JP2706205B2 - 冷却構造検査方法 - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、冷却媒体を伝導する冷
却方式の冷却構造検査方法に関し、特に半導体装置の水
冷構造の検査において、冷却対象物に対して通電するこ
となく、冷却対象物における冷却構造の欠陥検査が可能
とされる冷却構造検査方法に適用して有効な技術に関す
る。
却方式の冷却構造検査方法に関し、特に半導体装置の水
冷構造の検査において、冷却対象物に対して通電するこ
となく、冷却対象物における冷却構造の欠陥検査が可能
とされる冷却構造検査方法に適用して有効な技術に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、大規模半導体集積回路(LSI)
の冷却には、たとえば図4に示すように、複数個のLS
I1が基板2に搭載されたモジュール3の上部にマイク
ロフィン4および封止キャップ5を介して水冷ジャケッ
ト6が取り付けられ、この水冷ジャケット6に冷却水7
を流す伝導水冷方式が多く採用されている。
の冷却には、たとえば図4に示すように、複数個のLS
I1が基板2に搭載されたモジュール3の上部にマイク
ロフィン4および封止キャップ5を介して水冷ジャケッ
ト6が取り付けられ、この水冷ジャケット6に冷却水7
を流す伝導水冷方式が多く採用されている。
【0003】さらに、1個のLSI1に着目してこの伝
導水冷方式の構造を詳細に示すと、図5のようにマイク
ロフィン4は下くし歯となっており、封止キャップ5の
下部は上くし歯となっており、この上下のくし歯は僅か
の間隙をもって噛み合わさっている。そして、LSI1
およびマイクロフィン4の周囲は封止部分8などにより
気密封止され、中に熱伝導性のよいHeガス9が充填さ
れている。
導水冷方式の構造を詳細に示すと、図5のようにマイク
ロフィン4は下くし歯となっており、封止キャップ5の
下部は上くし歯となっており、この上下のくし歯は僅か
の間隙をもって噛み合わさっている。そして、LSI1
およびマイクロフィン4の周囲は封止部分8などにより
気密封止され、中に熱伝導性のよいHeガス9が充填さ
れている。
【0004】このような構造体の検査方法としては、た
とえば一定温度の冷却水7を流しながらモジュール3の
LSI1に電源10から通電する方法が用いられてい
る。この場合に、抵抗11はLSI1を熱源とみた等価
回路であり、LSI1には感熱ダイオード12が取り付
けられており、この感熱ダイオード12に定電流電源1
3から通電される構造となっている。
とえば一定温度の冷却水7を流しながらモジュール3の
LSI1に電源10から通電する方法が用いられてい
る。この場合に、抵抗11はLSI1を熱源とみた等価
回路であり、LSI1には感熱ダイオード12が取り付
けられており、この感熱ダイオード12に定電流電源1
3から通電される構造となっている。
【0005】すなわち、感熱ダイオード12は図6に示
すような電圧−温度特性を持っており、温度が変化する
とVbeが直線的に変化するので、Vbeを電圧計14
で測定することでLSI1の温度が測定される。このよ
うにして、LSI1の温度を測定し、温度上昇が所定値
以下であれば冷却構造体が正常に組み立てられていると
判定するものである。
すような電圧−温度特性を持っており、温度が変化する
とVbeが直線的に変化するので、Vbeを電圧計14
で測定することでLSI1の温度が測定される。このよ
うにして、LSI1の温度を測定し、温度上昇が所定値
以下であれば冷却構造体が正常に組み立てられていると
判定するものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な従来技術においては、モジュールが正常に組み立てら
れている場合は、通電による温度測定により確認できる
ので問題はないが、LSIから水冷ジャケットまでの熱
伝導が阻害されるような重大欠陥の場合に問題が生じて
いる。
な従来技術においては、モジュールが正常に組み立てら
れている場合は、通電による温度測定により確認できる
ので問題はないが、LSIから水冷ジャケットまでの熱
伝導が阻害されるような重大欠陥の場合に問題が生じて
いる。
【0007】たとえば、LSIにマイクロフィンが取り
付けられていなかったり、LSIとマイクロフィン間、
あるいは上下のくし歯間に塵がつまっていたり、Heガ
スが洩れていたりすると、LSIから水冷ジャケットま
での熱伝導が阻害されてLSIの温度が異常上昇し、L
SIを破損してしまうという問題がある。
付けられていなかったり、LSIとマイクロフィン間、
あるいは上下のくし歯間に塵がつまっていたり、Heガ
スが洩れていたりすると、LSIから水冷ジャケットま
での熱伝導が阻害されてLSIの温度が異常上昇し、L
SIを破損してしまうという問題がある。
【0008】そこで、本発明の目的は、冷却対象物への
非通電によって冷却対象物の破損を防止し、異なる2種
類の温度における冷却媒体の伝導により冷却構造の欠陥
検査を効率良く行うことができる冷却構造検査方法を提
供することにある。
非通電によって冷却対象物の破損を防止し、異なる2種
類の温度における冷却媒体の伝導により冷却構造の欠陥
検査を効率良く行うことができる冷却構造検査方法を提
供することにある。
【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0011】すなわち、本発明の冷却構造検査方法は、
冷却媒体による伝導冷却方式の冷却構造検査方法であっ
て、所定温度の冷却媒体を冷却対象物に伝導して一定温
度に保った後、この所定温度とは異なる温度の冷却媒体
を冷却対象物に伝導し、一定間隔の後に冷却対象物の温
度を測定するものである。
冷却媒体による伝導冷却方式の冷却構造検査方法であっ
て、所定温度の冷却媒体を冷却対象物に伝導して一定温
度に保った後、この所定温度とは異なる温度の冷却媒体
を冷却対象物に伝導し、一定間隔の後に冷却対象物の温
度を測定するものである。
【0012】この場合に、前記冷却対象物に対して、始
めに高温の冷却媒体を伝導して一定温度に保った後に低
温の冷却媒体を伝導するようにしたものである。
めに高温の冷却媒体を伝導して一定温度に保った後に低
温の冷却媒体を伝導するようにしたものである。
【0013】また、前記冷却対象物に対して、始めに低
温の冷却媒体を伝導して一定温度に保った後に高温の冷
却媒体を伝導するようにしたものである。
温の冷却媒体を伝導して一定温度に保った後に高温の冷
却媒体を伝導するようにしたものである。
【0014】さらに、前記冷却対象物を、冷却媒体とし
て水を用いる冷却構造をもつ半導体装置とするようにし
たものである。
て水を用いる冷却構造をもつ半導体装置とするようにし
たものである。
【0015】
【作用】前記した冷却構造検査方法によれば、冷却対象
物の温度が、所定温度とこれと異なる温度との冷却媒体
によって一定の間隔をおいて測定されることにより、こ
の温度の変化が所定値以上、またはほぼ同じであれば冷
却対象物の冷却構造は正常であると判定でき、逆に所定
値より少ないときには冷却構造に欠陥が生じていると判
定することができる。
物の温度が、所定温度とこれと異なる温度との冷却媒体
によって一定の間隔をおいて測定されることにより、こ
の温度の変化が所定値以上、またはほぼ同じであれば冷
却対象物の冷却構造は正常であると判定でき、逆に所定
値より少ないときには冷却構造に欠陥が生じていると判
定することができる。
【0016】たとえば、冷却対象物には通電しないで、
まず高温の冷却媒体を冷却対象物に伝導すると、十分な
時間が経つと冷却対象物は冷却媒体の温度と等しくな
る。次に、低温の冷却媒体を冷却対象物に伝導すると、
この冷却媒体の温度は時間とともに冷却対象物に伝達さ
れ、冷却対象物の温度は下降してくる。
まず高温の冷却媒体を冷却対象物に伝導すると、十分な
時間が経つと冷却対象物は冷却媒体の温度と等しくな
る。次に、低温の冷却媒体を冷却対象物に伝導すると、
この冷却媒体の温度は時間とともに冷却対象物に伝達さ
れ、冷却対象物の温度は下降してくる。
【0017】これにより、ある時間後の温度下降が所定
値以上であれば、冷却対象物の冷却構造は正常であると
判定することができ、たとえ温度下降が所定値以下で冷
却構造に欠陥があっても、冷却対象物には通電していな
いので、異常温度に上昇して冷却対象物が破損するよう
なことはない。
値以上であれば、冷却対象物の冷却構造は正常であると
判定することができ、たとえ温度下降が所定値以下で冷
却構造に欠陥があっても、冷却対象物には通電していな
いので、異常温度に上昇して冷却対象物が破損するよう
なことはない。
【0018】また、逆に低温の冷却媒体を伝導した後に
高温の冷却媒体が伝導される場合には、冷却対象物が低
温の冷却媒体の温度に近いために、始めに冷却対象物が
低温の冷却媒体の温度に等しくなるまでの時間を短縮す
ることができる。
高温の冷却媒体が伝導される場合には、冷却対象物が低
温の冷却媒体の温度に近いために、始めに冷却対象物が
低温の冷却媒体の温度に等しくなるまでの時間を短縮す
ることができる。
【0019】さらに、冷却媒体として水を用いる場合に
は、一般的に水冷の方が空冷に比べて熱伝導効率が良
く、低温および高温への伝導時間を短縮でき、検査効率
を向上させることができる。
は、一般的に水冷の方が空冷に比べて熱伝導効率が良
く、低温および高温への伝導時間を短縮でき、検査効率
を向上させることができる。
【0020】
【実施例】図1は本発明の冷却構造検査方法の一実施例
である冷却対象物のLSIの要部を示す断面図、図2は
本実施例のLSIにおいて、冷却構造の検査方法を示す
説明図、図3は本実施例のLSIにおける変形例を示す
要部断面図である。
である冷却対象物のLSIの要部を示す断面図、図2は
本実施例のLSIにおいて、冷却構造の検査方法を示す
説明図、図3は本実施例のLSIにおける変形例を示す
要部断面図である。
【0021】まず、図1により本実施例のLSIの要部
構成を説明する。
構成を説明する。
【0022】本実施例のLSIは、たとえば冷却媒体に
よる伝導冷却方式の冷却構造を持つLSIとされ、従来
技術で説明した図4と同様に、複数個のLSI(冷却対
象物)1が基板2に搭載されたモジュール3の上部に、
マイクロフィン4および封止キャップ5を介して水冷ジ
ャケット6が取り付けられ、この水冷ジャケット6に冷
却水(冷却媒体)7を流す伝導水冷方式による冷却構造
となっている。
よる伝導冷却方式の冷却構造を持つLSIとされ、従来
技術で説明した図4と同様に、複数個のLSI(冷却対
象物)1が基板2に搭載されたモジュール3の上部に、
マイクロフィン4および封止キャップ5を介して水冷ジ
ャケット6が取り付けられ、この水冷ジャケット6に冷
却水(冷却媒体)7を流す伝導水冷方式による冷却構造
となっている。
【0023】そして、水冷ジャケットを通じて、始めに
高温の冷却水7aをLSI1に伝導して一定温度に保っ
た後、この高温とは異なる低温の冷却水7bを伝導し、
一定間隔の後にLSI1の温度を測定することにより、
LSI1における冷却構造の欠陥検査が可能となってい
る。
高温の冷却水7aをLSI1に伝導して一定温度に保っ
た後、この高温とは異なる低温の冷却水7bを伝導し、
一定間隔の後にLSI1の温度を測定することにより、
LSI1における冷却構造の欠陥検査が可能となってい
る。
【0024】この場合の冷却水7の供給は、たとえば温
度制御が可能な2つの水槽(図示せず)内に高温の冷却
水7aと低温の冷却水7bを貯溜し、この高温の冷却水
7aと低温の冷却水7bの供給配管を三方弁15により
切り換え、これによって異なる2種類の温度の冷却水7
を水冷ジャケット6に供給することができる。
度制御が可能な2つの水槽(図示せず)内に高温の冷却
水7aと低温の冷却水7bを貯溜し、この高温の冷却水
7aと低温の冷却水7bの供給配管を三方弁15により
切り換え、これによって異なる2種類の温度の冷却水7
を水冷ジャケット6に供給することができる。
【0025】次に、本実施例の作用について、図2の温
度特性により冷却構造の検査方法を説明する。
度特性により冷却構造の検査方法を説明する。
【0026】この場合に、始めにLSI1への電源10
を切り離し、LSI1を通電しない非通電状態にする。
を切り離し、LSI1を通電しない非通電状態にする。
【0027】そして、まず高温の冷却水7aを水冷ジャ
ケット6に流す。これにより、この高温の冷却水7aの
温度は、封止キャップ5およびマイクロフィン4を経由
してLSI1に伝達され、十分な時間が経つとLSI1
は高温の冷却水7aの温度と等しくなる。このときのL
SI1の温度を、感熱ダイオード12を利用して定電流
電源13と電圧計14で測定する。
ケット6に流す。これにより、この高温の冷却水7aの
温度は、封止キャップ5およびマイクロフィン4を経由
してLSI1に伝達され、十分な時間が経つとLSI1
は高温の冷却水7aの温度と等しくなる。このときのL
SI1の温度を、感熱ダイオード12を利用して定電流
電源13と電圧計14で測定する。
【0028】次に、低温の冷却水7bを水冷ジャケット
6に流す。これにより、この低温の冷却水7bの温度
は、封止キャップ5およびマイクロフィン4を経由して
LSI1に伝達され、LSI1の温度は高温から徐々に
下降してくる。
6に流す。これにより、この低温の冷却水7bの温度
は、封止キャップ5およびマイクロフィン4を経由して
LSI1に伝達され、LSI1の温度は高温から徐々に
下降してくる。
【0029】そして、一定間隔の後に、前述と同様にL
SI1の温度を測定する。この温度測定の結果、温度下
降が所定値以上であれば、モジュール3の構造は正常に
組み立てられている、すなわち冷却構造は正常であると
判定することができる。
SI1の温度を測定する。この温度測定の結果、温度下
降が所定値以上であれば、モジュール3の構造は正常に
組み立てられている、すなわち冷却構造は正常であると
判定することができる。
【0030】たとえば、始めにおよそ45度の高温の冷
却水7aを供給し、その後およそ25度の低温の冷却水
7bを供給した後、およそ30秒後の温度を測定する場
合を考えると、図2に示すような経過時間に対するLS
I1の温度変化特性が得られる。
却水7aを供給し、その後およそ25度の低温の冷却水
7bを供給した後、およそ30秒後の温度を測定する場
合を考えると、図2に示すような経過時間に対するLS
I1の温度変化特性が得られる。
【0031】すなわち、図2において、時間が0秒のと
ころは最初に高温の冷却水7aを水冷ジャケット6に流
してから十分な時間が経ち、LSI1が高温の冷却水7
aの温度と等しくなり、次に低温の冷却水7bを水冷ジ
ャケット6に流し始めた瞬間(起点)である。
ころは最初に高温の冷却水7aを水冷ジャケット6に流
してから十分な時間が経ち、LSI1が高温の冷却水7
aの温度と等しくなり、次に低温の冷却水7bを水冷ジ
ャケット6に流し始めた瞬間(起点)である。
【0032】また、温度変化曲線a、b、cは、冷却構
造が正常な場合や欠陥がある場合のLSI1の温度下降
曲線であり、さらに温度変化曲線dは、一定時間経過後
の良否の基準となる判定値を示すものである。
造が正常な場合や欠陥がある場合のLSI1の温度下降
曲線であり、さらに温度変化曲線dは、一定時間経過後
の良否の基準となる判定値を示すものである。
【0033】たとえば、30秒後では、温度変化曲線a
は温度下降が十分に進んでおり、判定値の温度変化曲線
dより低い温度になっているので正常と判定される。
は温度下降が十分に進んでおり、判定値の温度変化曲線
dより低い温度になっているので正常と判定される。
【0034】一方、温度変化曲線bは、30秒後では温
度下降が十分には進んでおらず、判定値dより少し高い
温度となっており、ごみの付着とかマイクロフィン4の
一部の欠けなどの軽欠陥があるものと判定される。
度下降が十分には進んでおらず、判定値dより少し高い
温度となっており、ごみの付着とかマイクロフィン4の
一部の欠けなどの軽欠陥があるものと判定される。
【0035】さらに、温度変化曲線cは、30秒後では
温度下降がほとんど進んでおらず、判定値dよりはるか
に高い温度となっているために、マイクロフィン4が取
り付けられていないような重欠陥があるものと判定され
る。
温度下降がほとんど進んでおらず、判定値dよりはるか
に高い温度となっているために、マイクロフィン4が取
り付けられていないような重欠陥があるものと判定され
る。
【0036】このようにして、正常に組み立てられてい
る場合の温度変化曲線dによる判定値との比較により冷
却構造の欠陥が検査され、この場合に熱伝導効率の面か
らの欠陥レベルの判定も可能となる。
る場合の温度変化曲線dによる判定値との比較により冷
却構造の欠陥が検査され、この場合に熱伝導効率の面か
らの欠陥レベルの判定も可能となる。
【0037】従って、本実施例のLSI1における冷却
構造の検査方法によれば、高温の冷却水7aと低温の冷
却水7bの異なる2種類の温度の冷却水7を供給し、一
定の間隔をおいてLSI1の温度を測定することによ
り、LSI1に対して通電することなく、特に冷却構造
の熱伝導の面からモジュール3の組み立てが正常か否か
を判定することができる。
構造の検査方法によれば、高温の冷却水7aと低温の冷
却水7bの異なる2種類の温度の冷却水7を供給し、一
定の間隔をおいてLSI1の温度を測定することによ
り、LSI1に対して通電することなく、特に冷却構造
の熱伝導の面からモジュール3の組み立てが正常か否か
を判定することができる。
【0038】また、たとえモジュール3の冷却構造に欠
陥があっても、LSI1に通電していないので、従来の
ような熱伝導の阻害によるLSI1の異常な温度上昇が
なく、これによって冷却構造の欠陥によるLSI1の破
損を防止することができる。
陥があっても、LSI1に通電していないので、従来の
ような熱伝導の阻害によるLSI1の異常な温度上昇が
なく、これによって冷却構造の欠陥によるLSI1の破
損を防止することができる。
【0039】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0040】たとえば、本実施例のLSI1の冷却構造
検査方法については、最初に高温の冷却水7aを用い、
次に低温の冷却水7bを用いて伝導する場合について説
明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、逆に最初に低温の冷却水を用い、次に高温の冷却水
を用いる場合についても適用可能である。
検査方法については、最初に高温の冷却水7aを用い、
次に低温の冷却水7bを用いて伝導する場合について説
明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、逆に最初に低温の冷却水を用い、次に高温の冷却水
を用いる場合についても適用可能である。
【0041】この場合には、低温から高温への温度上昇
の速さを判定することで正常か否かの検査を行うことが
でき、また常温状態のLSIの温度が低温に近いため
に、始めにLSIが低温の冷却水の温度に等しくなるま
での時間を短縮することができる。
の速さを判定することで正常か否かの検査を行うことが
でき、また常温状態のLSIの温度が低温に近いため
に、始めにLSIが低温の冷却水の温度に等しくなるま
での時間を短縮することができる。
【0042】また、冷却水7の場合には、一般に用いら
れる空冷に比べて熱伝導効率が良く、低温および高温へ
の伝導時間を短縮することができるので、検査効率の向
上が可能となる。
れる空冷に比べて熱伝導効率が良く、低温および高温へ
の伝導時間を短縮することができるので、検査効率の向
上が可能となる。
【0043】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその利用分野である伝導水冷方式の冷
却構造を持つLSI1に用いられる冷却構造検査方法に
適用した場合について説明したが、これに限定されるも
のではなく、冷却媒体としてエアーを用いる場合、冷却
対象物として電子装置を用いる場合など、伝導冷却方式
の冷却構造をもつ他の装置についても広く適用可能であ
る。
てなされた発明をその利用分野である伝導水冷方式の冷
却構造を持つLSI1に用いられる冷却構造検査方法に
適用した場合について説明したが、これに限定されるも
のではなく、冷却媒体としてエアーを用いる場合、冷却
対象物として電子装置を用いる場合など、伝導冷却方式
の冷却構造をもつ他の装置についても広く適用可能であ
る。
【0044】たとえば、エアーを冷却媒体として用いる
場合には、図3に示すように水冷ジャケット6に代えて
放熱フィン16が取り付けられ、この放熱フィン16に
ヒータなどにより温度制御された高温と低温のエアー1
7を切り換えて吹き付けることにより、モジュール3a
の冷却構造の欠陥検査が可能となる。
場合には、図3に示すように水冷ジャケット6に代えて
放熱フィン16が取り付けられ、この放熱フィン16に
ヒータなどにより温度制御された高温と低温のエアー1
7を切り換えて吹き付けることにより、モジュール3a
の冷却構造の欠陥検査が可能となる。
【0045】さらに、温度の測定方法については、図1
のような感熱ダイオード12を利用して定電流電源13
と電圧計14で測定する場合の他に、図3のような温度
モニタ18により測定するなど、種々の方法が適用でき
ることはいうまでもない。
のような感熱ダイオード12を利用して定電流電源13
と電圧計14で測定する場合の他に、図3のような温度
モニタ18により測定するなど、種々の方法が適用でき
ることはいうまでもない。
【0046】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0047】(1).所定温度の冷却媒体を冷却対象物に伝
導して一定温度に保った後、この所定温度とは異なる温
度の冷却媒体を冷却対象物に伝導し、一定間隔の後に冷
却対象物の温度を測定することにより、温度の変化が所
定値より少ないときに冷却対象物の冷却構造に欠陥が生
じていると判定することができるので、たとえば高温か
ら低温への温度下降が所定値以下で冷却構造に欠陥があ
っても、冷却対象物に対して通電していないので冷却対
象物の異常な温度上昇がなく、冷却構造の欠陥による冷
却対象物の破損防止が可能となる。
導して一定温度に保った後、この所定温度とは異なる温
度の冷却媒体を冷却対象物に伝導し、一定間隔の後に冷
却対象物の温度を測定することにより、温度の変化が所
定値より少ないときに冷却対象物の冷却構造に欠陥が生
じていると判定することができるので、たとえば高温か
ら低温への温度下降が所定値以下で冷却構造に欠陥があ
っても、冷却対象物に対して通電していないので冷却対
象物の異常な温度上昇がなく、冷却構造の欠陥による冷
却対象物の破損防止が可能となる。
【0048】(2).冷却対象物に対して、始めに低温の冷
却媒体を伝導して一定温度に保った後に高温の冷却媒体
を伝導することにより、冷却対象物が低温の冷却媒体の
温度に近いので、始めに冷却対象物が低温の冷却媒体の
温度に等しくなるまでの時間短縮が可能となる。
却媒体を伝導して一定温度に保った後に高温の冷却媒体
を伝導することにより、冷却対象物が低温の冷却媒体の
温度に近いので、始めに冷却対象物が低温の冷却媒体の
温度に等しくなるまでの時間短縮が可能となる。
【0049】(3).冷却対象物を、冷却媒体として水を用
いる冷却構造をもつ半導体装置とすることにより、水冷
の方が空冷に比べて熱伝導効率が良いので、低温および
高温への伝導時間を短縮することができ、検査効率の向
上が可能となる。
いる冷却構造をもつ半導体装置とすることにより、水冷
の方が空冷に比べて熱伝導効率が良いので、低温および
高温への伝導時間を短縮することができ、検査効率の向
上が可能となる。
【0050】(4).前記(1) 〜(3) により、冷却対象物へ
の非通電によって冷却対象物の破損を防止し、異なる2
種類の温度における冷却媒体の伝導により効率の良い冷
却構造の欠陥検査が可能とされる冷却構造検査方法を得
ることができる。
の非通電によって冷却対象物の破損を防止し、異なる2
種類の温度における冷却媒体の伝導により効率の良い冷
却構造の欠陥検査が可能とされる冷却構造検査方法を得
ることができる。
【図1】本発明の冷却構造検査方法の一実施例である冷
却対象物のLSIの要部を示す断面図である。
却対象物のLSIの要部を示す断面図である。
【図2】本実施例のLSIにおいて、冷却構造の検査方
法を示す説明図である。
法を示す説明図である。
【図3】本実施例のLSIにおける変形例を示す要部断
面図である。
面図である。
【図4】従来技術の一実施例であるLSIの冷却構造を
示す斜視部分断面図である。
示す斜視部分断面図である。
【図5】従来技術の一実施例であるLSIの要部を示す
断面図である。
断面図である。
【図6】従来技術の一実施例であるLSIにおいて、ダ
イオードの電圧−温度特性を示す特性図である。
イオードの電圧−温度特性を示す特性図である。
1 LSI(冷却対象物) 2 基板 3,3a モジュール 4 マイクロフィン 5 封止キャップ 6 水冷ジャケット 7 冷却水(冷却媒体) 7a 高温の冷却水 7b 低温の冷却水 8 封止部分 9 Heガス 10 電源 11 抵抗 12 感熱ダイオード 13 定電流電源 14 電圧計 15 三方弁 16 放熱フィン 17 エアー 18 温度モニタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 児珠 一弘 神奈川県秦野市堀山下1番地 日立コン ピュータエンジニアリング株式会社内 (72)発明者 村沢 成一 神奈川県秦野市堀山下1番地 日立コン ピュータエンジニアリング株式会社内 (72)発明者 松本 雄二 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社 日立製作所 汎用コンピュータ事業部内
Claims (4)
- 【請求項1】 冷却媒体による伝導冷却方式の冷却構造
検査方法であって、所定温度の冷却媒体を冷却対象物に
伝導して一定温度に保った後、該所定温度とは異なる温
度の冷却媒体を前記冷却対象物に伝導し、一定間隔の後
に該冷却対象物の温度を測定し、温度の変化が所定値よ
り少ないときに該冷却対象物の冷却構造に欠陥が生じて
いると判定することを特徴とする冷却構造検査方法。 - 【請求項2】 前記冷却対象物に対して、始めに高温の
冷却媒体を伝導して一定温度に保った後に低温の冷却媒
体を伝導し、一定間隔の後に該冷却対象物の温度を測定
することを特徴とする請求項1記載の冷却構造検査方
法。 - 【請求項3】 前記冷却対象物に対して、始めに低温の
冷却媒体を伝導して一定温度に保った後に高温の冷却媒
体を伝導し、一定間隔の後に該冷却対象物の温度を測定
することを特徴とする請求項1記載の冷却構造検査方
法。 - 【請求項4】 前記冷却対象物を、前記冷却媒体として
水を用いる冷却構造をもつ半導体装置とすることを特徴
とする請求項1、2または3記載の冷却構造検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4296771A JP2706205B2 (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 冷却構造検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4296771A JP2706205B2 (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 冷却構造検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06151666A JPH06151666A (ja) | 1994-05-31 |
JP2706205B2 true JP2706205B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=17837920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4296771A Expired - Fee Related JP2706205B2 (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 冷却構造検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2706205B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5990860B2 (ja) * | 2012-01-12 | 2016-09-14 | トヨタ自動車株式会社 | 熱抵抗測定装置及び温度センサー校正装置 |
-
1992
- 1992-11-06 JP JP4296771A patent/JP2706205B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06151666A (ja) | 1994-05-31 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |