JP2706205B2 - 冷却構造検査方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、冷却媒体を伝導する冷
却方式の冷却構造検査方法に関し、特に半導体装置の水
冷構造の検査において、冷却対象物に対して通電するこ
となく、冷却対象物における冷却構造の欠陥検査が可能
とされる冷却構造検査方法に適用して有効な技術に関す
る。
却方式の冷却構造検査方法に関し、特に半導体装置の水
冷構造の検査において、冷却対象物に対して通電するこ
となく、冷却対象物における冷却構造の欠陥検査が可能
とされる冷却構造検査方法に適用して有効な技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、大規模半導体集積回路（ＬＳＩ）
の冷却には、たとえば図４に示すように、複数個のＬＳ
Ｉ１が基板２に搭載されたモジュール３の上部にマイク
ロフィン４および封止キャップ５を介して水冷ジャケッ
ト６が取り付けられ、この水冷ジャケット６に冷却水７
を流す伝導水冷方式が多く採用されている。
の冷却には、たとえば図４に示すように、複数個のＬＳ
Ｉ１が基板２に搭載されたモジュール３の上部にマイク
ロフィン４および封止キャップ５を介して水冷ジャケッ
ト６が取り付けられ、この水冷ジャケット６に冷却水７
を流す伝導水冷方式が多く採用されている。
【０００３】さらに、１個のＬＳＩ１に着目してこの伝
導水冷方式の構造を詳細に示すと、図５のようにマイク
ロフィン４は下くし歯となっており、封止キャップ５の
下部は上くし歯となっており、この上下のくし歯は僅か
の間隙をもって噛み合わさっている。そして、ＬＳＩ１
およびマイクロフィン４の周囲は封止部分８などにより
気密封止され、中に熱伝導性のよいＨｅガス９が充填さ
れている。
導水冷方式の構造を詳細に示すと、図５のようにマイク
ロフィン４は下くし歯となっており、封止キャップ５の
下部は上くし歯となっており、この上下のくし歯は僅か
の間隙をもって噛み合わさっている。そして、ＬＳＩ１
およびマイクロフィン４の周囲は封止部分８などにより
気密封止され、中に熱伝導性のよいＨｅガス９が充填さ
れている。
【０００４】このような構造体の検査方法としては、た
とえば一定温度の冷却水７を流しながらモジュール３の
ＬＳＩ１に電源１０から通電する方法が用いられてい
る。この場合に、抵抗１１はＬＳＩ１を熱源とみた等価
回路であり、ＬＳＩ１には感熱ダイオード１２が取り付
けられており、この感熱ダイオード１２に定電流電源１
３から通電される構造となっている。
とえば一定温度の冷却水７を流しながらモジュール３の
ＬＳＩ１に電源１０から通電する方法が用いられてい
る。この場合に、抵抗１１はＬＳＩ１を熱源とみた等価
回路であり、ＬＳＩ１には感熱ダイオード１２が取り付
けられており、この感熱ダイオード１２に定電流電源１
３から通電される構造となっている。
【０００５】すなわち、感熱ダイオード１２は図６に示
すような電圧−温度特性を持っており、温度が変化する
とＶｂｅが直線的に変化するので、Ｖｂｅを電圧計１４
で測定することでＬＳＩ１の温度が測定される。このよ
うにして、ＬＳＩ１の温度を測定し、温度上昇が所定値
以下であれば冷却構造体が正常に組み立てられていると
判定するものである。
すような電圧−温度特性を持っており、温度が変化する
とＶｂｅが直線的に変化するので、Ｖｂｅを電圧計１４
で測定することでＬＳＩ１の温度が測定される。このよ
うにして、ＬＳＩ１の温度を測定し、温度上昇が所定値
以下であれば冷却構造体が正常に組み立てられていると
判定するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な従来技術においては、モジュールが正常に組み立てら
れている場合は、通電による温度測定により確認できる
ので問題はないが、ＬＳＩから水冷ジャケットまでの熱
伝導が阻害されるような重大欠陥の場合に問題が生じて
いる。
な従来技術においては、モジュールが正常に組み立てら
れている場合は、通電による温度測定により確認できる
ので問題はないが、ＬＳＩから水冷ジャケットまでの熱
伝導が阻害されるような重大欠陥の場合に問題が生じて
いる。
【０００７】たとえば、ＬＳＩにマイクロフィンが取り
付けられていなかったり、ＬＳＩとマイクロフィン間、
あるいは上下のくし歯間に塵がつまっていたり、Ｈｅガ
スが洩れていたりすると、ＬＳＩから水冷ジャケットま
での熱伝導が阻害されてＬＳＩの温度が異常上昇し、Ｌ
ＳＩを破損してしまうという問題がある。
付けられていなかったり、ＬＳＩとマイクロフィン間、
あるいは上下のくし歯間に塵がつまっていたり、Ｈｅガ
スが洩れていたりすると、ＬＳＩから水冷ジャケットま
での熱伝導が阻害されてＬＳＩの温度が異常上昇し、Ｌ
ＳＩを破損してしまうという問題がある。
【０００８】そこで、本発明の目的は、冷却対象物への
非通電によって冷却対象物の破損を防止し、異なる２種
類の温度における冷却媒体の伝導により冷却構造の欠陥
検査を効率良く行うことができる冷却構造検査方法を提
供することにある。
非通電によって冷却対象物の破損を防止し、異なる２種
類の温度における冷却媒体の伝導により冷却構造の欠陥
検査を効率良く行うことができる冷却構造検査方法を提
供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１１】すなわち、本発明の冷却構造検査方法は、
冷却媒体による伝導冷却方式の冷却構造検査方法であっ
て、所定温度の冷却媒体を冷却対象物に伝導して一定温
度に保った後、この所定温度とは異なる温度の冷却媒体
を冷却対象物に伝導し、一定間隔の後に冷却対象物の温
度を測定するものである。
冷却媒体による伝導冷却方式の冷却構造検査方法であっ
て、所定温度の冷却媒体を冷却対象物に伝導して一定温
度に保った後、この所定温度とは異なる温度の冷却媒体
を冷却対象物に伝導し、一定間隔の後に冷却対象物の温
度を測定するものである。
【００１２】この場合に、前記冷却対象物に対して、始
めに高温の冷却媒体を伝導して一定温度に保った後に低
温の冷却媒体を伝導するようにしたものである。
めに高温の冷却媒体を伝導して一定温度に保った後に低
温の冷却媒体を伝導するようにしたものである。
【００１３】また、前記冷却対象物に対して、始めに低
温の冷却媒体を伝導して一定温度に保った後に高温の冷
却媒体を伝導するようにしたものである。
温の冷却媒体を伝導して一定温度に保った後に高温の冷
却媒体を伝導するようにしたものである。
【００１４】さらに、前記冷却対象物を、冷却媒体とし
て水を用いる冷却構造をもつ半導体装置とするようにし
たものである。
て水を用いる冷却構造をもつ半導体装置とするようにし
たものである。
【００１５】
【作用】前記した冷却構造検査方法によれば、冷却対象
物の温度が、所定温度とこれと異なる温度との冷却媒体
によって一定の間隔をおいて測定されることにより、こ
の温度の変化が所定値以上、またはほぼ同じであれば冷
却対象物の冷却構造は正常であると判定でき、逆に所定
値より少ないときには冷却構造に欠陥が生じていると判
定することができる。
物の温度が、所定温度とこれと異なる温度との冷却媒体
によって一定の間隔をおいて測定されることにより、こ
の温度の変化が所定値以上、またはほぼ同じであれば冷
却対象物の冷却構造は正常であると判定でき、逆に所定
値より少ないときには冷却構造に欠陥が生じていると判
定することができる。
【００１６】たとえば、冷却対象物には通電しないで、
まず高温の冷却媒体を冷却対象物に伝導すると、十分な
時間が経つと冷却対象物は冷却媒体の温度と等しくな
る。次に、低温の冷却媒体を冷却対象物に伝導すると、
この冷却媒体の温度は時間とともに冷却対象物に伝達さ
れ、冷却対象物の温度は下降してくる。
まず高温の冷却媒体を冷却対象物に伝導すると、十分な
時間が経つと冷却対象物は冷却媒体の温度と等しくな
る。次に、低温の冷却媒体を冷却対象物に伝導すると、
この冷却媒体の温度は時間とともに冷却対象物に伝達さ
れ、冷却対象物の温度は下降してくる。
【００１７】これにより、ある時間後の温度下降が所定
値以上であれば、冷却対象物の冷却構造は正常であると
判定することができ、たとえ温度下降が所定値以下で冷
却構造に欠陥があっても、冷却対象物には通電していな
いので、異常温度に上昇して冷却対象物が破損するよう
なことはない。
値以上であれば、冷却対象物の冷却構造は正常であると
判定することができ、たとえ温度下降が所定値以下で冷
却構造に欠陥があっても、冷却対象物には通電していな
いので、異常温度に上昇して冷却対象物が破損するよう
なことはない。
【００１８】また、逆に低温の冷却媒体を伝導した後に
高温の冷却媒体が伝導される場合には、冷却対象物が低
温の冷却媒体の温度に近いために、始めに冷却対象物が
低温の冷却媒体の温度に等しくなるまでの時間を短縮す
ることができる。
高温の冷却媒体が伝導される場合には、冷却対象物が低
温の冷却媒体の温度に近いために、始めに冷却対象物が
低温の冷却媒体の温度に等しくなるまでの時間を短縮す
ることができる。
【００１９】さらに、冷却媒体として水を用いる場合に
は、一般的に水冷の方が空冷に比べて熱伝導効率が良
く、低温および高温への伝導時間を短縮でき、検査効率
を向上させることができる。
は、一般的に水冷の方が空冷に比べて熱伝導効率が良
く、低温および高温への伝導時間を短縮でき、検査効率
を向上させることができる。
【００２０】
【実施例】図１は本発明の冷却構造検査方法の一実施例
である冷却対象物のＬＳＩの要部を示す断面図、図２は
本実施例のＬＳＩにおいて、冷却構造の検査方法を示す
説明図、図３は本実施例のＬＳＩにおける変形例を示す
要部断面図である。
である冷却対象物のＬＳＩの要部を示す断面図、図２は
本実施例のＬＳＩにおいて、冷却構造の検査方法を示す
説明図、図３は本実施例のＬＳＩにおける変形例を示す
要部断面図である。
【００２１】まず、図１により本実施例のＬＳＩの要部
構成を説明する。
構成を説明する。
【００２２】本実施例のＬＳＩは、たとえば冷却媒体に
よる伝導冷却方式の冷却構造を持つＬＳＩとされ、従来
技術で説明した図４と同様に、複数個のＬＳＩ（冷却対
象物）１が基板２に搭載されたモジュール３の上部に、
マイクロフィン４および封止キャップ５を介して水冷ジ
ャケット６が取り付けられ、この水冷ジャケット６に冷
却水（冷却媒体）７を流す伝導水冷方式による冷却構造
となっている。
よる伝導冷却方式の冷却構造を持つＬＳＩとされ、従来
技術で説明した図４と同様に、複数個のＬＳＩ（冷却対
象物）１が基板２に搭載されたモジュール３の上部に、
マイクロフィン４および封止キャップ５を介して水冷ジ
ャケット６が取り付けられ、この水冷ジャケット６に冷
却水（冷却媒体）７を流す伝導水冷方式による冷却構造
となっている。
【００２３】そして、水冷ジャケットを通じて、始めに
高温の冷却水７ａをＬＳＩ１に伝導して一定温度に保っ
た後、この高温とは異なる低温の冷却水７ｂを伝導し、
一定間隔の後にＬＳＩ１の温度を測定することにより、
ＬＳＩ１における冷却構造の欠陥検査が可能となってい
る。
高温の冷却水７ａをＬＳＩ１に伝導して一定温度に保っ
た後、この高温とは異なる低温の冷却水７ｂを伝導し、
一定間隔の後にＬＳＩ１の温度を測定することにより、
ＬＳＩ１における冷却構造の欠陥検査が可能となってい
る。
【００２４】この場合の冷却水７の供給は、たとえば温
度制御が可能な２つの水槽（図示せず）内に高温の冷却
水７ａと低温の冷却水７ｂを貯溜し、この高温の冷却水
７ａと低温の冷却水７ｂの供給配管を三方弁１５により
切り換え、これによって異なる２種類の温度の冷却水７
を水冷ジャケット６に供給することができる。
度制御が可能な２つの水槽（図示せず）内に高温の冷却
水７ａと低温の冷却水７ｂを貯溜し、この高温の冷却水
７ａと低温の冷却水７ｂの供給配管を三方弁１５により
切り換え、これによって異なる２種類の温度の冷却水７
を水冷ジャケット６に供給することができる。
【００２５】次に、本実施例の作用について、図２の温
度特性により冷却構造の検査方法を説明する。
度特性により冷却構造の検査方法を説明する。
【００２６】この場合に、始めにＬＳＩ１への電源１０
を切り離し、ＬＳＩ１を通電しない非通電状態にする。
を切り離し、ＬＳＩ１を通電しない非通電状態にする。
【００２７】そして、まず高温の冷却水７ａを水冷ジャ
ケット６に流す。これにより、この高温の冷却水７ａの
温度は、封止キャップ５およびマイクロフィン４を経由
してＬＳＩ１に伝達され、十分な時間が経つとＬＳＩ１
は高温の冷却水７ａの温度と等しくなる。このときのＬ
ＳＩ１の温度を、感熱ダイオード１２を利用して定電流
電源１３と電圧計１４で測定する。
ケット６に流す。これにより、この高温の冷却水７ａの
温度は、封止キャップ５およびマイクロフィン４を経由
してＬＳＩ１に伝達され、十分な時間が経つとＬＳＩ１
は高温の冷却水７ａの温度と等しくなる。このときのＬ
ＳＩ１の温度を、感熱ダイオード１２を利用して定電流
電源１３と電圧計１４で測定する。
【００２８】次に、低温の冷却水７ｂを水冷ジャケット
６に流す。これにより、この低温の冷却水７ｂの温度
は、封止キャップ５およびマイクロフィン４を経由して
ＬＳＩ１に伝達され、ＬＳＩ１の温度は高温から徐々に
下降してくる。
６に流す。これにより、この低温の冷却水７ｂの温度
は、封止キャップ５およびマイクロフィン４を経由して
ＬＳＩ１に伝達され、ＬＳＩ１の温度は高温から徐々に
下降してくる。
【００２９】そして、一定間隔の後に、前述と同様にＬ
ＳＩ１の温度を測定する。この温度測定の結果、温度下
降が所定値以上であれば、モジュール３の構造は正常に
組み立てられている、すなわち冷却構造は正常であると
判定することができる。
ＳＩ１の温度を測定する。この温度測定の結果、温度下
降が所定値以上であれば、モジュール３の構造は正常に
組み立てられている、すなわち冷却構造は正常であると
判定することができる。
【００３０】たとえば、始めにおよそ４５度の高温の冷
却水７ａを供給し、その後およそ２５度の低温の冷却水
７ｂを供給した後、およそ３０秒後の温度を測定する場
合を考えると、図２に示すような経過時間に対するＬＳ
Ｉ１の温度変化特性が得られる。
却水７ａを供給し、その後およそ２５度の低温の冷却水
７ｂを供給した後、およそ３０秒後の温度を測定する場
合を考えると、図２に示すような経過時間に対するＬＳ
Ｉ１の温度変化特性が得られる。
【００３１】すなわち、図２において、時間が０秒のと
ころは最初に高温の冷却水７ａを水冷ジャケット６に流
してから十分な時間が経ち、ＬＳＩ１が高温の冷却水７
ａの温度と等しくなり、次に低温の冷却水７ｂを水冷ジ
ャケット６に流し始めた瞬間（起点）である。
ころは最初に高温の冷却水７ａを水冷ジャケット６に流
してから十分な時間が経ち、ＬＳＩ１が高温の冷却水７
ａの温度と等しくなり、次に低温の冷却水７ｂを水冷ジ
ャケット６に流し始めた瞬間（起点）である。
【００３２】また、温度変化曲線ａ、ｂ、ｃは、冷却構
造が正常な場合や欠陥がある場合のＬＳＩ１の温度下降
曲線であり、さらに温度変化曲線ｄは、一定時間経過後
の良否の基準となる判定値を示すものである。
造が正常な場合や欠陥がある場合のＬＳＩ１の温度下降
曲線であり、さらに温度変化曲線ｄは、一定時間経過後
の良否の基準となる判定値を示すものである。
【００３３】たとえば、３０秒後では、温度変化曲線ａ
は温度下降が十分に進んでおり、判定値の温度変化曲線
ｄより低い温度になっているので正常と判定される。
は温度下降が十分に進んでおり、判定値の温度変化曲線
ｄより低い温度になっているので正常と判定される。
【００３４】一方、温度変化曲線ｂは、３０秒後では温
度下降が十分には進んでおらず、判定値ｄより少し高い
温度となっており、ごみの付着とかマイクロフィン４の
一部の欠けなどの軽欠陥があるものと判定される。
度下降が十分には進んでおらず、判定値ｄより少し高い
温度となっており、ごみの付着とかマイクロフィン４の
一部の欠けなどの軽欠陥があるものと判定される。
【００３５】さらに、温度変化曲線ｃは、３０秒後では
温度下降がほとんど進んでおらず、判定値ｄよりはるか
に高い温度となっているために、マイクロフィン４が取
り付けられていないような重欠陥があるものと判定され
る。
温度下降がほとんど進んでおらず、判定値ｄよりはるか
に高い温度となっているために、マイクロフィン４が取
り付けられていないような重欠陥があるものと判定され
る。
【００３６】このようにして、正常に組み立てられてい
る場合の温度変化曲線ｄによる判定値との比較により冷
却構造の欠陥が検査され、この場合に熱伝導効率の面か
らの欠陥レベルの判定も可能となる。
る場合の温度変化曲線ｄによる判定値との比較により冷
却構造の欠陥が検査され、この場合に熱伝導効率の面か
らの欠陥レベルの判定も可能となる。
【００３７】従って、本実施例のＬＳＩ１における冷却
構造の検査方法によれば、高温の冷却水７ａと低温の冷
却水７ｂの異なる２種類の温度の冷却水７を供給し、一
定の間隔をおいてＬＳＩ１の温度を測定することによ
り、ＬＳＩ１に対して通電することなく、特に冷却構造
の熱伝導の面からモジュール３の組み立てが正常か否か
を判定することができる。
構造の検査方法によれば、高温の冷却水７ａと低温の冷
却水７ｂの異なる２種類の温度の冷却水７を供給し、一
定の間隔をおいてＬＳＩ１の温度を測定することによ
り、ＬＳＩ１に対して通電することなく、特に冷却構造
の熱伝導の面からモジュール３の組み立てが正常か否か
を判定することができる。
【００３８】また、たとえモジュール３の冷却構造に欠
陥があっても、ＬＳＩ１に通電していないので、従来の
ような熱伝導の阻害によるＬＳＩ１の異常な温度上昇が
なく、これによって冷却構造の欠陥によるＬＳＩ１の破
損を防止することができる。
陥があっても、ＬＳＩ１に通電していないので、従来の
ような熱伝導の阻害によるＬＳＩ１の異常な温度上昇が
なく、これによって冷却構造の欠陥によるＬＳＩ１の破
損を防止することができる。
【００３９】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４０】たとえば、本実施例のＬＳＩ１の冷却構造
検査方法については、最初に高温の冷却水７ａを用い、
次に低温の冷却水７ｂを用いて伝導する場合について説
明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、逆に最初に低温の冷却水を用い、次に高温の冷却水
を用いる場合についても適用可能である。
検査方法については、最初に高温の冷却水７ａを用い、
次に低温の冷却水７ｂを用いて伝導する場合について説
明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、逆に最初に低温の冷却水を用い、次に高温の冷却水
を用いる場合についても適用可能である。
【００４１】この場合には、低温から高温への温度上昇
の速さを判定することで正常か否かの検査を行うことが
でき、また常温状態のＬＳＩの温度が低温に近いため
に、始めにＬＳＩが低温の冷却水の温度に等しくなるま
での時間を短縮することができる。
の速さを判定することで正常か否かの検査を行うことが
でき、また常温状態のＬＳＩの温度が低温に近いため
に、始めにＬＳＩが低温の冷却水の温度に等しくなるま
での時間を短縮することができる。
【００４２】また、冷却水７の場合には、一般に用いら
れる空冷に比べて熱伝導効率が良く、低温および高温へ
の伝導時間を短縮することができるので、検査効率の向
上が可能となる。
れる空冷に比べて熱伝導効率が良く、低温および高温へ
の伝導時間を短縮することができるので、検査効率の向
上が可能となる。
【００４３】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその利用分野である伝導水冷方式の冷
却構造を持つＬＳＩ１に用いられる冷却構造検査方法に
適用した場合について説明したが、これに限定されるも
のではなく、冷却媒体としてエアーを用いる場合、冷却
対象物として電子装置を用いる場合など、伝導冷却方式
の冷却構造をもつ他の装置についても広く適用可能であ
る。
てなされた発明をその利用分野である伝導水冷方式の冷
却構造を持つＬＳＩ１に用いられる冷却構造検査方法に
適用した場合について説明したが、これに限定されるも
のではなく、冷却媒体としてエアーを用いる場合、冷却
対象物として電子装置を用いる場合など、伝導冷却方式
の冷却構造をもつ他の装置についても広く適用可能であ
る。
【００４４】たとえば、エアーを冷却媒体として用いる
場合には、図３に示すように水冷ジャケット６に代えて
放熱フィン１６が取り付けられ、この放熱フィン１６に
ヒータなどにより温度制御された高温と低温のエアー１
７を切り換えて吹き付けることにより、モジュール３ａ
の冷却構造の欠陥検査が可能となる。
場合には、図３に示すように水冷ジャケット６に代えて
放熱フィン１６が取り付けられ、この放熱フィン１６に
ヒータなどにより温度制御された高温と低温のエアー１
７を切り換えて吹き付けることにより、モジュール３ａ
の冷却構造の欠陥検査が可能となる。
【００４５】さらに、温度の測定方法については、図１
のような感熱ダイオード１２を利用して定電流電源１３
と電圧計１４で測定する場合の他に、図３のような温度
モニタ１８により測定するなど、種々の方法が適用でき
ることはいうまでもない。
のような感熱ダイオード１２を利用して定電流電源１３
と電圧計１４で測定する場合の他に、図３のような温度
モニタ１８により測定するなど、種々の方法が適用でき
ることはいうまでもない。
【００４６】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００４７】(1).所定温度の冷却媒体を冷却対象物に伝
導して一定温度に保った後、この所定温度とは異なる温
度の冷却媒体を冷却対象物に伝導し、一定間隔の後に冷
却対象物の温度を測定することにより、温度の変化が所
定値より少ないときに冷却対象物の冷却構造に欠陥が生
じていると判定することができるので、たとえば高温か
ら低温への温度下降が所定値以下で冷却構造に欠陥があ
っても、冷却対象物に対して通電していないので冷却対
象物の異常な温度上昇がなく、冷却構造の欠陥による冷
却対象物の破損防止が可能となる。
導して一定温度に保った後、この所定温度とは異なる温
度の冷却媒体を冷却対象物に伝導し、一定間隔の後に冷
却対象物の温度を測定することにより、温度の変化が所
定値より少ないときに冷却対象物の冷却構造に欠陥が生
じていると判定することができるので、たとえば高温か
ら低温への温度下降が所定値以下で冷却構造に欠陥があ
っても、冷却対象物に対して通電していないので冷却対
象物の異常な温度上昇がなく、冷却構造の欠陥による冷
却対象物の破損防止が可能となる。
【００４８】(2).冷却対象物に対して、始めに低温の冷
却媒体を伝導して一定温度に保った後に高温の冷却媒体
を伝導することにより、冷却対象物が低温の冷却媒体の
温度に近いので、始めに冷却対象物が低温の冷却媒体の
温度に等しくなるまでの時間短縮が可能となる。
却媒体を伝導して一定温度に保った後に高温の冷却媒体
を伝導することにより、冷却対象物が低温の冷却媒体の
温度に近いので、始めに冷却対象物が低温の冷却媒体の
温度に等しくなるまでの時間短縮が可能となる。
【００４９】(3).冷却対象物を、冷却媒体として水を用
いる冷却構造をもつ半導体装置とすることにより、水冷
の方が空冷に比べて熱伝導効率が良いので、低温および
高温への伝導時間を短縮することができ、検査効率の向
上が可能となる。
いる冷却構造をもつ半導体装置とすることにより、水冷
の方が空冷に比べて熱伝導効率が良いので、低温および
高温への伝導時間を短縮することができ、検査効率の向
上が可能となる。
【００５０】(4).前記(1) 〜(3) により、冷却対象物へ
の非通電によって冷却対象物の破損を防止し、異なる２
種類の温度における冷却媒体の伝導により効率の良い冷
却構造の欠陥検査が可能とされる冷却構造検査方法を得
ることができる。
の非通電によって冷却対象物の破損を防止し、異なる２
種類の温度における冷却媒体の伝導により効率の良い冷
却構造の欠陥検査が可能とされる冷却構造検査方法を得
ることができる。
【図１】本発明の冷却構造検査方法の一実施例である冷
却対象物のＬＳＩの要部を示す断面図である。
却対象物のＬＳＩの要部を示す断面図である。
【図２】本実施例のＬＳＩにおいて、冷却構造の検査方
法を示す説明図である。
法を示す説明図である。
【図３】本実施例のＬＳＩにおける変形例を示す要部断
面図である。
面図である。
【図４】従来技術の一実施例であるＬＳＩの冷却構造を
示す斜視部分断面図である。
示す斜視部分断面図である。
【図５】従来技術の一実施例であるＬＳＩの要部を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】従来技術の一実施例であるＬＳＩにおいて、ダ
イオードの電圧−温度特性を示す特性図である。
イオードの電圧−温度特性を示す特性図である。
１ ＬＳＩ（冷却対象物） ２ 基板 ３，３ａ モジュール ４ マイクロフィン ５ 封止キャップ ６ 水冷ジャケット ７ 冷却水（冷却媒体） ７ａ 高温の冷却水 ７ｂ 低温の冷却水 ８ 封止部分 ９ Ｈｅガス １０ 電源 １１ 抵抗 １２ 感熱ダイオード １３ 定電流電源 １４ 電圧計 １５ 三方弁 １６ 放熱フィン １７ エアー １８ 温度モニタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 児珠 一弘 神奈川県秦野市堀山下１番地 日立コン ピュータエンジニアリング株式会社内 (72)発明者 村沢 成一 神奈川県秦野市堀山下１番地 日立コン ピュータエンジニアリング株式会社内 (72)発明者 松本 雄二 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社 日立製作所 汎用コンピュータ事業部内
Claims (4)
- 【請求項１】 冷却媒体による伝導冷却方式の冷却構造
検査方法であって、所定温度の冷却媒体を冷却対象物に
伝導して一定温度に保った後、該所定温度とは異なる温
度の冷却媒体を前記冷却対象物に伝導し、一定間隔の後
に該冷却対象物の温度を測定し、温度の変化が所定値よ
り少ないときに該冷却対象物の冷却構造に欠陥が生じて
いると判定することを特徴とする冷却構造検査方法。 - 【請求項２】 前記冷却対象物に対して、始めに高温の
冷却媒体を伝導して一定温度に保った後に低温の冷却媒
体を伝導し、一定間隔の後に該冷却対象物の温度を測定
することを特徴とする請求項１記載の冷却構造検査方
法。 - 【請求項３】 前記冷却対象物に対して、始めに低温の
冷却媒体を伝導して一定温度に保った後に高温の冷却媒
体を伝導し、一定間隔の後に該冷却対象物の温度を測定
することを特徴とする請求項１記載の冷却構造検査方
法。 - 【請求項４】 前記冷却対象物を、前記冷却媒体として
水を用いる冷却構造をもつ半導体装置とすることを特徴
とする請求項１、２または３記載の冷却構造検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4296771A JP2706205B2 (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 冷却構造検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4296771A JP2706205B2 (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 冷却構造検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151666A JPH06151666A (ja) | 1994-05-31 |
| JP2706205B2 true JP2706205B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=17837920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4296771A Expired - Fee Related JP2706205B2 (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 冷却構造検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2706205B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5990860B2 (ja) * | 2012-01-12 | 2016-09-14 | トヨタ自動車株式会社 | 熱抵抗測定装置及び温度センサー校正装置 |
-
1992
- 1992-11-06 JP JP4296771A patent/JP2706205B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06151666A (ja) | 1994-05-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |