JP2002267714A

JP2002267714A - 半導体素子のエージング試験用治具

Info

Publication number: JP2002267714A
Application number: JP2001065676A
Authority: JP
Inventors: Takehide Ikeda; 剛英池田; Akira Iketani; 晃池谷
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2001-03-08
Filing date: 2001-03-08
Publication date: 2002-09-18

Abstract

(57)【要約】【課題】試験すべき半導体素子の数が増えても、ま
た、一つの恒温槽内に仕様の異なる複数の半導体素子を
収容しても、精度のよいエージング試験を能率よく安価
に行うことができる。【解決手段】素子エージング用ベース１１に、複数の
エージング試験用の半導体素子１３を実装するための複
数の半導体素子ソケット１５と、半導体素子１３に試験
用電流を供給することにより半導体素子１３から発生す
る熱を放熱する放熱体２１とを備えた半導体素子のエー
ジング試験用治具において、前記素子エージング用ベー
ス１１に、前記半導体素子１３の温度を恒温槽内におい
て設定された試験温度になるよう調整するための温調熱
交換部材であるヒータ線２８を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子のエージ
ング試験用治具に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光通信用の半導体レーザやＩＣ、ＬＳＩ
等の電子回路に用いられる電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）等の半導体素子は、その製作後に信頼性評価を行う
ため、この素子を高温の試験用恒温槽内に収容し、この
素子に通電しながら特性（エージング）試験を行うこと
が一般に行われている。

【０００３】従来のエージング試験用治具の構成を図９
乃至図１３により説明する。図９はその試験用治具に半
導体素子を実装した状態を示す一部断面正面図、図１０
はその試験用治具の平面図、図１１はその試験用治具に
おいて、固定板を外した状態の底面図、図１２はその試
験用治具において、固定ねじ具を省略した右側面図、図
１３はその試験用治具において、固定ねじ具の左側面図
である。

【０００４】従来のエージング試験用治具は、これら図
に示すように、素子エージング用ベース１に、複数のエ
ージング試験用の半導体素子２を実装するための半導体
素子ソケット３とこのソケット３に電気的に接続されて
半導体素子２に試験用電流を供給するための給電コネク
タ４を取り付け、更に、半導体素子２に試験用電流を供
給することにより発生する熱を放熱するためのフィン型
放熱部６及びヒートパイプ７からなる放熱体５を配設し
て構成されている。なお、８は半導体素子ソケットに実
装された半導体素子２を素子エージング用ベース１に押
し付けて固定する固定板、９はエージング試験用治具を
恒温槽（図示せず）の内部隔壁に固定するための固定ね
じ具、１０はエージング試験用治具の位置決めピンであ
る。

【０００５】この試験用治具を用いて半導体素子２のエ
ージング試験を行うには、先ず、エージング試験用治具
の半導体素子ソケット３に半導体素子２を実装し、固定
板８で押さえて固定する。次に、このエージング試験用
治具を恒温槽（図示せず）の内部隔壁に位置決めピン１
０で位置決めし、固定ねじ具９で取り付けて恒温槽内に
収容する。次に、前記給電コネクタ４に、ケーブルコネ
クタ（図示せず）を差し込んで給電ケーブル（図示せ
ず）を接続する。次に、前記恒温槽内の雰囲気温度を設
定された試験温度になるまで加熱してその温度に保持
し、給電ケーブルから半導体素子２に試験用電流を流
し、半導体素子２のエージング試験を行う。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】半導体素子２を恒温槽
内に収容し、この半導体素子２に試験用電流を流してエ
ージング試験を行うと、半導体素子２が自己発熱して温
度上昇してくる。そこで、半導体素子２から発生した熱
を素子エージング用ベース１に伝達させ、更に放熱体５
のフィン型放熱部６及びヒートパイプ７から放熱させて
該素子２の温度上昇を押え、一定の試験温度に保持され
るようにしている。

【０００７】しかしながら、近年、半導体素子の試験の
能率を高める必要から、エージング試験用治具に実装す
る半導体素子２の数が１０〜２０個程度と多くなり、ま
た、一つの恒温槽内に収容するエージング試験用治具の
数も５〜１５個程度と多くなってきている。このため、
半導体素子２の通電容量及び発熱量が増加し、半導体素
子２の温度が試験温度より高くなり、試験の精度が低下
してくる問題があった。特に、半導体素子２を高密度に
実装した場合には、その分発熱量も増え、試験温度との
差も大きくなるので、試験精度が更に低下し、エージン
グ試験を行うことが出来なくなる。

【０００８】また、試験用治具毎に種類、容量等の仕様
の異なる複数の半導体素子を実装した複数のエージング
試験用治具を一つの恒温槽内に収容し、半導体素子のエ
ージング試験を一括して行うこともあるが、試験用治具
毎に半導体素子の発熱量や試験温度の異なる場合が生
じ、一つの恒温槽内で、精度のよいエージング試験を一
括して行うことが難しい。このため、一つの恒温槽内に
収容し得るエージング試験用治具の数が制限され、エー
ジング試験に手間と時間がかかり、作業能率が低下し
て、試験に要する費用が高くなるという問題があった。

【０００９】本発明は前記の課題を解決し、試験すべき
半導体素子の数が増えても、精度のよいエージング試験
を行うことができ、また、一つの恒温槽内に仕様の異な
る複数の半導体素子を収容しても、精度のよいエージン
グ試験を一括して能率よく安価に行うことができる半導
体素子のエージング試験用治具を提供するものである。

【００１０】前記の課題を解決する本発明の半導体素子
のエージング試験用治具は、素子エージング用ベース
に、複数のエージング試験用の半導体素子を実装するた
めの複数の半導体素子ソケットと、半導体素子に試験用
電流を供給することにより半導体素子から発生する熱を
放熱するための放熱体とを備えたものにおいて、前記素
子エージング用ベースに、前記半導体素子の温度を恒温
槽内において設定された試験温度になるよう調整するた
めの温調熱交換部材を設けた構成になっている。

【００１１】前記の構成によると、エージング試験用治
具に実装する半導体素子の数を多くして高密度に実装
し、或いは、一つの恒温槽内に収容するエージング試験
用治具の数が多くなり、個々の半導体素子から発生する
熱の総量が増えても、半導体素子の自己発熱による温度
上昇を抑えて、その温度を設定された試験温度に速やか
に調整することが可能になり、半導体素子のエージング
試験を精度よく行うことができる。

【００１２】また、試験用治具毎に種類、容量等の仕様
の異なる複数の半導体素子を実装した複数のエージング
試験用治具を一つの恒温槽内に収容してこれら半導体素
子のエージング試験を行う際、試験用治具毎に半導体素
子の発熱量や試験温度の異なる場合が生じても、エージ
ング試験用治具毎に設けた温調熱交換部材で、各エージ
ング試験用治具に実装した半導体素子の温度を設定され
た試験温度に調整することが可能になる。従って、一つ
の恒温槽内で、仕様の異なる複数の半導体素子に対して
精度のよいエージング試験を一括して行うことが容易に
なり、エージング試験の手間と時間が省け、作業能率が
向上し、試験に要する費用を低減させることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施形態を図面
に基づき詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体素
子のエージング試験用治具に半導体素子を実装した状態
を示す一部断面正面図、図２はその試験用治具の平面
図、図３はその試験用治具において、固定板を外した状
態の底面図、図４はその試験用治具において、固定ねじ
具を省略した右側面図、図５はその試験用治具におい
て、固定ねじ具の左側面図、図６はその試験用治具にお
いて、Ｘ−Ｘ線矢視拡大断面図である。

【００１４】これら図１乃至図６において、例えば、ア
ルミニウム製の熱伝導性材料で出来た長方形板状の素子
エージング用ベース１１のほぼ中央部には、例えば、２
０個のエージング試験用の半導体素子１３を実装するた
めに、２０個の半導体素子ソケット１５がこのベース１
１の長さ方向に１０列及び幅方向に２列に整列して取り
付けられる。なお、素子エージング用ベース１１は銅、
ステンレス鋼等の熱伝導部材で形成するようにしてもよ
い。エージング試験に供される半導体素子１３は半導体
レーザや電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）等が用いられ
る。

【００１５】また、素子エージング用ベース１１には、
前記半導体素子ソケット１５にリード線（図示せず）に
より電気的に接続されて半導体素子１３に試験用電流を
供給するための多端子型の給電コネクタ１７がブラケッ
ト１９を介して取り付けられる。

【００１６】また、前記半導体素子ソケット１５の取付
け位置部分における素子エージング用ベース１１には、
半導体素子２に試験用電流を供給することにより半導体
素子２から発生する熱を放熱するために、例えば、フィ
ン型放熱部２３とヒートパイプ２５とからなる放熱体２
１が配設される。

【００１７】フィン型放熱部２３は、素子エージング用
ベース１１の上面から上方へ離れる方向へ所定間隔をお
いて多段に積み重なるように、且つ、素子エージング用
ベース１１の両側面から幅方向の内側へ向き合うように
突出して配置した複数の放熱フィン２４を備え、前記ベ
ース１１に溶接、ボルト等により取り付けられる。

【００１８】ヒートパイプ２５は、図４に示すように、
略Ｕ形状に形成され、中間部の蒸発領域（吸熱領域）２
５Ａが素子エージング用ベース１１の長さ方向に隣接す
る複数（図示のものは４個）の半導体素子ソケット１５
間に位置して素子エージング用ベース１１に取り付けら
れ、両端部の凝縮領域（放熱領域）２５Ｂがフィン型放
熱部２３の放熱フィン２４近傍に取り付けられ、素子エ
ージング用ベース１１の長さ方向に沿って複数個（図示
のものは９個）配設される。そして、半導体素子ソケッ
ト１５とフィン型放熱部２３とを熱的に接続して、試験
用電流を供給することにより半導体素子１３から発生し
た熱を放熱体２１のフィン型放熱部２３へ速やかに移動
して放熱させる機能を有する。なお、ヒートパイプ２５
は、パイプ本体の内周面に多孔体等で出来たウイックが
取り付けられ、水その他の蒸発し易い作動液が封入され
て構成されており、外径が４、５ｍｍ程度以下と細径で
高速熱移動が可能であり、スペースを取らない高性能の
マイクロヒートパイプを用いるのが好ましい。

【００１９】更に、素子エージング用ベース１１の下面
（放熱体２１が設けられる側と反対側の面）、即ち、半
導体素子ソケット１５に半導体素子１３を実装する側の
面には、図１、図３及び図６に示すように、素子エージ
ング用ベース１１の長さ方向に沿ってＷ形状に蛇行する
Ｕ形状の凹溝２７が形成され、この凹溝２７に、前記半
導体素子１３の温度を恒温槽（図示せず）内において設
定された試験温度になるよう調整するためのヒータ線２
８（温調熱交換部材）が挿着される。ヒータ線２８の両
端末は素子エージング用ベース１１に設けられたヒータ
線用コネクタ２９を介してケーブル３１により温度調整
器３３に接続される。

【００２０】また素子エージング用ベース１１の半導体
素子ソケット１５が取り付けられる箇所の長さ方向のほ
ぼ中央部には、該ベース１１の温度、換言すれば、半導
体素子ソケット１５に実装された半導体素子１３の温度
を測定するための、例えば、熱電対、サーミスタ等より
なる温度センサ３５が取り付けられる。この温度センサ
３５は素子エージング用ベース１１に設けられた温度セ
ンサ用コネクタ３７を介して信号線３９により、前記温
度調整器３３に接続される。

【００２１】なお、４１は半導体素子ソケット１５に実
装された半導体素子１３を素子エージング用ベース１１
に押し付けて固定すると共に、半導体素子１３の熱を該
ベース１１に効率よく熱伝達するための長方形板状の固
定板であり、半導体素子１３の挿着用孔４１Ａが半導体
素子１３の実装位置に合わせて２０個形成されている。
４３はエージング試験用治具を恒温槽（図示せず）の内
部隔壁に固定するための固定ねじ具、４５はエージング
試験用治具の位置決めピンである。本実施形態のエージ
ング試験用治具は前記のような構成になっている。な
お、前記実施形態では、ヒータ線２８を素子エージング
用ベース１１の下面に形成した凹溝２７に挿着したが、
該ベース１１に埋設してもよい。また、ヒータ線２８を
放熱体２１のフィン型放熱部２３側に配設するようにし
てもよい。

【００２２】次に、前記実施形態のエージング試験用治
具を用いて半導体素子１３のエージング試験を行う方法
を説明する。先ず、一つのエージング試験用治具の半導
体素子ソケット１５に必要数、例えば、２０個のエージ
ング試験用の半導体素子１３を実装し、固定板４１で前
記ベース１１側に押し付けて固定する。次に、このエー
ジング試験用治具を恒温槽（図示せず）内の内部隔壁に
位置決めピン４５で位置決めし、固定ねじ具４３で取り
付けて恒温槽内に収容する。一括して試験すべき半導体
素子１３がエージング試験用治具に実装できる数より多
い場合とか、種類、容量等の仕様の異なる半導体素子１
３を一括して同時に試験する場合には、別のエージング
試験用治具に適応する半導体素子１３を実装して、同様
に前記恒温槽内の所定位置に収容する。次に、一つ又は
複数のエージング試験用治具の給電コネクタ１７に、ケ
ーブルコネクタ（図示せず）を差し込んで給電ケーブル
（図示せず）を接続する。また、恒温槽の所定箇所には
予め温度調整器３３を設置しておき、これとヒータ線用
コネクタ２９とをケーブル３１で接続し、これと温度セ
ンサ用コネクタ３７とを信号線３９でそれぞれ接続す
る。

【００２３】このような準備が終了した後、恒温槽内の
雰囲気を加熱して、所定の雰囲気温度になるよう温度制
御装置（図示せず）で制御する。この雰囲気温度は、恒
温槽内に収容するエージング試験用治具が一つの場合に
は、該治具に実装した半導体素子１３の設定された試験
温度、例えば６０℃から、これら半導体素子１３の自己
発熱によって生じる温度上昇分より大きい温度値を差し
引いた低めの温度、例えば、５５℃に設定して保持す
る。また、恒温槽内に収容するエージング試験用治具が
複数の場合の前記雰囲気温度は、恒温槽内で一括して試
験する複数の半導体素子１３の中で、一番低く設定され
た試験温度を有する半導体素子１３の試験温度を基準に
し、その試験温度から、これら半導体素子１３の自己発
熱によって生じる温度上昇分より大きい温度値を差し引
いた低めの温度に設定して保持する。

【００２４】次に、前記温度調整器３３からケーブル３
１を通してヒータ線２８に通電し、ヒータ線２８を発熱
させ、素子エージング用ベース１１を介してこれに実装
した複数の半導体素子１３の温度を設定された試験温
度、例えば、６０℃にまで上昇させ、この温度に保持す
る。

【００２５】次に、前記給電コネクタ１７を通して、エ
ージング試験用治具に実装した複数の半導体素子１３に
通電して試験電流を流し、試験温度下における半導体素
子１３のエージング試験を実施する。試験用の半導体素
子１３が、例えば、半導体レーザの場合には、この半導
体レーザから投光される光ビームを恒温槽に内蔵される
フォトダイオード（受光素子）で受光し、試験電流（駆
動電流）を制御することにより得られる光ビームの出力
値（強さ等）を計測回路（図示せず）で処理し、その光
出力特性をコンピュータのモニタで表示する等して特性
評価等のエージング試験を行う。

【００２６】ところで、半導体素子１３は通電により自
己発熱し、時間の経過に伴い徐々に温度上昇し、半導体
素子１３の設定された試験温度よりも高くなってくる。
そこで、半導体素子１３の温度を素子エージング用ベー
ス１１に取り付けた温度センサ３５で測定し、この測定
信号を信号線３９により温度調整器３３に送る。温度調
整器３３内では、その測定温度と予め設定された試験温
度とを比較し、その温度差がなくなるように、ヒータ線
２８に流れる電流を小さくし、ヒータ線２８の発熱量を
減少させる。そして、素子エージング用ベース１１を介
して半導体素子１３へ伝達される熱量を減少させ、半導
体素子１３の温度を降下させ、設定された試験温度、例
えば、６０℃に制御する。

【００２７】外乱その他の要因で半導体素子１３の温度
が試験温度から降下した場合には、前記と逆の制御操作
でヒータ線２８の電流を大きくし、ヒータ線２８の発熱
量を増加させ、半導体素子１３の温度を試験温度にまで
上昇させてその温度に制御する。恒温槽内に複数のエー
ジング試験用治具を収容する場合には、試験用治具毎に
設定された試験温度に半導体素子１３の温度を独立して
制御することが可能である。前記実施形態のエージング
試験用治具によれば、半導体素子の温度を設定された試
験温度に調整することが容易で、半導体素子のエージン
グ試験を精度よく行うことができる。

【００２８】前記実施形態のエージング試験用治具で
は、半導体素子１３の温度を恒温槽内において設定され
た試験温度になるよう調整するための温調熱交換部材と
してヒータ線２８を用いたが、ヒータ線２８以外のもの
を用いることも可能である。例えば、図７に示すもの
は、温調熱交換部材として冷却ファン４７を用いたもの
である。この冷却ファン４７は、素子エージング用ベー
ス１１に放熱体２１のフィン型放熱部２３を介して放熱
フィン２４と対向するように設けるのが好ましい。

【００２９】温調熱交換部材として冷却ファン４７を用
いたエージング試験用治具で半導体素子１３のエージン
グ試験を行う場合、恒温槽内の雰囲気温度は、恒温槽内
に収容するエージング試験用治具が一つのときには、該
治具に実装した半導体素子１３の設定された試験温度、
例えば６０℃と同温度に設定して保持する。また、恒温
槽内に収容するエージング試験用治具が複数の場合の前
記雰囲気温度は、恒温槽内で一括して試験する複数の半
導体素子１３の中で、一番高く設定された試験温度を有
する半導体素子１３の試験温度を基準にして、その試験
温度と同温度に設定して保持する。そして、その試験温
度よりも低い試験温度で試験する半導体素子１３を実装
したエージング試験用治具に対しては、該治具毎に設け
た冷却ファン４７を駆動して、その半導体素子１３の温
度を該試験に適応した試験温度（恒温槽の雰囲気温度よ
り低い温度）にまで下げて保持する。

【００３０】その後、前記実施形態のエージング試験用
治具による試験方法と同様に、複数の半導体素子１３に
通電して試験電流を流し、試験温度下における半導体素
子１３のエージング試験を実施する。そして、試験時間
の経過に伴い、半導体素子１３の温度が自己発熱により
上昇し、試験時間の経過に伴い徐々に温度上昇し、半導
体素子１３の設定された試験温度よりも高くなってく
る。そこで、半導体素子１３の温度を素子エージング用
ベース１１に取り付けた温度センサ３５で測定し、温度
調整器３３において、その測定温度と予め設定された試
験温度とを比較し、その温度差がなくなるように、冷却
ファン４７の回転数を上げ、冷風量を増加させる。これ
により、放熱体２１の温度を低下させ、半導体素子１３
から素子エージング用ベース１１を介して放熱体２１に
伝達される放熱量を増加させ、半導体素子１３の温度を
降下させ、設定された試験温度に制御する。恒温槽内に
複数のエージング試験用治具を収容する場合には、試験
用治具毎に設定された試験温度まで下がるように、半導
体素子１３の温度を独立して制御することができる。

【００３１】なお、恒温槽内の雰囲気温度をどの半導体
素子１３に対する試験温度より高く設定しておき、冷却
ファン４７を駆動して、エージング試験用治具毎に適応
する試験温度にまで半導体素子１３の温度を下げ、冷却
ファン４７の回転数を増減制御しながら、半導体素子１
３の温度をその半導体素子に適応する試験温度に常時制
御するようにしてもよい。このように温調熱交換部材と
して冷却ファン４７を用いても、前記ヒータ線２８を用
いたものと同様に、半導体素子の温度を設定された試験
温度に調整することが容易で、半導体素子のエージング
試験を精度よく行うことができる。

【００３２】温調熱交換部材としては、前記冷却ファン
４７に代えて水冷、油冷、液化ガス等の冷却流体ジャケ
ット（図示せず）を用いるようにしてもよい。

【００３３】更に、温調熱交換部材として、図８に示す
ようなペルチェ素子（熱電素子）４９を用いることもで
きる。このペルチェ素子４９も素子エージング用ベース
１１に設けられる。具体的には、該ベース１１に設けた
放熱体２１におけるフィン型放熱部２３の放熱フィン２
４の裏側（ヒートパイプ２５側）に取り付けられる。ペ
ルチェ素子４９は、Ｐ型熱電半導体素子４９ＡとＮ型熱
電半導体素子４９Ｂとを交互に、且つ、並列に配列し
て、両素子４９Ａ及び４９Ｂを銅電極箔４９Ｃで溶着し
て直列に接続してπ型直列回路を構成してなるものであ
る。そして、直流電流をＰ型熱電半導体素子４９Ａから
Ｎ型熱電半導体素子４９Ｂに向かって流すと、ペルチェ
効果により、ヒータ線２８のような半導体素子１３を加
熱する発熱体として機能し、反対に直流電流をＮ型熱電
半導体素子４９ＢからＰ型熱電半導体素子４９Ａに向か
って流すと、冷却ファン４７のような半導体素子１３を
冷却する冷却体として機能する。

【００３４】従って、このペルチェ素子４９を用いるこ
とにより、恒温槽内において、半導体素子１３のエージ
ング試験を行う際、温度センサ３５で半導体素子１３の
温度を測定し、測定温度がその半導体素子１３の設定さ
れた試験温度より高くなった場合には、ペルチェ素子４
９のπ型直列回路において、Ｎ型熱電半導体素子４９Ｂ
からＰ型熱電半導体素子４９Ａに向けて直流電流を流
し、半導体素子１３の温度を降下させて試験温度に制御
する。

【００３５】また、半導体素子１３の温度が試験温度よ
り低くなった場合には、ペルチェ素子４９のπ型直列回
路に流す電流の方向を反転させて、Ｐ型熱電半導体素子
４９ＡからＮ型熱電半導体素子４９Ｂに向けて直流電流
を流し、半導体素子１３の温度を上昇させて試験温度に
制御する。このように温調熱交換部材として、ペルチェ
素子４９のような加熱と冷却の両方の機能を有するもの
を用いると、半導体素子１３の温度制御が更に容易にな
るほか、エージング試験用治具を小型化することがで
き、恒温槽内により多く収容することが可能になるので
好ましい。なお、図示しないが、温調熱交換部材として
は、冷却ファン又は水冷ジャケットとヒータ線とを組み
合わせたものを用いて、半導体素子１３の温度を制御す
るようにしてもよい。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エージング試験用治具の素子エージング用ベースに、前
記半導体素子の温度を恒温槽内において設定された試験
温度になるよう調整するための温調熱交換部材を設けた
ので、半導体素子が自己発熱により試験温度より上昇し
ても、この温度上昇を抑えて、その温度を設定された試
験温度に速やかに調整することが可能になり、半導体素
子のエージング試験を精度よく行うことができる。

【００３７】また、試験用治具毎に種類、容量等の仕様
の異なる複数の半導体素子を実装した複数のエージング
試験用治具を一つの恒温槽内に収容してこれら半導体素
子のエージング試験を行う際、試験用治具毎に半導体素
子の発熱量や試験温度の異なる場合が生じても、エージ
ング試験用治具毎に設けた温調熱交換部材で、各エージ
ング試験用治具に実装した半導体素子の温度を設定され
た試験温度に調整することが可能になるので、一つの恒
温槽内で、仕様の異なる複数の半導体素子に対して精度
のよいエージング試験を一括して行うことが容易にな
り、エージング試験の手間と時間が省け、作業能率が向
上し、試験に要する費用を低減させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体素子のエージング試験用治
具に半導体素子を実装した状態を示す一部断面正面図で
ある。

【図２】前記試験用治具の平面図である。

【図３】前記試験用治具において、固定板を外した状態
の底面図である。

【図４】前記試験用治具において、固定ねじ具を省略し
た右側面図である。

【図５】前記試験用治具において、固定ねじ具の左側面
図である。

【図６】前記試験用治具において、Ｘ−Ｘ線矢視拡大断
面図である。

【図７】前記試験治具の温調熱交換部材として冷却ファ
ンを用いた例を示す説明図である。

【図８】前記試験用治具の温調熱交換部材としてペルチ
ェ素子を用いた例を示す説明図である。

【図９】従来のエージング試験用治具に半導体素子を実
装した状態を示す一部断面正面図である。

【図１０】図９に示す従来の試験用治具の平面図であ
る。

【図１１】図９に示す試験用治具において、固定板を外
した状態の底面図である。

【図１２】図９に示す試験用治具において、固定ねじ具
を省略した右側面図である。

【図１３】図９に示す試験用治具において、固定ねじ具
の左側面図である。

【符号の説明】

１１素子エージング用ベース１３半導体素子１５半導体素子ソケット１７給電コネクタ１９ブラケット２１放熱体２３フィン型放熱部２４放熱フィン２５ヒートパイプ２５Ａ蒸発領域２５Ｂ凝縮領域２７凹溝２８ヒータ線２９ヒータ線用コネクタ３１ケーブル３３温度調整器３５温度センサ３７温度センサ用コネクタ３９信号線４１固定板４１Ａ挿着用孔４３固定ねじ具４５位置決めピン４７冷却ファン４９ペルチェ素子４９ＡＰ型熱電半導体素子４９ＢＮ型熱電半導体素子４９Ｃ銅電極箔

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】素子エージング用ベースに、複数のエー
ジング試験用の半導体素子を実装するための複数の半導
体素子ソケットと、半導体素子に試験用電流を供給する
ことにより半導体素子から発生する熱を放熱するための
放熱体とを備えた半導体素子のエージング試験用治具に
おいて、前記素子エージング用ベースに、前記半導体素
子の温度を恒温槽内において設定された試験温度になる
よう調整するための温調熱交換部材を設けたことを特徴
とする半導体素子のエージング試験用治具。
【請求項２】前記温調熱交換部材は冷却ファン又は水
冷ジャケットからなることを特徴とする請求項１記載の
半導体素子のエージング試験用治具。
【請求項３】前記温調熱交換部材はヒータ線からなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体素子のエージン
グ試験用治具。
【請求項４】前記温調熱交換部材は、冷却ファン又は
水冷ジャケットとヒータ線とを組み合わせたものからな
ることを特徴とする請求項１記載の半導体素子のエージ
ング試験用治具。
【請求項５】前記温調熱交換部材はペルチェ素子から
なることを特徴とする請求項１記載の半導体素子のエー
ジング試験用治具。