JPS63117442A - 電子ビ−ム測定装置 - Google Patents
電子ビ−ム測定装置Info
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- JPS63117442A JPS63117442A JP61264281A JP26428186A JPS63117442A JP S63117442 A JPS63117442 A JP S63117442A JP 61264281 A JP61264281 A JP 61264281A JP 26428186 A JP26428186 A JP 26428186A JP S63117442 A JPS63117442 A JP S63117442A
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- Japan
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- semiconductor device
- temperature
- electron
- sample chamber
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の内部の電位を測定する電子ビーム
測定装置に関し、特に、所望の温度に設定された半導体
装置の内部の電位を測定する電子ビーム測定装置に関す
る。
測定装置に関し、特に、所望の温度に設定された半導体
装置の内部の電位を測定する電子ビーム測定装置に関す
る。
従来、この種の電子ビーム測定装置は、真空中で被測定
半導体装置を動作させ、電子銃から放出された電子ビー
ムを前記半導体装置へ照射し、前記半導体装置から放出
される二次電子を検出して、前記半導体装置の内部の電
位を測定していた。
半導体装置を動作させ、電子銃から放出された電子ビー
ムを前記半導体装置へ照射し、前記半導体装置から放出
される二次電子を検出して、前記半導体装置の内部の電
位を測定していた。
従来、この種の電子ビーム測定装置は、真空中で被測定
半導体装置を動作させるため前記半導体装置の消費電力
と熱抵抗とで決まる温度における前記半導体装置の電位
しか測定することができず、所望の温度における前記半
導体装置の内部の電位を測定できないというような欠点
があった。
半導体装置を動作させるため前記半導体装置の消費電力
と熱抵抗とで決まる温度における前記半導体装置の電位
しか測定することができず、所望の温度における前記半
導体装置の内部の電位を測定できないというような欠点
があった。
本発明の電子ビーム測定装置は、試料室外で液体の熱媒
体を所望の温度に設定する手段と、試料室外と試料室内
を結ぶパイプに液体の熱媒体を循環させる手段と、試料
室内で液体の熱媒体と被測定半導体装置との間で熱を伝
える手段とを有し、被測定半導体装置が所望の温度にな
る様に試料室外で液体の熱媒体の温度を制御する手段を
有している。
体を所望の温度に設定する手段と、試料室外と試料室内
を結ぶパイプに液体の熱媒体を循環させる手段と、試料
室内で液体の熱媒体と被測定半導体装置との間で熱を伝
える手段とを有し、被測定半導体装置が所望の温度にな
る様に試料室外で液体の熱媒体の温度を制御する手段を
有している。
すなわち、上述した従来の電子ビーム測定装置に対し、
本発明は、試料室内の被測定半導体装置が所望の温度に
なる様に試料室外で液体の熱媒体の温度を設定し、試料
室外と試料室内を結ぶパイプに液体の熱媒体を循環させ
、試料室内で液体の熱媒体と被測定半導体装置との間で
熱を伝えることによシ、所望の温度に設定された被測定
半導体装置の内部の電位を測定できるようにしたもので
ある。
本発明は、試料室内の被測定半導体装置が所望の温度に
なる様に試料室外で液体の熱媒体の温度を設定し、試料
室外と試料室内を結ぶパイプに液体の熱媒体を循環させ
、試料室内で液体の熱媒体と被測定半導体装置との間で
熱を伝えることによシ、所望の温度に設定された被測定
半導体装置の内部の電位を測定できるようにしたもので
ある。
次に本発明の第１の実施例について第１図を参照して説
明する。
明する。
図中１は鏡筒で内部は真空になっている。電子銃２から
放出された電子ビームは、パルス電子ビーム発生器３で
パルス化され、さらに電子レンズ４．５で集束され、試
料室６の内部の被測定半導体装置１０に到達する。
放出された電子ビームは、パルス電子ビーム発生器３で
パルス化され、さらに電子レンズ４．５で集束され、試
料室６の内部の被測定半導体装置１０に到達する。
被測定半導体装置１０は被測定半導体装置駆動系２１で
駆動されている。
駆動されている。
被測定半導体装置１０から放出された二次電子は二次電
子検出器２２で検出され、二次電子検出信号を出力する
。
子検出器２２で検出され、二次電子検出信号を出力する
。
信号処理系２３は被測定半導体装置駆動系２１と同期し
ておシ、またパルス電子ビーム発生器３゜電子レンズ４
，５を制御するとともに二次電子検出信号の信号処理を
行なう。
ておシ、またパルス電子ビーム発生器３゜電子レンズ４
，５を制御するとともに二次電子検出信号の信号処理を
行なう。
試料室６の内部の内部は真空になりている。試料室６の
内部のサンプルホルダ３１と、試料室６の外部の冷却器
３５とヒータ３６とはパイプ３３で結ばれている。ポン
プ３４で液体の熱媒体（図示しない）をパイプ３３内に
循環させている。液体の熱媒体は冷却器３５．ヒータ３
６で冷却、加熱された後にサンプルホルダ３１に送られ
、サンプルホルダ３１に密着させた被測定半導体装置１
０を冷却、加熱する。
内部のサンプルホルダ３１と、試料室６の外部の冷却器
３５とヒータ３６とはパイプ３３で結ばれている。ポン
プ３４で液体の熱媒体（図示しない）をパイプ３３内に
循環させている。液体の熱媒体は冷却器３５．ヒータ３
６で冷却、加熱された後にサンプルホルダ３１に送られ
、サンプルホルダ３１に密着させた被測定半導体装置１
０を冷却、加熱する。
温度制御部３７では、サンプルホルダ３１の温度をセン
サ３８で検出し、サンプルホルダ３１に密着させた被測
定半導体装置１０の温度が設定した所望の温度になる様
に冷許器３５とヒータ３６とで液体の熱媒体の温度を制
御している。
サ３８で検出し、サンプルホルダ３１に密着させた被測
定半導体装置１０の温度が設定した所望の温度になる様
に冷許器３５とヒータ３６とで液体の熱媒体の温度を制
御している。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
鏡筒１．電子銃２．パルス電子ビーム発生器′３゜電子
レンズ４，５．試料室６．被測定半導体装置１０、被測
定半導体装置駆動系２１．二次電子検出器２２．信号処
理系２３の動作は前述の実施例１と同様である。
レンズ４，５．試料室６．被測定半導体装置１０、被測
定半導体装置駆動系２１．二次電子検出器２２．信号処
理系２３の動作は前述の実施例１と同様である。
試料室６の内部は真空になっている。試料室６の内部の
サンプルホルダ３１と試料室６の外部の冷却器３５とは
第一のパイプ４１で結ばれている。
サンプルホルダ３１と試料室６の外部の冷却器３５とは
第一のパイプ４１で結ばれている。
前記サンプルホルダ３１と試料室６の外部のヒータ３６
とは第二のパイプ４３で結ばれている。
とは第二のパイプ４３で結ばれている。
第一のポンプ４２で第一の液体の熱媒体（図示しない）
を第一のパイプ４１内に循環させている。
を第一のパイプ４１内に循環させている。
第一の液体の熱媒体は冷却器３５で冷却された後、サン
プルホルダ３１に密着させた被測定半導体装置１０を冷
却する。
プルホルダ３１に密着させた被測定半導体装置１０を冷
却する。
第二のポンプ４４で第二の液体の熱媒体（図示しない）
を第二のパイプ４３内に循環させている。
を第二のパイプ４３内に循環させている。
第二の液体の熱媒体はヒータ３６で加熱された後、サン
プルホルダ３１に送られ、サンプルホルダ３１に密着さ
せた被測定半導体装置１０を加熱する。
プルホルダ３１に送られ、サンプルホルダ３１に密着さ
せた被測定半導体装置１０を加熱する。
温度制御部３７では、サンプルホルダ３１の温度をセン
ナ３８で検出し、サンプルホルダ３１に密着させた被測
定半導体装置１０の温度が設定した所望の温度になる様
に冷却器３５とヒータ３６とで液体の熱媒体の温度を制
御している。
ナ３８で検出し、サンプルホルダ３１に密着させた被測
定半導体装置１０の温度が設定した所望の温度になる様
に冷却器３５とヒータ３６とで液体の熱媒体の温度を制
御している。
この実施例２では、冷却用と加熱用とで別の液体の熱媒
体を用いることができるため、冷却又は加熱の時間を短
縮できるという利点がある。
体を用いることができるため、冷却又は加熱の時間を短
縮できるという利点がある。
以上説明したように本発明は、試料室外で液体の熱媒体
を所望の温度に設定する手段と、試料室外と試料室内を
結ぶパイプに液体の熱媒体を循環させる手段と、試料室
内で、液体の熱媒体と被測定半導体装置との間で熱を伝
える手段とを有し、被測定半導体装置が所望の温度にな
る様に試料屋外で液体の熱媒体の温度を制御することに
よシ所望の温度に設定された被測定半導体装置の内部の
電位を測定できる効果がある。
を所望の温度に設定する手段と、試料室外と試料室内を
結ぶパイプに液体の熱媒体を循環させる手段と、試料室
内で、液体の熱媒体と被測定半導体装置との間で熱を伝
える手段とを有し、被測定半導体装置が所望の温度にな
る様に試料屋外で液体の熱媒体の温度を制御することに
よシ所望の温度に設定された被測定半導体装置の内部の
電位を測定できる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図で、第２図は本
発明の第２の実施例の断面図である。 １・・・・・・鏡筒、２・・・・・・電子銃、３・・・
・・・パルス電子ビーム発生器、４，５・・・・・・電
子レンズ、６・・・・・・試料室、１０・・・・・・被
測定半導体装置、２１・・・・・・被測定半導体装！駆
動系、２２・・・・・・二次電子検出器、２３・・・・
・・信号処理系、３１・・・・・・サンプルホルダ、３
３．４１，４３・・・・・・パイプ、３４，４２．４４
・・・・・・ポンプ、３５・・・・・・冷許器、３６・
・・・・・ヒータ、３７・・・・・・温度制御部、３８
・・・・・・センサ。 １ −−− ｆｉｇ ２−−一電子ａ ３−
−−Ｂｒｐス電子ビーム梵生器４、ター 電子し〉ス゛
６・−試料室ｌＱ−−−オ皮ノリ、を半祷イ本県、ｆ
２ｌ−−−Ｊ皮渕定半４Ａ本Ｍ１す駐］Ｗ系２
２−−−二次電子検出器 ２３−−一禮号寿理系３１−
−−サンプルホルタ“ ３３−−−バイア ３４−−
−ポンプ３！；−−−；？ ！Ｉ’器 ３６−−−ピ
ータ ｎ−−−５：Ａ、襄制御部３８−−−セ〉プ 第１図
発明の第２の実施例の断面図である。 １・・・・・・鏡筒、２・・・・・・電子銃、３・・・
・・・パルス電子ビーム発生器、４，５・・・・・・電
子レンズ、６・・・・・・試料室、１０・・・・・・被
測定半導体装置、２１・・・・・・被測定半導体装！駆
動系、２２・・・・・・二次電子検出器、２３・・・・
・・信号処理系、３１・・・・・・サンプルホルダ、３
３．４１，４３・・・・・・パイプ、３４，４２．４４
・・・・・・ポンプ、３５・・・・・・冷許器、３６・
・・・・・ヒータ、３７・・・・・・温度制御部、３８
・・・・・・センサ。 １ −−− ｆｉｇ ２−−一電子ａ ３−
−−Ｂｒｐス電子ビーム梵生器４、ター 電子し〉ス゛
６・−試料室ｌＱ−−−オ皮ノリ、を半祷イ本県、ｆ
２ｌ−−−Ｊ皮渕定半４Ａ本Ｍ１す駐］Ｗ系２
２−−−二次電子検出器 ２３−−一禮号寿理系３１−
−−サンプルホルタ“ ３３−−−バイア ３４−−
−ポンプ３！；−−−；？ ！Ｉ’器 ３６−−−ピ
ータ ｎ−−−５：Ａ、襄制御部３８−−−セ〉プ 第１図
Claims (1)
- 電子ビームを試料室内の被測定半導体装置へ照射し、前
記半導体装置から放出される二次電子を検出して、前記
半導体装置の内部の電位を測定する電子ビーム測定装置
において、試料室外で液体の熱媒体を所望の温度に設定
する手段と、試料室外と試料室内を結ぶパイプに前記液
体の熱媒体を循環させる手段と、試料室内で、前記液体
の熱媒体と前記半導体装置との間で熱を伝える手段とを
有し、前記半導体装置が所望の温度になる様に試料室外
で前記液体の熱媒体の温度を制御することを特徴とする
電子ビーム測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61264281A JPS63117442A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 電子ビ−ム測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61264281A JPS63117442A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 電子ビ−ム測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63117442A true JPS63117442A (ja) | 1988-05-21 |
Family
ID=17400986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61264281A Pending JPS63117442A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 電子ビ−ム測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63117442A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0472736A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04294042A (ja) * | 1990-12-20 | 1992-10-19 | Siemens Nixdorf Inf Syst Ag | 真空室内のデバイス冷却装置 |
| CN109514066A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-26 | 南京理工大学 | 基于电子束熔丝增材制造的控制层间温度的装置 |
| US11158484B2 (en) | 2017-08-31 | 2021-10-26 | Asml Netherlands B.V. | Electron beam inspection tool and method of controlling heat load |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5759450B2 (ja) * | 1975-12-17 | 1982-12-15 | Sumitomo Electric Industries | |
| JPS593534B2 (ja) * | 1979-07-28 | 1984-01-24 | 日立粉末冶金株式会社 | 鉄銅系高密度焼結合金の製造法 |
| JPS6017465B2 (ja) * | 1982-01-08 | 1985-05-02 | 日東電工株式会社 | 表面保護材料用粘着組成物 |
| JPS6119774B2 (ja) * | 1978-12-25 | 1986-05-19 | Oobayashigumi Kk | |
| JPS6128042B2 (ja) * | 1982-02-09 | 1986-06-28 | Asahi Kasei Kogyo Kk |
-
1986
- 1986-11-05 JP JP61264281A patent/JPS63117442A/ja active Pending
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| CN109514066A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-26 | 南京理工大学 | 基于电子束熔丝增材制造的控制层间温度的装置 |
| CN109514066B (zh) * | 2018-10-31 | 2021-06-29 | 南京理工大学 | 基于电子束熔丝增材制造的控制层间温度的装置 |
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