し、半導体集積回路３の結露を防
止する構成としてある。他は第一〜第六実施例のうちの
一つと同様の構成としてある。
る。本実施例装置は、冷却ブロック５の内部にヒータ１
７を配設し、冷却された冷却ブロック５をヒータ１７に
より迅速に常温まで戻し、半導体集積回路３の結露を防
止する構成としてある。他は第一〜第六実施例のうちの
一つと同様の構成としてある。
【００１５】図８は本発明の第八実施例の断面図であ
る。本実施例装置は、冷却用の液体を循環させるパイプ
１０の内部に、冷却用液体の脈流による振動を除去する
脈流防止ダンパー１８を設けた構成としてある。他は第
一〜第七実施例のうちの一つと同様の構成としてある。
る。本実施例装置は、冷却用の液体を循環させるパイプ
１０の内部に、冷却用液体の脈流による振動を除去する
脈流防止ダンパー１８を設けた構成としてある。他は第
一〜第七実施例のうちの一つと同様の構成としてある。
【００１６】図９は本発明の第九実施例の断面図であ
る。本実施例装置は、冷却ブロックを用いることなく、
回路基板２の下にペルチェ素子６を直接配置して温度制
御を効果的に行なわせる構成としてある。他は第三，第
五または第八実施例のいずれか一つと同様の構成として
ある。
る。本実施例装置は、冷却ブロックを用いることなく、
回路基板２の下にペルチェ素子６を直接配置して温度制
御を効果的に行なわせる構成としてある。他は第三，第
五または第八実施例のいずれか一つと同様の構成として
ある。
【００１７】図１０は本発明の第十実施例の断面図であ
る。本実施例装置は、冷却用液体を循環させるパイプ１
０を蛇腹状とするとともに、パイプ１０を金属製としそ
の内部にポリテトラフルオロエチレン加工を施し、冷却
用液体の循環を良好ならしめた構成としてある。他は第
一〜第九実施例のうちの一つと同様の構成としてある。
る。本実施例装置は、冷却用液体を循環させるパイプ１
０を蛇腹状とするとともに、パイプ１０を金属製としそ
の内部にポリテトラフルオロエチレン加工を施し、冷却
用液体の循環を良好ならしめた構成としてある。他は第
一〜第九実施例のうちの一つと同様の構成としてある。
【００１８】本発明装置は、上述した実施例以外にも、
次のような変形例をも含むものである。 電子銃１１に替えてイオン銃を用いたイオンビーム
テスタ用としても実施することができる。この場合、イ
オン銃としてはＧａイオン源を用い、イオン銃からでた
Ｇａイオンビームをストロボシャッタ及びレンズを通し
て、測定を行なう半導体集積回路３内に当てて、発生し
た二次電子を検出して電位測定を行なう。したがって、
本明細書において「ビーム」というときは「電子ビー
ム」及び「イオンビーム」を含めた広い概念を意味す
る。 冷却用液体として水を用いてもよい。すなわち、フ
ロリナートより比重の小さい水を冷却用液体として用
い、パイプ１０の中にフロリナートより比重の小さい水
を循環させることにより、熱交換器で発生する脈流を受
けることなく冷却を行なう。
次のような変形例をも含むものである。 電子銃１１に替えてイオン銃を用いたイオンビーム
テスタ用としても実施することができる。この場合、イ
オン銃としてはＧａイオン源を用い、イオン銃からでた
Ｇａイオンビームをストロボシャッタ及びレンズを通し
て、測定を行なう半導体集積回路３内に当てて、発生し
た二次電子を検出して電位測定を行なう。したがって、
本明細書において「ビーム」というときは「電子ビー
ム」及び「イオンビーム」を含めた広い概念を意味す
る。 冷却用液体として水を用いてもよい。すなわち、フ
ロリナートより比重の小さい水を冷却用液体として用
い、パイプ１０の中にフロリナートより比重の小さい水
を循環させることにより、熱交換器で発生する脈流を受
けることなく冷却を行なう。
【００１９】
【発明の効果】消費電力の大きな半導体集積回路を、非
常に容易に温度制御、特に冷却することができるという
効果がある。
常に容易に温度制御、特に冷却することができるという
効果がある。
【図１】本発明ビームテスタ用温度調節装置の第一実施
例の断面図を示す。
例の断面図を示す。
【図２】本発明ビームテスタ用温度調節装置の第一実施
例の断面図を示す。
例の断面図を示す。
【図３】本発明ビームテスタ用温度調節装置の第三実施
例の断面図を示す。
例の断面図を示す。
【図４】本発明ビームテスタ用温度調節装置の第四実施
例の断面図を示す。
例の断面図を示す。
【図５】本発明ビームテスタ用温度調節装置の第五実施
例の断面図を示す。
例の断面図を示す。
【図６】本発明ビームテスタ用温度調節装置の第六実施
例の断面図を示す。
例の断面図を示す。
【図７】本発明ビームテスタ用温度調節装置の第七実施
例の断面図を示す。
例の断面図を示す。
【図８】本発明ビームテスタ用温度調節装置の第八実施
例の断面図を示す。
例の断面図を示す。
【図９】本発明ビームテスタ用温度調節装置の第九実施
例の断面図を示す。
例の断面図を示す。
【図１０】本発明ビームテスタ用温度調節装置の第十実
施例の断面図を示す。
施例の断面図を示す。
【図１１】従来のビームテスタ用温度調節装置の断面図
を示す。
を示す。
１…ＳＥＭ試料室
２…回路基板
３…半導体集積回路
４…ソケット
５…冷却ブロック
６…ペルチェ素子
７…電圧制御電源
９…熱交換器
１０…パイプ
１１…電子銃
１２…電子ビーム
１３…ストロボシャッタ
１４…レンズ
１５…駆動手段
１６…温度センサ
１７…ヒータ
１８…脈流防止ダンパ
Claims (5)
- 【請求項１】 ビームテスタのストロボ走査型電子顕微
鏡の試料室内に冷却ブロックを設け、この冷却ブロック
の上面に、測定を行なう半導体集積回路の回路基板を配
置し、かつ冷却ブロック内にペルチェ素子を組み込むと
ともに、冷却用液体を循環させるパイプを配置したこと
を特徴とするビームテスタ用温度調節装置。 - 【請求項２】 冷却ブロックを銅または銀によって形成
したことを特徴とする請求項１記載のビームテスタ用温
度調節装置。 - 【請求項３】 ビームテスタのストロボ走査型電子顕微
鏡の試料室内に、ペルチェ素子と冷却用液体のパイプを
配置し、上記ペルチェ素子の上部に、測定を行なう半導
体集積回路の回路基板を載置したことを特徴とするビー
ムテスタ用温度調節装置。 - 【請求項４】 冷却用液体として、フロリナートまたは
液体窒素を使用したことを特徴とする請求項１，２また
は３記載のビームテスタ用温度調節装置。 - 【請求項５】 回路基板が半導体集積回路のソケットを
有し、このソケット内に温度センサを設け、この温度セ
ンサからの温度をモニターしつつ冷却ブロックの温度調
節を行なう請求項１，２，４または５記載のビームテス
タ用温度調節装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3206579A JPH0528946A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | ビームテスタ用温度調節装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3206579A JPH0528946A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | ビームテスタ用温度調節装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528946A true JPH0528946A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16525743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3206579A Pending JPH0528946A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | ビームテスタ用温度調節装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528946A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003032360A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Information acquisition apparatus, cross section evaluating apparatus, and cross section evaluating method |
| US7053370B2 (en) | 2001-10-05 | 2006-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Information acquisition apparatus, cross section evaluating apparatus, cross section evaluating method, and cross section working apparatus |
| US7385206B2 (en) * | 2003-01-21 | 2008-06-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Probe-holding apparatus, sample-obtaining apparatus, sample-processing apparatus, sample-processing method and sample-evaluating method |
| CN109781499A (zh) * | 2019-01-29 | 2019-05-21 | 中国科学院微电子研究所 | 温度反应器及其制作方法 |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP3206579A patent/JPH0528946A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003032360A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Information acquisition apparatus, cross section evaluating apparatus, and cross section evaluating method |
| US7053370B2 (en) | 2001-10-05 | 2006-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Information acquisition apparatus, cross section evaluating apparatus, cross section evaluating method, and cross section working apparatus |
| US7615764B2 (en) | 2001-10-05 | 2009-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Information acquisition apparatus, cross section evaluating apparatus, cross section evaluating method, and cross section working apparatus |
| US7385206B2 (en) * | 2003-01-21 | 2008-06-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Probe-holding apparatus, sample-obtaining apparatus, sample-processing apparatus, sample-processing method and sample-evaluating method |
| US7531797B2 (en) | 2003-01-21 | 2009-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Probe-holding apparatus, sample-obtaining apparatus, sample-processing apparatus, sample-processing method and sample-evaluating method |
| CN109781499A (zh) * | 2019-01-29 | 2019-05-21 | 中国科学院微电子研究所 | 温度反应器及其制作方法 |
| CN109781499B (zh) * | 2019-01-29 | 2021-07-23 | 中国科学院微电子研究所 | 温度反应器及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7651260B2 (en) | Apparatus for thermal characterization under non-uniform heat load | |
| US4253515A (en) | Integrated circuit temperature gradient and moisture regulator | |
| US7921906B2 (en) | Temperature control method and temperature control device | |
| US20060162340A1 (en) | Chip-based CPU cooler and cooling method thereof | |
| US20120073308A1 (en) | Apparatus and method for controlling the temperature of a black body | |
| JPH0528946A (ja) | ビームテスタ用温度調節装置 | |
| JP7398037B2 (ja) | 冷却システム | |
| JP2010175835A (ja) | カメラ装置 | |
| US3820352A (en) | Evaporative coolant heat sink | |
| KR100862022B1 (ko) | 그래픽 메모리 실장 테스트시스템의 냉각장치 | |
| JP3757637B2 (ja) | 試料冷却装置 | |
| CN209265290U (zh) | 一种应用于检测器的温控系统 | |
| JPH11351679A (ja) | 冷却装置 | |
| JP2017129507A (ja) | 温調器及び温度試験装置 | |
| JP2021043182A (ja) | バーンイン装置 | |
| JP2001004693A (ja) | バーンイン装置 | |
| JP4007973B2 (ja) | バーンインボードユニットおよびバーンイン方法 | |
| JP2002267714A (ja) | 半導体素子のエージング試験用治具 | |
| TW201938962A (zh) | 裝置、濕度控制方法及車輛系統 | |
| CN214583657U (zh) | 恒温控制发热体装置 | |
| JP2855756B2 (ja) | 電子部品試験時の冷却方法 | |
| JPH0829080A (ja) | 接触型熱移動装置 | |
| JP2706205B2 (ja) | 冷却構造検査方法 | |
| JPH06318656A (ja) | 集積回路素子の冷却装置 | |
| JPH07111994B2 (ja) | 試料載置台 |